JPS6085572A - 光電変換装置作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、光照射により光起電力を発生し得る接合を
少なくとも１つ有するアモルファス半導体を含む非単結
晶半導体を透光性絶縁基板上に設けた光電変換素子（単
に素子ともいう）を複数個電気的に直列接続して、高い
電圧を発生させる光電変換装置に関する。

この発明は、マスクレス、プロセスであってレーザスク
ライブ方式（以下ＬＳという）を用い２つの素子を連結
する連結部の構造に関する。

本発明の装置における素子の配置、大きさ、形状は設計
仕様によって決められる。しかし本発明の内容を簡単に
するため、以下の詳細な説明においては、第１の素子の
下側（基板側）の第１の電極と、その右隣りに配置した
第２の素子の第２の電極（半導体上即ち基板から離れた
側）とを電気的に直列接続させた場合を基として記す。

かかる構成において、第１の素子および第２の素子を連
結するための第２の開溝は、非単結晶半導体を除去する
のみならず、第１の素子の第１の電極である透光性導電
膜（以下ＣＴＦという）をもＬＳにより除去して作製し
た。さらにその第２の開溝の下側の絶縁性基板上部をも
一部ザイドエッチして除去している。そしてこのサイド
エッチによって作られたグループ（ｇｒｏｏｖｅ　小穴
または横穴）の上側（ＣＴＦの底面）に対し第２の素子
の第２の電極を構成する酸化物導電膜をコンタクトせし
め、連結部を構成させたものである。

この発明ばＣＴＦの上面がレーザ光照射による損傷によ
り絶縁性となってしまうため、導電性の低下のないＣＴ
Ｆの底面をサイドエッチにより露呈せしめ、この底面に
第２の電極より延在した酸化物導電膜をコンタクト（底
面コンタク１〜）させて、その接触抵抗を１Ω／ｃｍ以
下の少ない値とせしめたものである。

本発明の光電変換装置、特に薄膜型光電変換装置にあっ
ては、それぞれの薄膜層である電極用導電性層、また半
導体層はともにそれぞれ５００人〜１μ、０．２〜１．
０μの薄さであり、Ｌｓ方式を用いることにより、コン
ピュータコントロール方式の自動マスク合わせ機構で作
製することが可能なことが判明した。

その結果、従来のマスク合わせ工程のがわりに本発明は
マスクを全く用いないマスクレス工程であって、きわめ
て簡単かつ高精度であり、装置の製造コストの低下をも
たらし、そのため５００円／Ｗの製造も可能となり、そ
の製造規模の拡大により１００〜２００円／Ｗも可能に
成ったというきわめて画期的な光電変換装置を提供する
ことにある。

以下に図面に従って本発明の詳細を示す。

第１図は本発明の製造工程を示す縦断面図であ図面にお
いて絶縁表面を有する透光性基板（１）例えばガラス板
（例えば厚さ０．６〜２．２ｍｍ例えば１．２ｍｍ　、
長さ〔図面では左右方向）　６０ｃｍ、中２０ｃｍ）を
用いた。さらにこの上面に全面にわたって透光性導電膜
例えばＩＴＯ（酸化インジューム酸化スズ混合物、即ち
酸化スズを酸化インジューム中に１０重量％添加した膜
）（約１５００人）　＋ＳｎＯ，（２００〜４００人）
または弗素等のハロゲン元素が添加された酸化スズを主
成分とする透光性導電膜（１５００−２０００人）を真
空蒸着法、ＬＰＣＶ　Ｄ法、プラズマＣＶＤ法またはス
プレー法により形成させた。

した。さらにこの照射レーザ光を走査させて、スクライ
ブラインである第１の開ａ　（１３）を形成さを作製し
た。

れぞれを完全に切断して電気的に分離した。

この後、この電極（２）、開溝（１３）の上面にプ０．
２〜０．１１１μ代表的には０．５μの厚さに形成させ
１００人）−ｒ型アモルファスまたはセミアモルフニ５
ｉｘＣｌ−×ｘ　＝０．９約５０人を積層させ７−ツ（
７）ＰＩＳｉｘＧｅ　Ｉ−Ｘ半導体−Ｎ型Ｓｔ半導体よ
りなる２つのｐｉＮ接合と１つのＰＮ接合を有するクン
デム型のｌ’ｌＮｌ’ＩＮ、、、、、ＰＩＮ接合の半導
体（３）である。

さらに第１図（Ｂ）に示されるごとく、第１の開溝（１
３）の左方向側（第１の素子側）にわたって第２の開溝
（１８）を第２のＬＳＩ程により形成させた。

この第２の開溝は第２の素子（１１）の第１の電極の側
面（１６）より３０μ以上左側であればよく、３０〜２
００μ第１の素子側にシフトさせた。即ち第１の素子の
第１の電極位置上にわたって設けられていることが特徴
である。

そしてこの代表的な例として、第２図（Ｂ）に示される
ごとく、第１の素子（３１）の第１の電極（３７）の内
部（９）に入ってしまってもよい。

この図面では第１および第２の開溝（１３＞、＜　１８
　）の中心間を１００μずらしている。

かくして第２の開溝（１８）は第１の電極の側面（８＞
、＜　９　）をも露呈させた。

さらにこの基板を希弗酸（４８％ＨＦを１０倍の水で希
釈した１／１０肝をここでは用いた）にて１０秒〜１分
代表的には３０秒エツチングした。これはＣＦ４等の弗
化物気体にマイクロ波をラジカル化せしめ、そのラジカ
ルシャワーを基板と平行な方向即ちサイドエッチをより
行う方向にプラズマエッチをさせた。すると半導体（３
）、ＣＴＦ　（２）がＬＳにより大気中の酸素と反応し
て生成した低級多孔性酸化珪素を除去することができた
。さらに加えて基板のガラス（酸化珪素）をも一部にお
いて除去し、深さ方向に０．１〜５μ、横方向に０．１
〜１０μ例えば深さ０．３μ、横方向３μのサイドエッ
チをさせた。かくして第１図（Ｂ）における四ｍ　（７
＞およびＣＴＦ　（３７）の底面（６）を露呈せしめた
。

即ち、従来より公知のごとく、第１の電極の表面を露呈
させるのめではこの表面がレーザ光により絶縁性を有し
ているため、良好なコンタクトを作ることができない。

即ち、レーザ照射によりＣＴＦ中に一部の酸化珪素が残
存し、またＣＴＰの結晶構造が変成して絶縁性になって
いると思われる。このため、かかる上側コンタクｌ−（
Ｔ、ｏｐ　ｃｏｎｔａｃｔ　）を用いないことが本発明
の特長である。即ち本発明はレーザ光で絶縁物化されて
いない底面を用いた底面コンタクト（Ｂｏｔｔｏ…ｃｏ
ｒ＋Ｌａｃｔ）を電気連結を主として用いたものである
。もちろんこの底面コンタクトに加えて、そのコネクタ
（３０Ｘ第１図Ｃの（３０）に対応）の一部が側面にコ
ンタクトを作り、即ち、ゲイトコンタクトを構成させ、
電気伝導度を助長させることは有効である。さらにこの
連結の際、ＣＴＦの一部の上面にも連結しうろことはい
うまでもない。

第１図において、さらにこの上面に第２図（Ｃ）に示さ
れるごとく、裏面の第２の電極（４）および連結部（コ
ネクタ＞＜３０）を形成し、さらに第３のＬＳでの切断
分離用の第３の開溝（２０）を得た。

この第２の電極（４）は本発明の特長である導電性酸化
膜（ＣＯＸ４５）、＜４５’）を用いた。その厚さは７
００〜１４００人の厚さに形成させた。

このＣＯとして、ここではＩＴＯＵＷＩ化インジューム
酸化スズを主成分とする混合物Ｘ４５）を形成した。ご
のＣＯとして酸化インジュームを主成分として形成させ
ることも可能である。このＩＴＯを電子ビーム蒸着法、
ＣＶＤ法、ＰＣＶＤ法で形成せしめると他の金属に比べ
て被膜形成の際きわめてまわりごみが起きやすい。この
ためグループ（７）の内部に十分入り、ＣＴＦ　’（３
７）の底面（６）と電気的によ（連結させコンタク１−
構成が可能となった。即ちＣＯは半導体に密接して（４
５）、＜　４５　’　）を有し、このコネクタ（３０）
を構成する導体が最初から酸化物としての化合物を構成
しているため一半祷木中にマイグレイＩ・することがな
く、高信頼性を有せしめることができた。さらにその上
面に第３のＬＳによる第３の開溝形成の際、ＣＯとこの
金属とが容易に除去される金属（４６）を形成した。こ
こではクロムを３００〜３０００人の厚さに形成した。

さらにその上面にニッケルまたは銅を外部接続用電極と
して、形成させることは有効である。

例えばＣＯとしてのＩＴＯを１０５０人、クロムを１６
００人、さらにニッケルを２００〜５００人の三重構造
とした。

このＩＴＯと反射用金属は裏面側での長波長光の反射を
促し、６００〜８００ｎｍの長波長光を有効に光電変換
させるためのものである。

さらにニッケルは電極部（５）での外部引出し電極（２
３）との密着性を向上させるためのものである。

これらは電子ビーム蒸着法またはＣＶｌ、Ｊ法を用いて
半導体層を劣化さ−ｌないため、３００゛（：以−１０
温度で形成させた。

このＣＯであるＩＴＯば本発明においてはきわめて重要
である。その効果は、 〔１〕グル一プ内部での強いまわりこみにより連結部（
１２）における第１の素子の第１の電極（３７）の底面
とコンタクトを構成し、互いに酸化物であるため、この
コンタクト部にて長期使用におりＪる界面での絶縁性が
増加することがない。即ちもしアルミニューム等の金属
とＣＴＦ　（３７）とのコンタクトでは、金属がＣＴＦ
の酸素と長期間のうちに反応して絶縁性（アルミナ）を
この界面で生じさせてしまうが、このＣＯによる酸化物
−酸化物コンタク１−ばかかる絶縁性がコンタクト界面
に生ずることがなく、信頼性の向上が大きい。

〔２〕第２の電極の金属（４６）、＜４６’）が珪素（
３）と合金層にならず、半導体（３）中に界雷拡散され
てしまい上下の電極間をショートさせてしまうことを防
いでいる。即ち１５０〜２００℃での高温放置テストに
おける裏面電極−半導体界面での信頼性向上に役立って
いる。

〔３〕入射光（１０）における半導体（３）内で吸収さ
れなかった長波長光の反射用金属（４６）での反射を促
し、特にＩＴＯの厚さが９００〜ｉ、１００人好ましく
は平均厚さ１０５０人として６００〜８００ｎｍの長波
長光の反射を大きくさせ、変換効率の向上に有効である
。

〔４層本発明のｆｆ１３の開溝（２０）の形成の際、レ
ーザ光の１８００℃以上の高温、特にスクライブ領域（
２０）にてクロム金属（４６）が半導体（３）内に侵入
して電極（３９）、（３８）間でのリーク電流が１Ｏ−
１Ａ／ｃｉｎ以上発生してしまうことを防ぐことができ
る。このため第３の開溝形成による製造上の歩留りの低
下を防ぐことができる。

〔５〕コネクク（３０）部において、半導体特にＰＩＮ
半導体のうらの敏感な活性１層にＣＯが隣接しているた
め、金属がマイブレイトしてしまうことを防いでいる。

〔６〕半導体上のＰまたはＮ型半導体と相性のよいＣＯ
を形成することにより、即ちＮ型半導体に密接してＩＴ
Ｏまたは酸化インジュームを主成分とするＣＯを設けて
、この半導体、電極間の接触抵抗を下げ、曲線因子、変
換効率の向上をはかることができる。

次に本発明においては、この第２の電極を構成−するＣ
Ｏ（４５）とコネクタ（３ｏ）とが電気的にショートシ
ないよう、第３の開溝（２Ω）を第１の素子領域（３１
）にわたって設けた。即ぢ、第１の素子の開放電圧が発
生する電極（３９）、＜３８）間の電気的分離をレーザ
光（２０〜１００μφ代表的には５ｏμφ）を第２の開
溝（１８）より約５０μ離間せしめて形成させた。即ち
第３の開溝（２ｏ）の中心は第２の開溝（３０）の中心
に比べて３０〜２００μ代表的には１００μの深さに第
１の素子側にわたって設けている。

かくのごとく第２の電極（４）を第３のＬＳのレーザ光
を上方より照射して切断分離して開溝（２ｏ）を形成し
た場合を示している。

このＬＳにより半導体特に上面に密着する１００〜５０
０人の厚さのＮまたはＰ型のｚｖい半導体層を少しえぐ
り出しく４ｏ）隣合った第１の素子（３１）、第２の素
子（１１）間の開溝部での残存導体または導電性半導体
によるクロストーク（リーク電流）の発生を防止した。

さらにこの開溝（２０）下の半導体層を室温〜２００℃
の酸化雰囲気（２〜ｌＯ日）またはプラズマ酸化雰囲気
中で酸化して酸化珪素（３４）を１００〜１０００人の
厚さに形成して、２つの電極（３９）、＜３８）間のク
ロストークをより防いだ。

かくして第１図（Ｃ）に示されるごとく、複数の素子（
３１）、＜１１）を連結部（１２）で直列接続する光電
変換装置を作ることができた。

第１図（Ｄ）はさらに本発明を光電変換装置として完成
させんとしたものであり、即ちバ、シヘイション股とし
てプラズマ気相法により窒化珪素膜（２１）を５００〜
２０００人の厚さに均一に形成させ、湿気等の吸着によ
る各素子間のリーク電流の発生をさらに防いだ。

さらに外部引出し端子を周辺部（５）にて設りた。

これらにポリイミド、ポリアミド、カブ１−ンまたはエ
ポキシ等の有機樹脂（２２）を充填した。

かくして照射光（１０）により発生した光起電力は底面
コンタクトより矢印（３２）のごとく第１の素子の第１
の電極より第２の素子の第２の電極に流れ、直列接続を
さセ°ることができた。

その結果、この基板（６０ｃｍ　Ｘ　２０ｃｍ）におい
て各素子をＩＩＩ　１４　、３５ｍｍ連結部の中１５０
メｌ、外部引出し電極部の１」１０ｍｍ、周辺部４ｍｍ
により、実質的に５８０ＩｎＩＩ＋×１９２ＩＩｌｌＩ
Ｉ内に４０段を有し、有効面積（１９２＋＋＋ｍ　ｘ１
４．３５ｍｍ　４０段１１０２　ｃ！即ち９１．８％）
を得ることができた。

そして、セグメントが１０．８％（１，０５ｃｍ）の変
換効率を有する場合、パネルにて７．７％（理論的には
９．８％になるが、４０段連結の抵抗により実効変換効
率が低下したＸ／ＩＭＩ　Ｃ１Ｃ１０Ｏ／ｃ＋ｉｔ）　
）にて、８．１にの出力電力を有せしめることができた
。

さらにこのパネルを１５０℃の高温放置テストを行うと
１０００時間を経て１０％以下例えばパネル数２０枚に
て最悪４％、Ｘ＝１．５％の低下しかのられなかった。

これは従来のマスク方式を用いて信頼性テストを同一条
件にて行う時、１０時間で動作不能パネル数が１６枚も
発生してしまうことを考えると、驚異的な値であった。

第２図は３回のｔＳ工程での開溝を作る最も代表的なそ
れぞれの開溝の位置関係を示した縦断面図および平面図
（端部）である。

番号およびその工程は第２図と同様である。

第２５　（Ａ）　は第１　ノ開ｔ　（１３）、ｆｆ１Ｈ
７）素子（３１）、第２の素子（１１）、連結部（１２
）を有している。

さらに第２の開溝（１８）は、第１の素子を構成すべき
半導体（３）の第１の電極（２）側にわたって設けられ
、これらいずれをも除去さゼている。

またサイドエッチによるグループ（７）が作製され、第
１の電゛極の底面（６）に第２の電極のＣＯを連結させ
ている。

そのため、この第１の素子（３１）の第１の電極（３７
）と第２の素子（１１）の第２の電極（３８）とが、連
結部（１２）にてこの第２の電極（３８）より開溝（１
８）の側面にそって延びたＣＯによるコネクタ（３０）
により、第１の電極（２）の底面（６）および側面（８
）で電気的に連結され、２つの素子が直列接続されてい
る。

この第３の開溝（２０）が、約３０μの深さに第１の素
子（３１）側にシフトしている。

このため、第３の開溝（２０）の右端部は、：１ネクタ
部（３０）の一部をうがって設けられている。

かくして第１および第２の素子（３Ｄ、（１１）のそれ
ぞれの第２の電極（４）を電気的に切断分離し、且つこ
の電極間のリークをも１（１−’　Ａ　／ｃｍ　（１ｃ
ｍ巾あた２り１０−’Ａのオーダーの意）以下に小さく
することができた。

第２図（Ｂ）は平坦図を示し、またその端部（図面で下
側）において第１．第２、第３の開溝（１３）、（１８
）、＜２０）が設けられている。

この方向でのリークをより少なくするため、半導体（３
）が第１の電極（２）を覆う構造にして第１、第２の電
極間のショートを少なくさせたことが特徴である。

加えて素子の端部（図面下側）は、第１の電極（２）を
（１３’）にて切断分離した。さらにこ乳を半導体（３
）４第２の電極（４）の材料で覆い、さらにこの第２の
電極用導体（４）を（１３’）よりも外端側にて第３の
開溝（５０）により分離した。

この縦断面図は第３図（Ａ）、の端部に類位している。

この場合においてもこれら開溝（５０）を覆ってパッシ
ベイション膜を形成させている。

この図面において、第１、第２、第３の開溝１１１は７
０〜２０μを有し、連結部の中２５０〜８０μ代表的に
は１２０μを有せしめることができた。

以上のＹＡＧレーザのスポノ１−径を技術思想において
小さくすることにより、この連結部に必要な面積をより
小さく、ひいては光電変換装置としての有効面積（実効
効率）をより向上させることができるという進歩性を有
している。

第３図ば光電変換装置の外部引出し電極部を示したもの
である。

第３図（Ａ＞は第１図に対応しているが、外部引出し電
極部（５）は外部引出し電極（４７）に接触するバンド
（４９）を有し、このパッド（４９）は第２の電極（上
側電極〉（４）と連結している。この時電極（４７）の
加圧が強すぎてバンド（４９）がその下の半導体（３）
を突き抜は第１の電極（２）と接触しても（４９）と（
２）とがショートしないように開溝（１３’）が設けら
れている。

また外側部は第１の電極、半導体、第２の電極を同時に
一方のＬＳにてスクライブをした開溝（５０）で切断分
離されている。

さらに第３図（Ｂ）は下側の第１の電極く２）に連結し
た他のノクソド（４８）が第２の電極材料により　（１
８’）にて連結して設けられている。

さらにバ・２ド（４８）は外部引出し電極（４６）と接
触しており、外部に電気的に連結している。

ここでも開溝（１８’＞、　（２０”＞、（５０）によ
りバンド（４８）は全く隣の光電変換装置と電気的に分
離されており、（，１８’）にて第１の電極（２）と底
面コンタクトを（６）にて構成させている。

つまり光電変換装置は有機樹脂モールド（２２）で電極
部（５）、＜４５）を除いて覆われており、耐湿性の向
上を図った。

またこのパネル例えば４０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍまたは６
０ｃｍ　ｘ２０ｃｍ、　４０ｃｍ　Ｘ　１２０ｃｍを２
ケ、４ケまたは１ゲをアルミサツシまたは炭素繊維枠内
に組み合わせることによりパッケージされ、１２０ｃｎ
＋　Ｘ　４０ｃｍのＮＥ［ｌＯ規格の大電力用のパネル
を設けることが可能である。

マタこのＮＥＤＯ規格のパネルはシーフレックスにより
弗素系保護膜を本発明の光電変換装置の反射面側（図面
では上側）にはりあわせて合わせ、風圧、雨等に対し機
械強度の増加を図ることも有効である。

本発明において、基板は透光性絶縁基板のうち特にガラ
スを用いている。

しかしこの基板として可曲性有機樹脂またはアルミニュ
ーム、ステンレス等上に酸化アルミニューム、酸化珪素
または窒化珪素を０．１〜２μの厚さに形成した複合基
板を用いることば有効である。

特にこの複合基板を前記した実施例に適用すると、酸化
アルミニュームはリン酸により、酸化珪素または窒化珪
素は希弗酸に浸漬してＣＴＩ’の下側にν・イドエッチ
をさせたグループを作製してボ１−人コンタクトを構成
させることができた。

さらに本発明を以下に実施例を記してその詳細を補完す
る。

実施例１ 第１図の図面に従ってこの実施例を示す。

即ち透光性基板（１）として化学強化ガラス厚さ１．１
ｍｍ　、、長さ６０ｃｍ　、中２０ｃｍを用いた。

さらにその上にＣＴＦをＩＴ　０１６００人＋５ｎＯｚ
３００人を電子ビーム蒸着法により作製した。

さらにこの後、第１の開溝をスポット径５０μ、出力抹
のＹＡＧレーザをマイクロコンピュータにより制御して
３ｍ／分の走査速度にて作製した。

さらにパネルの端部をレーザ光出力１ｗにて第１の電極
用半導体をガラス端より５ｍｍ内側で長方形に走査しく
第２図（１３’）に対応入パネルの枠と素子との電気的
短絡を防止した。

素子領域（３１）、＜１１＞は１５ｍｍ巾とした。

この後公知のＰＣＶＤ法により第２図に示したＰＩＮ接
合を１つ有する非単結晶半導体を作製した。

その厚さは約０．５μであった。

かかる後、第１の開溝より１００μ第１の素子（３１）
をシフトさせて、スボｙ　）　ｆ’Ｍ５０μφにて出力
ＩＷにて大気中にてＬＳにより第２の開溝（１８）を第
２図（Ｂ）に示すごと（作製した。

さらにこの基板全体を１／１０肝に３０秒浸し、開溝部
の酸化物絶縁物を除去し、加えてグループ（７）および
ＣＴＦ　（２）の底面（６）（奥行き約３μ）を露呈さ
せた。さらにこの全体にＣＯとしてＩＴＯを電子ビーム
蒸着法により平均膜厚１０５０人に、さらにその上面に
クロムを１６００人の厚さに電子ビーム蒸着法により作
製して、第２の電極（４５）コネクタ（３０）を構成せ
しめた。

さらに第３の開ｍ　（２０）を同様に第３のＬＳにより
第２の開溝（１８）より１００μのわたり深さに第１の
素子（３１）側にシフトして形成させ、第２図（Ｃ）を
得た。レーザ光は出力ＩＷとし、他は第２の開溝の作製
と同一条件とした。

加えてこの基板周辺部に（第２図、第３図０５０）とし
て枠との電気的分離用の第３の開溝を形成した。

この後、バンシヘイション膜（２１）をＰＣＶＤ法によ
り窒化珪素膜を１０００人の厚さに２００°Ｃの温度に
て作製した。

すると２０ｃｍ　Ｘ　６０ｃｍのパネルに１５ｍｍ中の
素子を４０段作ることができた。

パネルの実効効率としてΔＭｌ　（１００ｍＷ／ｃｎｌ
）にて７．７％、出力８．１Ｋを得ることができた。

有効面積は１１０２ｃａｌであり、パネル全体の９１．
８％を有効に利用することができた。

この実施例においては、第１図（Ｄ）に示すごとく、上
側の保護用有機樹脂（２２）を重合わセることにより、
有機樹脂シートの間に光電変換装置をはさむ構造とする
ことができ、可曲性を有し、きわめて安価で多量生産が
可能になった。

第１図〜第２図において、光入射は下側の透光性絶縁基
板よりとした。

しかし本発明はその光入射側を下側に限定することなく
、上側の電極をＩＴＯとして上側より光照射を行うこと
も可能であり、また基板もガラス基板ではなく可曲性基
板を用いるごとは可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光電変換装置の製造工程をンバす縦断
面図である。 第２図は本発明の光電変換装置の縦断面図である。 第３図は本発明の他の光電変換装置の部分拡大をした縦
断面図である。 特許出願人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁表面を有する基板上の透光性導電膜に第１の開
   講を形成して複数の電極領域を形成する工程と、該第１
   の開溝および前記電極領域上に光照射により光起電力を
   発生する非単結晶半導体を形成する工程と、第１の素子
   の前記半導体およびその下の第１の電極とをレーザ光に
   より照射除去して第２の開溝を形成した後、該開溝およ
   びその近傍の酸化物絶縁物を除去するとともに前記第１
   の素子の第１の電極下にわたってグループを形成する工
   程と、前記半導体および前記第２の開溝に酸化物導電膜
   を形成して前記グループの第１の電極の底面と前記第２
   の素子の第２の電極とを前記酸化物導電膜により連結せ
   しめたことを特徴とする光電変換半導体装置作製方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、グループは弗化水
   素液体にガラス基板上の第２の開溝およびその近傍を浸
   漬してエツチングせしめることにより透光性導電膜の底
   面を露呈させて作製したことを特徴とする光電変換半導
   体装置作製方法。