JPS608614B2 - バブルメモリ用磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
バブルメモリ用磁性薄膜の製造方法Info
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- JPS608614B2 JPS608614B2 JP50131612A JP13161275A JPS608614B2 JP S608614 B2 JPS608614 B2 JP S608614B2 JP 50131612 A JP50131612 A JP 50131612A JP 13161275 A JP13161275 A JP 13161275A JP S608614 B2 JPS608614 B2 JP S608614B2
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- Japan
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- thin film
- magnetic
- pattern
- magnetic thin
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、形状異方性を持たないようにする、バブルメ
モリ用磁性薄膜の製造方法に関する。
モリ用磁性薄膜の製造方法に関する。
円筒状磁区または磁気バブルなどと呼ばれるバブルの転
送、検出その他各種制御用磁性薄膜の磁区構造、磁化過
程が、バブルメモリ素子の特性に与える影響は大きい。
例えばバブル伝播においては抗磁力Ｈｃは小さい方が好
ましいが、余り小さ過ぎても外乱磁界の影響を受け易い
ので好ましくなく、Ｈｃ＝４〜的ｅが適当と考えられて
いる。また外部駆動磁界が回転するとき磁化がパターン
の端部に留まっていない膜、即ちパターン長手方向に磁
化容易軸が無いような膜が伝播マージン（バイアスマー
ジン）を拡げることができて好ましい。例えば第１図に
示す如きＴＩパーＢｉ、Ｂｔで構成された転送路では、
駆動磁界ＨＲが１，２，３，４と回転するときバブルは
ＴＩバーＢｔ、Ｂｉ上を■，■，■，■、と転送されて
いくが、形状異方性によりバー長手方向端部に強く磁極
が形成されるとトラツプ力が強くなって特にバブルが小
さい場合例えば■から■へこれを伝播させるのが難しく
なり、この伝播を行なうには該トラツプ力を打消すよう
に強い駆動磁界を加える必要がある。
送、検出その他各種制御用磁性薄膜の磁区構造、磁化過
程が、バブルメモリ素子の特性に与える影響は大きい。
例えばバブル伝播においては抗磁力Ｈｃは小さい方が好
ましいが、余り小さ過ぎても外乱磁界の影響を受け易い
ので好ましくなく、Ｈｃ＝４〜的ｅが適当と考えられて
いる。また外部駆動磁界が回転するとき磁化がパターン
の端部に留まっていない膜、即ちパターン長手方向に磁
化容易軸が無いような膜が伝播マージン（バイアスマー
ジン）を拡げることができて好ましい。例えば第１図に
示す如きＴＩパーＢｉ、Ｂｔで構成された転送路では、
駆動磁界ＨＲが１，２，３，４と回転するときバブルは
ＴＩバーＢｔ、Ｂｉ上を■，■，■，■、と転送されて
いくが、形状異方性によりバー長手方向端部に強く磁極
が形成されるとトラツプ力が強くなって特にバブルが小
さい場合例えば■から■へこれを伝播させるのが難しく
なり、この伝播を行なうには該トラツプ力を打消すよう
に強い駆動磁界を加える必要がある。
またバルブ検出においては磁化変化の大きい膜の方が抵
抗変化率△ｐ／ｐが大きく、検出出力が大きい。特に第
２図に示す如き、バブル検出と伝播の両方の役割を果す
サーベンタィン型検出器は、その検出原理から言ってパ
ターン長手方向の△ｐ／ｐの大きいものがよい。即ち既
知のようにこのサーベンタィンパターンＳｐに定電流１
を流しておき、バブルが到来したときのこのパターンの
磁化方向変化に起因する抵抗変化△Ｒにより△ＲＩなる
電圧降下を生じさせ、これによりバルフ検出を行なうも
のであるが、検出感度を大にするには抵抗変化△Ｒを大
にする必要がある。△Ｒを大にするにはバブルが到達し
たときの磁化方向変化が大きいのがよいので、磁化方向
が矢印Ｆ，で示す長手方向より矢印Ｆ２で示す長手方向
とは直角な方向の方がよい。つまり、パターン長手方向
の磁化成分が小さいものが良いということである。しか
しながら一般に磁性体においては形状異方性により、磁
化はパターン長手方向に向く性質がある。
抗変化率△ｐ／ｐが大きく、検出出力が大きい。特に第
２図に示す如き、バブル検出と伝播の両方の役割を果す
サーベンタィン型検出器は、その検出原理から言ってパ
ターン長手方向の△ｐ／ｐの大きいものがよい。即ち既
知のようにこのサーベンタィンパターンＳｐに定電流１
を流しておき、バブルが到来したときのこのパターンの
磁化方向変化に起因する抵抗変化△Ｒにより△ＲＩなる
電圧降下を生じさせ、これによりバルフ検出を行なうも
のであるが、検出感度を大にするには抵抗変化△Ｒを大
にする必要がある。△Ｒを大にするにはバブルが到達し
たときの磁化方向変化が大きいのがよいので、磁化方向
が矢印Ｆ，で示す長手方向より矢印Ｆ２で示す長手方向
とは直角な方向の方がよい。つまり、パターン長手方向
の磁化成分が小さいものが良いということである。しか
しながら一般に磁性体においては形状異方性により、磁
化はパターン長手方向に向く性質がある。
これを避けるにはウェーハつまり薄膜パターン形成面に
平行にかつ該パターン長手方向に交叉する磁場を作用さ
せて形状異万性を除く、誘導磁気異方性利用の磁場中蒸
着方法があるが、この方法では容易軸方向が印加磁場の
方向により定まってしまい、一つのウェーハ上である部
分は左右方向、ある部分は上下方向というように異なる
方向に容易軸を持たせることは不可能である。従って第
１図に示したＴＩバーパターンの場合、例えばバーＢｔ
では矢印Ｆ３で示すように容易軸を長手方向と直角の方
向にすれば、他のバーＢｉでは矢印Ｆ４で示すように長
手方向と一致してしまう。本発明は、ゥェーハ上のどの
位置でもまたどの方向を向いたパターンでも、常にパタ
ーン長手方向に直角あるいはパターン面に垂直な方向に
磁化容易軸を持たせて、形状異方性を除くことができる
磁性薄膜製造法を提案するものである。本発明のバブル
メモリ用磁性薄膜の製造方法は、７４．０〜８６．５重
量％のニッケルを含み残量は鉄の磁性材料を用い、８３
．５〜８６．５重量％がニッケルのものに対しては基板
温度１３０〜３５０ｏｏの、また７４．０〜８３．５重
量％がニッケルのものに対しては基板温度１５０〜２４
０００の成膜条件で、前記磁性材料を基板へ蒸着して磁
性薄膜を形成することを特徴とするが、次に実施例につ
きこれを詳細に説明する。第３図はニッケル（Ｎｊ）と
鉄（Ｆｅ）の合金であるパーマロィのＮｉ成分を増減さ
せた時の抵抗変化率△ｐ／ｐを示す。
平行にかつ該パターン長手方向に交叉する磁場を作用さ
せて形状異万性を除く、誘導磁気異方性利用の磁場中蒸
着方法があるが、この方法では容易軸方向が印加磁場の
方向により定まってしまい、一つのウェーハ上である部
分は左右方向、ある部分は上下方向というように異なる
方向に容易軸を持たせることは不可能である。従って第
１図に示したＴＩバーパターンの場合、例えばバーＢｔ
では矢印Ｆ３で示すように容易軸を長手方向と直角の方
向にすれば、他のバーＢｉでは矢印Ｆ４で示すように長
手方向と一致してしまう。本発明は、ゥェーハ上のどの
位置でもまたどの方向を向いたパターンでも、常にパタ
ーン長手方向に直角あるいはパターン面に垂直な方向に
磁化容易軸を持たせて、形状異方性を除くことができる
磁性薄膜製造法を提案するものである。本発明のバブル
メモリ用磁性薄膜の製造方法は、７４．０〜８６．５重
量％のニッケルを含み残量は鉄の磁性材料を用い、８３
．５〜８６．５重量％がニッケルのものに対しては基板
温度１３０〜３５０ｏｏの、また７４．０〜８３．５重
量％がニッケルのものに対しては基板温度１５０〜２４
０００の成膜条件で、前記磁性材料を基板へ蒸着して磁
性薄膜を形成することを特徴とするが、次に実施例につ
きこれを詳細に説明する。第３図はニッケル（Ｎｊ）と
鉄（Ｆｅ）の合金であるパーマロィのＮｉ成分を増減さ
せた時の抵抗変化率△ｐ／ｐを示す。
この抵抗変化率は、基板温度２６０００でパーマロィを
４４００〜４９００Ａの膜厚に蒸着して磁性パターンを
作り、該パターンに磁界を作用させないときの抵抗をｐ
ｏ、２０びｅの磁界を作用させたときの抵抗をｐ劉。と
して△ｐ／ｐ＝凸凶コ凶 Ｐｏ として求めた。
４４００〜４９００Ａの膜厚に蒸着して磁性パターンを
作り、該パターンに磁界を作用させないときの抵抗をｐ
ｏ、２０びｅの磁界を作用させたときの抵抗をｐ劉。と
して△ｐ／ｐ＝凸凶コ凶 Ｐｏ として求めた。
この図の曲線Ｃ，（△印）はサーベンタィン型のパター
ンに第２図で水平方向に前記磁界をかけた場合、曲線Ｃ
２（０印）は短冊型のパターンにその長手方向に磁界を
かけた場合、曲線Ｃ３（−印）は該長手方向と直角に磁
界をかけた場合の△ｐ／ｐをそれぞれ示し、また曲線Ｃ
４（×印）は基板に一面に形成した薄膜の抗磁力Ｈｃを
示す。これらの曲線Ｃ，，Ｃ２から明らかなようにニッ
ケル成分が８２％、８３％…と多くなって行くと△ｐ／
ｐは増加するが、８５％または８６％附近を頂点として
以後は減少に転じる。尤もこれはパターンの膜中とも関
係しており、膜中を大にすると９０％位まで△ｐ／ｐは
増加する。しかしながら曲線Ｃ４で示すようにニッケル
成分が大になると抗磁力Ｈｃも大になり、抗磁力が大に
なると応答が悪くなるので、この点からニッケル成分増
大には制限が加わる。抗磁力Ｈｃは２びｅ以下のものが
使われているのが実情である。つまり検出器としてのパ
ーマロイパターンのニッケル比の上限はＨｃで、また下
限は△ｐ／ｐで決まると言える。このＨｃの増大を避け
るため例えばニッケル比は７９％と低く抑え、代りに基
板温度を上げて蒸着される磁性薄膜のグレィンを大にす
る方法がある。このようにすれば磁気異方性が種々の方
向を向き、バブル到着時の磁化方向変化が大になって抵
抗変化率が増大する。例えば△ｐ／ｐ＝１程度が得られ
る。しかしながらこの方法では蒸着温度が３００００以
上というように高くなり、また粒子が大きいので外部引
出線取付けのため超音波ボンディングが不確実になり、
歩留が低下する。但し、外部引出線取付けのための端子
位置上に密着して金あるいはアルミニウム等を形成する
ようにすれば特に問題とはならない。従来のパーマロィ
成膜法は８０〜８１％Ｎｉ−Ｆｅィンゴツトを用い、３
００００前後の温度で蒸着を行なうというものであり、
これにより得られる薄膜パターンは前述のように形状異
方性を持ち、抵抗変化率が小さかった。
ンに第２図で水平方向に前記磁界をかけた場合、曲線Ｃ
２（０印）は短冊型のパターンにその長手方向に磁界を
かけた場合、曲線Ｃ３（−印）は該長手方向と直角に磁
界をかけた場合の△ｐ／ｐをそれぞれ示し、また曲線Ｃ
４（×印）は基板に一面に形成した薄膜の抗磁力Ｈｃを
示す。これらの曲線Ｃ，，Ｃ２から明らかなようにニッ
ケル成分が８２％、８３％…と多くなって行くと△ｐ／
ｐは増加するが、８５％または８６％附近を頂点として
以後は減少に転じる。尤もこれはパターンの膜中とも関
係しており、膜中を大にすると９０％位まで△ｐ／ｐは
増加する。しかしながら曲線Ｃ４で示すようにニッケル
成分が大になると抗磁力Ｈｃも大になり、抗磁力が大に
なると応答が悪くなるので、この点からニッケル成分増
大には制限が加わる。抗磁力Ｈｃは２びｅ以下のものが
使われているのが実情である。つまり検出器としてのパ
ーマロイパターンのニッケル比の上限はＨｃで、また下
限は△ｐ／ｐで決まると言える。このＨｃの増大を避け
るため例えばニッケル比は７９％と低く抑え、代りに基
板温度を上げて蒸着される磁性薄膜のグレィンを大にす
る方法がある。このようにすれば磁気異方性が種々の方
向を向き、バブル到着時の磁化方向変化が大になって抵
抗変化率が増大する。例えば△ｐ／ｐ＝１程度が得られ
る。しかしながらこの方法では蒸着温度が３００００以
上というように高くなり、また粒子が大きいので外部引
出線取付けのため超音波ボンディングが不確実になり、
歩留が低下する。但し、外部引出線取付けのための端子
位置上に密着して金あるいはアルミニウム等を形成する
ようにすれば特に問題とはならない。従来のパーマロィ
成膜法は８０〜８１％Ｎｉ−Ｆｅィンゴツトを用い、３
００００前後の温度で蒸着を行なうというものであり、
これにより得られる薄膜パターンは前述のように形状異
方性を持ち、抵抗変化率が小さかった。
これに対して第３図の曲線Ｃ，で示すように、Ｎｊ比を
８３％以上と高くし、２６０℃という比較的低い温度で
蒸着すると、大きな抵抗変化率△ｐ／ｐが得られる。こ
れは顕微鏡観察で確認できるように、磁気異万性が薄膜
パターンの長手方向と直角の方向（第２図Ｆ２方向）に
できるためである。第４図は８４％Ｎｉ−Ｆｅ合金を用
い、基板温度を約１５０〜３００００の範囲で変えて蒸
着を行ない、３２００〜３３００△の膜厚のパーマロィ
パターンを得たそのパターンの基板温度対抵抗変化率特
性を示す。
８３％以上と高くし、２６０℃という比較的低い温度で
蒸着すると、大きな抵抗変化率△ｐ／ｐが得られる。こ
れは顕微鏡観察で確認できるように、磁気異万性が薄膜
パターンの長手方向と直角の方向（第２図Ｆ２方向）に
できるためである。第４図は８４％Ｎｉ−Ｆｅ合金を用
い、基板温度を約１５０〜３００００の範囲で変えて蒸
着を行ない、３２００〜３３００△の膜厚のパーマロィ
パターンを得たそのパターンの基板温度対抵抗変化率特
性を示す。
また第５図は８３％Ｎｉ−Ｆｅの合金を用いて膜厚２４
００〜３６００△のパターンを得た場合の、第４図と同
様な特性曲線を示す。これらの図でＣ，〜Ｃ４は、第３
図と同様の条件のものの特性を示す。これらの特性曲線
図から明らかなように、８４％Ｎｉ−Ｆｅ合金の場合は
Ｆ２方向に磁気異方性を持たせて抵抗変化率を大にする
ことができるのに対し、８３％Ｎｉ−Ｆｅ合金では異方
性が長手Ｆ，方向にできてしまい、抵抗変化率を大にす
ることができない。第６図は機軸にＮｉ比（％）、縦軸
に基板温度（００）をとって、Ｎｉ比と基板温度の組合
せを変えた場合の種々のパーマロィ膜の例を示す。この
グラフに示すようにＮｉ比が８６．５％以上つまり部分
Ｐ３では成膜温度に関係なく磁歪によりＨｃが大になり
、バルブ制御用磁性薄膜としては利用し難い。尤もＨｃ
は膜厚とも関係しており、膜厚が大であればＨｃは小さ
くなるので、８６．５％という上限は膜厚によって若干
増大する。通常のパーマロィ膜はグラフ中に「通常使用
域」として示した範囲にある。前述のグレィンを大にし
た薄膜は符号Ｂで示される。符号Ａで示す成膜条件つま
り７９％Ｎｉ−Ｆｅ合金、温度約２６５００でＲＦスパ
ッタして得た磁性薄膜の磁区パターンを第７図に示す。
００〜３６００△のパターンを得た場合の、第４図と同
様な特性曲線を示す。これらの図でＣ，〜Ｃ４は、第３
図と同様の条件のものの特性を示す。これらの特性曲線
図から明らかなように、８４％Ｎｉ−Ｆｅ合金の場合は
Ｆ２方向に磁気異方性を持たせて抵抗変化率を大にする
ことができるのに対し、８３％Ｎｉ−Ｆｅ合金では異方
性が長手Ｆ，方向にできてしまい、抵抗変化率を大にす
ることができない。第６図は機軸にＮｉ比（％）、縦軸
に基板温度（００）をとって、Ｎｉ比と基板温度の組合
せを変えた場合の種々のパーマロィ膜の例を示す。この
グラフに示すようにＮｉ比が８６．５％以上つまり部分
Ｐ３では成膜温度に関係なく磁歪によりＨｃが大になり
、バルブ制御用磁性薄膜としては利用し難い。尤もＨｃ
は膜厚とも関係しており、膜厚が大であればＨｃは小さ
くなるので、８６．５％という上限は膜厚によって若干
増大する。通常のパーマロィ膜はグラフ中に「通常使用
域」として示した範囲にある。前述のグレィンを大にし
た薄膜は符号Ｂで示される。符号Ａで示す成膜条件つま
り７９％Ｎｉ−Ｆｅ合金、温度約２６５００でＲＦスパ
ッタして得た磁性薄膜の磁区パターンを第７図に示す。
この顕微鏡写真の倍率は１２０併音である。この写真か
ら明らかなように矩形枠Ｇで示す範囲では長手方向に磁
気異万性を持つ、つまり形状異方性を持つことになる。
この写真に見える長手方向の線が図面右方向に向いた磁
化と左方向に向いた磁化の境界線となり、斜線はかかる
磁化ブロックの端部を示す。本発明は第６図に示すとこ
ろの斜線部分を用いるものであり、符号Ｂで示す成膜条
件つまり８４％Ｎｉ−Ｆｅを用い、温度は２６０ｑ○で
通常のＲＦスパッタにより蒸着した磁性薄膜の同様な写
真を第８図に示す。この写真の縦線から明らかなように
、この条件では第２図に示すＦ２方向の異方性が得られ
る。符号Ｆで示す成膜条件、すなわち８４％Ｎｉ−Ｆｅ
を用い温度３３０００で義着した磁性薄膜もまた第２図
に示すＦ２方向の異性が得られる。この場合、符号Ｅと
同様にグレィンが増大し、Ｐ，，Ｐ３に近づくにつれて
Ｈｅが増大する。斜線領域とＰ，，Ｐ３の境界がＨｃ＝
２のｅの線であり、温度３５０００で閉じている。これ
が実用的限界と考えられる。更にＮｉ比を高めて符号Ｃ
で示すようにこれを８６％にすると、得られる磁性薄膜
は第９図に示す如くなる。この写真に見られるしま模様
は磁歪により生じたストライプドメインを示している。
このしま模様は磁化が膜面の上から下方向またはその逆
方向に交互に生じ、それらの中間では中間状態をとるこ
とに起因する。このように異方性が膜面に垂直方向に生
じてもやはり抵抗変化率△ｐノｐは大になる。更に第６
図に符号Ｄで示す成膜条件で得た薄膜の磁区パターンは
、第１０図に示す如くなる。この場合はＮｊ比は従来の
ものと変らないが、温度が２３０００と低く、やはりし
ま模様が現われる。これは低温蒸着のため生じたストラ
イプドメィンであり、この場合も抵抗変化率は大になる
。しかし温度を更に低くして斜線外の部分Ｐ２にすると
膜内部歪が大になり、Ｈｅの増大を招いてバルブ用には
通さなくなる。斜線領域とＰ２を境界がＨｃ＝２のｅの
線であり、この線迄が実用的限界と考えられる。また逆
に部分Ｐ，で示すように余りに温度を高くすると粒子が
粗大になり、やはりＨｃの増大を招く。結局成膜条件を
斜線範囲に選ぶと異方性は薄膜長手方向と直角または膜
面に垂直となって大きな△ｐ／ｐが得られ、かつＨｃも
３〜２０は史の許容範囲に収めることができる。以上詳
細に説明したように、本発明によればバルブ用基板則ち
オルソフェラィトやガーネットなどの一軸磁気異万性を
持つ磁性基板上の任意の位置、任意の方向に形成したバ
ブルメモリ用磁性薄膜にその長手方向と直角または垂直
な方向の異方性を持たせることができ、これにより該薄
膜を転送路としてまたは検出器等として使用する場合、
伝播マージンを拡大しまた検出感度を高めることが可能
になる。
ら明らかなように矩形枠Ｇで示す範囲では長手方向に磁
気異万性を持つ、つまり形状異方性を持つことになる。
この写真に見える長手方向の線が図面右方向に向いた磁
化と左方向に向いた磁化の境界線となり、斜線はかかる
磁化ブロックの端部を示す。本発明は第６図に示すとこ
ろの斜線部分を用いるものであり、符号Ｂで示す成膜条
件つまり８４％Ｎｉ−Ｆｅを用い、温度は２６０ｑ○で
通常のＲＦスパッタにより蒸着した磁性薄膜の同様な写
真を第８図に示す。この写真の縦線から明らかなように
、この条件では第２図に示すＦ２方向の異方性が得られ
る。符号Ｆで示す成膜条件、すなわち８４％Ｎｉ−Ｆｅ
を用い温度３３０００で義着した磁性薄膜もまた第２図
に示すＦ２方向の異性が得られる。この場合、符号Ｅと
同様にグレィンが増大し、Ｐ，，Ｐ３に近づくにつれて
Ｈｅが増大する。斜線領域とＰ，，Ｐ３の境界がＨｃ＝
２のｅの線であり、温度３５０００で閉じている。これ
が実用的限界と考えられる。更にＮｉ比を高めて符号Ｃ
で示すようにこれを８６％にすると、得られる磁性薄膜
は第９図に示す如くなる。この写真に見られるしま模様
は磁歪により生じたストライプドメインを示している。
このしま模様は磁化が膜面の上から下方向またはその逆
方向に交互に生じ、それらの中間では中間状態をとるこ
とに起因する。このように異方性が膜面に垂直方向に生
じてもやはり抵抗変化率△ｐノｐは大になる。更に第６
図に符号Ｄで示す成膜条件で得た薄膜の磁区パターンは
、第１０図に示す如くなる。この場合はＮｊ比は従来の
ものと変らないが、温度が２３０００と低く、やはりし
ま模様が現われる。これは低温蒸着のため生じたストラ
イプドメィンであり、この場合も抵抗変化率は大になる
。しかし温度を更に低くして斜線外の部分Ｐ２にすると
膜内部歪が大になり、Ｈｅの増大を招いてバルブ用には
通さなくなる。斜線領域とＰ２を境界がＨｃ＝２のｅの
線であり、この線迄が実用的限界と考えられる。また逆
に部分Ｐ，で示すように余りに温度を高くすると粒子が
粗大になり、やはりＨｃの増大を招く。結局成膜条件を
斜線範囲に選ぶと異方性は薄膜長手方向と直角または膜
面に垂直となって大きな△ｐ／ｐが得られ、かつＨｃも
３〜２０は史の許容範囲に収めることができる。以上詳
細に説明したように、本発明によればバルブ用基板則ち
オルソフェラィトやガーネットなどの一軸磁気異万性を
持つ磁性基板上の任意の位置、任意の方向に形成したバ
ブルメモリ用磁性薄膜にその長手方向と直角または垂直
な方向の異方性を持たせることができ、これにより該薄
膜を転送路としてまたは検出器等として使用する場合、
伝播マージンを拡大しまた検出感度を高めることが可能
になる。
第１図および第２図はバブル転送路および検出器で生じ
る問題の説明図、第３図はＮｉ比対△ｐ／ｐの関係を示
すグラフ、第４図および第５図は基板温度対△ｐ／ｐの
関係を示すグラフ、第６図は本発明および従来の成膜条
件を示すグラフ、第７図〜第１０図は第６図■〜◎の成
膜条件の磁性薄膜の磁区パターンを示す写真である。 図面でＢｉ，ＢｔはＴＩパーパターン、Ｓｐはサーベン
タインパターンである。 範１図 籍２図 鰍８図 聡４図 第５蘭 第｛‘的 第丁図 第８図 第９図 第１０図
る問題の説明図、第３図はＮｉ比対△ｐ／ｐの関係を示
すグラフ、第４図および第５図は基板温度対△ｐ／ｐの
関係を示すグラフ、第６図は本発明および従来の成膜条
件を示すグラフ、第７図〜第１０図は第６図■〜◎の成
膜条件の磁性薄膜の磁区パターンを示す写真である。 図面でＢｉ，ＢｔはＴＩパーパターン、Ｓｐはサーベン
タインパターンである。 範１図 籍２図 鰍８図 聡４図 第５蘭 第｛‘的 第丁図 第８図 第９図 第１０図
Claims (1)
- １ ７４．０〜８６．５重量％のニツケルを含み残量は
鉄の磁性材料を用い、８３．５〜８６．５重量％がニツ
ケルのものに対しては基板温度１３０〜３５０℃の、ま
た７４．０〜８３．５重量％がニツケルのものに対して
は基板温度１５０〜２４０℃の成膜条件で、前記磁性材
料を基板へ蒸着して磁性薄膜を形成することを特徴とす
るバブルメモリ用磁性薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50131612A JPS608614B2 (ja) | 1975-11-01 | 1975-11-01 | バブルメモリ用磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50131612A JPS608614B2 (ja) | 1975-11-01 | 1975-11-01 | バブルメモリ用磁性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5256398A JPS5256398A (en) | 1977-05-09 |
| JPS608614B2 true JPS608614B2 (ja) | 1985-03-04 |
Family
ID=15062125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50131612A Expired JPS608614B2 (ja) | 1975-11-01 | 1975-11-01 | バブルメモリ用磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608614B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110111A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-15 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリの製造方法 |
| JPS61168907A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-30 | Fujitsu Ltd | 磁性薄膜の作成方法 |
-
1975
- 1975-11-01 JP JP50131612A patent/JPS608614B2/ja not_active Expired
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| IBM TOCHNICAL BULLETIN#V15#N11=1973 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5256398A (en) | 1977-05-09 |
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