JPS6086529A - 光導波路スイツチの製作方法 - Google Patents
光導波路スイツチの製作方法Info
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- JPS6086529A JPS6086529A JP19438783A JP19438783A JPS6086529A JP S6086529 A JPS6086529 A JP S6086529A JP 19438783 A JP19438783 A JP 19438783A JP 19438783 A JP19438783 A JP 19438783A JP S6086529 A JPS6086529 A JP S6086529A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、光回路素子、特に光導波路を用いた光スィッ
チや光変調器等（以下、総称的に１光導波路スイツチ１
と呼ぶ）に関する。本発明は、さらに詳しく述べると、
導波路と電極の間の光の吸収やクロストークの発生が防
止された光導波路スイッチの改良された製作方法に関す
る。
チや光変調器等（以下、総称的に１光導波路スイツチ１
と呼ぶ）に関する。本発明は、さらに詳しく述べると、
導波路と電極の間の光の吸収やクロストークの発生が防
止された光導波路スイッチの改良された製作方法に関す
る。
技術の背景
光通信技術の普及とともに、光回路素子の小型化、量産
性がめられ、また、これらの要求を満足するデバイス形
態として光導波路技術が注目されている。このような、
先導波路を用いた光回路素子の基本として、今ここで問
題とする先導波路スイッチがある。
性がめられ、また、これらの要求を満足するデバイス形
態として光導波路技術が注目されている。このような、
先導波路を用いた光回路素子の基本として、今ここで問
題とする先導波路スイッチがある。
周知の通り、光スイッチは光通路の切替手段である。か
かるスイッチは、少なくとも各１対の光入力端子、光通
路、そして光出力端子を有しており、この１対の光通路
が途中モ切替可能となっている◇さらに、かかる光通路
の切替機構の１つとして電気光学効果を利用して構成さ
れるものがある。例えば、リチウムナイオベート（Ｌｉ
ＮｂＯ３）、リチウムタンタレ−） Ｃ’ＬＩＴｈＯ３
）等の電気光学効果２呈する結晶、すなわち、電気光学
結晶をもって製造した板状部材（基板）の一部領域に導
波路として機能可能な高屈折率線状領域を形成し、該線
状領域上にさらに光スイツチ電極を形成し、そしてこの
光スイツチ電極に電圧を印加する場合としない場合とで
光通路の切替を行ない得るようにしだ光導波路スイッチ
がそれである。
かるスイッチは、少なくとも各１対の光入力端子、光通
路、そして光出力端子を有しており、この１対の光通路
が途中モ切替可能となっている◇さらに、かかる光通路
の切替機構の１つとして電気光学効果を利用して構成さ
れるものがある。例えば、リチウムナイオベート（Ｌｉ
ＮｂＯ３）、リチウムタンタレ−） Ｃ’ＬＩＴｈＯ３
）等の電気光学効果２呈する結晶、すなわち、電気光学
結晶をもって製造した板状部材（基板）の一部領域に導
波路として機能可能な高屈折率線状領域を形成し、該線
状領域上にさらに光スイツチ電極を形成し、そしてこの
光スイツチ電極に電圧を印加する場合としない場合とで
光通路の切替を行ない得るようにしだ光導波路スイッチ
がそれである。
従来技術と問題点
上記したタイプの従来の先導波路スイッチにおいて、い
くつかの重要な問題が未解決であった。
くつかの重要な問題が未解決であった。
第１の問題は、形成された光導波路の表面に直接的に、
それを横切った形で、光スイッチ電極を形成することに
原因があった。すなわち、このようにした場合、導波路
と電極の間で導波光が部分的に吸収されてしまい、光の
減衰が発生した。第２の問題は、光入力端子近傍におい
て高次モード光の励振が発生し易いこと、そして、第６
の問題は、導波路の曲線部分において好ましくないこと
に光が放射されること（光の漏出）である。第２及び第
３の問題は、いわゆるクロストークの原因になり易かっ
た。
それを横切った形で、光スイッチ電極を形成することに
原因があった。すなわち、このようにした場合、導波路
と電極の間で導波光が部分的に吸収されてしまい、光の
減衰が発生した。第２の問題は、光入力端子近傍におい
て高次モード光の励振が発生し易いこと、そして、第６
の問題は、導波路の曲線部分において好ましくないこと
に光が放射されること（光の漏出）である。第２及び第
３の問題は、いわゆるクロストークの原因になり易かっ
た。
上記した第１の問題を回避するために、導波路と電極の
間に光の吸収を防ぐバッファ一層を配し、さらに、第２
及び第３の問題を回避するために、その問題が発生する
と予想される基板上に金属などの吸光性物質からなるフ
ィルター膜を直接的に付着させることが提案された。こ
の提案は画期的であり、先に述べたような問題を十分に
解決し得た。但し、この提案の場合、バッファ一層とフ
ィルター膜の形成に問題が残された。すなわち、従来は
、導波路形成後、基板の全面にアルミナ（Ａｔ２０５）
、二酸化ケイ素（Ｓｉｎ２）などの透明なバフ７丁一層
を蒸着などで形成し、その一部を工。
間に光の吸収を防ぐバッファ一層を配し、さらに、第２
及び第３の問題を回避するために、その問題が発生する
と予想される基板上に金属などの吸光性物質からなるフ
ィルター膜を直接的に付着させることが提案された。こ
の提案は画期的であり、先に述べたような問題を十分に
解決し得た。但し、この提案の場合、バッファ一層とフ
ィルター膜の形成に問題が残された。すなわち、従来は
、導波路形成後、基板の全面にアルミナ（Ａｔ２０５）
、二酸化ケイ素（Ｓｉｎ２）などの透明なバフ７丁一層
を蒸着などで形成し、その一部を工。
チングで除失し、この除宍部分にアルミニウム（Ａｔ）
などの汲光性金糾を付着させてフィルター膜を形成した
けれども、中Ａｔ２０３のエツチングが必要であること
、そして（ｌｉ） Ａｔ２０ｓの絶縁性改善のためのア
ニール処理が必要であること、等が新たな欠点として残
された。
などの汲光性金糾を付着させてフィルター膜を形成した
けれども、中Ａｔ２０３のエツチングが必要であること
、そして（ｌｉ） Ａｔ２０ｓの絶縁性改善のためのア
ニール処理が必要であること、等が新たな欠点として残
された。
発明の目的
本発明の目的は、上記したタイプの光導波路スイッチを
製作するためのものであって、エツチングやアニール処
理を必須としないプロセス的に簡略化された改良方法を
提供することにある。
製作するためのものであって、エツチングやアニール処
理を必須としないプロセス的に簡略化された改良方法を
提供することにある。
発明の構成
上記した目的は、本発明によれば、電気光学効果を呈す
る結晶よりなる板状部材の表面近傍に、互いに近接して
いるかもしくは互いに交叉している高屈折率の線状領域
が少なくとも１対形成されており、該線状領域の１端は
光入力端子でありかつその他端は光出力端子であり、そ
して該線状領域が近接又は交叉している領域上に低屈折
率物質からなるバッファ一層を介して光スイツチ電極が
形成されており、また、少なくとも、前記光入力端子近
傍の前記線状領域を囲む領域と前記線状領域の曲線部の
凸部に対向する領域とに、前記板状部材の表面上の吸光
性物質からなるフィルター膜が形成されている先導波路
スイッチを製作する方法であって、前記線状領域の形成
後であって前記光スイツチ電極の形成前、前記吸光性物
質としてのアルミニウムを前記板状部材の全面に蒸着し
、その蒸着面上に７オトレジストで所望のフィルター膜
形成用パターンを形成し、そして部分的な陽極酸化によ
りアルミナからなるバッファ一層とアルミニウムからな
るフィルター膜とを同時に形成することを特徴とする先
導波路スイッチの製作方法によって達成することができ
る。
る結晶よりなる板状部材の表面近傍に、互いに近接して
いるかもしくは互いに交叉している高屈折率の線状領域
が少なくとも１対形成されており、該線状領域の１端は
光入力端子でありかつその他端は光出力端子であり、そ
して該線状領域が近接又は交叉している領域上に低屈折
率物質からなるバッファ一層を介して光スイツチ電極が
形成されており、また、少なくとも、前記光入力端子近
傍の前記線状領域を囲む領域と前記線状領域の曲線部の
凸部に対向する領域とに、前記板状部材の表面上の吸光
性物質からなるフィルター膜が形成されている先導波路
スイッチを製作する方法であって、前記線状領域の形成
後であって前記光スイツチ電極の形成前、前記吸光性物
質としてのアルミニウムを前記板状部材の全面に蒸着し
、その蒸着面上に７オトレジストで所望のフィルター膜
形成用パターンを形成し、そして部分的な陽極酸化によ
りアルミナからなるバッファ一層とアルミニウムからな
るフィルター膜とを同時に形成することを特徴とする先
導波路スイッチの製作方法によって達成することができ
る。
発明の実施例
次に、添付の図面を参照しながら本発明の実施を詳説す
る。
る。
第１図は従来技術における光導波路スイッチの１例の平
面図である。図において、１はリチウムナイオベー）
（ＬｉＮｂＯ３）結晶の板状部材（基板）であり、そし
て２及び２′はチタン（Ｔ１）拡散層等をもって屈折率
が大きくされた線状領域よりなる導波路であり、本例に
おいては中央部において交叉している。３及び３′は光
スイッチ電極であり、４及び４′は光スイツチ電極配線
用パッドである。
面図である。図において、１はリチウムナイオベー）
（ＬｉＮｂＯ３）結晶の板状部材（基板）であり、そし
て２及び２′はチタン（Ｔ１）拡散層等をもって屈折率
が大きくされた線状領域よりなる導波路であり、本例に
おいては中央部において交叉している。３及び３′は光
スイッチ電極であり、４及び４′は光スイツチ電極配線
用パッドである。
５及び５′は光入力端子であり、そして６及び６′は光
出力端子であり、それぞれ、光ファイバ等の光伝送手段
７と対接する。
出力端子であり、それぞれ、光ファイバ等の光伝送手段
７と対接する。
かかる構造を有する、従来技術の光導波路スイッチにお
いては、光入力端子５及び５′近傍において高次モード
光の励振が発生しやすく、かつ、導波路の曲線部分にお
いて、図に破線Ａをもって示すように、光が導波路外に
ある程度漏出することが避は難く、この漏出光Ａの進行
方向に光出力端子があるときはり四ストークの原因にな
りやすい。
いては、光入力端子５及び５′近傍において高次モード
光の励振が発生しやすく、かつ、導波路の曲線部分にお
いて、図に破線Ａをもって示すように、光が導波路外に
ある程度漏出することが避は難く、この漏出光Ａの進行
方向に光出力端子があるときはり四ストークの原因にな
りやすい。
上記欠点を解消する目的をもって、先にも述べた通り、
導波路と電極の間に光の吸収を防ぐバッファ一層を設け
、そして特定の領域にＴＭモード光を吸収しやすい金属
等のフィルター膜を設けること（ＴＭモード光は金属等
に極めて吸収されやすいという自然法則を利用）が従来
提案されている。この従来技術を第２図〜第６図で順を
迫って説明する。
導波路と電極の間に光の吸収を防ぐバッファ一層を設け
、そして特定の領域にＴＭモード光を吸収しやすい金属
等のフィルター膜を設けること（ＴＭモード光は金属等
に極めて吸収されやすいという自然法則を利用）が従来
提案されている。この従来技術を第２図〜第６図で順を
迫って説明する。
第２図参照：
リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）結晶を２軸に直
交する面に平行に０．５鶴程度の厚さにカットしてウェ
ーハ１１を製造したのち、スパッタ法等を使用してウェ
ーハ１１の全面にチタン（Ｔ１）膜１２を４００〜８０
０Ａ程度の厚さに形成する。
交する面に平行に０．５鶴程度の厚さにカットしてウェ
ーハ１１を製造したのち、スパッタ法等を使用してウェ
ーハ１１の全面にチタン（Ｔ１）膜１２を４００〜８０
０Ａ程度の厚さに形成する。
その後、フォトリソグラフィー法を使用して所望の導波
路の形状にフォトレジストマスク（図示せず）を形成し
、イオンミリング法等を使用してフォトレジストマスク
に覆われていない領域からチタン（Ｔ１）膜１２を除去
して、所望の導波路の形状にチタン（Ｔ１）膜１２をパ
ターニングする。
路の形状にフォトレジストマスク（図示せず）を形成し
、イオンミリング法等を使用してフォトレジストマスク
に覆われていない領域からチタン（Ｔ１）膜１２を除去
して、所望の導波路の形状にチタン（Ｔ１）膜１２をパ
ターニングする。
第３図参照：
１、０００ ｔ：’程度で５〜１０時間加温してチタン
（Ｔ１）膜１２上部領域の基板１１中にチタン（Ｔ１）
を数μｍ程度の深さに枯拡散して、チタン（Ｔ１）拡散
領域１６を形成する。第３図は第２図のＢ−Ｂ断面図で
あり、その平面図は第２図とほとんど同一である。この
拡散工程において、チタン（Ｔ１）膜１２の残留膜は既
に酸化されており、光学的には何の支障もない。チタン
（Ｔ１）拡散領域１６の屈折率はリチウムナイオベート
（ＴＪ１Ｎｂｏ３）結晶基板１１の屈折率より大きいか
ら、チタン（Ｔ１）拡散領域１３は光導波路として機能
することになる。
（Ｔ１）膜１２上部領域の基板１１中にチタン（Ｔ１）
を数μｍ程度の深さに枯拡散して、チタン（Ｔ１）拡散
領域１６を形成する。第３図は第２図のＢ−Ｂ断面図で
あり、その平面図は第２図とほとんど同一である。この
拡散工程において、チタン（Ｔ１）膜１２の残留膜は既
に酸化されており、光学的には何の支障もない。チタン
（Ｔ１）拡散領域１６の屈折率はリチウムナイオベート
（ＴＪ１Ｎｂｏ３）結晶基板１１の屈折率より大きいか
ら、チタン（Ｔ１）拡散領域１３は光導波路として機能
することになる。
第４図参照：
基板１１の全面に、二酸化シリコン（Ｓ１０□）または
アルミナ（Ａｔ２０３）の膜１４を２，０ＯＯＡ程度の
厚さに形成する。この工程はＯＶＤ法などを利用して容
易に可能である０ チタン（Ｔ１）拡散領域１３の１端（光入力端子となる
１端）を囲む領域１５とチタン（Ｔ１）拡散領域１３の
曲線部の凸部に対向する領域１６とを除き、二酸化シリ
コン（ＳｉＯ２）またはアルミナ（Ａｔ２０．） ［１
４の全面に７オトレジスト膜（図示せず）を形成した後
、フッ酸（ＩＰ）等をもって膜１４を溶解除去して、領
域１５及び１６において基板１１を露出する。第４図に
おいて、破線をもって示すチタン（Ｔ１）拡散領域１３
上にも二酸化シリコン（Ｓ１０２）等の膜１４は存在す
る。
アルミナ（Ａｔ２０３）の膜１４を２，０ＯＯＡ程度の
厚さに形成する。この工程はＯＶＤ法などを利用して容
易に可能である０ チタン（Ｔ１）拡散領域１３の１端（光入力端子となる
１端）を囲む領域１５とチタン（Ｔ１）拡散領域１３の
曲線部の凸部に対向する領域１６とを除き、二酸化シリ
コン（ＳｉＯ２）またはアルミナ（Ａｔ２０．） ［１
４の全面に７オトレジスト膜（図示せず）を形成した後
、フッ酸（ＩＰ）等をもって膜１４を溶解除去して、領
域１５及び１６において基板１１を露出する。第４図に
おいて、破線をもって示すチタン（Ｔ１）拡散領域１３
上にも二酸化シリコン（Ｓ１０２）等の膜１４は存在す
る。
第５図参照：
基板１１の全面に７オトレジストを塗布した後、上記の
領域１５及び１６と光スイツチ電極形成予定領域とから
７オトレジスト膜を除去して、上記の領域において基板
１１を露出させる。次に、真空蒸着法等を使用してアル
ミニウム（Ａｔ）等の金属を５．０００ Ｘ程度の厚さ
に基板１１の全面に形成した後、フォトレジスト膜を溶
解除去する。こうして、領域１５及び１６においてはリ
チウムナイオベー） （ＬｉＮｂＯ３）基板１１の上面
に直線アルミニウム（Ａｔ）膜１７及び１８が形成され
、また、チタン（Ｔ１）拡散層１６の交叉点付近には二
酸化シリコン（８１０２）等の膜を介して光スイツチ電
極１９及び１９′が形成される。
領域１５及び１６と光スイツチ電極形成予定領域とから
７オトレジスト膜を除去して、上記の領域において基板
１１を露出させる。次に、真空蒸着法等を使用してアル
ミニウム（Ａｔ）等の金属を５．０００ Ｘ程度の厚さ
に基板１１の全面に形成した後、フォトレジスト膜を溶
解除去する。こうして、領域１５及び１６においてはリ
チウムナイオベー） （ＬｉＮｂＯ３）基板１１の上面
に直線アルミニウム（Ａｔ）膜１７及び１８が形成され
、また、チタン（Ｔ１）拡散層１６の交叉点付近には二
酸化シリコン（８１０２）等の膜を介して光スイツチ電
極１９及び１９′が形成される。
第６図参照：
５ｍｉ＋Ｘ１０冒ｌ程度の大きさにスクライブして光導
波路スイッチを完成する。こうして、チタン（Ｔｉ）
ｍｌ＆領域１３の対の、アルミニウム（Ａｔ）Ｉｔ！ｌ
！１７をもって囲まれた部分２０が光入力端子とされ、
その交叉点を挟んで反対方向の端２１が光出力端子とさ
れる。２２は光スイッチ配線用パッドである。
波路スイッチを完成する。こうして、チタン（Ｔｉ）
ｍｌ＆領域１３の対の、アルミニウム（Ａｔ）Ｉｔ！ｌ
！１７をもって囲まれた部分２０が光入力端子とされ、
その交叉点を挟んで反対方向の端２１が光出力端子とさ
れる。２２は光スイッチ配線用パッドである。
以上説明せる構造を有する導波路型光スイッチにおいて
は、光入力端子を囲む領域１５において、電気光学効果
を呈する基板１１上に直接アルミニウム（Ａｔ）膜１７
が形成されているので、高次モード光の励振が防止され
ており、結果的に導波路の曲線部における光の漏出が防
止されており、更に、導波路１３の曲線部の凸部に対向
する領域１６においても、電気光学効果を呈する基板１
１上に直接アルミニウム（Ａｔ）膜１８が形成されてい
るので、この曲線部において漏出した光のうち、ＴＭモ
ード光は上記のアルミニウム（Ａｔ） ＃１８によって
吸収されるので、その漏出光が光出力端子２１に入射し
てりｐストークの原因となることが有効に防止されてい
る。
は、光入力端子を囲む領域１５において、電気光学効果
を呈する基板１１上に直接アルミニウム（Ａｔ）膜１７
が形成されているので、高次モード光の励振が防止され
ており、結果的に導波路の曲線部における光の漏出が防
止されており、更に、導波路１３の曲線部の凸部に対向
する領域１６においても、電気光学効果を呈する基板１
１上に直接アルミニウム（Ａｔ）膜１８が形成されてい
るので、この曲線部において漏出した光のうち、ＴＭモ
ード光は上記のアルミニウム（Ａｔ） ＃１８によって
吸収されるので、その漏出光が光出力端子２１に入射し
てりｐストークの原因となることが有効に防止されてい
る。
本発明による光導波路スイッチは、構造的にみた場合、
基本的に前記第６図のそれに同じである。
基本的に前記第６図のそれに同じである。
但し、本発明による光スイッチは導波路形成以降（第４
図〜）の製造工程が従来のそれと相異する。
図〜）の製造工程が従来のそれと相異する。
この−例を第７図〜第１０図で順を追って説明する。
第７図参照：
第６図に示されるようにして光導波路３３を形成した後
、基板６１の全面にアルミニウム（Ａｔ）［３４を蒸着
する。このＡｔ膜３４の膜厚は１０００〜２０００Ａ程
度である。
、基板６１の全面にアルミニウム（Ａｔ）［３４を蒸着
する。このＡｔ膜３４の膜厚は１０００〜２０００Ａ程
度である。
第８図参照：
Ｊｋｔ膜３４の蒸着後、その上方に所望のフィルター膜
形成用レジストパターン３５を形成する。
形成用レジストパターン３５を形成する。
ここでは、例えばマイクロポジ、）１３５０（商品名）
のようなフォトレジストを使用することができる。
のようなフォトレジストを使用することができる。
第９図参照；
レジストパターン３５の形成後、常法に従い陽ｗ４酸化
を実施してレジスト膜３５により保護されていないＡｔ
膜３４をＡｔ２０３膜３５とする。
を実施してレジスト膜３５により保護されていないＡｔ
膜３４をＡｔ２０３膜３５とする。
第１０図参照：
引き続いて、Ａ４膜３４上に残留せるレジスト＃３５を
除去する。レジスト膜の除去は、例えば、フッ！（ＨＰ
）等の使用によって行なうことができる。このようにし
て、不必要な光を吸収するフィルター膜（Ａｔ膜）３４
と光の吸収を防ぐバッファーｉ （Ａｔ２０３膜）３６
とを同詩的に形成することができる。
除去する。レジスト膜の除去は、例えば、フッ！（ＨＰ
）等の使用によって行なうことができる。このようにし
て、不必要な光を吸収するフィルター膜（Ａｔ膜）３４
と光の吸収を防ぐバッファーｉ （Ａｔ２０３膜）３６
とを同詩的に形成することができる。
引き続く光スイッチ電極の形成は、常法に従い、例えば
第５図に示されるようにして実施することができる。最
終的に、第６図に示されるものと同様な光導波路スイッ
チを製作することができる。
第５図に示されるようにして実施することができる。最
終的に、第６図に示されるものと同様な光導波路スイッ
チを製作することができる。
発明の効果
本発明によれば、高次モード光の励振が防止されており
、かつ、導波路の曲線部において不可避的に導波路外に
漏出した光がクロストークの原因になることが防止され
ている光導波路スイッチを、形成したＡｔ膜のエツチン
グを行なわないで、また、Ａｔ２０５膜の絶縁性を向上
させるためのアニールｂｎ罹を弓鰐−外４）か１ハア１
１墨抽ｉ掬イＩＩのム／−（’１１寸鎗泌性が良好であ
るから）、極めて簡便なプロセスでもって製作すること
ができる。
、かつ、導波路の曲線部において不可避的に導波路外に
漏出した光がクロストークの原因になることが防止され
ている光導波路スイッチを、形成したＡｔ膜のエツチン
グを行なわないで、また、Ａｔ２０５膜の絶縁性を向上
させるためのアニールｂｎ罹を弓鰐−外４）か１ハア１
１墨抽ｉ掬イＩＩのム／−（’１１寸鎗泌性が良好であ
るから）、極めて簡便なプロセスでもって製作すること
ができる。
第１図は、従来技術における先導波路スイッチの１例の
平面図である。第２．３．４及び５図は、それぞれ、従
来技術の一実施例に係る光導波路スイッチの主要製造工
程完了後の基板平面図または断面図であり、そして第６
図はその完成された状態における基板平面図である。さ
らに、第７図、第８図、第９図及び第１０図は、それぞ
れ、本発明による光導波路スイッチの主要製造工程を順
を追って示した断面図である。 １．１１・・・基板、２，１６・・・導波路（チタン拡
散領域）、５． ５’、１９． １９’・・・光スイ、
チ′？ａ極、４．４’、２２・・・光スイ、チ′ＩｒＬ
極配線用パ、ド、５゜５’、２０・・・光入力端子、６
．６’、２１・・・光出力端子、７・・・光伝送手段、
Ａ・・・漏出光の進行方向、１２・・・チタン膜、１４
・・・二酸化シリコンまたは酸化アルミニウムの膜、１
５・・・４波路の１端（光入力端子）を囲む領域、１６
・・・導波路の曲線部の凸部に対向する領域、１７．１
８・・・アルミニウム膜、３１・・・基板、３３・・・
導波路（チタン拡散領域）、３４・・・アルミニウムの
膜、５５・・・レジスト膜、及び３６・・・酸化アルミ
ニウムの膜。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士山口昭之 ＃８１図 ｆｓ２図 ｔｓ３図 ｔｓ４図 ６ ｆｓＳ図 ｆｓＧ図 第７図 ＠１０図
平面図である。第２．３．４及び５図は、それぞれ、従
来技術の一実施例に係る光導波路スイッチの主要製造工
程完了後の基板平面図または断面図であり、そして第６
図はその完成された状態における基板平面図である。さ
らに、第７図、第８図、第９図及び第１０図は、それぞ
れ、本発明による光導波路スイッチの主要製造工程を順
を追って示した断面図である。 １．１１・・・基板、２，１６・・・導波路（チタン拡
散領域）、５． ５’、１９． １９’・・・光スイ、
チ′？ａ極、４．４’、２２・・・光スイ、チ′ＩｒＬ
極配線用パ、ド、５゜５’、２０・・・光入力端子、６
．６’、２１・・・光出力端子、７・・・光伝送手段、
Ａ・・・漏出光の進行方向、１２・・・チタン膜、１４
・・・二酸化シリコンまたは酸化アルミニウムの膜、１
５・・・４波路の１端（光入力端子）を囲む領域、１６
・・・導波路の曲線部の凸部に対向する領域、１７．１
８・・・アルミニウム膜、３１・・・基板、３３・・・
導波路（チタン拡散領域）、３４・・・アルミニウムの
膜、５５・・・レジスト膜、及び３６・・・酸化アルミ
ニウムの膜。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士山口昭之 ＃８１図 ｆｓ２図 ｔｓ３図 ｔｓ４図 ６ ｆｓＳ図 ｆｓＧ図 第７図 ＠１０図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ １１気光学効果を呈する結晶よりなる板状部材の表
面近傍に、互いに近接しているかもしくは互いに交叉し
ている高屈折率の線状領域が少なくとも１対形成されて
おり、該線状領域の１端は光入力端子でありかつその他
端は光出力端子であり、そして該線状領域が近接又は交
叉している領域上に低屈折率物質からなるバッファ一層
を介して光スイッチ電極が形成されており、また、少な
くとも、前記光入力端子近傍の前記線状領域を囲む領域
と前記線状領域の曲線部の凸部に対向する領域とに、前
記板状部材の表面上の吸光性物質からなるフィルター膜
が形成されている光導波路スイ。 チを製作する方法であって、前記線状領域の形成後であ
って前記光スイッチ電極の形成前、前記吸光性物質とし
てのアルミニウムを前記板状部材の全面に蒸着し、その
蒸着面上に７オトレジストで所望のフィルター膜形成用
パターンを形成し、そして部分的な陽極醸化によりアル
ミナからなるバッファ一層とアルミニウムからなるフィ
ルター膜とを同時に形成することを特徴とする光導波路
スイッチの製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19438783A JPS6086529A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 光導波路スイツチの製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19438783A JPS6086529A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 光導波路スイツチの製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086529A true JPS6086529A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16323748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19438783A Pending JPS6086529A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 光導波路スイツチの製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086529A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0345937A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光スイッチ |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19438783A patent/JPS6086529A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0345937A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光スイッチ |
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