JPS6084886A - 線状非晶質太陽電池 - Google Patents

線状非晶質太陽電池

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JPS6084886A
JPS6084886A JP58193213A JP19321383A JPS6084886A JP S6084886 A JPS6084886 A JP S6084886A JP 58193213 A JP58193213 A JP 58193213A JP 19321383 A JP19321383 A JP 19321383A JP S6084886 A JPS6084886 A JP S6084886A
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JP
Japan
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wire
solar cell
linear
conductive film
electricity
Prior art date
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Application number
JP58193213A
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English (en)
Inventor
Hideo Itozaki
糸崎　秀夫
Yoshihiko Doi
良彦 土井
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/93—Interconnections
    • H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
    • H10F77/935—Interconnections for devices having potential barriers for photovoltaic devices or modules
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
    • H10F77/147—Shapes of bodies
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）技術分野 非晶質太陽電池は、１９７６年にＣａｒｅｓｏｎらによ
り発明されて以来、急速にその性能を向上させコストダ
ウンも計られ実用化が進んでいる。非晶質太陽電池はシ
ランガスの放電分解法を用いることにより結晶シリコン
に比べて大きい面積に均一につけることができるために
、電力用として開発が進められている。またこの放電分
解法を用いると種々の形態をもつものの表面に均一に太
陽電池を形成できる特徴がある。この特徴を利用した線
状非晶質太陽電池構造が本発明であり、線状の特徴を利
用した今までに考えられなかった広い分野への応用価値
がある。
（２ン従来技術とその問題点（発明の背景）非晶質太陽
電池は従来ガラスやステンレス板高分子板の工うな平板
上に形成し、太陽光に垂直にあてる構造を有していた。
また、屈曲性を持たせるために、薄いＳＵＳ板や高分子
膜が用いられている。しかし、あくまで平面構造である
ために、使用土の制限があった。
本発明は、これらの点を改善すべく、線状の太陽電池を
考案したものである。
本発明に上ると線状であるために平板状のものよりも屈
曲性に富んでふ・り線を編むことで編組構造にして用い
ることができる。また、断面形状が円型であるために、
全方位からの光に感する特長を有している。
（３）発明の構成 第１図に本発明の実施例である線状太陽電池の断面構造
図を示す。
ｌは、中心導体であり、図のように線状のものと、中空
のパイプのいづれかの構造のものを用０る。
ｌ質は、全体を支えるに必要な強度を持ち、かつ電気伝
導性の良いものである。
たとえばＡｌ線、ＳＵＳ線、などがあげられろ。２は、
非晶質太陽゛亀池部であり、Ｐｉｎまたは、これをくり
かえした構造又はショットキー型構造を有する。
この部分において光が電気に変換される。３は透明導電
膜であり、２の層で発生した電気を１とと５ｎ０２　な
どを用いる。透明導電膜は、電気伝導度た電気を外部へ
導く、４の材料としては良導体である必要があり、ＡＩ
！、Ａｕ線などがあげられる。
４は３の周囲にらせん状に巻きつける方式をとることも
できる。すなわち電気は中心導体ｌと電気取出線４より
外部へ取り出すことになる。さらに、がある。
代表的な材料としては、シリコン樹脂、５ｉ３Ｎ４７ｚ
とがある。
（４）実施例 実施例１゜ 中心導体ｌには、直径５關のアルミ＆全用いて、膜し、
その上に透明導電膜３として５ｎ０２とＩＴＯの複合膜
を積層した。さらに電気取出線４としては、直径０，５
龍のアルミ線をピッチ２０間で巻キつけた。全体の保護
膜としては、Ｓｉ３Ｎ４を数ミクロン被覆した後、４リ
コン樹側を約１間の厚みに被覆した。よって、最終的に
は直径約７間の線状太陽電池を構成した。
非晶質太陽電池部の作成条件はガラス基板上に作成した
場合で８％の効率をＡＭｌ、０にて出すものである。変
換効率の測定には長さ２０ｃｍに切ったものを用いた。
特性は、 Ｖｏｃ＝０．９Ｖ　Ｊｓｃ＝１４（ｈ＋ｔＡ　ＦＦ＝Ｏ
１６である。本太陽電池の照射面積を（長さ）Ｘ（線の
直径）とすると照射面積はＩＯｄとなり、変換効率は７
．５６％であり、線状にしたことによる損失は５％程度
でめった。
さらに第２図のごと＜、鏡に太陽光を反射させて、線状
太陽電池の上下両面より光を入射した場合には、 Ｖｏｃ’＝０．９　Ｖ、　Ｊｓｃ’＝＝２８０ｎＬｏ、
　Ｆ　Ｆ　’　＝０．６となり、出力電流が２倍となり
、繊状構造の特徴が生かせた。この場合、太陽入射面積
に対しては、変換効率は、２倍の１５％になり、反射光
の有効利用を示している。
実施例２゜ 中心導体にはステンレス管（外径２０ｍｍ内径Ｉ９朋）
のものを用いた。長さは１１１Ｌｏ非晶質太陽電池部、
透明導電膜、電気取出課、保護膜は実施例１と同様のも
のである。特性評価には、ＡＭ　１．０の平行光線を（
５）一方向より当てる方式と（Ｂ）二方向より当る方式
にて行なった。（５）（Ｂ）での出力特性は、表１にま
とめた。
表　１ せてパイプの温度上昇を熱エネルギーとして熱交換器に
より取り出してみたところ、５０７ｎＷと１００７ｚｘ
Ｗが取り出せ、パイプ状にしたことにより、電気、熱両
方のエネルギーを同時に取り出すことができた。又、こ
の方式では、太陽電池の温度上昇を水の冷却により防げ
るために、太陽電池の動作中の出力特性が、水を通さな
かった場合より、５％向」ユするとともに、長期劣化度
も、大巾に向上することが期待される。
以上実施例ではｐｉｎ構造の非晶質シリコン太陽電池を
用いたが、ｐｉｎを多層に積み重ねた構造やショットキ
ー型の太陽電池を用いることができることは、ｊうまで
もない。さらに、ｐ層を太陽光入射側とするｐｉｎ又は
その積層構造のほか、ｎ層を入射光側とする逆タイプを
用いることができる。
−気を取出すために、透明導電膜の周囲にらせん状に巻
いた電線について、電気接触性１１はを向上させる為に
、透明導電膜と電線の間に導電性接着材を用いたり、ハ
ンダを用いることができる。さらに、電線をらせん状に
巻く他に、透明導電股上にストライブ状に電線を取付け
ることもできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による線状非晶質′太陽電池の断面猜造
図である。 第２図は本発明の線状非晶質太陽電池の特性評価方法を
示した図である。 ｌ・・中心導体、２　・非晶質太陽電池部、３　・透明
導電膜、４・・・′１ｄ気取出線、５・・渫護膜、６・
・太陽光、７・・・反射した太陽光、８　線状非晶質太
陽電池、９・・鏡。 代理人　弁理士　上　代　哲　司ａ’、ｌｌ’、’：・
−１１，− 芹ＩＶ 芳

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （り線あるいはパイプの形状を基体しｋことを特徴とす
    る線状非晶質太陽電池。 （２）線あるいはパイプ状基体の材料として電気伝導度
    の大きい材料を用いて電極としても用いることを特徴と
    する特許請求範囲第１項記載の線状非晶質太陽電池。 （３）取出電極として、電気伝導度の大きい材料の細線
    を線状太陽電池の透明導電膜上にらせん状に巻いたこと
    を特徴とする特許請求範囲第１項及び第２項記載の線状
    非晶質太陽電池。 （４）起電力発生層である非晶質膜として、ショットキ
    ー型を用いる方式あるいはＰｉｎを１層または多層積重
    おた構造を有することを特徴とする特許請求範囲第１．
    ２．８項記載の線状非晶質太陽電池。
JP58193213A 1983-10-14 1983-10-14 線状非晶質太陽電池 Pending JPS6084886A (ja)

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