JPS608761A - エ−ジング装置 - Google Patents
エ−ジング装置Info
- Publication number
- JPS608761A JPS608761A JP58115857A JP11585783A JPS608761A JP S608761 A JPS608761 A JP S608761A JP 58115857 A JP58115857 A JP 58115857A JP 11585783 A JP11585783 A JP 11585783A JP S608761 A JPS608761 A JP S608761A
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- aging
- monitor
- driving current
- current
- time
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はエージング装置に係シ、特に半導体レーザダイ
オードの最適なエージングを行なうことができるエージ
ング装置に関する。
オードの最適なエージングを行なうことができるエージ
ング装置に関する。
一般に、半導体レーザダイオード（以下半導体レーザと
呼ぶ）のエージング装置は、半導体レーザを加熱槽によ
り高温にした状態で定電流駆動または定出力駆動を一定
時間行ない、半導体レーザの発光出力の低下量または駆
動電力の増加量をファクターとしてエージングの合否を
決定している。
呼ぶ）のエージング装置は、半導体レーザを加熱槽によ
り高温にした状態で定電流駆動または定出力駆動を一定
時間行ない、半導体レーザの発光出力の低下量または駆
動電力の増加量をファクターとしてエージングの合否を
決定している。
しかしながら、このエージング装置では、充分なエージ
ングができないことを発明者らは発見した。即ち１発明
者らは実験の結果、半導体レーザの劣化現象が、初期の
一定時間後に急激に変化し、従来の一定時間打切シのエ
ージングではその打切シ時間の設定のし方によってエー
ジング結果が異なり、適正なエージングができないこと
を発見した。
ングができないことを発明者らは発見した。即ち１発明
者らは実験の結果、半導体レーザの劣化現象が、初期の
一定時間後に急激に変化し、従来の一定時間打切シのエ
ージングではその打切シ時間の設定のし方によってエー
ジング結果が異なり、適正なエージングができないこと
を発見した。
この発明者らが発見した半導体レーザの劣化現象を第１
図を用すて説明する。第１図は定出力駆動のエージング
の場合、下記（１）式に示す電流増カロ率にとエージン
グ時間ｔとの関係を示すグラフ図である。
図を用すて説明する。第１図は定出力駆動のエージング
の場合、下記（１）式に示す電流増カロ率にとエージン
グ時間ｔとの関係を示すグラフ図である。
Ｋ ＝（：Ｉ（！ｌ ７ｎ〕／Ｉｏ −−１１１式ただ
しｒ（ｔ＋ ；エージング時間ｔにおける駆動電流 Ｉｏ；初期の駆動電流 この第１図を参照すれば明らかな如く、駆動電流の増加
率は、初期時間においてはエージング時間の１乗以上で
劣化するｆ＋モードと、ある時間経過後に１／２乗以下
で劣化するｆ２モードに移行する。従って前記した一定
時間打切りによるエージングでは、ｆ、モードのみで合
否の判定を行ない、途中からｆ、モードの緩慢な劣化に
移行することを考慮せずにエージング不良として過剰ス
クリーニングを行なったシ、逆にエージングを１１モー
ドの途中で止めることにより、市場に出た製品がしばら
＜ｆ、モードの急激な劣化をしてシステムから見たとき
のエージング不足としての不具合が発生していた。
しｒ（ｔ＋ ；エージング時間ｔにおける駆動電流 Ｉｏ；初期の駆動電流 この第１図を参照すれば明らかな如く、駆動電流の増加
率は、初期時間においてはエージング時間の１乗以上で
劣化するｆ＋モードと、ある時間経過後に１／２乗以下
で劣化するｆ２モードに移行する。従って前記した一定
時間打切りによるエージングでは、ｆ、モードのみで合
否の判定を行ない、途中からｆ、モードの緩慢な劣化に
移行することを考慮せずにエージング不良として過剰ス
クリーニングを行なったシ、逆にエージングを１１モー
ドの途中で止めることにより、市場に出た製品がしばら
＜ｆ、モードの急激な劣化をしてシステムから見たとき
のエージング不足としての不具合が発生していた。
本発明の目的は、半導体レーザのエージングにおいて、
上記した過剰スクリーニングやエージング不足をなくシ
、有効かつ適切なエージングを行なうことができるエー
ジング装置を提供することである。
上記した過剰スクリーニングやエージング不足をなくシ
、有効かつ適切なエージングを行なうことができるエー
ジング装置を提供することである。
上記目的を達成するために本発明によるエージング装置
は、所定の環境条件１例えば高温条件において時ｍＪ経
過によって特性の劣化が大きいモードから少ないモード
に移行する被エージング体１例えば半導体レーザをエー
ジングする際、大きな劣化モードから少ない劣イヒモー
ドに移行したことを検出したときにエージングを停止す
ることを特徴とする６ 〔発明の実施例〕 以下本発明の一実施例を第２図を用いて詳細に説明する
。第２図は本実施例による半導体レーザのエージング装
置を示すブロック図である、第２図に示す装置は、半導
体レーザ１を所定温度まで加熱する加熱槽２と、この加
熱された状態の半導体レーザ１の発光出力６を受光して
その出力を測定するパワーモニタ４と、該モニタ４の測
定結果をフィードバックして半導体レーザ１の発光出力
を一定値に保つ定出力駆動電源５と、該電源５の駆動電
流１ （ｔｌを測定する電流゛モニタ６と、該電流モニ
タ６から得られる駆動電流１ （ｔｌのデータ処理を行
ない、駆動電流ｌ１ｔｌの増加率Ｋがエージング時間ｔ
の１／２乗以下であるかどうかを判定し、増加率Ｋが時
間ｔの１／２乗以下であることを判定した際に全エージ
ング操作の停止を指示する制御回路７とから構成されて
いる。
は、所定の環境条件１例えば高温条件において時ｍＪ経
過によって特性の劣化が大きいモードから少ないモード
に移行する被エージング体１例えば半導体レーザをエー
ジングする際、大きな劣化モードから少ない劣イヒモー
ドに移行したことを検出したときにエージングを停止す
ることを特徴とする６ 〔発明の実施例〕 以下本発明の一実施例を第２図を用いて詳細に説明する
。第２図は本実施例による半導体レーザのエージング装
置を示すブロック図である、第２図に示す装置は、半導
体レーザ１を所定温度まで加熱する加熱槽２と、この加
熱された状態の半導体レーザ１の発光出力６を受光して
その出力を測定するパワーモニタ４と、該モニタ４の測
定結果をフィードバックして半導体レーザ１の発光出力
を一定値に保つ定出力駆動電源５と、該電源５の駆動電
流１ （ｔｌを測定する電流゛モニタ６と、該電流モニ
タ６から得られる駆動電流１ （ｔｌのデータ処理を行
ない、駆動電流ｌ１ｔｌの増加率Ｋがエージング時間ｔ
の１／２乗以下であるかどうかを判定し、増加率Ｋが時
間ｔの１／２乗以下であることを判定した際に全エージ
ング操作の停止を指示する制御回路７とから構成されて
いる。
この様に構成されたエージング装置は、まず半導体レー
ザ１ｆｔ加熱槽２によシ所定温度に加熱し、パワーモニ
タ４及び定出力駆動電源５を駆動してエージングを開始
する。本装置は、エージング開始初期の駆動電流Ｉ。を
電流モニタ６で検出して制御回路７に記憶し、以下電流
モニタ６によって適当な時間間隔でエージング中の半導
体レーザ１の駆動電流を逐次モニタし、制御回路７に送
信する。制御回路７は、を流モニタ６から得られる最新
のモニタ時間ｔｉにおける駆動電流１（ｔｔ）と、その
前のモニタ時間ｔｉ−１における駆動電流！ （ｔｉ−
１）及び初期駆動電流Ｉｏとをファクターとして、下記
（２）式に示す駆動電流率増加指数ｍｉｉ算出し、この
増加指数ｒｎｉが１７２以下にシった場合、エージング
の停止を指示してエージングを終了する。
ザ１ｆｔ加熱槽２によシ所定温度に加熱し、パワーモニ
タ４及び定出力駆動電源５を駆動してエージングを開始
する。本装置は、エージング開始初期の駆動電流Ｉ。を
電流モニタ６で検出して制御回路７に記憶し、以下電流
モニタ６によって適当な時間間隔でエージング中の半導
体レーザ１の駆動電流を逐次モニタし、制御回路７に送
信する。制御回路７は、を流モニタ６から得られる最新
のモニタ時間ｔｉにおける駆動電流１（ｔｔ）と、その
前のモニタ時間ｔｉ−１における駆動電流！ （ｔｉ−
１）及び初期駆動電流Ｉｏとをファクターとして、下記
（２）式に示す駆動電流率増加指数ｍｉｉ算出し、この
増加指数ｒｎｉが１７２以下にシった場合、エージング
の停止を指示してエージングを終了する。
工仁■上も−
ｍｉ＝〔ｌｏｇ 〕ｌｔｏ毎百聞−・−（２＋式％式％
） 即ち１本実施例によるエージング装置は、第１図に示し
た半導体レーザの劣化が１乗以上で移行するｆ１モード
が終了したことを検出し、この時点でエージングを終了
するため、ニージンクツ過不足のない適正な半導体レー
ザのエージングを行なうことができる。尚１本実施例に
おいては、半導体レーザ用のエージング装置にっ込て説
明したが一木発明けこれに限られるものではなく、特性
がエージング途中から変化する全ての被エージング体に
対して有効である。
） 即ち１本実施例によるエージング装置は、第１図に示し
た半導体レーザの劣化が１乗以上で移行するｆ１モード
が終了したことを検出し、この時点でエージングを終了
するため、ニージンクツ過不足のない適正な半導体レー
ザのエージングを行なうことができる。尚１本実施例に
おいては、半導体レーザ用のエージング装置にっ込て説
明したが一木発明けこれに限られるものではなく、特性
がエージング途中から変化する全ての被エージング体に
対して有効である。
以下述べた如く本発明によれば、急激な劣化を示す初期
のｆ、モードが終了した時点でエージングを終了するた
め、過不足のない適正なエージングを行なうことができ
ると共に、この二一ジンクを終了した後の被エージング
体を製品に組み込むため、被エージング体の劣化が少な
い安定した製品を提供することができる。
のｆ、モードが終了した時点でエージングを終了するた
め、過不足のない適正なエージングを行なうことができ
ると共に、この二一ジンクを終了した後の被エージング
体を製品に組み込むため、被エージング体の劣化が少な
い安定した製品を提供することができる。
第１図は半導体レーザの劣化特性を示すグラフ図であシ
、第２図は本発明によるエージング装部の一実施例を示
すブロック図である。
、第２図は本発明によるエージング装部の一実施例を示
すブロック図である。
Claims (1)
- 所定の環境条件において時間経過によシ特性の劣化が大
きい劣化モードから少ない劣化モードに移行する被エー
ジング体のエージングを行なうエージング装置であって
、前記大きい劣化モードから少ない劣化モードに移行し
たことを検出する手段を設け、該手段の検出出力により
エージングを停止することを特徴とするエージング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115857A JPS608761A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | エ−ジング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115857A JPS608761A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | エ−ジング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608761A true JPS608761A (ja) | 1985-01-17 |
Family
ID=14672855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115857A Pending JPS608761A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | エ−ジング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608761A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61235769A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | Nippon Eng Kk | 半導体レ−ザのエ−ジング又はスクリ−ニング方法及び装置 |
| JPS6345861U (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-28 | ||
| WO1996030977A1 (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58115857A patent/JPS608761A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61235769A (ja) * | 1985-04-11 | 1986-10-21 | Nippon Eng Kk | 半導体レ−ザのエ−ジング又はスクリ−ニング方法及び装置 |
| JPS6345861U (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-28 | ||
| WO1996030977A1 (en) * | 1995-03-31 | 1996-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
| US6072817A (en) * | 1995-03-31 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
| US6081541A (en) * | 1995-03-31 | 2000-06-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
| US6141364A (en) * | 1995-03-31 | 2000-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
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