JPH045174B2 - - Google Patents
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- JPH045174B2 JPH045174B2 JP13123883A JP13123883A JPH045174B2 JP H045174 B2 JPH045174 B2 JP H045174B2 JP 13123883 A JP13123883 A JP 13123883A JP 13123883 A JP13123883 A JP 13123883A JP H045174 B2 JPH045174 B2 JP H045174B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
- G02F1/0553—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic specially adapted for gating or modulating in optical waveguides
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光スイツチに関する。特に導波光を分
岐させることにより光出力をオン、オフさせる光
集積回路に適用する光スイツチに関するものであ
る。
岐させることにより光出力をオン、オフさせる光
集積回路に適用する光スイツチに関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
従来この種の分岐導波路を用いた光スイツチと
して、全反射型スイツチがある。以下、図面を用
いて全反射型スイツチ等に使用される光分岐導波
路の構成とその問題点を説明する。第１図は電気
光学効果を有する基板上に構成された全反射型光
スイツチ１０を示す。同図において、１１と１３
および１２と１４は互い交差する光導波路を示
す。１５と１６は光導波路上に設けられた電極を
示し１７は光伝搬制御部を示し、上記光導波路の
交差部分上に設けられている。このような構成の
光スイツチにおいて、電極１５，１６に電圧を印
加することにより、電気光学効果により制御部１
７の下の光導波路部分の屈折率が小さくなる。従
つて１１より入射した導波光は電極１５，１６に
電圧が印加されている場合、制御部１７部分で全
反射条件を満たし、１４へ伝搬することになる。
なお、電圧が印加されていない場合、１１より入
射した導波光は、制御部１７の部分を直進し導波
路１３へ伝搬される。導波路１２より入射した導
波光についても同様に導波路１３，１４へスイツ
チされる。光スイツチの集積化を行う場合、電圧
オフの時の光出力側の導波路１３，１４の光出力
の強度比すなわち分岐比、ならびに光出力側の特
定の導波路１３あるいは１４における電圧のオン
オフによる光出力の強度比すなわち消光比の特性
が重要である。
して、全反射型スイツチがある。以下、図面を用
いて全反射型スイツチ等に使用される光分岐導波
路の構成とその問題点を説明する。第１図は電気
光学効果を有する基板上に構成された全反射型光
スイツチ１０を示す。同図において、１１と１３
および１２と１４は互い交差する光導波路を示
す。１５と１６は光導波路上に設けられた電極を
示し１７は光伝搬制御部を示し、上記光導波路の
交差部分上に設けられている。このような構成の
光スイツチにおいて、電極１５，１６に電圧を印
加することにより、電気光学効果により制御部１
７の下の光導波路部分の屈折率が小さくなる。従
つて１１より入射した導波光は電極１５，１６に
電圧が印加されている場合、制御部１７部分で全
反射条件を満たし、１４へ伝搬することになる。
なお、電圧が印加されていない場合、１１より入
射した導波光は、制御部１７の部分を直進し導波
路１３へ伝搬される。導波路１２より入射した導
波光についても同様に導波路１３，１４へスイツ
チされる。光スイツチの集積化を行う場合、電圧
オフの時の光出力側の導波路１３，１４の光出力
の強度比すなわち分岐比、ならびに光出力側の特
定の導波路１３あるいは１４における電圧のオン
オフによる光出力の強度比すなわち消光比の特性
が重要である。
このような従来の光スイツチにおいては以下に
示す欠点もしくは問題点があつた。すなわち、電
気光学効果による屈折率変化が小さいため、導波
路１１と１２の交差角は小さく、導波路１１より
入射し、導波路１３へ伝搬する導波光は導波路１
４へも伝搬することがあり、10dB以上の分岐比
ならびに消光比を得ることが非常に困難であつ
た。このため、充分なスイツチング特性を得るこ
とが困難であり実用上問題があつた。
示す欠点もしくは問題点があつた。すなわち、電
気光学効果による屈折率変化が小さいため、導波
路１１と１２の交差角は小さく、導波路１１より
入射し、導波路１３へ伝搬する導波光は導波路１
４へも伝搬することがあり、10dB以上の分岐比
ならびに消光比を得ることが非常に困難であつ
た。このため、充分なスイツチング特性を得るこ
とが困難であり実用上問題があつた。
又、この点を改善するために第２図に示す構成
が用いられている。この構造は同図において、交
差部の近傍において導波路の線路幅を放物線状に
増加させ連結させた放物線状導波路１１１，１２
１，１４１，１５１を設けている。この構成で
は、理論的にモードの交換量が少なく、例えば
TEooモードであれば、１１から伝搬した光は
TEooモードのまま直進し、導波路１４１へ漏洩
することなく１５１から１３へと伝搬するとされ
ている。
が用いられている。この構造は同図において、交
差部の近傍において導波路の線路幅を放物線状に
増加させ連結させた放物線状導波路１１１，１２
１，１４１，１５１を設けている。この構成で
は、理論的にモードの交換量が少なく、例えば
TEooモードであれば、１１から伝搬した光は
TEooモードのまま直進し、導波路１４１へ漏洩
することなく１５１から１３へと伝搬するとされ
ている。
しかしながら、この構造では放物線状導波路の
線路幅に、伝搬モードを変化させない形状条件が
存在している。すなわち、 W2＝（2αλp／nb）Ｚ＋Wp 2 である。
線路幅に、伝搬モードを変化させない形状条件が
存在している。すなわち、 W2＝（2αλp／nb）Ｚ＋Wp 2 である。
ここで、λo：光の波長、nb：光導波路のバル
クの屈折率、Ｚ：定幅導波路からの距離（第２図
参照）、Ｗ：放物線状導波路の幅、Wp：定幅導波
路の幅。
クの屈折率、Ｚ：定幅導波路からの距離（第２図
参照）、Ｗ：放物線状導波路の幅、Wp：定幅導波
路の幅。
上記の式から、αが大となるほど、導波路幅は
交差部に向かつて急激に広がることがわかる。従
つて、漏洩の抑制効果が十分に得られるよう導波
路幅を十分に広がらせ、しかも小型化のために放
物線状部分をできるだけ短く抑えるには、αを大
きくして、導波路幅をできるだけ急激に広がらせ
れば良い。
交差部に向かつて急激に広がることがわかる。従
つて、漏洩の抑制効果が十分に得られるよう導波
路幅を十分に広がらせ、しかも小型化のために放
物線状部分をできるだけ短く抑えるには、αを大
きくして、導波路幅をできるだけ急激に広がらせ
れば良い。
しかしながら、αが大となるほど、放物線状導
波路と定幅導波路との接続部は急激な変化点とな
る。そのため、導波路形状の加工の精度が導波路
幅の精度に与える影響が大きい。精度が低いと上
記の式で表わされる形状条件が満足されず、伝搬
モードの変換を生じる。例えばTE00モード光の
場合、その一部が主としてTE01モードに変換さ
れる。TE01モードは導波路１４で減衰する割合
がTE00モードに比較して高いため、分岐比が劣
化するという問題を生じる。
波路と定幅導波路との接続部は急激な変化点とな
る。そのため、導波路形状の加工の精度が導波路
幅の精度に与える影響が大きい。精度が低いと上
記の式で表わされる形状条件が満足されず、伝搬
モードの変換を生じる。例えばTE00モード光の
場合、その一部が主としてTE01モードに変換さ
れる。TE01モードは導波路１４で減衰する割合
がTE00モードに比較して高いため、分岐比が劣
化するという問題を生じる。
一方、αを小さくとれば導波路幅の交差部に向
かつての変化は緩やかであり、加工の精度が導波
路幅に与える影響は小さいが、導波路幅を十分に
広がらせるためには放物線状部分を長くとる必要
がある。例えば、加工の精度に実用的な余裕をも
たせるためにα0.5とした場合には、素子寸法
が10mm以上となり、集積化には適さない。
かつての変化は緩やかであり、加工の精度が導波
路幅に与える影響は小さいが、導波路幅を十分に
広がらせるためには放物線状部分を長くとる必要
がある。例えば、加工の精度に実用的な余裕をも
たせるためにα0.5とした場合には、素子寸法
が10mm以上となり、集積化には適さない。
以上のように、非常に高い精度の加工を行なわ
なければ、小型で分岐比及び消光比が10dB以上
という特性を確保することができず、歩留り良く
素子を製造することは困難であつた。
なければ、小型で分岐比及び消光比が10dB以上
という特性を確保することができず、歩留り良く
素子を製造することは困難であつた。
本発明者らは、光分岐導波路を工夫することに
より、分岐特性を大幅に改善でき、かつ歩留りよ
く形成できる構造を見い出し、スイツチング特性
の優れた光スイツチを実現できることを見い出し
た。
より、分岐特性を大幅に改善でき、かつ歩留りよ
く形成できる構造を見い出し、スイツチング特性
の優れた光スイツチを実現できることを見い出し
た。
発明の目的
本発明は、上記従来例の有していた欠点もしく
は問題点を除去した分岐特性の良好な光スイツチ
を提供することを目的とする。
は問題点を除去した分岐特性の良好な光スイツチ
を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、導波路の近傍における導波路の線路
幅を交差部中心に向かつて増加させ、かつ滑らか
に接続させ、上記交差部近傍の外周線を双曲線状
としたものである。
幅を交差部中心に向かつて増加させ、かつ滑らか
に接続させ、上記交差部近傍の外周線を双曲線状
としたものである。
実施例の説明
以下本発明を、図を用いて説明する。
第３図は本発明にかかる光スイツチの構造を示
す。同図において、本発明にかかる光スイツチ
は、基板の表面３１に形成した互いに交差する光
導波路３２１と３２２および３３１と３３２と、
上記交差部３４の表面に設けられた光の伝搬通路
を選択させる制御電極３５１と３５２とから構成
されたもので、さらに導波路の交差部３４の近傍
における導波路３２１１，３２２１，３３１１，
３３２１の線路幅を交差部３４の中心に向つて増
加させ、かつ滑らかに接続させ、交差部近傍の導
波路の外周線３６を双曲線状としている。
す。同図において、本発明にかかる光スイツチ
は、基板の表面３１に形成した互いに交差する光
導波路３２１と３２２および３３１と３３２と、
上記交差部３４の表面に設けられた光の伝搬通路
を選択させる制御電極３５１と３５２とから構成
されたもので、さらに導波路の交差部３４の近傍
における導波路３２１１，３２２１，３３１１，
３３２１の線路幅を交差部３４の中心に向つて増
加させ、かつ滑らかに接続させ、交差部近傍の導
波路の外周線３６を双曲線状としている。
従来、このような構成では導波光の自然拡がり
を制限することは無いと考えられ、したがつて分
岐比を充分得ることはできないと考えられてい
た。又、従来例で示したように、たとえば、導波
路３２１の導波光l1は導波路３２２に主として伝
搬される。しかし光の自然広がりにより一部導波
路に漏洩し光出力側の分岐比が十分に得られな
い。
を制限することは無いと考えられ、したがつて分
岐比を充分得ることはできないと考えられてい
た。又、従来例で示したように、たとえば、導波
路３２１の導波光l1は導波路３２２に主として伝
搬される。しかし光の自然広がりにより一部導波
路に漏洩し光出力側の分岐比が十分に得られな
い。
しかし、本発明者らは、本発明にかかる構造に
おいても導波光l1は、交差部の通過のさいにも導
波路３３２に漏洩することなく、そのまま直進し
導波路３２２に導波することを見出し、新規の光
スイツチを発明した。
おいても導波光l1は、交差部の通過のさいにも導
波路３３２に漏洩することなく、そのまま直進し
導波路３２２に導波することを見出し、新規の光
スイツチを発明した。
本発明にかかる構造を詳細に検討した結果、導
波路幅に最適の範囲のあることを見い出した。す
なわち、導波路幅５〜30μｍが最適である。5μｍ
以下では導波光の交差路内で自然拡がりが大き
く、良好な分岐比を得ることが出来なかつた。
又、３０μｍ以上では、交差路寸法が大きくなり
小型化が困難で集積化には適さない。又、導波路
の交差角も１〜5°を含む範囲内が最適であつた。
1°未満では導波光の自然拡りによる漏洩が生じて
いたと考えられる。5°以上では交差路形状に工夫
を加えなくとも分岐比が良好で20dB以上が容易
に得られ、本発明の意義がない。さらに、この場
合、交差路寸法L1を３mm以下とし上記構成で光
スイツチを作成すると、導波路幅を双曲線状に加
工するだけで、15dB以上の分岐比を得ることが
出来た。したがつて、この種の構成の光スイツチ
では、従来のものに比べ寸法公差に余裕を持ちつ
つ小型で、しかも分岐比特性に優れ、故に消光比
の良好な素子を形成することが出来た。
波路幅に最適の範囲のあることを見い出した。す
なわち、導波路幅５〜30μｍが最適である。5μｍ
以下では導波光の交差路内で自然拡がりが大き
く、良好な分岐比を得ることが出来なかつた。
又、３０μｍ以上では、交差路寸法が大きくなり
小型化が困難で集積化には適さない。又、導波路
の交差角も１〜5°を含む範囲内が最適であつた。
1°未満では導波光の自然拡りによる漏洩が生じて
いたと考えられる。5°以上では交差路形状に工夫
を加えなくとも分岐比が良好で20dB以上が容易
に得られ、本発明の意義がない。さらに、この場
合、交差路寸法L1を３mm以下とし上記構成で光
スイツチを作成すると、導波路幅を双曲線状に加
工するだけで、15dB以上の分岐比を得ることが
出来た。したがつて、この種の構成の光スイツチ
では、従来のものに比べ寸法公差に余裕を持ちつ
つ小型で、しかも分岐比特性に優れ、故に消光比
の良好な素子を形成することが出来た。
本発明の動作原理の詳細は明確でない。上記の
結果から推定すると、導波光を交差部に伝搬させ
た場合交差部の外周線を双曲線状に構成している
ので導波光は準静的に導波路の広がりに応じて広
がり伝搬する。したがつて、伝搬モードは保存さ
れると推定される。さらに交差部に伝搬した導波
光は交差部中央部での導波路幅が10〜40μｍと狭
いので光の自然広がりが少なく、したがつて漏洩
が少なく導波すると考えられる。次に光出力側に
おいては、入力側の伝搬と同じく導波路幅が準静
的に狭小に変化しているので伝搬モードが保存さ
れるものと考えられる。このため良好な分岐比が
得られ、したがつて光出力側の導波路のいずれに
おいても良好な消光比が得られたと推定される。
結果から推定すると、導波光を交差部に伝搬させ
た場合交差部の外周線を双曲線状に構成している
ので導波光は準静的に導波路の広がりに応じて広
がり伝搬する。したがつて、伝搬モードは保存さ
れると推定される。さらに交差部に伝搬した導波
光は交差部中央部での導波路幅が10〜40μｍと狭
いので光の自然広がりが少なく、したがつて漏洩
が少なく導波すると考えられる。次に光出力側に
おいては、入力側の伝搬と同じく導波路幅が準静
的に狭小に変化しているので伝搬モードが保存さ
れるものと考えられる。このため良好な分岐比が
得られ、したがつて光出力側の導波路のいずれに
おいても良好な消光比が得られたと推定される。
なお、導波路幅を交差部に向かつて十分に広が
らせ、かつ入射側と出射側の外周線を滑らかに接
続するために要する距離は、双曲線の場合はその
性質により、第２図の従来例の放物線の場合に比
べて短くてよいため、素子の小型化が可能とな
る。
らせ、かつ入射側と出射側の外周線を滑らかに接
続するために要する距離は、双曲線の場合はその
性質により、第２図の従来例の放物線の場合に比
べて短くてよいため、素子の小型化が可能とな
る。
以下本発明の内容をよりよく理解できるように
具体的な実施例をあけて説明する。
具体的な実施例をあけて説明する。
実施例 １
本発明の実施例を第３図により具体的に説明す
る。例えば、基板の表面３１をα−Al2O3とし、
電気光学効果の大きい材料として知られるPLZT
（28／０／100）薄膜を例えば、スパツタ、マグネ
トロンスパツタ、イオンビームスパツタで、基板
温度550〜650℃で蒸着すると、（111）面エピタキ
シヤル単結晶膜が形成され、光伝搬損失が3dB／
cmのものが得らえる。例えば、形成された膜厚
0.3μｍのPLZT薄膜上に第３図に示す構造を通常
の半導体プロセスに使用されるフオトリソ技術を
使用し、形成する。例えば、フオトリソ技術のう
ちリフト法を用い、ネガパターン形成されたAZ
レジスト上に膜厚0.2μｍのTa2O5膜を例えばマグ
ネトロンスパツタで蒸着し、アセトンでAZレジ
ストを除去することにより、ロード装置型光導波
路が形成できる。この構造において、光はTa2O5
膜下に閉じ込められて伝搬する。交差部近傍での
構造は、例えば第３図に示すように光導波路の線
幅W1を4μｍ、交差角θ1＝2°での場合、交差部中
央での幅W2を40μｍとして、交差部近傍の長さL1
の長さ２mmの間で徐々に線幅を広げ、又交差部中
心から徐々に線幅を狭くし、かつ滑らかに接続さ
せる構造とする。
る。例えば、基板の表面３１をα−Al2O3とし、
電気光学効果の大きい材料として知られるPLZT
（28／０／100）薄膜を例えば、スパツタ、マグネ
トロンスパツタ、イオンビームスパツタで、基板
温度550〜650℃で蒸着すると、（111）面エピタキ
シヤル単結晶膜が形成され、光伝搬損失が3dB／
cmのものが得らえる。例えば、形成された膜厚
0.3μｍのPLZT薄膜上に第３図に示す構造を通常
の半導体プロセスに使用されるフオトリソ技術を
使用し、形成する。例えば、フオトリソ技術のう
ちリフト法を用い、ネガパターン形成されたAZ
レジスト上に膜厚0.2μｍのTa2O5膜を例えばマグ
ネトロンスパツタで蒸着し、アセトンでAZレジ
ストを除去することにより、ロード装置型光導波
路が形成できる。この構造において、光はTa2O5
膜下に閉じ込められて伝搬する。交差部近傍での
構造は、例えば第３図に示すように光導波路の線
幅W1を4μｍ、交差角θ1＝2°での場合、交差部中
央での幅W2を40μｍとして、交差部近傍の長さL1
の長さ２mmの間で徐々に線幅を広げ、又交差部中
心から徐々に線幅を狭くし、かつ滑らかに接続さ
せる構造とする。
以上の構成にすると、例えば光導波路３２１の
伝搬光は16dBの分岐比の得られることを確認し
た。
伝搬光は16dBの分岐比の得られることを確認し
た。
特にこのような構造ではTi−拡散型Li−NbO3
光導波路より光導波路と周辺部の屈折率の差が大
きいので、第２図の構成の精度はかなり要求され
る。しかし、本発明の構成においてはそのような
必要は少なく信頼性よく形成することができるこ
とを本発明者らは確認した。
光導波路より光導波路と周辺部の屈折率の差が大
きいので、第２図の構成の精度はかなり要求され
る。しかし、本発明の構成においてはそのような
必要は少なく信頼性よく形成することができるこ
とを本発明者らは確認した。
本構造において、基板の表面はMgO、スピネ
ル、SiTiO3のうち少なくとも一種であれば、
BaTiO3、PbTiO3、PLZT系化合物を例えばスパ
ツタ法で形成し、本構成を形成すれば分岐比の良
好な交差導波路を形成することができる。
ル、SiTiO3のうち少なくとも一種であれば、
BaTiO3、PbTiO3、PLZT系化合物を例えばスパ
ツタ法で形成し、本構成を形成すれば分岐比の良
好な交差導波路を形成することができる。
この交差導波路上に厚さ0.1μｍ、空隙２〜6μｍ
の制御電極３５１と３５２を、例えば蒸着Alで
形成すると光スイツチが形成でき、消光比20dB
の光スイツチング動作を確認した。
の制御電極３５１と３５２を、例えば蒸着Alで
形成すると光スイツチが形成でき、消光比20dB
の光スイツチング動作を確認した。
実施例 ２
本構造の光スイツチにおいて、基板の表面３１
をLiTaO3とし、0.5μｍのLiNbO3を例えばマグネ
トロンスパツタで蒸着すると、LiNbO3層を光２
導波路とすることができ、LiNbO3層をイオンシ
リングでエツチングを施こすことにより膜厚に差
を設けると膜厚の厚い領域に光波が閉じ込めら
れ、いわゆるリツジ型導波路が形成される。この
場合、交差する２本のリツジ型導波路の交差部を
本発明の構成とすると、分岐比15dBであり、電
極のオン、オフによるスイツチングの消光比
18dBを得ることができた。
をLiTaO3とし、0.5μｍのLiNbO3を例えばマグネ
トロンスパツタで蒸着すると、LiNbO3層を光２
導波路とすることができ、LiNbO3層をイオンシ
リングでエツチングを施こすことにより膜厚に差
を設けると膜厚の厚い領域に光波が閉じ込めら
れ、いわゆるリツジ型導波路が形成される。この
場合、交差する２本のリツジ型導波路の交差部を
本発明の構成とすると、分岐比15dBであり、電
極のオン、オフによるスイツチングの消光比
18dBを得ることができた。
又、本発明の構成は、基板の表面をBGO
（Bi12GeO20）で構成し、光導波路をBTO
（Bi12TiO20）あるいはBSO（Bi12SiO20）でも同等
の効果が得られる。さらに、基板の表面をα−
Al2O3で構成し、光導波路をZnO、ZnS、CdS、
ZnSe、ZnTeで構成してもよい。あるいは、基板
の表面を半導体のGaPで構成し、光導波路を
GaAsなどの化合物で構成した場合も同等の効果
の得られることを本発明者らは確認した。
（Bi12GeO20）で構成し、光導波路をBTO
（Bi12TiO20）あるいはBSO（Bi12SiO20）でも同等
の効果が得られる。さらに、基板の表面をα−
Al2O3で構成し、光導波路をZnO、ZnS、CdS、
ZnSe、ZnTeで構成してもよい。あるいは、基板
の表面を半導体のGaPで構成し、光導波路を
GaAsなどの化合物で構成した場合も同等の効果
の得られることを本発明者らは確認した。
なお、本発明の効果は本発明の構造において、
光導波路は電気光学効果の大きい材料であればよ
く、上記の材料に限定されるものでない。
光導波路は電気光学効果の大きい材料であればよ
く、上記の材料に限定されるものでない。
発明の効果
以上のように、本発明は電気光学効果の大きい
材料で形成される光スイツチの交差部の構造変化
を緩やかにした構成であり、伝搬光が他の導波路
に漏洩することが少なく伝搬するので分岐比が良
好となる効果がある。このため、この構成の光ス
イツチではオン−オフ時の消光比が良好となる。
したがつて、本発明の光スイツチを用いると小型
であり且つ伝搬光の漏洩が少なく、スイツチング
特性の優れた光スイツチが実現できるものであ
る。したがつて、集積化を計ることが可能で、光
IC化の可能性が大であり、光エレクトロニクス
に与える寄与は大きいものである。
材料で形成される光スイツチの交差部の構造変化
を緩やかにした構成であり、伝搬光が他の導波路
に漏洩することが少なく伝搬するので分岐比が良
好となる効果がある。このため、この構成の光ス
イツチではオン−オフ時の消光比が良好となる。
したがつて、本発明の光スイツチを用いると小型
であり且つ伝搬光の漏洩が少なく、スイツチング
特性の優れた光スイツチが実現できるものであ
る。したがつて、集積化を計ることが可能で、光
IC化の可能性が大であり、光エレクトロニクス
に与える寄与は大きいものである。
第１図は従来の全反射型光スイツチの要部平面
図、第２図は従来の他の全反射型光スイツチの要
部平面図、第３図は本発明の光スイツチの一実施
例の概略平面図である。 ３１……基板表面、３２，３３……光導波路、
３２１，３２２，３３１，３３２……光導波路、
３４……交差部、３５１，３５２……制御電極、
３２１１，３２２１，３３１１，３３２１……光
導波路。
図、第２図は従来の他の全反射型光スイツチの要
部平面図、第３図は本発明の光スイツチの一実施
例の概略平面図である。 ３１……基板表面、３２，３３……光導波路、
３２１，３２２，３３１，３３２……光導波路、
３４……交差部、３５１，３５２……制御電極、
３２１１，３２２１，３３１１，３３２１……光
導波路。
Claims (1)
- １ 基板の表面に互いに交差する導波路を設け、
上記交差部の表面に光伝搬路を選択させる制御電
極を設け、上記交差部の近傍における導波路の線
路幅を交差部中心に向かつて増加させ、かつ滑ら
かに接続させるとともに、上記交差部の近傍以外
の定幅部分における線路幅を、５〜30μｍとし、
上記交差部近傍の導波路の外周線を双曲線状に
し、その交差角を１〜5°としたことを特徴とする
光スイツチ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131238A JPS6022120A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 光スイッチ |
| US06/667,480 US4715680A (en) | 1983-02-10 | 1984-02-10 | Optical switch |
| DE8484900750T DE3482287D1 (de) | 1983-02-10 | 1984-02-10 | Optischer schalter. |
| EP84900750A EP0137851B1 (en) | 1983-02-10 | 1984-02-10 | Optical switch |
| PCT/JP1984/000039 WO1984003155A1 (en) | 1983-02-10 | 1984-02-10 | Optical switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58131238A JPS6022120A (ja) | 1983-07-18 | 1983-07-18 | 光スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6022120A JPS6022120A (ja) | 1985-02-04 |
| JPH045174B2 true JPH045174B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15053232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58131238A Granted JPS6022120A (ja) | 1983-02-10 | 1983-07-18 | 光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022120A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010016326A1 (ja) | 2008-08-08 | 2010-02-11 | ステラケミファ株式会社 | フッ化物ガスの製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6290395A (ja) * | 1985-06-24 | 1987-04-24 | ニッタ株式会社 | 濾紙とその製造方法 |
| JP2553583B2 (ja) * | 1987-09-02 | 1996-11-13 | 三菱電機株式会社 | 光集積回路用折曲り導波路 |
| US7003187B2 (en) | 2000-08-07 | 2006-02-21 | Rosemount Inc. | Optical switch with moveable holographic optical element |
| US6810176B2 (en) | 2000-08-07 | 2004-10-26 | Rosemount Inc. | Integrated transparent substrate and diffractive optical element |
| DE10392348T5 (de) | 2002-03-01 | 2005-03-03 | Rosemount Inc., Eden Prairie | Optischer Schalter mit 3D-Wellenleitern |
-
1983
- 1983-07-18 JP JP58131238A patent/JPS6022120A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010016326A1 (ja) | 2008-08-08 | 2010-02-11 | ステラケミファ株式会社 | フッ化物ガスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6022120A (ja) | 1985-02-04 |
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