JPS608581B2 - 電子光学系におけるブランキング装置 - Google Patents
電子光学系におけるブランキング装置Info
- Publication number
- JPS608581B2 JPS608581B2 JP55020638A JP2063880A JPS608581B2 JP S608581 B2 JPS608581 B2 JP S608581B2 JP 55020638 A JP55020638 A JP 55020638A JP 2063880 A JP2063880 A JP 2063880A JP S608581 B2 JPS608581 B2 JP S608581B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- planking
- electron beam
- sample
- mirror body
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子光学系のプランキング装置に係り、特に電
子線描画装置に使用するに好適なプランキング装置に関
する。
子線描画装置に使用するに好適なプランキング装置に関
する。
第１図は電子光学系における従来のプランキング装置の
一例である。
一例である。
電子銃２より発生した電子線１は縮小レンズ３によって
小さなビーム状に絞られ、対物レンズ６によって試料８
の表面に焦点を結ぶ。一方、電子線１は偏向レンズ７に
よって左右、前後に偏向され、試料８の表面を自由に走
査することができる。さらに、プランキング信号線１３
を介してプランキング板４，４に供給されるプランキン
グ信号１４の変化により「 ２枚のプランキング板４，
４間の電界が変化するので、これにつれて電子線１が、
偏向されてプランキング絞り５に当たり、試料８の照射
、非照射が制御できる。
小さなビーム状に絞られ、対物レンズ６によって試料８
の表面に焦点を結ぶ。一方、電子線１は偏向レンズ７に
よって左右、前後に偏向され、試料８の表面を自由に走
査することができる。さらに、プランキング信号線１３
を介してプランキング板４，４に供給されるプランキン
グ信号１４の変化により「 ２枚のプランキング板４，
４間の電界が変化するので、これにつれて電子線１が、
偏向されてプランキング絞り５に当たり、試料８の照射
、非照射が制御できる。
これらの電子光学系を収納する鏡体９は、真空および外
部磁場の影響等を考慮し、通常は金属で作られる。
部磁場の影響等を考慮し、通常は金属で作られる。
／また、鏡体９は下部において接地点ｌｏで大地に接続
される。第２図は、第１図のプランキング装置の部分を
拡大した図である。
される。第２図は、第１図のプランキング装置の部分を
拡大した図である。
プランキング信号１４はハーメチックシール１２を通し
、プランキング信号線１３を経てプランキング板４に加
えられる。
、プランキング信号線１３を経てプランキング板４に加
えられる。
プランキング板４の左側の板にプラスの電圧が加えられ
、右側の板が接地状態の時、電子線１は左側の板により
引かれ、下方のプランキング絞り５の左側に当る。反対
に、プランキング板４の左側に接地、右側にプラスの電
圧が加えられると、プランキング絞り５の右側に電子線
１は当たる。
、右側の板が接地状態の時、電子線１は左側の板により
引かれ、下方のプランキング絞り５の左側に当る。反対
に、プランキング板４の左側に接地、右側にプラスの電
圧が加えられると、プランキング絞り５の右側に電子線
１は当たる。
また、プランキング電圧が加えられないときは、電子線
１はプランキング絞り５を通過して試料８に達する。こ
のようにして、プランキング、アンプランキングの制御
ができる。なお、プランキング板４は、絶縁物１１によ
り、鏡体９から絶縁されてささえられている。第３図は
、プランキング信号発生回路の機能図である。
１はプランキング絞り５を通過して試料８に達する。こ
のようにして、プランキング、アンプランキングの制御
ができる。なお、プランキング板４は、絶縁物１１によ
り、鏡体９から絶縁されてささえられている。第３図は
、プランキング信号発生回路の機能図である。
プランキングスイッチ１５の開閉動作により、プランキ
ング信号１４は、プランキング電圧１６になったり、接
地電圧になったりする。接地電圧のときは、アンプラン
キング状態であり、電子線１はプランキング絞り５の中
心を通って試料に照射される。なお、負荷抵抗Ｒはプラ
ンキングスイッチ１５の電流制限抵抗である。このプラ
ンキングスイッチ１６の開閉は〜電子線描画装置におい
てはト装置制御回路によって支配され、描画時は開も非
描画時は開となる。
ング信号１４は、プランキング電圧１６になったり、接
地電圧になったりする。接地電圧のときは、アンプラン
キング状態であり、電子線１はプランキング絞り５の中
心を通って試料に照射される。なお、負荷抵抗Ｒはプラ
ンキングスイッチ１５の電流制限抵抗である。このプラ
ンキングスイッチ１６の開閉は〜電子線描画装置におい
てはト装置制御回路によって支配され、描画時は開も非
描画時は開となる。
第４図は、プランキング信号発生回路とプランキング板
４と鏡体９間を電気回路であらわした等価回路である。
プランキングスイッチ蔓５が開の時（非描画時）、プラ
ンキング板４は左側にプラスの電圧が加えられる。
４と鏡体９間を電気回路であらわした等価回路である。
プランキングスイッチ蔓５が開の時（非描画時）、プラ
ンキング板４は左側にプラスの電圧が加えられる。
また〜プランキング板４と鏡体９間には浮遊容量Ｃ，，
Ｃ２があり〜Ｃ，には同じくプラスの電圧が加えられト
充電されている。いま「プランキングスイッチ軍５が閉
になる（描画時）とトブランキング板亀の左側の正電荷
はプランキングスイッチ１５を通り、プランキング板亀
の右側の負電荷と結合する（電流１．）。
Ｃ２があり〜Ｃ，には同じくプラスの電圧が加えられト
充電されている。いま「プランキングスイッチ軍５が閉
になる（描画時）とトブランキング板亀の左側の正電荷
はプランキングスイッチ１５を通り、プランキング板亀
の右側の負電荷と結合する（電流１．）。
また、浮遊容量Ｃ．に蓄電されていた電荷は電流１２と
なり、図示のように流れて放電する。この電流１２は図
中のａｂ間を流れるが、このａｂ間は鏡体部である。こ
のようにト浮遊容量Ｃ，によって鏡体９に電流が流れ、
電子線川こ悪影響をおよぼす。
なり、図示のように流れて放電する。この電流１２は図
中のａｂ間を流れるが、このａｂ間は鏡体部である。こ
のようにト浮遊容量Ｃ，によって鏡体９に電流が流れ、
電子線川こ悪影響をおよぼす。
なお「この図の場合、浮遊容量Ｃ２の両端は共に接地電
位であるため電荷の流れはない。前述のようにち従来の
電子光学系におけるプランキング装置は「プランキング
電圧がオフの時、すなわちト電子線を試料に照射し始め
る時にｔフランキング板と鏡体間の浮遊容量のため鏡体
に電流が流れ、この電流による磁場のため電子線に影響
を与える欠点をもっていた。
位であるため電荷の流れはない。前述のようにち従来の
電子光学系におけるプランキング装置は「プランキング
電圧がオフの時、すなわちト電子線を試料に照射し始め
る時にｔフランキング板と鏡体間の浮遊容量のため鏡体
に電流が流れ、この電流による磁場のため電子線に影響
を与える欠点をもっていた。
すなわちも従来の電子線描画装置においては、試料上の
書き始めの部分の図形が鮮明にならず、精度が著しく低
下するという欠点があった。本発明の目的は、プランキ
ング電圧変化時に鏡体に流れる電流を、シールドガード
を設けることにより阻止し、精度のよい図形を掻き得る
電子光学系のプランキング装置を提供するにある。
書き始めの部分の図形が鮮明にならず、精度が著しく低
下するという欠点があった。本発明の目的は、プランキ
ング電圧変化時に鏡体に流れる電流を、シールドガード
を設けることにより阻止し、精度のよい図形を掻き得る
電子光学系のプランキング装置を提供するにある。
本発明は、電子線描画装置に関する前述のような考察か
ら、図形の書き始めの位置における精度の悪さの原因が
、プランキング板と鏡体間の浮遊容量により、鏡体に電
流が流れ「電子線に影響を与える点にあることを確認し
、この電流を胆止する手段として「 シールドガードを
設けるようにしたものである。第５図は本発明の一実施
例の要部断面図である。
ら、図形の書き始めの位置における精度の悪さの原因が
、プランキング板と鏡体間の浮遊容量により、鏡体に電
流が流れ「電子線に影響を与える点にあることを確認し
、この電流を胆止する手段として「 シールドガードを
設けるようにしたものである。第５図は本発明の一実施
例の要部断面図である。
図において、第１〜４図と同一の符号は同一または同等
部分をあらわす。本実施例においては、鏡体９に電流１
２を流さないために〜鏡体９とプランキング板４との間
にシールドガード１９を入れている。このシールドガー
ド１９を入れた場合の等価回路を第６図に示す。なお、
シールドガード８９はガード線２Ｍこよりプランキング
スイッチ竃陣の接地側に接続される。第６図において、
プランキングスイッチ１５が開の時「プランキング板４
、および浮遊容量Ｃ′，にはプランキング電圧盲６が加
えられている。
部分をあらわす。本実施例においては、鏡体９に電流１
２を流さないために〜鏡体９とプランキング板４との間
にシールドガード１９を入れている。このシールドガー
ド１９を入れた場合の等価回路を第６図に示す。なお、
シールドガード８９はガード線２Ｍこよりプランキング
スイッチ竃陣の接地側に接続される。第６図において、
プランキングスイッチ１５が開の時「プランキング板４
、および浮遊容量Ｃ′，にはプランキング電圧盲６が加
えられている。
プランキングスイッチ亀５が閉になるとプランキング板
亀の電荷は前記と同様電薪可，となる。また、浮遊容量
Ｃ′，の電荷は電流１′２としてガード線２８を流れる
。このため鏡体９には電流が流れなくなり「電子線１に
は影響がなく、良好なアンプランキング動作がおこなわ
れる。プランキングスイッチ亀５が閉から開に変った場
合における電流の流れはト方向が逆になるのみで、同様
に説明できる。
亀の電荷は前記と同様電薪可，となる。また、浮遊容量
Ｃ′，の電荷は電流１′２としてガード線２８を流れる
。このため鏡体９には電流が流れなくなり「電子線１に
は影響がなく、良好なアンプランキング動作がおこなわ
れる。プランキングスイッチ亀５が閉から開に変った場
合における電流の流れはト方向が逆になるのみで、同様
に説明できる。
また、この場合においては「総画から非描画への変化で
あるため「たとえ電流が流れたとしてもＬ試料には影響
を与えない。第？図は本発明の他の実施例の断面図であ
り、鏡体９とシールドガード１９との間に絶縁物２１を
介在させたものである。
あるため「たとえ電流が流れたとしてもＬ試料には影響
を与えない。第？図は本発明の他の実施例の断面図であ
り、鏡体９とシールドガード１９との間に絶縁物２１を
介在させたものである。
この実施例はち第６図の等価回路の線ｂｃを取り去った
形であるが、浮遊容量Ｃ３の両端は接地電位であるため
、鏡体には電流が流れない。それ故に、前述と同等の効
果が得られる。なお、前記各実施例において「 シール
ドガード蔓９が第５図に示すような円筒状のものでなく
とも、プランキング板亀をおおうような形であれば同様
な効果が得られることは当然である。
形であるが、浮遊容量Ｃ３の両端は接地電位であるため
、鏡体には電流が流れない。それ故に、前述と同等の効
果が得られる。なお、前記各実施例において「 シール
ドガード蔓９が第５図に示すような円筒状のものでなく
とも、プランキング板亀をおおうような形であれば同様
な効果が得られることは当然である。
以上の説明から明らかなように「本発明によれば、プラ
ンキング板の電界を変化させて、プランキング〜アンプ
ランキングの制御を行なう時に、鏡体に電流が流れない
ため、良好な描画結果が得られる。
ンキング板の電界を変化させて、プランキング〜アンプ
ランキングの制御を行なう時に、鏡体に電流が流れない
ため、良好な描画結果が得られる。
第１図は従来の電子光学系のプランキング装置の一例を
示す概略断面図、第２図は第１図におけるプランキング
装置の断面図「第３図はプランキング信号発生回路の一
例を示す図「第４図は第１図におけるプランキング装置
の電気的等価回路図、第５図ａは本発明によるプランキ
ング装置例の断面図、第５図ｂはシールドガードの一部
断面図、第６図は第５図におけるプランキング装置の電
気的等価回路図ト第７図は本発明の実施例の断面図であ
る。 １……電子線「 ４…・・・プランキング板、５・…・
・プランキング絞り「６……対向レンズ、７……偏向レ
ンズ、８……試料Ｌ Ｓ…鏡体、蔓４…・・・プランキ
ング信号、翼９……シールドガード。 矛１図 希２図 矛３図 才４図 矛 ５ 図 斗 ６ 図 弐′ ７ 図
示す概略断面図、第２図は第１図におけるプランキング
装置の断面図「第３図はプランキング信号発生回路の一
例を示す図「第４図は第１図におけるプランキング装置
の電気的等価回路図、第５図ａは本発明によるプランキ
ング装置例の断面図、第５図ｂはシールドガードの一部
断面図、第６図は第５図におけるプランキング装置の電
気的等価回路図ト第７図は本発明の実施例の断面図であ
る。 １……電子線「 ４…・・・プランキング板、５・…・
・プランキング絞り「６……対向レンズ、７……偏向レ
ンズ、８……試料Ｌ Ｓ…鏡体、蔓４…・・・プランキ
ング信号、翼９……シールドガード。 矛１図 希２図 矛３図 才４図 矛 ５ 図 斗 ６ 図 弐′ ７ 図
Claims (1)
- １ 電子線を試料上に集束する手段と、電子線を試料上
で偏向する手段と、電子線が試料に到達しないように、
電子線を偏向させてブランキングするブランキング板と
を具備した電子光学系のブランキング装置において、ブ
ランキング板と鏡体との間に、前記ブランキング板をお
おうように配設されたシールドガードと前記シールドガ
ードと鏡体とを同電位に保持する手段とをさらに具備し
たことを特徴とする電子光学系におけるブランキング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55020638A JPS608581B2 (ja) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | 電子光学系におけるブランキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55020638A JPS608581B2 (ja) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | 電子光学系におけるブランキング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56118251A JPS56118251A (en) | 1981-09-17 |
| JPS608581B2 true JPS608581B2 (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=12032760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55020638A Expired JPS608581B2 (ja) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | 電子光学系におけるブランキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608581B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63146334A (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-18 | Jeol Ltd | 電子線偏向手段を備えた電子顕微鏡の撮影装置 |
| DE102010007777A1 (de) * | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Carl Zeiss NTS GmbH, 73447 | Teilchenstrahlsystem |
| TW201618153A (zh) * | 2014-09-03 | 2016-05-16 | 紐富來科技股份有限公司 | 多重帶電粒子束的遮沒裝置，多重帶電粒子束描繪裝置，及多重帶電粒子束的不良射束遮蔽方法 |
-
1980
- 1980-02-22 JP JP55020638A patent/JPS608581B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56118251A (en) | 1981-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4755685A (en) | Ion micro beam apparatus | |
| JPS61248346A (ja) | 集束イオンビーム処理装置 | |
| JPS57206173A (en) | Focusing deflecting device for charged corpuscule beam | |
| JP2000133194A5 (ja) | ||
| JP2810797B2 (ja) | 反射電子顕微鏡 | |
| US5155368A (en) | Ion beam blanking apparatus and method | |
| US2928943A (en) | Electronic microscope for top illumination of surfaces | |
| BR8705002A (pt) | Sistema de visor em cores,e tubo de raios catodicos | |
| US5045705A (en) | Charged particle beam apparatus with charge-up compensation | |
| JPH1064464A (ja) | 検出器対物レンズ装置 | |
| JPS608581B2 (ja) | 電子光学系におけるブランキング装置 | |
| JPH10241616A (ja) | 静電レンズ | |
| JPS57147856A (en) | Deflecting device of automatic astigmation compensation type | |
| JPH01243355A (ja) | 集束イオンビーム処理装置 | |
| US2626358A (en) | Electron microscope focusing device | |
| JPS57130354A (en) | Electronic optical bodytube | |
| JPS6224545A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JP3264993B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS6029799Y2 (ja) | 静電偏向型蓄積管 | |
| JPS5694737A (en) | Electronic beam exposure device | |
| JPH0587014B2 (ja) | ||
| JPS55141049A (en) | Electron gun for image pickup tube | |
| JPS6264037A (ja) | 集束イオンビ−ム装置 | |
| JPS57111936A (en) | Astigmatism correcting device for electron microscope | |
| JPH0218847A (ja) | 荷電粒子ビーム装置 |