JPS6087443A - 光メモリ装置およびその書込み読み出し方式 - Google Patents
光メモリ装置およびその書込み読み出し方式Info
- Publication number
- JPS6087443A JPS6087443A JP58196582A JP19658283A JPS6087443A JP S6087443 A JPS6087443 A JP S6087443A JP 58196582 A JP58196582 A JP 58196582A JP 19658283 A JP19658283 A JP 19658283A JP S6087443 A JPS6087443 A JP S6087443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- light
- oxygen
- hydrogen
- added
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 abstract description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 28
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 13
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N cadmium helium Chemical compound [He].[Cd] UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24318—Non-metallic elements
- G11B2007/2432—Oxygen
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファス（無定形）構造を含む非単結晶半
導体を用いた不揮発性の光メモリを構成せしめるための
半導体メモリ装置に関する。
導体を用いた不揮発性の光メモリを構成せしめるための
半導体メモリ装置に関する。
この発明は、水素または酸素が添加された珪素またはゲ
ルマニュームを主成分とするとともに、周期律表のＩ族
またはＶ族より選ばれた不純物が５Ｘ１０１６〜Ｉ Ｘ
１０” ｃｍ−ヨ添加された非単結晶半導体であって
、かかる半導体が６００ｎｍ以下の短波長光の光照射に
より、吸収係数が特に７５０ｎｍ （１，６５ｅＶ）〜
５μ（約０．３ｅＶ ）の近赤外または赤外光で増大し
、また５μ以上の長波長光または１２０〜３００℃の熱
アニールによりかかる光の吸収係数を小さくする可逆性
を利用した、書き換え可能な光読み出し方式のメモリ装
置に関する。
ルマニュームを主成分とするとともに、周期律表のＩ族
またはＶ族より選ばれた不純物が５Ｘ１０１６〜Ｉ Ｘ
１０” ｃｍ−ヨ添加された非単結晶半導体であって
、かかる半導体が６００ｎｍ以下の短波長光の光照射に
より、吸収係数が特に７５０ｎｍ （１，６５ｅＶ）〜
５μ（約０．３ｅＶ ）の近赤外または赤外光で増大し
、また５μ以上の長波長光または１２０〜３００℃の熱
アニールによりかかる光の吸収係数を小さくする可逆性
を利用した、書き換え可能な光読み出し方式のメモリ装
置に関する。
本発明はかかる珪素、ゲルマニュームラ主成分とする■
族の非単結晶半導体において、そのエネルギバンド（Ｂ
ｇという）の禁止’ｔ！） Ｃ１１ｇ内という〉に存在
する再結合中心密度（以下ＲＣという）が増加すると光
吸収係数が大きくなり、その結果、光の透過量特に７５
０ｎｍ〜５μ（好ましくは８００ｎｍ〜２μ）の近赤外
または赤外光の透過量が悪くなり、また逆にこのＲＣが
減少するとかかる近赤外または赤外光の光吸収係数が小
さくなり、読み出し用の光の透過量が向上する特性を利
用した光読み出しを行う不揮発性メモリ装置に関する。
族の非単結晶半導体において、そのエネルギバンド（Ｂ
ｇという）の禁止’ｔ！） Ｃ１１ｇ内という〉に存在
する再結合中心密度（以下ＲＣという）が増加すると光
吸収係数が大きくなり、その結果、光の透過量特に７５
０ｎｍ〜５μ（好ましくは８００ｎｍ〜２μ）の近赤外
または赤外光の透過量が悪くなり、また逆にこのＲＣが
減少するとかかる近赤外または赤外光の光吸収係数が小
さくなり、読み出し用の光の透過量が向上する特性を利
用した光読み出しを行う不揮発性メモリ装置に関する。
本発明はこの光の透過光を、または裏面に反射面を設け
ることによる反射光を、フ第１・センサにて検出し、光
読み出し用の半導体メモリ装置を構成せしめる。
ることによる反射光を、フ第１・センサにて検出し、光
読み出し用の半導体メモリ装置を構成せしめる。
従来、光電変換装置等をアモルファス珪素を用いて作ら
んとすると、その光電変換装置が光照射により劣化して
電気伝導度が減少してしまい、これがステブラ・ロンス
キ効果として知られている。
んとすると、その光電変換装置が光照射により劣化して
電気伝導度が減少してしまい、これがステブラ・ロンス
キ効果として知られている。
この要因を本発明人が詳しく調べた結果、珪素半導体中
において酸素と水素が０１１基を作り、これが珪素不対
結合手と結合したり、または分離をしたりして、再結合
中心を増加または減少させていることを明らかにするこ
とができた。
において酸素と水素が０１１基を作り、これが珪素不対
結合手と結合したり、または分離をしたりして、再結合
中心を増加または減少させていることを明らかにするこ
とができた。
そのモデルとして、
の可逆反応過程を提案している。即ち短波長光の照射に
よりＤ０レベルがＤ−またはＤ＋に変化する。即ち、上
式で左方向に反応が移行する。その結果Ｂｇ内に深いレ
ベルでＲＣが形成される。このＲＣにより電気伝導度が
低下する。しかしり、Ｄ は遠赤外光または１２０〜３
００℃の加熱処理でＤｏに可逆的に変化する。即ち上式
で右方向の反応がおきる。本発明はかかるＲＣが可逆的
に増加したり減少したりする特性を積極的に利用してい
る。このため本発明の真性の半導体または実質的に真性
の半導体（以下単に１層またはｌ型半導体という）には
、酸素および水素を積極的に添加している。具体的には
酸素はｌＸ１０２０〜５ Ｘ １０” ｃｍ−３、例え
ばｌＸ１０２１ｃｍ−３、また水素は１〜４０原子％例
えば１５原子％を含有せしめた。
よりＤ０レベルがＤ−またはＤ＋に変化する。即ち、上
式で左方向に反応が移行する。その結果Ｂｇ内に深いレ
ベルでＲＣが形成される。このＲＣにより電気伝導度が
低下する。しかしり、Ｄ は遠赤外光または１２０〜３
００℃の加熱処理でＤｏに可逆的に変化する。即ち上式
で右方向の反応がおきる。本発明はかかるＲＣが可逆的
に増加したり減少したりする特性を積極的に利用してい
る。このため本発明の真性の半導体または実質的に真性
の半導体（以下単に１層またはｌ型半導体という）には
、酸素および水素を積極的に添加している。具体的には
酸素はｌＸ１０２０〜５ Ｘ １０” ｃｍ−３、例え
ばｌＸ１０２１ｃｍ−３、また水素は１〜４０原子％例
えば１５原子％を含有せしめた。
さらに加えてかかる可逆反応を容易に行う（感度を高め
る）ためにはフェルミレベルをある程度伝導帯に近づけ
Ｎ−化を行うことが有効であることが判明した。このた
めこの活性化エネルギを例えばアモルファス珪素におい
て０．２〜０．７ｅν好ましくは０．４〜０．６ｅＶに
位置せしめた。本発明においては周期律表の■族（Ｎａ
、に等）または■族（Ｎ、ｒ’。
る）ためにはフェルミレベルをある程度伝導帯に近づけ
Ｎ−化を行うことが有効であることが判明した。このた
めこの活性化エネルギを例えばアモルファス珪素におい
て０．２〜０．７ｅν好ましくは０．４〜０．６ｅＶに
位置せしめた。本発明においては周期律表の■族（Ｎａ
、に等）または■族（Ｎ、ｒ’。
１１ｓ、Ｓｂ等）を添加した。代表的な不純物としては
Ｎａ、に、Ｐ＋Ｎである。
Ｎａ、に、Ｐ＋Ｎである。
本発明において、記憶された情報の読み出しはこの電気
伝導度の大小を特定の番地に対し特定の強さの近赤外ま
たは赤外光（１００〜１００００ ｌｘ）を１〜１００
μψ、例えば２μφとし、このスボ・ノドをＧａＡｓ／
ＧａＡｌＡｓ （発光波長７８０〜９０５ｎｍ ）また
はＩｎＧａＡｓＰ （１１００〜１６００ｎｍ）の半導
体レーザにより照射し、その透過または反射光の大小を
フォトセンサ例えばアバランシェ型シリコン・フォトセ
ンサにより「０」、「１」を読み出している。
伝導度の大小を特定の番地に対し特定の強さの近赤外ま
たは赤外光（１００〜１００００ ｌｘ）を１〜１００
μψ、例えば２μφとし、このスボ・ノドをＧａＡｓ／
ＧａＡｌＡｓ （発光波長７８０〜９０５ｎｍ ）また
はＩｎＧａＡｓＰ （１１００〜１６００ｎｍ）の半導
体レーザにより照射し、その透過または反射光の大小を
フォトセンサ例えばアバランシェ型シリコン・フォトセ
ンサにより「０」、「１」を読み出している。
本発明はかくのごとく光照射効果（ステブラ・ロンスキ
効果という）を用い、光書込み、光書き消しを行うに加
えて、光読み出しを行う非接触型の不揮発性半導体メモ
リ装置である。
効果という）を用い、光書込み、光書き消しを行うに加
えて、光読み出しを行う非接触型の不揮発性半導体メモ
リ装置である。
このため光ディスクへの応用が太き（、特にその主成分
が珪素であるため、公害材料ではなく、また酸化テルル
または光磁気ディスク用等の高価な材料を用いないこと
により、低コスト化、高信頼性化を実施することができ
るという大きな特長を有す。
が珪素であるため、公害材料ではなく、また酸化テルル
または光磁気ディスク用等の高価な材料を用いないこと
により、低コスト化、高信頼性化を実施することができ
るという大きな特長を有す。
本発明は短波長光の照射により発生するＲＣの増加、熱
アニールまたは長波長光の照射によるＩ？Ｃの減少が電
気抵抗の変化をもたらすが、のみならず、近赤外または
赤外領域でのその半導体の光吸収係数が増大または減少
する。即ち再結合中心の増加または減少により、このＲ
Ｃ間またはＲＣと伝導帯（ＣＢ＞、価電子帯（ＶＢ）と
の間の光励起による照射光の吸収で透過光または反射光
の減少という特性を用いたものである。
アニールまたは長波長光の照射によるＩ？Ｃの減少が電
気抵抗の変化をもたらすが、のみならず、近赤外または
赤外領域でのその半導体の光吸収係数が増大または減少
する。即ち再結合中心の増加または減少により、このＲ
Ｃ間またはＲＣと伝導帯（ＣＢ＞、価電子帯（ＶＢ）と
の間の光励起による照射光の吸収で透過光または反射光
の減少という特性を用いたものである。
本発明はかくのごとくカルコゲン型半導体にみられるご
ときそれ自体の結晶構造の変換を利用するのではなく、
半導体中の結合手の結合の変化を利用して光吸収係数の
増大、減少を利用したものであり、その検出を赤外また
は近赤外光での光読み出しで行う非接触型方式の半導体
メモリ装置を提案するにある。
ときそれ自体の結晶構造の変換を利用するのではなく、
半導体中の結合手の結合の変化を利用して光吸収係数の
増大、減少を利用したものであり、その検出を赤外また
は近赤外光での光読み出しで行う非接触型方式の半導体
メモリ装置を提案するにある。
以下に図面に従ってその内容を記す。
第１図は透光性絶縁性基板（４）上に工↓素を主成分と
する非単結晶半導体を水素および酸素を添加した真性ま
たは実質的にＸ性の導電型を有して形成した。さらにそ
の上に反射防止用保護膜を窒化珪素により作製し、半導
体上に積層した。
する非単結晶半導体を水素および酸素を添加した真性ま
たは実質的にＸ性の導電型を有して形成した。さらにそ
の上に反射防止用保護膜を窒化珪素により作製し、半導
体上に積層した。
図面において、半導体（１）はまずシラン（” 馴＋−
ｎｔｎ≧１）等の珪化物気体をプラズマグロー放電法（
ＰＣＶＤ法）により０．１〜１０μ例えば３μの厚さに
形成した。図面では基板は反射性金属（４）であり、こ
の上面に酸素または水を同時に添加しζ、ＰＣＶＤ法で
非晶質珪素膜を作製した。この中には水素が１〜３０原
子％、さらに酸素を１ＸＩＱ２０〜５×ｌ Ｑ ２１
（１Ｂ−３混入させた。この半導体中にさらにＨａ、Ｋ
。
ｎｔｎ≧１）等の珪化物気体をプラズマグロー放電法（
ＰＣＶＤ法）により０．１〜１０μ例えば３μの厚さに
形成した。図面では基板は反射性金属（４）であり、こ
の上面に酸素または水を同時に添加しζ、ＰＣＶＤ法で
非晶質珪素膜を作製した。この中には水素が１〜３０原
子％、さらに酸素を１ＸＩＱ２０〜５×ｌ Ｑ ２１
（１Ｂ−３混入させた。この半導体中にさらにＨａ、Ｋ
。
Ｐを５Ｘ１０１６〜Ｉ Ｘ １０” ｃｍ−３の濃度に
加えた。具体的にはＮを５ Ｘ ＩＱ１６ ｃｍ−３添
加した。さらにこの半導体をＮａＣ１，ＭＣＩ （０，
ＩＮ水温は１００℃）に約１０分浸漬した。これを乾燥
させて光照射により光吸収係数の可逆過程用の半導体と
しての感度を向上させた。この半導体膜はスパンク法、
光プラズマＣＶＤ法、真空蒸着法、減圧ＣＶＤ法を用い
てもよい。
加えた。具体的にはＮを５ Ｘ ＩＱ１６ ｃｍ−３添
加した。さらにこの半導体をＮａＣ１，ＭＣＩ （０，
ＩＮ水温は１００℃）に約１０分浸漬した。これを乾燥
させて光照射により光吸収係数の可逆過程用の半導体と
しての感度を向上させた。この半導体膜はスパンク法、
光プラズマＣＶＤ法、真空蒸着法、減圧ＣＶＤ法を用い
てもよい。
以下においては、プラズマグロー放電法を用いているが
、その温度は１００〜４００℃例えば２００℃とし、圧
力は０． Ｉ ｔｏｒｒとして０．１〜１（Ｌｔｒ例え
ば３μの厚さに形成した。
、その温度は１００〜４００℃例えば２００℃とし、圧
力は０． Ｉ ｔｏｒｒとして０．１〜１（Ｌｔｒ例え
ば３μの厚さに形成した。
さらにこの半導体を形成する工程の後工程にて反射防止
を兼ねた機械保護膜を作製した。ここでは窒化珪素また
は透光性導電膜を作製した。その作製にあたり、半導体
中の水素が脱気しないように３００℃以下の温度でプラ
ズマＣＶＤ法によりこの被膜を形成して第１図（Ａ）の
構造を得た。
を兼ねた機械保護膜を作製した。ここでは窒化珪素また
は透光性導電膜を作製した。その作製にあたり、半導体
中の水素が脱気しないように３００℃以下の温度でプラ
ズマＣＶＤ法によりこの被膜を形成して第１図（Ａ）の
構造を得た。
第２図は第１図に対応したエネルギバンド図を示す。こ
のエネルギバンド図におい“ζ、半導体（１）に可視ま
たは紫外光（Ｅｇよりも大きい光エネルギの光）を照射
すると、この照射光によりＲＣ（再結合中心）が形成さ
れる。そしてこの後にこの半導体に対し光の波長を連続
的に変化さ・Ｕて、その光吸収の程度を測った。すると
この連続光に対し、ＣＢ （伝導帯＞ −ＲＣ，ＲＣ−
１１Ｃ，Ｉ？Ｃ−ＶＢ ＜１ｌｌｌＩｑ了帯）での光吸
収がおき、さらにこのＲＣの増大により光吸収係数を大
きくする。即ちＲＣの密度の大きさにより光の透過率が
減少または増大するごとが１′す明した。
のエネルギバンド図におい“ζ、半導体（１）に可視ま
たは紫外光（Ｅｇよりも大きい光エネルギの光）を照射
すると、この照射光によりＲＣ（再結合中心）が形成さ
れる。そしてこの後にこの半導体に対し光の波長を連続
的に変化さ・Ｕて、その光吸収の程度を測った。すると
この連続光に対し、ＣＢ （伝導帯＞ −ＲＣ，ＲＣ−
１１Ｃ，Ｉ？Ｃ−ＶＢ ＜１ｌｌｌＩｑ了帯）での光吸
収がおき、さらにこのＲＣの増大により光吸収係数を大
きくする。即ちＲＣの密度の大きさにより光の透過率が
減少または増大するごとが１′す明した。
第３図ばかがる光の吸収係数と６００ｎｍ以１この可視
または紫外光の照射量との関係を示している。
または紫外光の照射量との関係を示している。
即ち、初期状態において、曲線（１１）であったものが
、５００ｎｒｎ以下の波長の光例えば窒素し＝ザ（３３
７ｎｍ ） 、ヘリューム・カドミューム・レーザ（４
４２ｎｍ、３２５ｎｍ ）またはキセノンランプ（３０
０ｎｍ〜２μ）による照射、例えばキセノンランプ（１
００ｍＷ／ｃＩａ）により２時間照射すると、曲線（１
１）は（１２）へと変化して、７５０ｒ＋ｎ＋ （１，
６５ｃＶ） 〜５μ（約０．３ｅＶ ）における光の吸
収特性（αｈν）（αは光の吸収係数）が大きくなった
。さらにこの曲線（１１）の特性の試料にＮａ、 Ｋ、
Ｐ、 Ｎを加えた。この不純物の添加により光吸収係
数が約１桁上がり、同一の条件で２０分、２時間照射す
ると、曲線（１３）、（１４）に変化した。
、５００ｎｒｎ以下の波長の光例えば窒素し＝ザ（３３
７ｎｍ ） 、ヘリューム・カドミューム・レーザ（４
４２ｎｍ、３２５ｎｍ ）またはキセノンランプ（３０
０ｎｍ〜２μ）による照射、例えばキセノンランプ（１
００ｍＷ／ｃＩａ）により２時間照射すると、曲線（１
１）は（１２）へと変化して、７５０ｒ＋ｎ＋ （１，
６５ｃＶ） 〜５μ（約０．３ｅＶ ）における光の吸
収特性（αｈν）（αは光の吸収係数）が大きくなった
。さらにこの曲線（１１）の特性の試料にＮａ、 Ｋ、
Ｐ、 Ｎを加えた。この不純物の添加により光吸収係
数が約１桁上がり、同一の条件で２０分、２時間照射す
ると、曲線（１３）、（１４）に変化した。
これは光学的Ｅｇが変化するのではなく、エネルギバン
ドの禁止帯内に再結合中心（ＲＣ＞＜１７）が第２図に
示すごとく連続的に発生、存在し、このＲＣとＣＢ、Ｖ
ＢまたはＲＣ間にて光が吸収されるため、曲線（１４＞
、＜ １３ ＞、＜ １２ ）が（１１）よりも大きい
吸収係数を示すものと推定される。
ドの禁止帯内に再結合中心（ＲＣ＞＜１７）が第２図に
示すごとく連続的に発生、存在し、このＲＣとＣＢ、Ｖ
ＢまたはＲＣ間にて光が吸収されるため、曲線（１４＞
、＜ １３ ＞、＜ １２ ）が（１１）よりも大きい
吸収係数を示すものと推定される。
かくのごとき高い光吸収特性を示す曲線（１４）に１μ
以上の長波長光または１３０℃以上例えば１５０℃の熱
アニールを行うと、逆にその曲線は（１１）または（１
２）に減少し、ＲＣが減少していくことが判明した。
以上の長波長光または１３０℃以上例えば１５０℃の熱
アニールを行うと、逆にその曲線は（１１）または（１
２）に減少し、ＲＣが減少していくことが判明した。
本発明は、か（のごとく吸収係数の大きく変化する領域
である赤外または近赤外光の０．３〜１．６５ｅν好ま
しくは０．５〜１ｅνの波長の光を、例えば半導体レー
ザＩ’ｎＧａＡｓＰ （１１００ｎｍ （１，１ｅＶ
） 〜１６００ｎｍ（０，７７ｅν））を用い、この光
を読め出し光としてこの２つの曲線例えば（１１）、＜
１４）のそれぞれに照射して、その透過光量を調べた。
である赤外または近赤外光の０．３〜１．６５ｅν好ま
しくは０．５〜１ｅνの波長の光を、例えば半導体レー
ザＩ’ｎＧａＡｓＰ （１１００ｎｍ （１，１ｅＶ
） 〜１６００ｎｍ（０，７７ｅν））を用い、この光
を読め出し光としてこの２つの曲線例えば（１１）、＜
１４）のそれぞれに照射して、その透過光量を調べた。
曲線（１４）ではその透過光量は少なくなり、曲線（１
１）では大きい。この２つの違いをそれぞれ「０」、ｒ
ｌＪとして非接触型の光読み出しの不揮発性メモリとし
たものである。
１）では大きい。この２つの違いをそれぞれ「０」、ｒ
ｌＪとして非接触型の光読み出しの不揮発性メモリとし
たものである。
第４図はさらに１価またはＶ価の不純物等を添加した時
の吸収係数（α）の変化を示している。
の吸収係数（α）の変化を示している。
図面において、（１９）は第３図にン１＜ず（ｌｉ）に
リンを添加した場合、（２０）はすトリュームを添加し
た場合である。また曲線（１５＞、＜ Ｉ Ｇ＞ は第
３図曲線（１４）に対応したものである。曲線（１５）
はナトリュームを添加した場合、曲線（Ｉ６）はリンを
添加した場合である。さらに曲線（１７）、（１Ｂ）は
ｒＯＪ、ｒｌＪの判定境界を示す。
リンを添加した場合、（２０）はすトリュームを添加し
た場合である。また曲線（１５＞、＜ Ｉ Ｇ＞ は第
３図曲線（１４）に対応したものである。曲線（１５）
はナトリュームを添加した場合、曲線（Ｉ６）はリンを
添加した場合である。さらに曲線（１７）、（１Ｂ）は
ｒＯＪ、ｒｌＪの判定境界を示す。
このことにより、Ｎ化用の不純物を添加する場合、全体
の吸収係数が増加し、読み出しがしゃすいことが判明し
た。
の吸収係数が増加し、読み出しがしゃすいことが判明し
た。
以下に実施例に従い、メモリ装置の具体例をボす。
実施例１
この実施例は光プログラム書き換え可能な光読み出し方
式のＲＯＭの不揮発光メモリである。
式のＲＯＭの不揮発光メモリである。
この光メモリはオフィス・オートメイション用の光メモ
リディスクとして使用し、任意にプログラムをして利用
する場合にきわめて有効である。
リディスクとして使用し、任意にプログラムをして利用
する場合にきわめて有効である。
即ち、第４図（Ａ）においてガラス、セラミック、有機
フィルム等の絶縁基板（４）、（１００〜５００μの厚
さ）上に第１の金属例えばアルミニュームを反射板（９
）とし、この金属と半導体との反応による反射の低下防
止のため２層構造を酸化スズ（８）にて形成させ反射板
（３）とした。さらにこの上に酸素、水素が添加された
照射効果の大きい非単結晶半導体（１）を３μの厚さに
形成した。
フィルム等の絶縁基板（４）、（１００〜５００μの厚
さ）上に第１の金属例えばアルミニュームを反射板（９
）とし、この金属と半導体との反応による反射の低下防
止のため２層構造を酸化スズ（８）にて形成させ反射板
（３）とした。さらにこの上に酸素、水素が添加された
照射効果の大きい非単結晶半導体（１）を３μの厚さに
形成した。
さらにその上側に保護膜（２）を窒化珪素により全面に
形成した。また半導体の保護膜、酸化スズ近傍は５ｉｘ
Ｃ１−ｘ（０＜ｘ＜１ ｘ−０，８）を５００人の厚さ
に形成させ、信頼性を向上させた。この基板はレコード
板と同様のディスク形状を４しており、メモリの書込み
は任意に選んだ’ｔＭ定の番地に直径０．１〜５０μ例
えば２μφの大きさのレーザ光（２７）を発光源（３５
）より照射した。例えば窒素レーザ（３３７ｎｍ ３０
０ｍＷ ／ｃＪ）を照射し、（２４）および（２６）に
行い、非透光性領域とした。他方半導体のうちの特定の
番地（２５）は透光性領域として有している。
形成した。また半導体の保護膜、酸化スズ近傍は５ｉｘ
Ｃ１−ｘ（０＜ｘ＜１ ｘ−０，８）を５００人の厚さ
に形成させ、信頼性を向上させた。この基板はレコード
板と同様のディスク形状を４しており、メモリの書込み
は任意に選んだ’ｔＭ定の番地に直径０．１〜５０μ例
えば２μφの大きさのレーザ光（２７）を発光源（３５
）より照射した。例えば窒素レーザ（３３７ｎｍ ３０
０ｍＷ ／ｃＪ）を照射し、（２４）および（２６）に
行い、非透光性領域とした。他方半導体のうちの特定の
番地（２５）は透光性領域として有している。
記憶の読み出しは第４図（Ｂ）に示しであるが所定の番
地に弱い赤外または近赤外光照射を半導体レーザ（例え
ば１．０μ＞＜３２）により行い、その赤外光をハーフ
ミラ−（３１）により半導体−）に照射した。そして照
射された領域の反則光（３８）の大小をフォトセンサ（
３０）により検出した。そして反射光の大きい場合を「
ｌ」、反射光のない（少ない）場合を１０」として情報
を光検出せしめた。
地に弱い赤外または近赤外光照射を半導体レーザ（例え
ば１．０μ＞＜３２）により行い、その赤外光をハーフ
ミラ−（３１）により半導体−）に照射した。そして照
射された領域の反則光（３８）の大小をフォトセンサ（
３０）により検出した。そして反射光の大きい場合を「
ｌ」、反射光のない（少ない）場合を１０」として情報
を光検出せしめた。
このタイムチャートは第５図に示しである。
即ち、第５図（Ａ＞、（Ｂ）が記憶の書込みである。
強光パルス照射（４７）、＜ ４８ ）により光ディス
クの一部に選択的に高光吸収領域（４４）、＜ ４６
）が第５図また記憶の書き換えはこのディスクを１３０
〜３００℃の温度例えば１８０℃に３０分間放置してす
べて低吸収領域として実施した。さらにこの書き換えを
１０．６μの炭素ガスレーザによる局部的照射により実
施してもよい。
クの一部に選択的に高光吸収領域（４４）、＜ ４６
）が第５図また記憶の書き換えはこのディスクを１３０
〜３００℃の温度例えば１８０℃に３０分間放置してす
べて低吸収領域として実施した。さらにこの書き換えを
１０．６μの炭素ガスレーザによる局部的照射により実
施してもよい。
また読み出しは第５図（ｃ ＞、＜ Ｄ ）に示されて
いるが、赤外レーザ（３７）を加えその反射光を第５図
（Ｄ）に示すごと＜ （３８）、＜３９）として得るこ
とができる。この時高光吸収領域部ち反射光の少ない番
地（３９）、および多い番地（３８）を第（図（Ｂ）の
開光軸型フォトセンサ（３３）により検出して、「０」
、「１」の光読み出しを可能とした。
いるが、赤外レーザ（３７）を加えその反射光を第５図
（Ｄ）に示すごと＜ （３８）、＜３９）として得るこ
とができる。この時高光吸収領域部ち反射光の少ない番
地（３９）、および多い番地（３８）を第（図（Ｂ）の
開光軸型フォトセンサ（３３）により検出して、「０」
、「１」の光読み出しを可能とした。
即ちこの光メモリ （プログラムＲＯＭ ’）は光照射
のみによりレコード板状のディスクの一部を高光吸収領
域とし、他部を相対的に低光吸収領域としたもので、ま
た読み出しも番地の指定を光にて行い、読み出しを同軸
の反射光とするため、非接触の光読み出しを可能とした
。このため、いわゆる光書込み、光または熱の書き換え
の可能なかつ非接触の光読み出しをするＲＯＭを作るこ
とができた。
のみによりレコード板状のディスクの一部を高光吸収領
域とし、他部を相対的に低光吸収領域としたもので、ま
た読み出しも番地の指定を光にて行い、読み出しを同軸
の反射光とするため、非接触の光読み出しを可能とした
。このため、いわゆる光書込み、光または熱の書き換え
の可能なかつ非接触の光読み出しをするＲＯＭを作るこ
とができた。
この発明は従来より知られた基板の一部を選択的に除去
して形成させる書き換え不ＩＩＪ能なマスク型の光デイ
スクメモリとはまったく原理を異にしている。さらにそ
の記憶情報の書き換えが＋Ｕ （ｉｌであり、また、不
揮発性であることより大容量の光デイスクメモリとして
理想的であることが判明した。
して形成させる書き換え不ＩＩＪ能なマスク型の光デイ
スクメモリとはまったく原理を異にしている。さらにそ
の記憶情報の書き換えが＋Ｕ （ｉｌであり、また、不
揮発性であることより大容量の光デイスクメモリとして
理想的であることが判明した。
以上の説明より明らかなどと（、Ｏ，Ｉ＋のみを添加し
たに加え、１価またはＶ価の不純物を加えると光照射係
数が約１桁以上も向上し、その結果、読み出し用の夜の
照射光強度量が少なくとも１０」ｒＬＪの判定が可能に
なった。また逆というならば読み出しの際のｒＯＪ ｒ
ｌＪの判定がじやすくなった。なお本発明は特にＰｌ、
Ｎｌ、ＰＮ、門Ｎ接合を設けなかった。しかしこれらの
接合を設り“ｉ’ｉ’Ｊ（Ｑの書き込みまたはその書き
換え等に電気エネルギを加えて光吸収係数を増大または
減少せしめることは有効である。さらに光書き込み、書
き直しのコントラストを増大させることにより、より高
精度の光メモリ等への応用が可能であり、さらに同一技
術思想に基づ（多くの応用が可能である。
たに加え、１価またはＶ価の不純物を加えると光照射係
数が約１桁以上も向上し、その結果、読み出し用の夜の
照射光強度量が少なくとも１０」ｒＬＪの判定が可能に
なった。また逆というならば読み出しの際のｒＯＪ ｒ
ｌＪの判定がじやすくなった。なお本発明は特にＰｌ、
Ｎｌ、ＰＮ、門Ｎ接合を設けなかった。しかしこれらの
接合を設り“ｉ’ｉ’Ｊ（Ｑの書き込みまたはその書き
換え等に電気エネルギを加えて光吸収係数を増大または
減少せしめることは有効である。さらに光書き込み、書
き直しのコントラストを増大させることにより、より高
精度の光メモリ等への応用が可能であり、さらに同一技
術思想に基づ（多くの応用が可能である。
なお第１図はアモルファス珪素の場合であるが、Ｇｅ、
ＧｅｘＳｉ＋−ｘ （０＜ ｘ ＜ １ ）のごとき非
単結晶化合物または混合物半導体であっても同様に実施
可能である。本発明のいう半導体とは酸素の添加量が大
きくなり、光照射効果の存在する範囲で半絶縁体をも含
むことはいうまでもない。また本発明において、長時間
の熱アニールを行うと保護膜（２）。
ＧｅｘＳｉ＋−ｘ （０＜ ｘ ＜ １ ）のごとき非
単結晶化合物または混合物半導体であっても同様に実施
可能である。本発明のいう半導体とは酸素の添加量が大
きくなり、光照射効果の存在する範囲で半絶縁体をも含
むことはいうまでもない。また本発明において、長時間
の熱アニールを行うと保護膜（２）。
および基板（３）と半導体（１）との界面における反応
も同時に起き、特性劣化をさせてしまう。
も同時に起き、特性劣化をさせてしまう。
そのため半導体（１）ば５ｉｘＣｌ−ｘ （０＜ｘ＜
ｔ ｘ−０，８）の構造を電極近傍で有せしめ、水素、
酸素が多量に添加された半導体層は内部とする構造がよ
り実用的であった。
ｔ ｘ−０，８）の構造を電極近傍で有せしめ、水素、
酸素が多量に添加された半導体層は内部とする構造がよ
り実用的であった。
かくのごとく、エネルギバンド的にヘテロ接合とするこ
とにより、１５０〜３００℃の高温度にて電極と半導体
との界面で絶縁性酸化珪素ができることを防ぐととがで
き、高信頼性をイｆ−１！ニジめることができた。
とにより、１５０〜３００℃の高温度にて電極と半導体
との界面で絶縁性酸化珪素ができることを防ぐととがで
き、高信頼性をイｆ−１！ニジめることができた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の非単結晶半導体を用いた半導体装置の
断面図である。 第２図は本発明の詳細な説明するためのエネルギバンド
図である。 第３図、４４図は非単結晶半導体の光吸収係数特性を示
す。 第５図は本発明の半導体装置の実施例を示す。 第６図は第４図の実施例に用いられたタイムチャートを
示す。 特許出願人 〕 卯 葛１霞 Ｖイ易、−イード；ヲ２托１噂しも４１フイｊ （ｃベ
ーＣす：ｊＩ！、４ｉｐ （Ａ） （β） ｖＪｓ図
断面図である。 第２図は本発明の詳細な説明するためのエネルギバンド
図である。 第３図、４４図は非単結晶半導体の光吸収係数特性を示
す。 第５図は本発明の半導体装置の実施例を示す。 第６図は第４図の実施例に用いられたタイムチャートを
示す。 特許出願人 〕 卯 葛１霞 Ｖイ易、−イード；ヲ２托１噂しも４１フイｊ （ｃベ
ーＣす：ｊＩ！、４ｉｐ （Ａ） （β） ｖＪｓ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ、非単結晶半導体の光の吸収を大きくせしめる第１の
工程と、光の吸収を小さく−ｕしめる第２の工程とを有
する半導体装置において、酸素および水素が添加された
珪素またはゲルマニュームを主成分とし、かつ周期律表
の■族およびＶ族より選ばれた不純物が５×１ＱＩ６〜
Ｉ Ｘ １０２１０２ｌヨ添加されたことを特徴とする
半導体メモリ装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、基板の一方の側か
ら照射された７５０ｎｍ〜５μの波長光の透過量または
反射量の多少を判断して半導体に記憶させた情報を読み
出すことを特徴とする半導体メモリ装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、６００ ｎｍ以下
の短波長光を照射して半導体の光の吸収を大きくする工
程と、５μ以上の長波長光の：！（（射または１２０〜
３００℃の熱アニールにより光の吸収を小さくする工程
とを有することを特徴とする半導体メモリ装置。 ４、特許請求の範囲第１項において、酸素は１×１０２
０〜５ Ｘ １０” ｃｒｈ−ヨ、水素は１〜３０原子
％含有することを特徴とする半導体メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196582A JPS6087443A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 光メモリ装置およびその書込み読み出し方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58196582A JPS6087443A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 光メモリ装置およびその書込み読み出し方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6087443A true JPS6087443A (ja) | 1985-05-17 |
| JPH041930B2 JPH041930B2 (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=16360135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58196582A Granted JPS6087443A (ja) | 1983-10-20 | 1983-10-20 | 光メモリ装置およびその書込み読み出し方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6087443A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4881326B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2012-02-22 | ローゼンベルガー ホーホフレクエンツテクニーク ゲーエムベーハー ウント ツェーオー．カーゲー | 電気接続システムにおける接続システム |
-
1983
- 1983-10-20 JP JP58196582A patent/JPS6087443A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4881326B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2012-02-22 | ローゼンベルガー ホーホフレクエンツテクニーク ゲーエムベーハー ウント ツェーオー．カーゲー | 電気接続システムにおける接続システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH041930B2 (ja) | 1992-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940006610B1 (ko) | 상 변화 물질을 가지는 데이타 저장 소자 | |
| Von Gutfeld et al. | Laser writing and erasing on chalcogenide films | |
| US4201798A (en) | Method of applying an antireflective coating to a solar cell | |
| Kim et al. | Fabrication of High‐Responsivity Sb2Se3‐Based Photodetectors through Selenization Process | |
| Li et al. | Cations Functionalized Carbon Nano‐Dots Enabling Interfacial Passivation and Crystallization Control for Inverted Perovskite Solar Cells | |
| JPS6120932B2 (ja) | ||
| US4855950A (en) | Optical storage apparatus including a reversible, doping modulated, multilayer, amorphous element | |
| Malyovanik et al. | Laser-induced optical changes in amorphous multilayers | |
| Chambouleyron et al. | Properties of chemically sprayed SnO2 antireflecting films on Si solar cells | |
| JPS6087443A (ja) | 光メモリ装置およびその書込み読み出し方式 | |
| US4156622A (en) | Tantalum oxide antireflective coating and method of forming same | |
| JPH0734267B2 (ja) | 可逆的光学情報記録媒体および記録再生方法 | |
| CN107369687B (zh) | 近红外光增强的ZnO基晶体管型存储器及其制备方法 | |
| JPS61241983A (ja) | 光起電力装置 | |
| US4900691A (en) | Method of fabrication for optical storage apparatus | |
| US4246337A (en) | Photosensitive medium for optical information storage | |
| JPH0471251B2 (ja) | ||
| JPS6087444A (ja) | 光メモリ装置およびその書込み読み出し方式 | |
| JP2652089B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS6059594A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| JP2675314B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0373937B2 (ja) | ||
| JPH01196116A (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製法 | |
| Akazawa | Formation of Si–Si bonds and precipitation of Si nanocrystals in vacuum-ultraviolet-irradiated a-SiO 2 films | |
| KR20110120543A (ko) | 양자점을 이용한 형광공명에너지전달-기반 태양전지 |