JPS6086092A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
- Publication number
- JPS6086092A JPS6086092A JP19426283A JP19426283A JPS6086092A JP S6086092 A JPS6086092 A JP S6086092A JP 19426283 A JP19426283 A JP 19426283A JP 19426283 A JP19426283 A JP 19426283A JP S6086092 A JPS6086092 A JP S6086092A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- heater
- crucible
- single crystal
- melt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はチョクラルスキー法によって単結晶を引上げる
装置に関し、特に円柱状単結晶を歩留りよく引上げるの
に適した単結晶引上装置に関するものである。
装置に関し、特に円柱状単結晶を歩留りよく引上げるの
に適した単結晶引上装置に関するものである。
チョクラルスキー法によって真直度のよい円柱状単結晶
を歩留シよく育成すめには、溶融面の垂直方向の温度勾
配を大きくかつ対称性よくすることが必要である。こ扛
を達成するために、■加熱Ｗのヒータ筐たは高周波コイ
ルとるつぼの相ズ１位置を最適化する、■るつぼ上端に
ワッシャ状の薄いリングを設置する（特開昭５５−２２
３２９号公報）などの手段を講じている。
を歩留シよく育成すめには、溶融面の垂直方向の温度勾
配を大きくかつ対称性よくすることが必要である。こ扛
を達成するために、■加熱Ｗのヒータ筐たは高周波コイ
ルとるつぼの相ズ１位置を最適化する、■るつぼ上端に
ワッシャ状の薄いリングを設置する（特開昭５５−２２
３２９号公報）などの手段を講じている。
最近、結晶の歩留り向上を目的に酋成する単結晶の大ヒ
径化（５０〜７５ｒｎＩｎ）が１すます進展している。
径化（５０〜７５ｒｎＩｎ）が１すます進展している。
結晶の大形化に伴い、げ成時の溶融面の降下量は一層大
きくなり、炉内温度分布はげ成の始めと終シで全く異な
υ、従来の装置では真直度の優れた円柱状単結晶を得る
のは非常に困難を伴った。育成の初期と後期の条件を同
じにするために、シリコン単結晶の育成では熱遮蔽リン
グを溶融面の降下速度で降下させて結晶の固液界面の形
状を平坦にして均一だ電気特性を得ている（特公昭５１
−４７１５３号公報）。しかしながらｒｄや高エネルギ
粒子線の検出に用いられているＢ ｉ４’Ｇｅａ０１ｉ
単結晶を育成する場合には熱遮蔽リングの位置を溶融面
の降下速度と同じ速度で変位させるだけでは、最適な垂
直方向の温度勾配が得られず真直度のよい単結晶は育成
できなかった。
きくなり、炉内温度分布はげ成の始めと終シで全く異な
υ、従来の装置では真直度の優れた円柱状単結晶を得る
のは非常に困難を伴った。育成の初期と後期の条件を同
じにするために、シリコン単結晶の育成では熱遮蔽リン
グを溶融面の降下速度で降下させて結晶の固液界面の形
状を平坦にして均一だ電気特性を得ている（特公昭５１
−４７１５３号公報）。しかしながらｒｄや高エネルギ
粒子線の検出に用いられているＢ ｉ４’Ｇｅａ０１ｉ
単結晶を育成する場合には熱遮蔽リングの位置を溶融面
の降下速度と同じ速度で変位させるだけでは、最適な垂
直方向の温度勾配が得られず真直度のよい単結晶は育成
できなかった。
″１次表面弾性波素子、電気光学素子材料に用いられる
Ｂ１１ｚ８１０ｚｏ 、 Ｂｊ１ｚＧｅＯｚｏ単結晶の
育成においても熱遮蔽リングの降下のみでは、結晶形状
のねじれを解決することはＣきず歩留シは低下した。ビ
スマスを主成分とするこれらの単結晶の形状が制御困難
なのは、浴液の粘性が他の酸化物。
Ｂ１１ｚ８１０ｚｏ 、 Ｂｊ１ｚＧｅＯｚｏ単結晶の
育成においても熱遮蔽リングの降下のみでは、結晶形状
のねじれを解決することはＣきず歩留シは低下した。ビ
スマスを主成分とするこれらの単結晶の形状が制御困難
なのは、浴液の粘性が他の酸化物。
半導体材料に比べて高いためと考えられる。
本発明の目的は、績晶背成の始めと終りの融液の垂直方
向の温度勾配が同じ最適条件になるようにして、真直度
の優れた円柱状結晶を歩留りよく引上げる単結晶引上装
置を提供することにおる。
向の温度勾配が同じ最適条件になるようにして、真直度
の優れた円柱状結晶を歩留りよく引上げる単結晶引上装
置を提供することにおる。
〔発明の概要」
結晶の真直襞は、融液中の温度勾配に強く依存し、主に
半径および垂直方向の温度勾配は重要である。結晶形状
のねじれは結晶引上げの初期では起りにくく、融液がる
つぼの半分ぐらい減少し７た時に発生しやすくなる。そ
こでこの時の対流の様子をシリコンオイルを用いてａＴ
７１．化し、対流の可視化実験からねじれの発生原因
を調べた。第１図はえ）つぼに融液がはｖｌ一杯ある結
晶引上げの初期に観察される対流の請求子を永し、たも
のである。ワッシャ状アフタヒータと溶液面の距離が３
ｒｌａと近い一合、対流は表面近傍のみ鰻こり、ｆ部で
はほとんど対流が観察されない。仄に結晶の真直１尻が
悪くなる状態の時の対流を第２図に示す。ワッシャ状ア
フタヒータと浴牧面の距離が５０１１１ｍの時、対流は
るつぼ底まで達し、溶液中心に乱流６が観察される。そ
こでワッシャ状アフタヒータと浴ＣＩ！ｉ。
半径および垂直方向の温度勾配は重要である。結晶形状
のねじれは結晶引上げの初期では起りにくく、融液がる
つぼの半分ぐらい減少し７た時に発生しやすくなる。そ
こでこの時の対流の様子をシリコンオイルを用いてａＴ
７１．化し、対流の可視化実験からねじれの発生原因
を調べた。第１図はえ）つぼに融液がはｖｌ一杯ある結
晶引上げの初期に観察される対流の請求子を永し、たも
のである。ワッシャ状アフタヒータと溶液面の距離が３
ｒｌａと近い一合、対流は表面近傍のみ鰻こり、ｆ部で
はほとんど対流が観察されない。仄に結晶の真直１尻が
悪くなる状態の時の対流を第２図に示す。ワッシャ状ア
フタヒータと浴牧面の距離が５０１１１ｍの時、対流は
るつぼ底まで達し、溶液中心に乱流６が観察される。そ
こでワッシャ状アフタヒータと浴ＣＩ！ｉ。
而の距離が、浴溶の垂直方向の（帽反勾配にどのように
影響を与えるかを調べた。第３図にワッシャ状アフタヒ
ータとｍ液面の距離に対する溶液中心における表面と底
との垂直方向の温度差の関係を示した。その結果、ワッ
シャ状アフタヒータと溶液面の距離が１５問以上になる
と温度差が小さくなり、時に５０簡の所で最も小さいこ
とが分った。
影響を与えるかを調べた。第３図にワッシャ状アフタヒ
ータとｍ液面の距離に対する溶液中心における表面と底
との垂直方向の温度差の関係を示した。その結果、ワッ
シャ状アフタヒータと溶液面の距離が１５問以上になる
と温度差が小さくなり、時に５０簡の所で最も小さいこ
とが分った。
これらの結果から歳適なワッシャ状アフタヒータと溶液
面の距離は１５ｆｌ以下の範囲であった融該面の降下４
贋と同じ速度でワッシャ状アフタヒータを下ければよい
ことが分る。アフタヒータの代りに熱遮蔽リングを設置
した場合、熱遮蔽リングと溶液面の距離が８ｍ＋以上に
なると温度差が小さくなシ、効果がアフタヒータに比べ
て小さいことが分った。
面の距離は１５ｆｌ以下の範囲であった融該面の降下４
贋と同じ速度でワッシャ状アフタヒータを下ければよい
ことが分る。アフタヒータの代りに熱遮蔽リングを設置
した場合、熱遮蔽リングと溶液面の距離が８ｍ＋以上に
なると温度差が小さくなシ、効果がアフタヒータに比べ
て小さいことが分った。
次にこの考えを実施するために考イした実際の引上は装
置について第４図を用いて述べる。中央に、ａ液２２の
入っている白金るつぼ２０を直き１これｆｆ：囲むよう
に耐火物８、高周波コイル１８が配置されている。るつ
ぼ上部にはシードシャフトがあり、先端に種結晶が取付
けられるようチャックがあり、モータ１２と１７ｖ（よ
り回転しなから種結晶を融液に浸し円柱結晶が成長でき
るようになっている。結晶の直径を制御するためにロー
ドセル１１が設置されて結晶重量を検出している。
置について第４図を用いて述べる。中央に、ａ液２２の
入っている白金るつぼ２０を直き１これｆｆ：囲むよう
に耐火物８、高周波コイル１８が配置されている。るつ
ぼ上部にはシードシャフトがあり、先端に種結晶が取付
けられるようチャックがあり、モータ１２と１７ｖ（よ
り回転しなから種結晶を融液に浸し円柱結晶が成長でき
るようになっている。結晶の直径を制御するためにロー
ドセル１１が設置されて結晶重量を検出している。
本発明においてるつほと同じ材質の白金製のアフタヒー
タ２１が結晶周囲に設けられ、このヒータを上下に移動
するためにネジ棒に固定されている。ネジ俸はモータ１
５により回転できるようになっている。このアフタヒー
タ２１を発熱させるため第５図に示すように白金製の支
持４１１４が図のように浴接してあシ、上部に電極取り
たし用の端子がある。上下に移動するネジ棒との固定部
と電極との間には絶＃俸のパイロフェライト１９を設け
た。白金製のアフタヒータの４度はスライダック１６と
トランス１９で調整する構造になっている。
タ２１が結晶周囲に設けられ、このヒータを上下に移動
するためにネジ棒に固定されている。ネジ俸はモータ１
５により回転できるようになっている。このアフタヒー
タ２１を発熱させるため第５図に示すように白金製の支
持４１１４が図のように浴接してあシ、上部に電極取り
たし用の端子がある。上下に移動するネジ棒との固定部
と電極との間には絶＃俸のパイロフェライト１９を設け
た。白金製のアフタヒータの４度はスライダック１６と
トランス１９で調整する構造になっている。
以下、上述した本発明の引上Ｖｆ装置による結晶引上げ
の例Ｖこついて詳細に説明する。
の例Ｖこついて詳細に説明する。
第ｌｌ：
本例ではゲルマニウム酸ビスマス（Ｂｉ４ＧｅａＯｔｚ
）単結晶を引上げた結果について述べる。
）単結晶を引上げた結果について述べる。
Ｂ１４ＧｅｓＯｔｘ単結晶の融点は１ｏｓｏｃｏたメ白
金製のるつぼを用いた。直径１５０ａ＋のるつぼから直
径８０鴫の結晶を育成した。結晶肩部作製終了後直径が
一定になる所からアフタヒータ２１を１１００Ｃに発熱
させた。アフタヒータと溶融面との距離を３１ＤＩに保
ちながら、該アフタヒータを溶１゛泗面の降下する速さ
と同じ速度０．４ ｍｍ ／ ｈで下降させた。アフタ
ヒータの形状は第５図に示したように板厚は０．７關で
外径１４０ｍ、内径１０５閣である。結晶回転速度２０
ｍｍ−１の条件で育成した結果、真直度のよい円柱結晶
が育成でき、るつぼに入れた融液の８０％を結晶化する
ことができた。これまでｆＢ故の６５％を結晶化するに
は結晶回転速度を１２ｍｍ−１に小さくする必要があっ
た。
金製のるつぼを用いた。直径１５０ａ＋のるつぼから直
径８０鴫の結晶を育成した。結晶肩部作製終了後直径が
一定になる所からアフタヒータ２１を１１００Ｃに発熱
させた。アフタヒータと溶融面との距離を３１ＤＩに保
ちながら、該アフタヒータを溶１゛泗面の降下する速さ
と同じ速度０．４ ｍｍ ／ ｈで下降させた。アフタ
ヒータの形状は第５図に示したように板厚は０．７關で
外径１４０ｍ、内径１０５閣である。結晶回転速度２０
ｍｍ−１の条件で育成した結果、真直度のよい円柱結晶
が育成でき、るつぼに入れた融液の８０％を結晶化する
ことができた。これまでｆＢ故の６５％を結晶化するに
は結晶回転速度を１２ｍｍ−１に小さくする必要があっ
た。
しかし、結晶回転速度が小さいと結晶中に泡状の欠陥が
入シ易い問題が生じる。
入シ易い問題が生じる。
本発明ではアフタヒータを下降させることによシ、るつ
ぼ垂直方向の温度勾配は大きく維持されるので結晶回転
速度を大きくすることができる。
ぼ垂直方向の温度勾配は大きく維持されるので結晶回転
速度を大きくすることができる。
そのため結晶中の欠陥である泡を大幅に低減させること
ができた。
ができた。
第２例ニ
アフタヒータと溶ｄ面の距離を２鞠に設定して実施例１
の条件でＢ１４ＧｅａＯｔｚに単結晶を育成した。その
結果、アフタヒータと溶液面の距離が近いため、ヒータ
の温度を上げるとヒータが湾曲したり、また育成時、蒸
兄物がヒータに堆積し溶融と接触、ショートすることが
らシ育成に適さなかった。
の条件でＢ１４ＧｅａＯｔｚに単結晶を育成した。その
結果、アフタヒータと溶液面の距離が近いため、ヒータ
の温度を上げるとヒータが湾曲したり、また育成時、蒸
兄物がヒータに堆積し溶融と接触、ショートすることが
らシ育成に適さなかった。
第３例ニ
アフタヒータと溶、咄面の距離を１０＋＋ｏｎに設定し
て実施例１の条件でＢｉ＜Ｇｅ５Ｏｘｚ単結晶を育成し
た。その結果、ゐりぼに入れた融液の７８％を結晶化で
き、真直度のよい円柱結晶を育成することができた。
て実施例１の条件でＢｉ＜Ｇｅ５Ｏｘｚ単結晶を育成し
た。その結果、ゐりぼに入れた融液の７８％を結晶化で
き、真直度のよい円柱結晶を育成することができた。
第４例ニ
アフタヒータと浴融面の距〆、１Ｌを１５ｍｍに設定し
て笑Ｄｆｌｊ丙工の条件でＢｉａＧｅｓＣｈ２単紹晶を
育成した。その結果、結晶の断面はやや四角形になった
が、るつぼに入れた融液の７０％を結晶化でき真直度の
よい単結晶が得られた。
て笑Ｄｆｌｊ丙工の条件でＢｉａＧｅｓＣｈ２単紹晶を
育成した。その結果、結晶の断面はやや四角形になった
が、るつぼに入れた融液の７０％を結晶化でき真直度の
よい単結晶が得られた。
第５例ニ
アフタヒータと溶融面の距離を２０ｍに設定してＢ １
４ＧｅｓＯｔｚ単結晶をぎ成した。他のｎ成条件は実施
例１と同じで行なった。結晶はるつぼに入れた融液の約
４０％を育成した時点から結晶の断面は四角形に変形し
始め、その後育成とともに結晶の回転方向に対して尾を
引くよシにねじれだし、真直度のよい結晶全歩留シよく
得ることが出来なかった。
４ＧｅｓＯｔｚ単結晶をぎ成した。他のｎ成条件は実施
例１と同じで行なった。結晶はるつぼに入れた融液の約
４０％を育成した時点から結晶の断面は四角形に変形し
始め、その後育成とともに結晶の回転方向に対して尾を
引くよシにねじれだし、真直度のよい結晶全歩留シよく
得ることが出来なかった。
第６例：
ビスマスクリケイト（Ｂ １１２ｓ １０２ｏ）単結晶
を引上げた結果について述べる。直径１００Ｈのるつぼ
から直径５０ｍｍの結晶をｎ成した。アフタヒータと溶
−■の距離は３ＩＩＩＩ１１に設定した。アフタヒータ
の寸法は外径９０間、内径７８議で板厚は０．７囚でお
る。結晶回転速度は４０馴−１、結晶引上速度は３ ｍ
ｍ ／ ｈでめる結晶径が所定の寸法になったのち、ア
フタヒータを溶融面の降下する速度１、１ ｔａｘ ／
ｈで降下させた。その結晶るつぼに入れた融液の８０
％を結晶化でき真直度のよい結晶が得られた。
を引上げた結果について述べる。直径１００Ｈのるつぼ
から直径５０ｍｍの結晶をｎ成した。アフタヒータと溶
−■の距離は３ＩＩＩＩ１１に設定した。アフタヒータ
の寸法は外径９０間、内径７８議で板厚は０．７囚でお
る。結晶回転速度は４０馴−１、結晶引上速度は３ ｍ
ｍ ／ ｈでめる結晶径が所定の寸法になったのち、ア
フタヒータを溶融面の降下する速度１、１ ｔａｘ ／
ｈで降下させた。その結晶るつぼに入れた融液の８０
％を結晶化でき真直度のよい結晶が得られた。
以上の実施例ではＢ １４Ｑｅｓ０１ｚ＋Ｂｉ＋ｚｓ
１Ｏｚｏを示したが同じビスマス系の酸化物であるＨ
ｉ４ｓ １ｓＯｘｚ ＋ Ｂ １ｔ２Ｕｅ０２ｏおよび
これらの混晶のげ成にも、本装置が適用でさることは説
明におよばない。また、本装置を用いれば実施例１に示
したように、泡状の人陥のない単結晶が育成できるとい
う効果もある。
１Ｏｚｏを示したが同じビスマス系の酸化物であるＨ
ｉ４ｓ １ｓＯｘｚ ＋ Ｂ １ｔ２Ｕｅ０２ｏおよび
これらの混晶のげ成にも、本装置が適用でさることは説
明におよばない。また、本装置を用いれば実施例１に示
したように、泡状の人陥のない単結晶が育成できるとい
う効果もある。
本発明の袈直ゲ用いれば、ｒ鶴液の中心における表面と
底の、ｄ度差金犬ぎくでさるために真直度のよい円柱単
結晶を歩貿りよくぼ成することができる。
底の、ｄ度差金犬ぎくでさるために真直度のよい円柱単
結晶を歩貿りよくぼ成することができる。
第１図は結晶引上げ初期の状態を浴数シミュレーション
で観察した対流のσ［面の模式図、第２図はるつぼの半
分を結晶化した時の溶成シミュレーションで観察した対
流の断面模式図、第３図は溶液の減少によってｍ液中心
の表面と底の温度差の変化を示すグラフ、第４図は本発
明による単結晶引上げ装置の構成を示す概略断面図、第
５図はアフタヒータの取付は方を示す概略図である。 １・・・石英るつぼ、２・・・溶液、３・・・ワッシャ
状アフタヒータ、４・・・対流パターン、５・・・溶液
面、６・・・乱流パターン、７・・・結晶、８・・・耐
火物、９・・・チャンバ、１０・・・シードシャフト、
１１・・・結晶重量検出用ロードセル、１２・・・結晶
回転用モータ、１３・・・パイロフェライト、１４・・
・アフタヒータ支持棒、１５・・・アフタヒータ上下移
動用モータ、１６・・・スライダック、１７・・・結晶
引上用上−タ、１８・・−高周波コイル、１９・・・ト
ランス、２０・・・白金るつぼ、２１・・・アフタヒー
タ、２２・・・融液。 茅 １区 竿２図
で観察した対流のσ［面の模式図、第２図はるつぼの半
分を結晶化した時の溶成シミュレーションで観察した対
流の断面模式図、第３図は溶液の減少によってｍ液中心
の表面と底の温度差の変化を示すグラフ、第４図は本発
明による単結晶引上げ装置の構成を示す概略断面図、第
５図はアフタヒータの取付は方を示す概略図である。 １・・・石英るつぼ、２・・・溶液、３・・・ワッシャ
状アフタヒータ、４・・・対流パターン、５・・・溶液
面、６・・・乱流パターン、７・・・結晶、８・・・耐
火物、９・・・チャンバ、１０・・・シードシャフト、
１１・・・結晶重量検出用ロードセル、１２・・・結晶
回転用モータ、１３・・・パイロフェライト、１４・・
・アフタヒータ支持棒、１５・・・アフタヒータ上下移
動用モータ、１６・・・スライダック、１７・・・結晶
引上用上−タ、１８・・−高周波コイル、１９・・・ト
ランス、２０・・・白金るつぼ、２１・・・アフタヒー
タ、２２・・・融液。 茅 １区 竿２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、溶融体から単結晶を引上げる装置において、引上げ
た結晶の周囲に配置したアフタヒータを結晶引上げに伴
い生じる溶融面の降下に応じて降下させ溶融面と該ヒー
タの間隔を最適値に保つような機構を有することを特徴
とする単結晶引上装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記ヒ
ータと溶融面の距離を３〜１５關の範囲に保持し、Ｂ１
４Ｇｅａ０１ｚ ＋ Ｂ１４ＳｉａＯｔ２＋Ｂ ｉ １
２８ ｊ０２ｏ 、 Ｂ ｉ １２ ＧｅＯ２０および
これらの混晶単結晶を引上げ対象とすることを特徴とす
る単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19426283A JPS6086092A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19426283A JPS6086092A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 単結晶引上装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086092A true JPS6086092A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16321697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19426283A Pending JPS6086092A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086092A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06211591A (ja) * | 1993-01-05 | 1994-08-02 | Nippon Steel Corp | 単結晶体の製造方法及びその装置 |
| JP2004123510A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-04-22 | Hitachi Ltd | 単結晶の製造装置、及びその製造方法 |
| KR101027258B1 (ko) | 2003-10-30 | 2011-06-14 | 주식회사 엘지실트론 | 전극 보호장치를 구비한 단결정 잉곳 성장장치 |
| WO2022052076A1 (zh) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料及制备方法 |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19426283A patent/JPS6086092A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06211591A (ja) * | 1993-01-05 | 1994-08-02 | Nippon Steel Corp | 単結晶体の製造方法及びその装置 |
| JP2004123510A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-04-22 | Hitachi Ltd | 単結晶の製造装置、及びその製造方法 |
| KR101027258B1 (ko) | 2003-10-30 | 2011-06-14 | 주식회사 엘지실트론 | 전극 보호장치를 구비한 단결정 잉곳 성장장치 |
| WO2022052076A1 (zh) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种提拉法生长稀土离子掺杂硅酸盐共晶材料及制备方法 |
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