JPS6086797A - 薄膜ｅｌ表示パネル - Google Patents
薄膜ｅｌ表示パネルInfo
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- JPS6086797A JPS6086797A JP58194834A JP19483483A JPS6086797A JP S6086797 A JPS6086797 A JP S6086797A JP 58194834 A JP58194834 A JP 58194834A JP 19483483 A JP19483483 A JP 19483483A JP S6086797 A JPS6086797 A JP S6086797A
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は交流又は直流の電界印加によってＥＬ（Ｅ１６
ｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ） 発光を呈す
る薄ＩＮ ＥＬ表示パネルの特性に対し有効となる絶縁
膜に関するものである。
ｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ） 発光を呈す
る薄ＩＮ ＥＬ表示パネルの特性に対し有効となる絶縁
膜に関するものである。
薄膜ＦｉＬ表示パネルは、従来、交流動作で発光層に規
則的に高い電界（１０６ｖ／Ｑ、Ｉ程度）を印加し、絶
縁耐圧２発光効率及び動作の安定性等を高めるために、
０１〜２． Ｏｗ ｔ％のＭ ｎあるいはＯｕ、ＴｂＦ
３ 、Ｆ！ｍＦ３等をドープしたＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等の
半導体発光層をＳ ｉ Ｏ２，Ｔａ２Ｏ。
則的に高い電界（１０６ｖ／Ｑ、Ｉ程度）を印加し、絶
縁耐圧２発光効率及び動作の安定性等を高めるために、
０１〜２． Ｏｗ ｔ％のＭ ｎあるいはＯｕ、ＴｂＦ
３ 、Ｆ！ｍＦ３等をドープしたＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等の
半導体発光層をＳ ｉ Ｏ２，Ｔａ２Ｏ。
、ＴｉＯ２，Ｙ２Ｏ３等の誘電体薄膜でサンドインチし
た三層構造ＫＬ表示パネルが代表的な例としてよく知ら
れている。また、最近ではＥＬ表示パネルの駆動電圧を
下げるために二重ｆａ ｔ＆構造から絶縁層を１つ取り
除いたＭより （Ｍｅｔａｌ Ｉｎ５ｕｌａ−ｔｏｒ
Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）構造も精力的に研究が
進められている。
た三層構造ＫＬ表示パネルが代表的な例としてよく知ら
れている。また、最近ではＥＬ表示パネルの駆動電圧を
下げるために二重ｆａ ｔ＆構造から絶縁層を１つ取り
除いたＭより （Ｍｅｔａｌ Ｉｎ５ｕｌａ−ｔｏｒ
Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ）構造も精力的に研究が
進められている。
第１図は二重絶縁構造の薄ｊ模ＦｉＬ表示パネルの断面
図である。
図である。
ガラス基板１上にＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ□等の透明電極２
、さらにその上に積層して５１ｏ２ 。
、さらにその上に積層して５１ｏ２ 。
Ｔａ２０Ｂ 、Ｙ２Ｏ，、ＴｉＯ２，Ａ７．２０．．５
ｉｓＮ４等からなる第１の誘電体層３がスパッタまたは
蒸着などにより形成されている。第１の誘電体層乙の上
にＺｎｓ：ＭｎやＺ ｎ Ｂ ｅ ： Ｍ ｎなどの前
記材料よりなる発光層５が焼結ベレットの電子ビーム蒸
着などで形成される。発光層５の上には第１の誘電体層
３と同様の材質から成る第２の誘電体層４が積層され、
更にその上にＡｔ等からなる背面電極６がｆ膜形成され
ている。透明電極２と背面電極６は交流を源７に接続さ
れ、薄膜ＥＬ表示パネルが駆動される。
ｉｓＮ４等からなる第１の誘電体層３がスパッタまたは
蒸着などにより形成されている。第１の誘電体層乙の上
にＺｎｓ：ＭｎやＺ ｎ Ｂ ｅ ： Ｍ ｎなどの前
記材料よりなる発光層５が焼結ベレットの電子ビーム蒸
着などで形成される。発光層５の上には第１の誘電体層
３と同様の材質から成る第２の誘電体層４が積層され、
更にその上にＡｔ等からなる背面電極６がｆ膜形成され
ている。透明電極２と背面電極６は交流を源７に接続さ
れ、薄膜ＥＬ表示パネルが駆動される。
第２図はＩＡ工Ｓ構造の薄膜ＫＬ光表示＜ネルの断面図
である。これは第１図の二重絶縁構造から絶縁層を１つ
取り除いた構造である。絶縁層を取り除いた分だけ発光
層に電圧が有効に印加される。
である。これは第１図の二重絶縁構造から絶縁層を１つ
取り除いた構造である。絶縁層を取り除いた分だけ発光
層に電圧が有効に印加される。
このような薄膜ＫＬ表示パネルに関する最大の技術課題
は長期信頼性の確保であり、そのポイントはいかに緻密
で絶縁性の優れた誘電体層を形成できるかということで
ある。特に１００〜２００■以上の高い駆動電圧をＵ十
Ｖに下げられる可能性のあるＭ工８４Ｍ造のＥＬ表ノＪ
ミパネルにおいては、膜質の向上による安定化が不可欠
である。
は長期信頼性の確保であり、そのポイントはいかに緻密
で絶縁性の優れた誘電体層を形成できるかということで
ある。特に１００〜２００■以上の高い駆動電圧をＵ十
Ｖに下げられる可能性のあるＭ工８４Ｍ造のＥＬ表ノＪ
ミパネルにおいては、膜質の向上による安定化が不可欠
である。
本発明は、比較的薄膜形成が容易な金属を蒸着やスパッ
ター、イオンブレーティング等で薄膜状に形成した後、
無水溶液中で陽極酸化により得られるピンホールがない
緻密な絶縁膜をＫＬ構造に付与することによって、低電
圧駆動が可能な薄膜ＫＬ表示パネルを提供するものであ
る。
ター、イオンブレーティング等で薄膜状に形成した後、
無水溶液中で陽極酸化により得られるピンホールがない
緻密な絶縁膜をＫＬ構造に付与することによって、低電
圧駆動が可能な薄膜ＫＬ表示パネルを提供するものであ
る。
薄１ｉＥＬ表示パネルに用いられる誘電体絶縁層は、こ
れまでスパッターや蒸着などの物理的な方法で形成され
ているが、その３ｂ成手法と結果として生成する誘電体
層の電気的絶縁特性とは必ずしも対応した満足すべき結
果を与えるものではない特に薄膜ＥＬ表示パネルのよう
に基本的に発光層に高い電界を印加する必要のあるデバ
イスにおいては、誘電体層の形成時に電気的絶縁特性が
確保される手法のほうが望ましい。
れまでスパッターや蒸着などの物理的な方法で形成され
ているが、その３ｂ成手法と結果として生成する誘電体
層の電気的絶縁特性とは必ずしも対応した満足すべき結
果を与えるものではない特に薄膜ＥＬ表示パネルのよう
に基本的に発光層に高い電界を印加する必要のあるデバ
イスにおいては、誘電体層の形成時に電気的絶縁特性が
確保される手法のほうが望ましい。
陽極酸化法による誘電体絶縁層の形成は、望ましい手法
の一つと考えられる。
の一つと考えられる。
しかし、各Ｃ来の含水性溶液中で形成した酸化膜の表面
には、一般に凹凸およびピンホールが観察される。これ
は、酸化反応によって発生した膜中のプロトンが酸化膜
表面で電子をトラップして水素ガスになり、膜外へ噴出
する際にピンホールを発生するためと推定されている。
には、一般に凹凸およびピンホールが観察される。これ
は、酸化反応によって発生した膜中のプロトンが酸化膜
表面で電子をトラップして水素ガスになり、膜外へ噴出
する際にピンホールを発生するためと推定されている。
これに対して無水溶゛液中で形成した酸化膜は、平？ｊ
ｔ性、緻密性ともに優れており、絶縁特性も格段の耐性
を示した。
ｔ性、緻密性ともに優れており、絶縁特性も格段の耐性
を示した。
本発明の具体的な実施例を以下に説明していく。第２図
のＭ工Ｓ構造の薄膜ＥＬ表示ノぐネルでは、バイレック
ス等の耐熱ガラスから成るガラス基板１上に例えば帯状
成形された透明電極２がコーテングされ、その上にＺｎ
８発光層５が電子ビーム蒸着で積層される。さらにＡＩ
！−が積層され、硝酸カリウムを加えたエチレングリコ
ール溶′液中で定電流陽極酸化と定電圧陽極酸化を行な
ってＡＡ２０．膜４を形成した。上記多層膜上にＡｔ金
属層を１５０°Ｃ以上の温度で蒸着し、背面電極６とし
た。透明電極２及び背面電極６よりリード端子をとり電
源７により給′亀される。
のＭ工Ｓ構造の薄膜ＥＬ表示ノぐネルでは、バイレック
ス等の耐熱ガラスから成るガラス基板１上に例えば帯状
成形された透明電極２がコーテングされ、その上にＺｎ
８発光層５が電子ビーム蒸着で積層される。さらにＡＩ
！−が積層され、硝酸カリウムを加えたエチレングリコ
ール溶′液中で定電流陽極酸化と定電圧陽極酸化を行な
ってＡＡ２０．膜４を形成した。上記多層膜上にＡｔ金
属層を１５０°Ｃ以上の温度で蒸着し、背面電極６とし
た。透明電極２及び背面電極６よりリード端子をとり電
源７により給′亀される。
なお、陽極酸化のプロセスは、硝酸カリウムｏ、 ｏ
４ｍｏｌ−／ｄ工工程程度む無水のエチレングリコール
を用いて、定電流陽極酸化をろ兜Ａ／ｃＪで乙０００〜
５ｏｏｏＸまで強制的に膜形成を行ない、引続き定電圧
法に切シ換え最終電流密度が初期の１０分の１になるま
で行なった。
４ｍｏｌ−／ｄ工工程程度む無水のエチレングリコール
を用いて、定電流陽極酸化をろ兜Ａ／ｃＪで乙０００〜
５ｏｏｏＸまで強制的に膜形成を行ない、引続き定電圧
法に切シ換え最終電流密度が初期の１０分の１になるま
で行なった。
さらに必要に応じて上記酸化膜を１００−、’＋００″
Ｃの温度範囲で３０〜６０分間アニーリングした。
Ｃの温度範囲で３０〜６０分間アニーリングした。
このようにして作製したＭ ＩＳ ｕｆＪ造の薄膜ＥＬ
表示パネルは、４５〜５０Ｖで大体５８５０久全ピーク
に幅広い波長領域で強い発光を呈する。
表示パネルは、４５〜５０Ｖで大体５８５０久全ピーク
に幅広い波長領域で強い発光を呈する。
信頼性については、１０４時間経過した状況で異常はな
い。
い。
前記実施例と同様に８ｉをＯＶＤで薄が膜形成した後、
Ａｔと同様の売件で陽極酸化したが、同じように優れた
結果を得た。
Ａｔと同様の売件で陽極酸化したが、同じように優れた
結果を得た。
またＴａをスパッターで薄膜形成した後、陽極酸化で作
成したＴ ａ２０．膜は、誘電率が大きく、２０〜２５
Ｖで強い発光を呈した。
成したＴ ａ２０．膜は、誘電率が大きく、２０〜２５
Ｖで強い発光を呈した。
以上説明したように本発明の非水溶液による陽極酸化絶
縁膜を用いた薄膜ＥＬ表示パネルは、パネルの長期信頼
性、駆動電圧の安定化、さらにはＭ 工Ｓ構造による低
電圧ρイ動化に著しい効果をもたらした。
縁膜を用いた薄膜ＥＬ表示パネルは、パネルの長期信頼
性、駆動電圧の安定化、さらにはＭ 工Ｓ構造による低
電圧ρイ動化に著しい効果をもたらした。
第１図は二重絶縁構造による薄膜ＫＬ表示パネルの断面
模型図である。 第２図はＭ工Ｓ構這による薄膜ＥＬ表示パネルの断ｔＴ
＋ｊ図模型図である。 １・・・・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・・・・透明電極 ３．４・・・誘電体絶縁層 ５・・・・・・・・・発光層 ６・・・・・・・・・背面電杼 ７・・・・・・・・・電源 第２図
模型図である。 第２図はＭ工Ｓ構這による薄膜ＥＬ表示パネルの断ｔＴ
＋ｊ図模型図である。 １・・・・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・・・・透明電極 ３．４・・・誘電体絶縁層 ５・・・・・・・・・発光層 ６・・・・・・・・・背面電杼 ７・・・・・・・・・電源 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 電圧印加によりＥＬ光発光呈する薄膜ＫＬ素子に
おいて、二重絶縁構造又はＭ工８構造の絶縁膜として金
属薄膜を非水系温媒の陽極酸化により形成した膜を採用
したことを特徴とする薄膜ＥＬ表示パネル。 ２ 金属薄膜として、８ｉ、Ａｔ、Ｔａ、Ｙ、のいずれ
か、又はそれらの２種以上の薄膜であることを特徴とす
る特許請求の範ＦｆＪＪ第１項記載の薄膜ＥＬ表示パネ
ル。 ３８ 非水系溶媒として無水エチレングリコールを用い
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜Ｋ
Ｌ表示パ′ネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194834A JPS6086797A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194834A JPS6086797A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086797A true JPS6086797A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16331036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58194834A Pending JPS6086797A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 薄膜ｅｌ表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086797A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01265495A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Gunze Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP58194834A patent/JPS6086797A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01265495A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-23 | Gunze Ltd | エレクトロルミネッセンス素子 |
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