JPS6086267A - 電気絶縁膜の製造方法 - Google Patents
電気絶縁膜の製造方法Info
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- JPS6086267A JPS6086267A JP19176083A JP19176083A JPS6086267A JP S6086267 A JPS6086267 A JP S6086267A JP 19176083 A JP19176083 A JP 19176083A JP 19176083 A JP19176083 A JP 19176083A JP S6086267 A JPS6086267 A JP S6086267A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/62—Plasma-deposition of organic layers
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- Plasma & Fusion (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Insulating Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高い熱伝導率を有する電気絶縁膜の製法に関
する。
する。
一般に高い熱伝導率を有する電気絶縁材料は、熱を発生
する各種電子部品、タイオード、トランジスター、ＩＣ
，ＬＳＩ等の半導体素子、その他のヒートシンク材料に
電気絶縁性等に加えて放熱性を高めるために利用されて
いる。しかし、従来のｉｉ７＋記絶縁材料は一般に、銅
などの金属に比較して低い熱伝導率を示すため、小さな
面積で大量の熱を流すことは困難であった。特に各種電
子部品や半導体素子の小型化に伴なって、単位面積当り
に大量の熱を流す必要が生じてきた。
する各種電子部品、タイオード、トランジスター、ＩＣ
，ＬＳＩ等の半導体素子、その他のヒートシンク材料に
電気絶縁性等に加えて放熱性を高めるために利用されて
いる。しかし、従来のｉｉ７＋記絶縁材料は一般に、銅
などの金属に比較して低い熱伝導率を示すため、小さな
面積で大量の熱を流すことは困難であった。特に各種電
子部品や半導体素子の小型化に伴なって、単位面積当り
に大量の熱を流す必要が生じてきた。
具体的には、醇化アルミニウムや窒化はう素笠が銅など
に近い高い熱伝導率の電気絶縁材料として知られている
が、これらはセラミックスであり次のような欠点を有す
る。■焼結体であるため、被コーテイング物の形状に合
わせて膜を随意に形成したり、目的に応じた任意の厚み
のＱ ＩＩＡを１５）ることが容易でない。（■高い硬
度を有しているが、もろく、割れやすい。（須電気抵抗
は、絶縁材才１として十分高いが、熱伝導度は銅などに
比較してやや小さい。
に近い高い熱伝導率の電気絶縁材料として知られている
が、これらはセラミックスであり次のような欠点を有す
る。■焼結体であるため、被コーテイング物の形状に合
わせて膜を随意に形成したり、目的に応じた任意の厚み
のＱ ＩＩＡを１５）ることが容易でない。（■高い硬
度を有しているが、もろく、割れやすい。（須電気抵抗
は、絶縁材才１として十分高いが、熱伝導度は銅などに
比較してやや小さい。
本発明の目的は、銅などの全屈以上の高い熱伝導度を有
し、しかも高いミス抵抗を有する電気絶縁１ｊりを任意
の厚さ、任意の形状で製造できる方法を提供するもので
ある。
し、しかも高いミス抵抗を有する電気絶縁１ｊりを任意
の厚さ、任意の形状で製造できる方法を提供するもので
ある。
本発明によると、ハロゲン化炭化水素カス（Ａ） 、
ｙ＆化水素ガス（Ｂ）、水素ガス（Ｃ）およびハロゲン
ガス（Ｄ）から、下記（１）〜（ｌＯ）のいずれかの組
合せで選ばれた１種又は２種以上のガスを含有する重合
用ガス： （１）Ａのみ、 （２）Ａ＋Ｂ、 （３）Ａ＋Ｃ１ （４）Ａ＋Ｄ、 （５）Ａ＋Ｂ十〇、 （Ｂ）Ａ＋Ｂ＋Ｄ、 （７）Ａ＋Ｃ＋Ｄ、 （８）Ａ＋Ｂ＋Ｃ十Ｄ、 （！’ｌ）Ｂ＋Ｄ、 （１０）Ｂ ＋ Ｃ＋ ｐ であって、該屯合用カス中のハロゲン原子数と水素原子
数の比が１：５〜５：１であるものを、反応帯域におけ
るプラズマの電子温度が２，０００〜１３０．０ＯＯＫ
であるプラズマ重合反応に供することからなる電気絶縁
１１分の製造方法が提供される。
ｙ＆化水素ガス（Ｂ）、水素ガス（Ｃ）およびハロゲン
ガス（Ｄ）から、下記（１）〜（ｌＯ）のいずれかの組
合せで選ばれた１種又は２種以上のガスを含有する重合
用ガス： （１）Ａのみ、 （２）Ａ＋Ｂ、 （３）Ａ＋Ｃ１ （４）Ａ＋Ｄ、 （５）Ａ＋Ｂ十〇、 （Ｂ）Ａ＋Ｂ＋Ｄ、 （７）Ａ＋Ｃ＋Ｄ、 （８）Ａ＋Ｂ＋Ｃ十Ｄ、 （！’ｌ）Ｂ＋Ｄ、 （１０）Ｂ ＋ Ｃ＋ ｐ であって、該屯合用カス中のハロゲン原子数と水素原子
数の比が１：５〜５：１であるものを、反応帯域におけ
るプラズマの電子温度が２，０００〜１３０．０ＯＯＫ
であるプラズマ重合反応に供することからなる電気絶縁
１１分の製造方法が提供される。
本発明方法における被コーテイング物は、普通は実際に
使用する電子部品や素子であるが、たとえば、塩化すＩ
・リウムや臭化カリウム等からなる成形物を被コーテイ
ング物として利用し、コーテイング後、被コーテイング
物を溶かし去ることにより自由な膜単体を得ることがで
きる。
使用する電子部品や素子であるが、たとえば、塩化すＩ
・リウムや臭化カリウム等からなる成形物を被コーテイ
ング物として利用し、コーテイング後、被コーテイング
物を溶かし去ることにより自由な膜単体を得ることがで
きる。
以下本発明について具体的に説明する。
第１図は本発明方法の実施に好適に用いられる装置例を
示す。この装置は、真空ポンプ１が接続された真空容器
２内に、互に対向する一対の板状電極３．３°が設けら
れ、該電極３．３°は例えば交流電源４に接続されてい
る。一方、前記真空容器２には、その内部に千ツマーガ
スを供給する単数若しくは複数の千ツマーカス供給管５
が接続されている。運転時には、被コーテイング物、例
えばシリコンウェハー７を乗せたガラス繊維製エン（・
レスベルト８が、ロール６Ａ及び６Ｂにより１１１１記
電極３．３゛間を通過するよう走行せしめられ、次のよ
うにして本発明の高い熱伝導率を有する電気絶縁性膜が
形成される。
示す。この装置は、真空ポンプ１が接続された真空容器
２内に、互に対向する一対の板状電極３．３°が設けら
れ、該電極３．３°は例えば交流電源４に接続されてい
る。一方、前記真空容器２には、その内部に千ツマーガ
スを供給する単数若しくは複数の千ツマーカス供給管５
が接続されている。運転時には、被コーテイング物、例
えばシリコンウェハー７を乗せたガラス繊維製エン（・
レスベルト８が、ロール６Ａ及び６Ｂにより１１１１記
電極３．３゛間を通過するよう走行せしめられ、次のよ
うにして本発明の高い熱伝導率を有する電気絶縁性膜が
形成される。
即ち、真空ポンプｌにより真空容器２内を損気しながら
、モノマーカス供給管５を介して、前述の組成に既に調
整された重合用ガスを真空容器２内に導入するか、或い
は前述のガス（Ａ）〜（Ｄ）の１種又は２種以上を別々
に真空容器２内に導入して該容器内で所要の組成を有す
る重合用ガスが調整されるようにする。ここで導入され
、または調整された重合用ガスは、真空容器２内におい
て、ハロケン原子数と水素原子数との比が１：５〜５：
１、好ましくは１：３〜２：１の範囲内にあるものであ
ることが肝要である。
、モノマーカス供給管５を介して、前述の組成に既に調
整された重合用ガスを真空容器２内に導入するか、或い
は前述のガス（Ａ）〜（Ｄ）の１種又は２種以上を別々
に真空容器２内に導入して該容器内で所要の組成を有す
る重合用ガスが調整されるようにする。ここで導入され
、または調整された重合用ガスは、真空容器２内におい
て、ハロケン原子数と水素原子数との比が１：５〜５：
１、好ましくは１：３〜２：１の範囲内にあるものであ
ることが肝要である。
真空容器２内の雰囲気を、上述のようにして一定に保っ
た状態において、電極３．３゛に交流電源４により電力
を供給し、これにより電極３．３゛間に放電によるプラ
ズマを生起せしめ、更に当該プラズマを被コーテイング
物、例えはシリコンウェハーを設置したヘルド８が通過
する位置において電子温度が２，０００〜ｓｏ、ｏｏ。
た状態において、電極３．３゛に交流電源４により電力
を供給し、これにより電極３．３゛間に放電によるプラ
ズマを生起せしめ、更に当該プラズマを被コーテイング
物、例えはシリコンウェハーを設置したヘルド８が通過
する位置において電子温度が２，０００〜ｓｏ、ｏｏ。
Ｋの状態とし、このプラズマをシリコンウェハーに作用
させてその表面に前記モノマーガスによるプラズマ重合
膜より成る高い熱伝導率を有する電気絶縁性膜を連続的
に形成する。
させてその表面に前記モノマーガスによるプラズマ重合
膜より成る高い熱伝導率を有する電気絶縁性膜を連続的
に形成する。
本発明における電子温度は、特開昭５４−１３５５７４
じ公報に記載された、加熱探針を用いて測定されるもの
である。該加熱探針Ｐを第１図に示すように電極表面近
傍のいわゆるプラズマシース領域以外のプラズマ領域内
に、第１図で紙面に垂直な方向に挿入することによって
行なうことができ、その温度制御は、例えば交流電源４
より電極３．３°に供給される電力、真空容器２内の真
空度、その他の条件を変更調整することによって実行す
ることができる。
じ公報に記載された、加熱探針を用いて測定されるもの
である。該加熱探針Ｐを第１図に示すように電極表面近
傍のいわゆるプラズマシース領域以外のプラズマ領域内
に、第１図で紙面に垂直な方向に挿入することによって
行なうことができ、その温度制御は、例えば交流電源４
より電極３．３°に供給される電力、真空容器２内の真
空度、その他の条件を変更調整することによって実行す
ることができる。
なお真空容器２内の真空度は１０１・−ル以−にを達成
できることが好ましく、プラズマ重合１！１の３ 真空度は通常１０〜１ト一ル程度とされる。 重合用ガ
ス中のハロゲン原子数が水素原子数の５倍を越えると膜
成長速度が小さくなり、逆にハロゲンＢ；〔予成が水素
原子数の１７５未満であると、形成される膜は電気抵抗
の低いものとなる。
できることが好ましく、プラズマ重合１！１の３ 真空度は通常１０〜１ト一ル程度とされる。 重合用ガ
ス中のハロゲン原子数が水素原子数の５倍を越えると膜
成長速度が小さくなり、逆にハロゲンＢ；〔予成が水素
原子数の１７５未満であると、形成される膜は電気抵抗
の低いものとなる。
また本発明においては、膜の形成に関与するプラズマは
その電子温度が２，０００〜８０，０ＯＯＫの状態のも
のであることが必要であり、２，０００ Ｋ未満では必
ずしも高い熱伝導率を有する膜が形成されず、また６０
，０ＯＯＫを越えると厚さや性質等の点で均一な膜を得
ることが困難となる。
その電子温度が２，０００〜８０，０ＯＯＫの状態のも
のであることが必要であり、２，０００ Ｋ未満では必
ずしも高い熱伝導率を有する膜が形成されず、また６０
，０ＯＯＫを越えると厚さや性質等の点で均一な膜を得
ることが困難となる。
本発明において、プラズマの電子温度は２，０００〜Ｇ
ｏ、ＱＯＱＫの範囲内であれば側段制約を受けるもので
はないが、電子温度３０，０ＯＯＫを概略的な一応の境
界として、その上下の各電子温度領域では、形成される
絶縁膜の特性に差が傾向として認められ、絶縁＋１Ｑの
特性は５，０ＯＯＫ以上３０．０００に未満でより好ま
しい傾向がある。第１表に各電子温度領域で電気絶縁膜
を形成したときの特性値を示す。試料は、測定用基板を
用い、これにプラズマの電子温度を変えるようにしたほ
かは後述の実施例１における電気絶縁膜の形成と同様に
してプラズマ重合膜を形成することによって得られたも
のである。
ｏ、ＱＯＱＫの範囲内であれば側段制約を受けるもので
はないが、電子温度３０，０ＯＯＫを概略的な一応の境
界として、その上下の各電子温度領域では、形成される
絶縁膜の特性に差が傾向として認められ、絶縁＋１Ｑの
特性は５，０ＯＯＫ以上３０．０００に未満でより好ま
しい傾向がある。第１表に各電子温度領域で電気絶縁膜
を形成したときの特性値を示す。試料は、測定用基板を
用い、これにプラズマの電子温度を変えるようにしたほ
かは後述の実施例１における電気絶縁膜の形成と同様に
してプラズマ重合膜を形成することによって得られたも
のである。
第１表の数値から、電子温度の異なるプラズマによれば
異なる特性の電気絶縁膜が形成されること、並びに何れ
の電子温度領域のプラズマによるものであるにせよ、優
れた特性の電気絶縁膜が形成されることが理解される。
異なる特性の電気絶縁膜が形成されること、並びに何れ
の電子温度領域のプラズマによるものであるにせよ、優
れた特性の電気絶縁膜が形成されることが理解される。
本発明において用いる千ツマーガスは、既述のガス（Ａ
）〜（Ｄ）のうちから選ばれるガスを含有するか、場合
によっては、Ａｒ、 Ｈｅなどの不活性ガスを含んでも
よい。これらのガスのうちハロゲン化炭化水素は、炭化
水素の水素原子の少なくとも１つが炭化水素のハロゲン
原子によって置換されたものである。好ましいものとし
ては、炭素原子数１〜８のハロゲン化飽和炭化水素、た
とえば、１〜４フツ化メタン、１〜６フツ化エタン、１
〜８７フ化プロパン等およびこれらのフッ素原子の全部
若しくは一部が塩素原子で置換された化合物を挙げるこ
とができる。これらのうち、１〜４フン化メタン、１〜
６フツ化エタンが特に好ましい。
）〜（Ｄ）のうちから選ばれるガスを含有するか、場合
によっては、Ａｒ、 Ｈｅなどの不活性ガスを含んでも
よい。これらのガスのうちハロゲン化炭化水素は、炭化
水素の水素原子の少なくとも１つが炭化水素のハロゲン
原子によって置換されたものである。好ましいものとし
ては、炭素原子数１〜８のハロゲン化飽和炭化水素、た
とえば、１〜４フツ化メタン、１〜６フツ化エタン、１
〜８７フ化プロパン等およびこれらのフッ素原子の全部
若しくは一部が塩素原子で置換された化合物を挙げるこ
とができる。これらのうち、１〜４フン化メタン、１〜
６フツ化エタンが特に好ましい。
炭化水素ガスとして好ましいものは、炭素数１〜８の飽
和炭化水素であり、たとえば、メタン、エタン、プロパ
ン、ブタン等である。特に好ましいものはメタンおよび
エタンである。
和炭化水素であり、たとえば、メタン、エタン、プロパ
ン、ブタン等である。特に好ましいものはメタンおよび
エタンである。
ハロゲンガスとしては、フッ素、塩素、臭素およびヨウ
素のうち１種又は２種以上を任意に用いることができる
が、特にフッ素または塩素が好ましい。
素のうち１種又は２種以上を任意に用いることができる
が、特にフッ素または塩素が好ましい。
本発明の高い伝導・Ｖを有する電気絶縁膜は、熱伝導率
が銅などの金属のそれと同程度かそれ以」二であり、し
かも、電気抵抗が電気絶縁材料として十分な値を持って
いるため、その効果はきわめて大きいうまたこの膜はＬ
ＳＩや、ｔＩｉＬＳＩの基板から熱を放出するための絶
縁膜、小型の大電力用薄膜抵抗器や、やはり小型の大電
力用コンデンサーの誘電膜、さらには小型のプリント基
板材料や光学素子用基板材料等として用いることができ
る。
が銅などの金属のそれと同程度かそれ以」二であり、し
かも、電気抵抗が電気絶縁材料として十分な値を持って
いるため、その効果はきわめて大きいうまたこの膜はＬ
ＳＩや、ｔＩｉＬＳＩの基板から熱を放出するための絶
縁膜、小型の大電力用薄膜抵抗器や、やはり小型の大電
力用コンデンサーの誘電膜、さらには小型のプリント基
板材料や光学素子用基板材料等として用いることができ
る。
これらの４１ｆ長に加えて、本発明の方法がドライプロ
セスであるプラズマ重合法によって行なわれる点を強調
しなければならない。すなわち、被コーテイング物の形
状や大きさを自由に遼べ、それに適合した膜を容易に形
成できる。
セスであるプラズマ重合法によって行なわれる点を強調
しなければならない。すなわち、被コーテイング物の形
状や大きさを自由に遼べ、それに適合した膜を容易に形
成できる。
膜の厚さは数＋Ａ〜数ｐｍの範囲で任意に形成できる。
廃液処理やそれによる公害の問題がない。さらに、原料
ガスに重金属や毒性元素を含まないので、作業上安全で
あり、公害の恐れもない。したがって、工業化に際して
きわめて有利である。
ガスに重金属や毒性元素を含まないので、作業上安全で
あり、公害の恐れもない。したがって、工業化に際して
きわめて有利である。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するがこれら
に本発明を限定するものではない。
に本発明を限定するものではない。
〔実施例１〕
第１図の装置を用い、測定用基板である金を真空蒸着し
たガラス板および光音ｆ ｆｉｌｌ定用基板（銅板）の
」二に本発明の方法により次のようにプラズマ重合膜を
形成した。
たガラス板および光音ｆ ｆｉｌｌ定用基板（銅板）の
」二に本発明の方法により次のようにプラズマ重合膜を
形成した。
モノマーガスとしてメタンと四フッ化メタンヲ用イ、ソ
レソレノ流量は２０ｃｃ（ＳＴＰ） ／ ｍｉｎ と１
０ｃｃ （ＳＴＰ） ／ ｍｉｎであった。真空度は排
気速度を調節することにより５０ミリトールに保った。
レソレノ流量は２０ｃｃ（ＳＴＰ） ／ ｍｉｎ と１
０ｃｃ （ＳＴＰ） ／ ｍｉｎであった。真空度は排
気速度を調節することにより５０ミリトールに保った。
プラズマは２０ｋＨｚの交流電源を用いて励起させ、供
給電力を調節することにより測定用基板斗 伺近の電子温度を１．５Ｘ １０ Ｋに保った。
給電力を調節することにより測定用基板斗 伺近の電子温度を１．５Ｘ １０ Ｋに保った。
＋１ｌｌｌ定用基板をプラズマ中に５０分間保つことに
より、約１ｇｒｎの膜厚を有するプラズマ重合膜を測定
基板」二に形成した。
より、約１ｇｒｎの膜厚を有するプラズマ重合膜を測定
基板」二に形成した。
電気抵抗は、プラズマ重合１１Ｑを形成したガラスス（
板上に金を再度蒸着し、」二の金の層と下の金の層との
間の体積抵抗率をｎ１１定した。また、熱伝導率は、上
記と同様にしてプラズマ重合膜を表面に形成した光音響
測定用基板を使用し、Ｍ、Ｊ、Ａｄａｍｓらの方法（Ａ
ｎａｌｙｓｔ、１０２ ｐ、１３７８（１９７？））に
したがって光音響測定用セルに固定してＪｌｌｌ定した
結果を表２に示す。
板上に金を再度蒸着し、」二の金の層と下の金の層との
間の体積抵抗率をｎ１１定した。また、熱伝導率は、上
記と同様にしてプラズマ重合膜を表面に形成した光音響
測定用基板を使用し、Ｍ、Ｊ、Ａｄａｍｓらの方法（Ａ
ｎａｌｙｓｔ、１０２ ｐ、１３７８（１９７？））に
したがって光音響測定用セルに固定してＪｌｌｌ定した
結果を表２に示す。
〔比較例１〕
実施例１において、測定基板伺近の電子温度件
を７．５Ｘ１０ Ｋとした点を除いて、全く回−条件に
してプラズマ重合■りを形成した。実施例１と同様にし
て体積抵抗率と熱伝導率を４１１足した。結果を表２に
示す。
してプラズマ重合■りを形成した。実施例１と同様にし
て体積抵抗率と熱伝導率を４１１足した。結果を表２に
示す。
〔比較例２〕
実施例１において、メタンおよび四フッ化メタンの流量
を、それぞれ３０ｃｃ（ＳＴＰ）／ｍｉｎ、 ５ｃｃ（
ＳＴＰ） ／ｍｉｎとした点を除いて、全く同二条件に
てプラズマ重合膜を形成し、体積抵抗率と熱伝導率を１
１１１定した。結果を第２表に示す。
を、それぞれ３０ｃｃ（ＳＴＰ）／ｍｉｎ、 ５ｃｃ（
ＳＴＰ） ／ｍｉｎとした点を除いて、全く同二条件に
てプラズマ重合膜を形成し、体積抵抗率と熱伝導率を１
１１１定した。結果を第２表に示す。
〔実施例２〕
電子温度を４．ＯＸ １０ Ｋとした点を除いて。
実施例１と同一の条件でプラズマ重合膜を形成し、体積
抵抗率と熱伝導率をＡｌ１定した。結果を第２表に示す
。
抵抗率と熱伝導率をＡｌ１定した。結果を第２表に示す
。
〔実施例３〕
六フフ化エタンと水素をモノマーガスとして選び、第１
図に示す装置を用いて測定用基板表面にプラズマ重合膜
を形成した。測定用基板は実施例１と同じである。六フ
ッ化エタンと水素の流量は、それぞれ１０ｃｃ（ＳＴＰ
） ／ ｍｉｎと３０ｃｃ（ＳＴＰ） ／ｗｉｎであっ
た。プラズマ励起電源として１３．５８ＭＨｚのＲＦ主
電源用い測定用基板付近の４ ゛ 電子温度を２．５Ｘ １０ Ｋに保った。測定用基板を
プラズマ中に約４０分間保つことにより、約ｌＩＬｍの
厚みのプラズマ重合１１りを測定基板」二に形成した。
図に示す装置を用いて測定用基板表面にプラズマ重合膜
を形成した。測定用基板は実施例１と同じである。六フ
ッ化エタンと水素の流量は、それぞれ１０ｃｃ（ＳＴＰ
） ／ ｍｉｎと３０ｃｃ（ＳＴＰ） ／ｗｉｎであっ
た。プラズマ励起電源として１３．５８ＭＨｚのＲＦ主
電源用い測定用基板付近の４ ゛ 電子温度を２．５Ｘ １０ Ｋに保った。測定用基板を
プラズマ中に約４０分間保つことにより、約ｌＩＬｍの
厚みのプラズマ重合１１りを測定基板」二に形成した。
実施例１と同様の方法で評価した結果を、実施例４およ
び比較例３〜５とともに第３表に示す。
び比較例３〜５とともに第３表に示す。
〔実施例４〕
牛
電子温度を５．５Ｘ １０ Ｋとした点を除いて、実施
例３と同−条ヂ］、でプラズマ重合膜を形成した。
例３と同−条ヂ］、でプラズマ重合膜を形成した。
〔比較例３〕
午
電子温度を７；ＯＸ １ＯＫとした点を除いて、実施例
３と同一条件でプラズマ重合膜を形成した。
３と同一条件でプラズマ重合膜を形成した。
〔比較例４〕
六フッ化エタンと水素の流量を、それぞれ１０ｃｃ（Ｓ
ＴＰ） ／ ｗｉｎおよび２ｃｃ（ＳＴＰ） ／ｍｉｎ
とした点を除いて、実施例３と同一条件でプラズマ重合
膜の製造を試みた。この場合、プラズマ重合膜はほとん
ど形成されなかった。
ＴＰ） ／ ｗｉｎおよび２ｃｃ（ＳＴＰ） ／ｍｉｎ
とした点を除いて、実施例３と同一条件でプラズマ重合
膜の製造を試みた。この場合、プラズマ重合膜はほとん
ど形成されなかった。
〔比較例５〕
六フッ化エタンと水素の流量を、それぞれ２ｃｃ（ＳＴ
Ｐ）／ ｍｉｎおよび４０ｃｃ（ＳＴＰ） ／ ｍｉｎ
とした点を除いて、実施例３と同一条件でプラズマ重合
膜を形成した。
Ｐ）／ ｍｉｎおよび４０ｃｃ（ＳＴＰ） ／ ｍｉｎ
とした点を除いて、実施例３と同一条件でプラズマ重合
膜を形成した。
〔実施例５〜１２’ｌ
第１図の装置を用い実施例１に順じてプラズマ重合膜を
形成し、電気抵抗および熱伝導率を一実施例１と同様の
方法で測定した。
形成し、電気抵抗および熱伝導率を一実施例１と同様の
方法で測定した。
各実施例に使用したモノマーカスの種類、供給流量、プ
ラズマ重合時の１１１１定用基板伺近における電子温度
および重合時間は、それぞれ表４に示したとおりであっ
た。また、いずれの実施例の場合も、重合時の真空度は
５０ミリト−ルに保ち、プラズマは２０ｋＨｚの交流電
源を用いて励起した。いずれの場合も、厚さ約１ｐｍの
７°ラズマ千合膜を形成した。体積抵抗率および熱伝導
率の測定結果を表４に示す。
ラズマ重合時の１１１１定用基板伺近における電子温度
および重合時間は、それぞれ表４に示したとおりであっ
た。また、いずれの実施例の場合も、重合時の真空度は
５０ミリト−ルに保ち、プラズマは２０ｋＨｚの交流電
源を用いて励起した。いずれの場合も、厚さ約１ｐｍの
７°ラズマ千合膜を形成した。体積抵抗率および熱伝導
率の測定結果を表４に示す。
第１図は本発明の実施に使用する装置例を表す。
１・・・真空ポンプ、２・・・真空容器、３．３′・・
・電極、５・・・モノマーガス供給管、６・・・ヘルド
、７・・・被コーテイング物 特許出願人 日木合成ゴム株式会社 代 理 人 弁理士 岩見谷 周志
・電極、５・・・モノマーガス供給管、６・・・ヘルド
、７・・・被コーテイング物 特許出願人 日木合成ゴム株式会社 代 理 人 弁理士 岩見谷 周志
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ハロゲン化炭化水素ガス（Ａ） 、 ）Ｒ化水素ガ
ス（Ｂ）、水素ガス（Ｃ）およびハロゲンガス（［））
から、下記（１）〜（１０）のいずれかの組合せで選ば
れた１種又は２種以上のガスを含有する利合用ガス： （１）Ａのみ、 （２）Ａ＋Ｂ、 （３）Ａ＋Ｃ１ （４）Ａ＋Ｄ、 （５）Ａ＋Ｂ＋Ｃ１ （６）Ａ＋Ｂ＋Ｄ、 （７）Ａ＋Ｃ＋Ｄ、 （８）Ａ＋Ｂ＋ｃ＋Ｄ、 （９）Ｂ＋Ｄ、 （１０）Ｂ ＋ Ｃ＋ Ｄ であって、該重合用ガス中の／＼ロゲン原子数と水素原
子数の比がｌ：５〜５：１であるものを、反応帯域にお
けるプラズマの電子温度が２ 、０００〜６０．０ＯＯ
Ｋであるプラズマ重合反応に供することからなる電気絶
縁膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19176083A JPS6086267A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 電気絶縁膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19176083A JPS6086267A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 電気絶縁膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086267A true JPS6086267A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16280050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19176083A Pending JPS6086267A (ja) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | 電気絶縁膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086267A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61190526A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | プラズマ重合膜被覆金属製品 |
| JPS61190525A (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-25 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | プラズマ重合膜で被覆された金属製品 |
| CN103337320A (zh) * | 2013-06-13 | 2013-10-02 | 天津学子电力设备科技有限公司 | 一种硅橡胶复合绝缘子表面电荷快速消散方法 |
| US12528966B2 (en) | 2015-06-09 | 2026-01-20 | P2I Ltd | Coatings |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5216981A (en) * | 1975-07-31 | 1977-02-08 | Toshiba Corp | Integrate circuit unit |
| JPS5838701A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | プラズマ化学反応による表面処理法 |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP19176083A patent/JPS6086267A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US12528966B2 (en) | 2015-06-09 | 2026-01-20 | P2I Ltd | Coatings |
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