JPS6086837A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6086837A JPS6086837A JP58195686A JP19568683A JPS6086837A JP S6086837 A JPS6086837 A JP S6086837A JP 58195686 A JP58195686 A JP 58195686A JP 19568683 A JP19568683 A JP 19568683A JP S6086837 A JPS6086837 A JP S6086837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin
- substrate
- semiconductor substrate
- silicon dioxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体基板上に形成された二酸化硅素等の薄膜
のエツチング方法に関し、特に半導体基板上に形成され
た二酸化硅素薄膜の片面のみを除去する方法に関する。
のエツチング方法に関し、特に半導体基板上に形成され
た二酸化硅素薄膜の片面のみを除去する方法に関する。
従来例の構成とその問題点
半導体基板上に酸化膜を形成することは不純物を選択的
に拡散させるためと、また表面保護のために広く用いら
れている。二酸化硅素膜（５ｉＯ２）を化学的または物
理的に半導体基板上に堆積させる場合、堆積しようとす
る側の半導体基板のみならず半導体基板の裏側にも堆積
する。しかし、この二酸化硅素膜を拡散マスクや表面保
護膜として利用するに先立って除去することが必要とな
る。
に拡散させるためと、また表面保護のために広く用いら
れている。二酸化硅素膜（５ｉＯ２）を化学的または物
理的に半導体基板上に堆積させる場合、堆積しようとす
る側の半導体基板のみならず半導体基板の裏側にも堆積
する。しかし、この二酸化硅素膜を拡散マスクや表面保
護膜として利用するに先立って除去することが必要とな
る。
ところで、このような薄膜の除去には薄膜の必要な半導
体基板側を耐酸性ワックスやレジストで保護したのち薄
膜を腐食させることが一般的である。
体基板側を耐酸性ワックスやレジストで保護したのち薄
膜を腐食させることが一般的である。
しかしながら、表側に堆積した薄膜を保護するごとに使
用する耐酸性ワックスやレジストを除去するため、トリ
クロールエチレンや発煙硝酸等に浸漬する方法がとられ
ているが、この方法によっても、しばしば完全に溶解除
去できなかったり、また除去したとしても逆にトリクロ
ールエチレンや発煙硝酸等が残存し、薄膜を汚染させ、
性能低下や製造歩留の低下を招いていた。
用する耐酸性ワックスやレジストを除去するため、トリ
クロールエチレンや発煙硝酸等に浸漬する方法がとられ
ているが、この方法によっても、しばしば完全に溶解除
去できなかったり、また除去したとしても逆にトリクロ
ールエチレンや発煙硝酸等が残存し、薄膜を汚染させ、
性能低下や製造歩留の低下を招いていた。
発明の目的
本発明の半導体装置の製造方法は化学的もしくは物理的
に二酸化硅素等の薄膜を半導体基板上に形成する際、両
面もしくは回シ込み等によって形成された裏側の薄膜を
ワックスやレジストなど耐酸性保護膜を付着形成させる
ことなく除去することの出来る半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
に二酸化硅素等の薄膜を半導体基板上に形成する際、両
面もしくは回シ込み等によって形成された裏側の薄膜を
ワックスやレジストなど耐酸性保護膜を付着形成させる
ことなく除去することの出来る半導体装置の製造方法を
提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の半導体装置の製造方法は化学的もしくは物理的
方法によって二酸化硅素膜等の薄膜を半導体基板上に堆
積させる際、半導体基板の裏側にも堆積した前記被膜を
除去するにあたシ、まず薄膜を残す側の半導体基板表面
を下側にして、同半導体基板よりも小さい面積の円筒状
の固定台に設置し、薄膜を除去する上側の半導体基板裏
面に被膜の腐食液として濃弗酸を滴下させ薄膜を溶解さ
せるとともに、下側の半導体表面への腐食液の回り込み
を円筒状の周囲にガスを吹きあげることにより防止する
ものであり、これにより濃弗酸（３０チ以上）は薄膜や
半導体基板と発水性であることから、薄膜上に露状にな
シ、また溶解が早いことによシ、下側の半導体表面を損
傷することなく、確実に半導体裏面の薄膜を除去するこ
とができる。
方法によって二酸化硅素膜等の薄膜を半導体基板上に堆
積させる際、半導体基板の裏側にも堆積した前記被膜を
除去するにあたシ、まず薄膜を残す側の半導体基板表面
を下側にして、同半導体基板よりも小さい面積の円筒状
の固定台に設置し、薄膜を除去する上側の半導体基板裏
面に被膜の腐食液として濃弗酸を滴下させ薄膜を溶解さ
せるとともに、下側の半導体表面への腐食液の回り込み
を円筒状の周囲にガスを吹きあげることにより防止する
ものであり、これにより濃弗酸（３０チ以上）は薄膜や
半導体基板と発水性であることから、薄膜上に露状にな
シ、また溶解が早いことによシ、下側の半導体表面を損
傷することなく、確実に半導体裏面の薄膜を除去するこ
とができる。
実施例の説明
本発明は半導体基板に化学的にまたは物理的方法によっ
て二酸化硅素膜を形成させた際、半導体基板の両面に形
成された二酸化硅素膜のうち、拡散マスクや表面保護と
して不要な二酸化硅素膜を他方の面にワックスやレジス
トなど耐薬品性の被膜を付着させることなく溶解除去さ
せる方法である。以下実施例を示して本発明を説明する
。
て二酸化硅素膜を形成させた際、半導体基板の両面に形
成された二酸化硅素膜のうち、拡散マスクや表面保護と
して不要な二酸化硅素膜を他方の面にワックスやレジス
トなど耐薬品性の被膜を付着させることなく溶解除去さ
せる方法である。以下実施例を示して本発明を説明する
。
実施例１
図面に示すように、熱酸化法によって形成された厚みが
１．２μの二酸化硅素膜を除去する側を上側にして直径
７６ｍｍの半導体基板１を、直径６０ｍｍの円筒状の固
定台２に乗せ、同固定台２の周囲より、エアーを毎分２
Ｅ流す。この状態で、滴下腐食液３として、濃弗酸を５
滴滴下させたところ約６分で二酸化硅素膜は除去された
。このとき、エアーは固定台１の下方の通気孔４から送
られ、半導体基板１の周縁部から吹き上げられる。
１．２μの二酸化硅素膜を除去する側を上側にして直径
７６ｍｍの半導体基板１を、直径６０ｍｍの円筒状の固
定台２に乗せ、同固定台２の周囲より、エアーを毎分２
Ｅ流す。この状態で、滴下腐食液３として、濃弗酸を５
滴滴下させたところ約６分で二酸化硅素膜は除去された
。このとき、エアーは固定台１の下方の通気孔４から送
られ、半導体基板１の周縁部から吹き上げられる。
実施例２
シシンと硅素の化学反応によって４５０℃で厚み１．０
μの二酸化硅素膜を直径７６ｍｍの半導体基板上に形成
させたところ、半導体基板の裏側に０．１〜０．７μの
二酸化硅素膜が形成された。この半導体基板の裏面を上
側にして半導体基板１を円筒５０ｍｍの固定台２に乗せ
固定台２の周囲よりエアーを毎分２１て上方に吹き上げ
つつ、濃弗酸を１０滴滴下させた。二酸化硅素膜は２分
で完全に溶解された。
μの二酸化硅素膜を直径７６ｍｍの半導体基板上に形成
させたところ、半導体基板の裏側に０．１〜０．７μの
二酸化硅素膜が形成された。この半導体基板の裏面を上
側にして半導体基板１を円筒５０ｍｍの固定台２に乗せ
固定台２の周囲よりエアーを毎分２１て上方に吹き上げ
つつ、濃弗酸を１０滴滴下させた。二酸化硅素膜は２分
で完全に溶解された。
発明の効果
以上実施例１および２で説明したように、本発明は半導
体基板上に形成された二酸化硅素等の薄膜の不要な側の
二酸化硅素膜を除去するのに、ワックスやレジメ）・の
ような耐酸性物質を付着させることなく、安価な設備で
容易に作業できる。またワックスやレジストを使用しな
いため汚染も防止でき性能向上や製造歩留の向上が見ら
れた。
体基板上に形成された二酸化硅素等の薄膜の不要な側の
二酸化硅素膜を除去するのに、ワックスやレジメ）・の
ような耐酸性物質を付着させることなく、安価な設備で
容易に作業できる。またワックスやレジストを使用しな
いため汚染も防止でき性能向上や製造歩留の向上が見ら
れた。
以上本発明は、被膜としては二酸化硅素膜を例にして説
明したが、他の絶縁膜例えばＳｉｇｍａ、多結晶シリコ
ン被膜等にも応用できる。
明したが、他の絶縁膜例えばＳｉｇｍａ、多結晶シリコ
ン被膜等にも応用できる。
図面は本発明の実施に用いた製造装置の要部断面構造図
である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・固定台、３
・・・・・・滴下腐食液、４・・・・・・通気孔。
である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・固定台、３
・・・・・・滴下腐食液、４・・・・・・通気孔。
Claims (1)
- 半導体基板の両面に形成された薄膜の片面のみを除去す
るに当り、除去する薄膜面を上側にして下側の半導体基
板をこの半導体基板よりも小さい面積の固定台に水平に
設置し、前記固定台の周囲から空気を前記半導体基板が
吹きとばされない程度に前記半導体基板の上方向に流し
つつ、前記半導体基板の上側に濃弗酸を←−七〇摘滴下
させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195686A JPS6086837A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58195686A JPS6086837A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6086837A true JPS6086837A (ja) | 1985-05-16 |
Family
ID=16345309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58195686A Pending JPS6086837A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6086837A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01175236A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Shiotani Seisakusho:Kk | 自動リフトオフ方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5042698U (ja) * | 1973-08-17 | 1975-04-30 | ||
| JPS55124232A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Application method of substrate treatment solution and the device therefor |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP58195686A patent/JPS6086837A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5042698U (ja) * | 1973-08-17 | 1975-04-30 | ||
| JPS55124232A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Application method of substrate treatment solution and the device therefor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01175236A (ja) * | 1987-12-29 | 1989-07-11 | Shiotani Seisakusho:Kk | 自動リフトオフ方法 |
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