JPH01175236A - 自動リフトオフ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体ウェハの表面から不要なメタル膜やレ
ジストを自動的にす７トオ７できるようにした自動リフ
トオフ装置に関する。

従来、化合物、半導体ウェハの表面に形成したメタル膜
を除去するには、ウェハを有機溶剤の槽の中にデツプし
ておき、半導体ウェハとメタル膜の間にあるレジストを
有機溶剤で硬化させ、その後、歯ブラシのような洗浄ブ
ラシで一枚ずつ手作業で除去していたため、非能率であ
った。

本発明は、そのような実情に鑑み、有機溶剤に浸漬され
た半導体ウェハを一枚ずつローダ−手段でスピンチャッ
ク手段へ送り、ウェハを回転しながらその表面に有機溶
剤をジェットし、メタル膜やレジストをリフトオフし、
その後アンローダ−手段で一枚ずつスピンチャック手段
から取出すようにし、た自動り７トオ７装置に係り、全
自動でリフトオフできるようにしたものである。

以下実施例と共に説明する。

第１図は、本発明の自動リフトオフ装置の平面図を示し
、本体（１）は、表面に除去すべきメタル膜が形成され
た半導体ウェハを一枚ずつスピンチャツク手段へ供給す
るローダ−手段（２）、該ローダ−手段から受取ったウ
ェハを回転可能に保持するスピンチャック手段（３）、
該スピンチャック手段に保持されたウニへの表面に有機
溶剤等をジェットし、。

ウニへの表面のメタル膜等をり７トオ７する噴出手段（
４）、リフトオフされたウェハを上記スピンチャツ手段
から取出すアンローダ−手段（５）をそれぞれ隣接して
具備する。

第！図〜第ｒ図には、主としてローダ−手段が示されて
いる。

第５図は、積層状態で前面、後面が解放されているカセ
ット（６）の各段に一枚ずつ収納したウェハ（７）を有
機溶剤の浸漬槽（８月で浸し１．一定時間経過後ウニへ
の収納されたカセットを１段ずつ上昇スルエレベータ−
手段（９）を示しである。なお、ウェハが予め有機溶剤
に浸漬されてカセットに収納されているときは、浸漬槽
は不要である。該エレベータ−手段は、浸漬槽（８）内
に存してカセット（６）を支持するエレベータ−台部を
有し、該エレベータ−台ＱＯはガイド杆αυに案内され
て昇降可能に設けられている。そして、モー々−□□□
を駆動すると歯車叫。

α弔を介しねじ軸（ト）が回転し、該ねじ軸にねじ嵌め
したナツト（ト）により連結杆α力、ａηを介し上記エ
レベータ−台（１０は昇降する。なお、上記モータ（６
）等を、カセットに収納したウェハが一枚ずつ所定の高
さに移動するよう１段ずつ上昇させる機構としては、公
知の種々の手段を採用することができる。

上記浸漬槽（８）には、アセトン等の有機溶剤が入れら
れており、所望により超音波発振器（至）によって超音
波振動が与えられる。

上記浸漬槽（８）の上方側方には、ローグー台四が設け
られている（第５図、第６図）。該ローグー台ＣＩＯは
上面にウェハ（７）を載置するよう間隔をあけて対向す
る２本の脚板−，四を有し、支持板（ハ）に取付けられ
、該支持板シυをシリンダ（イ）のピストンロッド（ホ
）に連結し、該シリンダを作動させることにより、上記
浸漬槽（８ンに近接する位置と後記するスピンチャック
手段（３）のヘッド部の上方位置の間で前後動する。な
お、上記支持板Ｑηの下面には案内ローラ（ハ）・・・
がちり、該案内ローラ（ハ）でガイド板（ホ）を挟着し
た状態で正確に前後動するようにしである。

上記浸漬槽（３）を挾んでローダ−台ａｌｌと対向する
側には、送り出し部が設けられている。該送り出し部は
、先端にカセットの後面からカセット内に進行してウェ
ハをカセット（６）から押し出すよう押出片（ハ）を形
成した押出板（イ）を有しく第６図、第２図）、該押出
板（イ）を支持板（ハ）に取付け、該、支持板（至）を
シリンダ四のピストンロッド（１）に連結しである。該
シリンダ四を作動させると、上記押出片（ハ）は、第６
図鎖線で示すようにカセット（６）の後部側面に対向す
る位置と、第６図実線で示すようにローダ−台Ｑ呻の先
端に到達する位置の間で前後動する０上記支持板（ハ）
の移動は、上記ローダ−台と同様に、案内ローラ０１）
・・・とガイド板Ｑ３により規制される。なお、上記ロ
ーグー台の先端部分には、上記押出片で移送されてきた
ウェハの到来を検知する適宜の検知手段が設けられてい
る（図示略）０第り図には主としてスピンチャック手段
及び噴出手段を含む処理部が示されているＯスピンチャ
ック手段（３）は、シリンダ（ハ）により昇降可能に設
けられたスピンモーターＣ３４（第３図）の軸Ｃ３５１
の先端に、真空作用によりウェハ（７）を吸着保持する
ヘッド国を有し、上記ローダ−手段のローグー台Ｃ１１
により移送されてきたウェハ（７）を上昇位置で受取り
、ローグー台α呻が浸漬槽方向へ戻った後、図の実線で
示す位置に降下する。該ヘッドの周囲はカバー（３７ａ
）で覆われ、上方には有機溶剤等の噴出手段（４）が位
置し、下方には排水路（至）が形成されている。

なお、上記カバーの下方の底板（３７ｂ）は発泡プラス
チック材料等の多孔質材料で形成してあり、除去したメ
タル等をその表面で回収し、液体を流下させるようにし
ている。上記ヘッド（ト）に保持したウェハ（７）の裏
面との間にわずかな間隙を存して、リング状の流体噴出
口０傷を設けた裏面ノズル体（４Ｇが設けられている。

該裏面ノズル体（４１の、好ましくは周囲の対向するλ
ケ所に形成した供給口（４１）、　（４υから、窒素ガ
ス、エアその池適宜の流体を流入させると、該流体は上
記ウェハ（７）の裏面周縁にリング状になって外方に噴
出するので、ウニへの表面から周縁をまわって裏面に付
着しようとする有機溶剤等を排除することができる。な
お、上記流体の噴出圧は、上記ヘッドに吸着したつ壬ハ
を吹き飛ばすことがないよう、該吸着力よりも弱く設定
される。また、ヘッドは、真空作用によらずに、適宜の
手段でウェハを保持するようにしてもよい。

噴出手段（４）は、上記カバー（３７ａ）の側方に回動
可能に設けられ、窒素ガスブロー（４ｚ、アルコール等
の有機溶剤ジェット（４３，アルコール、純水等のリン
ス（４４）等のノズルを有している。そして、該噴出手
段から噴出する有機溶剤の噴出圧は、リフトオフするウ
ェハの状況に応じて適宜定められるが、図に示すもので
は、最高約１００％で、ビーム型に噴出するようにし又
ある。上記各ノズルの噴出のタイマーにより時間を定め
て行う。例えば、有機溶剤ジェット、純水リンス又はア
ルコールリンス、水切、スピンドライの順に行ったり、
有機溶剤リンス、有機溶剤ジェット、純水リンス又はア
ルコールリンス、水切、スピンドライの順にしたり、有
機溶剤リンス、純水ジェット、・・・の順としたり適宜
に行うことができる。このように、有機溶剤等をジェッ
トすることにより、ウニへの表面に形成されたメタル膜
、レジスト等ヲリフトオ７することができる。

す７トオフ後、上記スピンチャック手段のヘッド（至）
は、ウェハを保持したまま再び第２図鎖線に示す位置に
上昇する。第１０図〜第７２図には、処理後のウェハを
上記スピンチャック手段から取り出すアンローダ−手段
が示されている。

アンローダ−手段のアンローダ−台（ａは、上記ローダ
−台頭とほぼ同様に構成されている。すなわち、ウェハ
を載置するよう間隔をあけて対向する２本の脚板ｒ４６
）　、　（４６）を設け、支持板（４ηに取付けて該支
持板（４７）をシリンダ囮のピストンロッド（４９に連
結シ、該シリンダを作動させ上記スピンチャック手段の
ヘッド部（至）の上方と格納槽６〔に近接する位置との
間で前後動させる。また、該支持板（４７１の移動は案
内ローラ６υ・・・とガイド板りにより規制される。第
１２図に示すように、上記アンローダ−台（４最の上方
には送り込み部が設けられている。該送り込み部は、上
記アンローダ−台（４つの上方で、シリンダ１５３］に
より昇降可能に設けた取付板６荀を有し、該取付板の先
端から上記アンローダ−台（４５の方向に送込板（へ）
を垂下させかつ該シリンダ綴等を取付ケタ支持板（イ）
を他のシリンダｔ５′７）のピストンロッド□□□に連
結しである。そして、上記シリンダ（至）により取付板
６４）、送込板（至）を上昇させておくと、上記アンロ
ーダ−台（４つは、ウェハ（７）を載置した状態で上記
送込板（ト）の下端を通過することができる。ウェハが
該送込板部の下端を通過した後、該シリンダ槌により取
付板６４）、送込板（５！１９を降下させると、送込板
曽の下端に形成した送込片（５！１ｍは、ウェハ（７）
の側面に対向する。そこで、上記シリンダ５７）を動作
させると、上記支持板□□□を介し上記送込片開はウェ
ハをアンローダ−台（４ツ上で第１１図左方へ移送し、
カセット（６）内に収納する。該支持板（至）の移動は
案内ローラ（６０）・・・とガイド板６υにより規制さ
れてあり、該エレベータ−手段で槽内に支持したカセッ
ト（６）を、ウェハを一枚収納するごとに１段ずつ降下
させる。該格納槽は、乾式であるが、適宜湿式に構成す
ることもできる。

而して、第１図〜第４’図、特に第弘図を参照しながら
本装置の作動を説明すると、アセトン等の有機溶剤の浸
漬槽（８）に浸漬されたカセットは、１段ずつ上昇し、
シリンダ四により送り出し部の押出板（イ）でウェハを
押し出し、これをローダ−台ＣＭ上に載置する。ローダ
−台頭はウェハを受取るとシリンダ（イ）の作用で前進
し、ウェハをスピンチャック手段の上方へ移送する。ス
ピンチャック手段のヘッド（７）はシリンダ儲の作用で
上昇し、ローダ−台ａ１からウェハを受取る。ローダ−
台σ１は、その後後退し、ヘッド（至）は降下する。ヘ
ッド（至）が所定位置に戻ると、噴出手段から、有機溶
剤、水等がウェハ表面にジェットされ、ウェハ表面のメ
タル膜やレジストをリフトオフする。処理後、上記ヘッ
ドはシリンダ（ハ）の作用で上昇し、アンローダ−台（
４５１がシリンダ（４８）の作用で該ヘッドの下方へ移
動する。この際送り込み部の送込片開は、シリンダ（至
）の作用で上昇している。アンローダ−台（４！Ｊ　７
５Ｅヘツド（至）の下方に到達した後、ヘッドはシリン
ダ器の作用で降下し、該ヘッドに保持されていたウェハ
はアンローダ−台（４９上に移ル。７　ンＯ−ター合（
４５は、シリンダ０樽の作用で格納槽方向へ移動する。

その後、シリンダ器の作用で送込片（５Ｉはつエムに当
る位置まで降下し、シリンダ１５７）を作用させること
によりウェハを、格納槽６Ｉに待機するカセット内に収
納する。ウェハを収納したカセットは、１段ずつ降下す
る。以下上記の作用を繰返し、全自動でリフトオフする
ことができる。

本発明は上記のように構成され、人手によらないでカセ
ットに収納されたウェハを一枚ずつ取り出してリフトオ
フし、処理後カセットに収納することができ、高効率に
リフトオフ作業をすることができる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示し、第１図は平面図、第２図
は第７図のＡ−Ａ線断面図、第３図は第１図のＢ−Ｂ線
断面図、第μ図は作用の説明図、以下拡大して示し、第
５図は主としてエレベータ−手段の側面図、第６図はロ
ーダ−手段の平面図、第７図は一部を省略したローグー
手段の側面図、第２図は送り出し部の正面図、第り図は
スピンチャック手段の断面図、第１Ｏ図は送り込み部を
省略したアンローダ一部の平面図、第１／図は送り込み
部の平面図、第１２図はアンローダ−手段の側面図であ
る。 ２・・・ローグー手段、　　３・・・スピンチャック手
段４・・・噴出手段、　　　　５・・・アンローダ−手
段６・・・カセット、　　　　７・・・ウェハ特許出願
人　株式会社塩谷製作所 第２爾 埠３回 ｕ４測

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、表面に除去すべきメタル膜が形成された半導体ウェ
   ハを一枚ずつスピンチャック手段へ供給するローダー手
   段、該ローダー手段から受取つたウェハを回転可能に保
   持するスピンチャック手段、該スピンチャック手段に保
   持されたウェハの表面に有機溶剤等をジェットし、ウェ
   ハの表面のメタル膜等をリフトオフする噴出手段、リフ
   トオフされたウェハを上記スピンチャック手段から取出
   すアンローダー手段を具備する自動リフトオフ装置。 ２、上記スピンチャック手段は、保持したウェハの裏面
   周縁にリング状の流体を噴出する噴出口を有する特許請
   求の範囲第１項記載の自動リフトオフ装置。