JPS6086187A - 半導体ウエ−ハ研摩用砥粒 - Google Patents
半導体ウエ−ハ研摩用砥粒Info
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- JPS6086187A JPS6086187A JP58193625A JP19362583A JPS6086187A JP S6086187 A JPS6086187 A JP S6086187A JP 58193625 A JP58193625 A JP 58193625A JP 19362583 A JP19362583 A JP 19362583A JP S6086187 A JPS6086187 A JP S6086187A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシリコン単結晶などの半導体ウェーハ表面を機
械的に研摩する際に使用される研摩材の砥粒に関するも
のでろる。半導体素子は、例えばシリコン単結晶からウ
ェーハ状に切り出した基板上に形成されたエピタキシャ
ル膜中に形成されるが、単結晶からウェーハ状に切り出
したままでは、その表面に種々の傷があり、平滑な面と
は云えない。このため良好なエピタキシャル膜は得られ
ず、その上にパターンを転写する場合に鮮明な転写がで
きない。
械的に研摩する際に使用される研摩材の砥粒に関するも
のでろる。半導体素子は、例えばシリコン単結晶からウ
ェーハ状に切り出した基板上に形成されたエピタキシャ
ル膜中に形成されるが、単結晶からウェーハ状に切り出
したままでは、その表面に種々の傷があり、平滑な面と
は云えない。このため良好なエピタキシャル膜は得られ
ず、その上にパターンを転写する場合に鮮明な転写がで
きない。
このため従来から、シリコン単結晶から切り出したウェ
ーハの表面を平滑に研摩しているが、その際に使用され
る研摩用は粒としてはＡＪ２０３゜ＺｒＯ２，ＴｉＯ２
等の微粒子が用いられている。これらの研摩砥粒は研摩
速製、平滑度、光沢等に難点があシ、近年５ｉ０２の微
粒子が試用されるようになって来た。この５ｉ０２微粒
子を半導体ウェーハ用研摩砥粒として使用する際には、
粒子をほぼ球形にする８袂があり、そのためＳｉＣノ、
を加水分解し製造されていたが、この方法により製造さ
れたものはきわめて高価なものであった。
ーハの表面を平滑に研摩しているが、その際に使用され
る研摩用は粒としてはＡＪ２０３゜ＺｒＯ２，ＴｉＯ２
等の微粒子が用いられている。これらの研摩砥粒は研摩
速製、平滑度、光沢等に難点があシ、近年５ｉ０２の微
粒子が試用されるようになって来た。この５ｉ０２微粒
子を半導体ウェーハ用研摩砥粒として使用する際には、
粒子をほぼ球形にする８袂があり、そのためＳｉＣノ、
を加水分解し製造されていたが、この方法により製造さ
れたものはきわめて高価なものであった。
又、この合成石英の粒子は、アルカリ性に対する耐性が
低く、研摩液としてのアルカリ浴液中で次第に浸蝕され
て研摩効果が急速に低下するという欠点がおった。
低く、研摩液としてのアルカリ浴液中で次第に浸蝕され
て研摩効果が急速に低下するという欠点がおった。
本発明は安価で研摩速度の速い、しかもアルカリ溶液に
よって著しく浸蝕されることのない５ｉ０２系の研摩材
用砥粒を開発したもので、特にｐＨ９〜１２程度のアル
カリ性浴液に分散させて使用する半導体ウェーッ・研摩
用は粒として適しているもので純度９５％以上１粒径ｌ
Ｏμｍ以下の＃融石英粉砕粉とし、かつ粒径０．１〜６
μ７７Ｌの粒子を７０チ以上含む砥粒である０ 純度９５％以上の沼融石英は、ミクロンオーダ迄微粉砕
することによって酸又はアルカリ浴液により、その形状
が球状のものはそ４程混触を受けないが、鋭利々部分を
持った粒子はその鋭利な部分のみが混触され全体として
ほぼ球形となる。このような粒子は粒径１０μ？ル以下
のものでおってしかもＯ，１〜６μｍのものが全体の７
０チ以上含むようなものにおいて顕著でおる。もちろん
より細かい場合にこの化学反応は強く表われるが、半導
体ウェー六の研摩材用砥粒としての機能をも合せもつも
のとしては上述の粒度範囲のものが好ましい。
よって著しく浸蝕されることのない５ｉ０２系の研摩材
用砥粒を開発したもので、特にｐＨ９〜１２程度のアル
カリ性浴液に分散させて使用する半導体ウェーッ・研摩
用は粒として適しているもので純度９５％以上１粒径ｌ
Ｏμｍ以下の＃融石英粉砕粉とし、かつ粒径０．１〜６
μ７７Ｌの粒子を７０チ以上含む砥粒である０ 純度９５％以上の沼融石英は、ミクロンオーダ迄微粉砕
することによって酸又はアルカリ浴液により、その形状
が球状のものはそ４程混触を受けないが、鋭利々部分を
持った粒子はその鋭利な部分のみが混触され全体として
ほぼ球形となる。このような粒子は粒径１０μ？ル以下
のものでおってしかもＯ，１〜６μｍのものが全体の７
０チ以上含むようなものにおいて顕著でおる。もちろん
より細かい場合にこの化学反応は強く表われるが、半導
体ウェー六の研摩材用砥粒としての機能をも合せもつも
のとしては上述の粒度範囲のものが好ましい。
０．１〜６μｍの範囲のものが砥粒全体の７０％以下の
ものではより細かいものが多い場合には研摩速度が者し
く低下し、又より粗いものが多い場合（は研摩速度は速
くなるが研摩面に傷がつき易くなる。
ものではより細かいものが多い場合には研摩速度が者し
く低下し、又より粗いものが多い場合（は研摩速度は速
くなるが研摩面に傷がつき易くなる。
溶融石英の純度が９５−以上であることは、不純物の多
いものにあっては酸又はアルカリによる化学処理の影響
を受け易くなり、アルカリ等を混合した状態での保存が
できなくなり、又高純度を必要とする半導体ウェーハを
汚染したシするためである。
いものにあっては酸又はアルカリによる化学処理の影響
を受け易くなり、アルカリ等を混合した状態での保存が
できなくなり、又高純度を必要とする半導体ウェーハを
汚染したシするためである。
溶融石英の場合には前述したように５ｉＣ）、を加水分
解して得られたＳｉ、０２のようなアルカリ性水溶液に
よる混触を受け易いという傾向も顕著でなく、砥粒とし
て好ましい条件である。
解して得られたＳｉ、０２のようなアルカリ性水溶液に
よる混触を受け易いという傾向も顕著でなく、砥粒とし
て好ましい条件である。
以下に本発明を実施例につき比較例を参照して説明する
。
。
純度９７％の溶融石英塊を、アルミナで内張υしたボー
ルミルを使用し、ｐＨ１ＯのＮＨ４ＯＨ水溶液中で粉砕
を行なった。粉砕時間を一方が２００ｈｒ、他方が５０
ｈｒで、第１図に示すような粒度分布を持った粉砕粉
が得られた。いづれも１０μｍ以下であるが、一方は０
．１〜６μｍの粒子が８９％含まれ、他方は５０％含ま
れるものであった。
ルミルを使用し、ｐＨ１ＯのＮＨ４ＯＨ水溶液中で粉砕
を行なった。粉砕時間を一方が２００ｈｒ、他方が５０
ｈｒで、第１図に示すような粒度分布を持った粉砕粉
が得られた。いづれも１０μｍ以下であるが、一方は０
．１〜６μｍの粒子が８９％含まれ、他方は５０％含ま
れるものであった。
他の実施例として、純度９７％の溶融石英塊を振動ミル
によって湿式粉砕し、０．１〜６μｍＱ）範囲の粒子が
７０重量％含む粉末とし、これをｐＨ３のＨＦ水溶液中
でエツチングして０．１〜６μｍのものが８５重量％含
むような粉末を得た。
によって湿式粉砕し、０．１〜６μｍＱ）範囲の粒子が
７０重量％含む粉末とし、これをｐＨ３のＨＦ水溶液中
でエツチングして０．１〜６μｍのものが８５重量％含
むような粉末を得た。
これらの粉末の粒度分布は第１図に示すようなものであ
つ尺。これらの砥粒を使用してシリコン単結晶ウェーハ
を研摩した。研摩材は上記３種の砥粒をｐＨ１ｏのＮＨ
４０Ｉ（水浴液中に分散させ、分散剤として硫酸アルミ
を加えたものである。この研摩材を使用してウェーハを
研摩した結果を表に示す。
つ尺。これらの砥粒を使用してシリコン単結晶ウェーハ
を研摩した。研摩材は上記３種の砥粒をｐＨ１ｏのＮＨ
４０Ｉ（水浴液中に分散させ、分散剤として硫酸アルミ
を加えたものである。この研摩材を使用してウェーハを
研摩した結果を表に示す。
表に示すように、本発明のものは酸又はアルカリによっ
て表面が化学処理されて略球形でろるためウェーハ研摩
面にキズをつけることなく、又研摩速度もより効果的で
ある。これに対し参考例のものはキズを発生させるもの
であるためウェーハ研摩材用砥粒としては適さず又研摩
速度も好ましいものではなかった。
て表面が化学処理されて略球形でろるためウェーハ研摩
面にキズをつけることなく、又研摩速度もより効果的で
ある。これに対し参考例のものはキズを発生させるもの
であるためウェーハ研摩材用砥粒としては適さず又研摩
速度も好ましいものではなかった。
なお、分散剤には特に実施例の４Ａ敵アルミに限定され
るものではなく、ウェーッ・に悪影響ヲ与えないもので
あれば他のものでもよい。
るものではなく、ウェーッ・に悪影響ヲ与えないもので
あれば他のものでもよい。
第１図は本発明と比較例の粒度介布會示す図である。
発明者 秋保オロ尋
発明者 古市克部
出願人 東芝セラミックス株式会社
、４＼−
Claims (2)
- （１）純度９５％以上、粒径１０２ｍ以下の浴融石英粉
末であって、かつ粒径０．１〜６μｍの粒子が７０％以
上であることを特徴とする半導体ウェーハ研屋用砥粒。 - （２）粒子表面が酸又はアルカリによって表面処理され
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
ウェーハ研摩用砥粒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193625A JPS6086187A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体ウエ−ハ研摩用砥粒 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193625A JPS6086187A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体ウエ−ハ研摩用砥粒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086187A true JPS6086187A (ja) | 1985-05-15 |
| JPH0238115B2 JPH0238115B2 (ja) | 1990-08-29 |
Family
ID=16311047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58193625A Granted JPS6086187A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体ウエ−ハ研摩用砥粒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086187A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5767016A (en) * | 1994-07-27 | 1998-06-16 | Sony Corporation | Method of forming a wiring layer on a semiconductor by polishing with treated slurry |
| JP2017105980A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-06-15 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ストップ‐オンシリコンコーティング層添加剤 |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58193625A patent/JPS6086187A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5767016A (en) * | 1994-07-27 | 1998-06-16 | Sony Corporation | Method of forming a wiring layer on a semiconductor by polishing with treated slurry |
| KR100402931B1 (ko) * | 1994-07-27 | 2004-01-13 | 소니 가부시끼 가이샤 | 배선층표면연마용의슬러리와이슬러리를이용하는반도체장치의제조방법 |
| JP2017105980A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-06-15 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ストップ‐オンシリコンコーティング層添加剤 |
| US10144850B2 (en) | 2015-09-25 | 2018-12-04 | Versum Materials Us, Llc | Stop-on silicon containing layer additive |
| JP2019049008A (ja) * | 2015-09-25 | 2019-03-28 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | ストップ‐オンシリコンコーティング層添加剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0238115B2 (ja) | 1990-08-29 |
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