JPH01189889A - エレクトロルミネセンス装置の製造方法及びこの製造に用いる特性安定化装置 - Google Patents
エレクトロルミネセンス装置の製造方法及びこの製造に用いる特性安定化装置Info
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- JPH01189889A JPH01189889A JP63013335A JP1333588A JPH01189889A JP H01189889 A JPH01189889 A JP H01189889A JP 63013335 A JP63013335 A JP 63013335A JP 1333588 A JP1333588 A JP 1333588A JP H01189889 A JPH01189889 A JP H01189889A
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 title 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims abstract description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 9
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 9
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 8
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばエレクトロルミネセンス表示パネル等
の装置にエージング処理を施して、印加電圧対発光輝度
特性の安定化を図るエレクトロルミネセンス装置の製造
方法及びこの製造に用いる特性安定化装置に関するもの
である。
の装置にエージング処理を施して、印加電圧対発光輝度
特性の安定化を図るエレクトロルミネセンス装置の製造
方法及びこの製造に用いる特性安定化装置に関するもの
である。
従来より、発光層の一方の面に透明電極を、他方の面に
背面電極を備えたエレクトロルミネセンス表示パネル（
以下ＥＬパネルと称する）が種々実用化されている。第
２図は二重絶縁薄膜型ＥＬパネルの断面構成の一例を概
略的に示した構成図である。同図において、２１はガラ
ス基板、２２は透明電極、２３はＳｉＯ２、Ｔａ２０５
等からなる第一絶縁層、２４は例えばＺｎＳにＭｎをド
ープして形成された発光層、２５は第一絶縁層２３と同
じ材質よりなる第二絶縁層、２６は背面電極である。こ
のＥＬパネルはガラス基板２１上に透明電極２２、第一
絶縁層２３、発光層２４、第二絶縁層２５及び背面′ｒ
！：ｈ極２６が順に積層された構造となっている。尚、
２７はガラス基板２１上に上記積層構造を包むように設
けられた封止ガラス、２８は封止ガラス２７の注入口を
封止する封止板であり、封止ガラス２７内には防湿用オ
イル２９が注入されている。
背面電極を備えたエレクトロルミネセンス表示パネル（
以下ＥＬパネルと称する）が種々実用化されている。第
２図は二重絶縁薄膜型ＥＬパネルの断面構成の一例を概
略的に示した構成図である。同図において、２１はガラ
ス基板、２２は透明電極、２３はＳｉＯ２、Ｔａ２０５
等からなる第一絶縁層、２４は例えばＺｎＳにＭｎをド
ープして形成された発光層、２５は第一絶縁層２３と同
じ材質よりなる第二絶縁層、２６は背面電極である。こ
のＥＬパネルはガラス基板２１上に透明電極２２、第一
絶縁層２３、発光層２４、第二絶縁層２５及び背面′ｒ
！：ｈ極２６が順に積層された構造となっている。尚、
２７はガラス基板２１上に上記積層構造を包むように設
けられた封止ガラス、２８は封止ガラス２７の注入口を
封止する封止板であり、封止ガラス２７内には防湿用オ
イル２９が注入されている。
上記構成において、透明な極２２と背面電極２６との間
に交流電圧を印加すると、発光層２４が発光しガラス基
板２１の前方に光りを出射する。
に交流電圧を印加すると、発光層２４が発光しガラス基
板２１の前方に光りを出射する。
この時の発光現象は、発光層２４を高電界中に置くこと
によって発光層２４中のキャリアを加速し、キャリアを
発光中心に衝突させて励起状態にし、発光中心が励起状
態から基底状態に遷移するときのエネルギー放出による
ものである。
によって発光層２４中のキャリアを加速し、キャリアを
発光中心に衝突させて励起状態にし、発光中心が励起状
態から基底状態に遷移するときのエネルギー放出による
ものである。
ところで、ＥＬパネルにおいては、製作直後の印加電圧
対発光輝度特性（以下Ｖ−Ｂ特性と称する）が安定しな
いことが知られている。第３図にはＥＬパネルのＶ−Ｂ
特性が示されており、曲線ａはＥＬパネル製作直後の特
性を、曲線すはある時間エージングをした後の特性を示
している。同図に示されるように、Ｉ Ｃｄ ／ ｒｒ
ｒの発光輝度を得るためのしきい値電圧は製作直後■ｔ
１でありが、エージング後には高圧側にシフトしてｖｔ
２になる。
対発光輝度特性（以下Ｖ−Ｂ特性と称する）が安定しな
いことが知られている。第３図にはＥＬパネルのＶ−Ｂ
特性が示されており、曲線ａはＥＬパネル製作直後の特
性を、曲線すはある時間エージングをした後の特性を示
している。同図に示されるように、Ｉ Ｃｄ ／ ｒｒ
ｒの発光輝度を得るためのしきい値電圧は製作直後■ｔ
１でありが、エージング後には高圧側にシフトしてｖｔ
２になる。
即ち、ＥＬパネルは当初電圧Ｖ１１で点灯していたにも
かかわらず、エージングととともに徐々に暗くなる。そ
こで、ＥＬパネルは製作後にエージングを行い、Ｖ−Ｂ
特性の安定化処理（シフトエージング処理）を施してい
た。このシフトエージング処理は短時間で効果的に行わ
れることが好ましく、従来はＥＬパネルを例えば温度環
境８０’Ｃの恒温槽に設置して、駆動周波数を１００〜
５００Ｈｚ、電圧を発光しきい値電圧に２０〜６０Ｖを
加算した値としてエージング処理の高効率化を図ってい
た。
かかわらず、エージングととともに徐々に暗くなる。そ
こで、ＥＬパネルは製作後にエージングを行い、Ｖ−Ｂ
特性の安定化処理（シフトエージング処理）を施してい
た。このシフトエージング処理は短時間で効果的に行わ
れることが好ましく、従来はＥＬパネルを例えば温度環
境８０’Ｃの恒温槽に設置して、駆動周波数を１００〜
５００Ｈｚ、電圧を発光しきい値電圧に２０〜６０Ｖを
加算した値としてエージング処理の高効率化を図ってい
た。
しかしながら、斯かる従来例においては、ＥＬパネルの
置かれている温度環境を一定に設定しているため、ＥＬ
パネルの温度はＥＬパネル自体の発熱量により変動して
いた。従って、温度環境を一定に設定した場合にはＥＬ
パネルの温度が上昇し過ぎパネル内の画素に損傷が生じ
易くなり、製造歩留りが低下するという問題点があった
。
置かれている温度環境を一定に設定しているため、ＥＬ
パネルの温度はＥＬパネル自体の発熱量により変動して
いた。従って、温度環境を一定に設定した場合にはＥＬ
パネルの温度が上昇し過ぎパネル内の画素に損傷が生じ
易くなり、製造歩留りが低下するという問題点があった
。
また、ＥＬパネル自体の発熱量を考慮して予め温度環境
を低く設定することも考えられるが、ＥＬパネルの種類
により発熱量が異なるため、適正な温度設定は龍しく、
余裕をみて温度環境を低く設定し過ぎるとエージングの
処理時間が長くなり生産効率の低下を招くという問題点
があった。
を低く設定することも考えられるが、ＥＬパネルの種類
により発熱量が異なるため、適正な温度設定は龍しく、
余裕をみて温度環境を低く設定し過ぎるとエージングの
処理時間が長くなり生産効率の低下を招くという問題点
があった。
そこで、本発明は従来技術の上記した問題点を解決する
ためになされたもので、その目的とするところは、エレ
クトロルミネセンス装置に損傷をもたらさない適正なエ
ージング条件の設定と、効率的な特性安定化処理を可能
としたエレクトロルミネセンス装置の製造方法及びこの
Ｉ！！遺に用いる特性安定化装置を提供することにある
。
ためになされたもので、その目的とするところは、エレ
クトロルミネセンス装置に損傷をもたらさない適正なエ
ージング条件の設定と、効率的な特性安定化処理を可能
としたエレクトロルミネセンス装置の製造方法及びこの
Ｉ！！遺に用いる特性安定化装置を提供することにある
。
上記の目的を達成するために、本発明に係るエレクトロ
ルミネセンス装置の製造方法は、発光層と、この発光層
の一方の面に備えられた透明電極と、他方の面に備えら
れた背面電極とを有するエレクトロルミネセンス装置を
用意する工程と、上記エレクトロルミネセンス装置の環
境温度を上昇させる加熱手段を用意する工程と、上記加
熱手段の駆動により上昇した環境温度のもとで、上記エ
レクトロルミネセンス装置を所定の電圧及び所定の周波
数で駆動させてエージングを行う工程とを有し、上記エ
ージングを行う工程において、エレクトロルミネセンス
装置の表面温度を検出し、この検出結果に基づいて上記
加熱手段の駆動を制御することを特徴としている。
ルミネセンス装置の製造方法は、発光層と、この発光層
の一方の面に備えられた透明電極と、他方の面に備えら
れた背面電極とを有するエレクトロルミネセンス装置を
用意する工程と、上記エレクトロルミネセンス装置の環
境温度を上昇させる加熱手段を用意する工程と、上記加
熱手段の駆動により上昇した環境温度のもとで、上記エ
レクトロルミネセンス装置を所定の電圧及び所定の周波
数で駆動させてエージングを行う工程とを有し、上記エ
ージングを行う工程において、エレクトロルミネセンス
装置の表面温度を検出し、この検出結果に基づいて上記
加熱手段の駆動を制御することを特徴としている。
また、エレクトロルミネセンス装置の製造に用いる特性
安定化装置は、エレクトロルミネセンス装置を収容する
収容部と、上記収容部に収容されたエレクトロルミネセ
ンス装置を駆動させる駆動手段と、上記収容部内を加熱
する加熱手段と、上記エレクトロルミネセンス装置の表
面温度を検出する温度検出手段と、上記駆動手段により
エレクトロルミネセンス装置を駆動させてエージングを
行う際に、上記温度検出手段の検出結果に基づいて上記
加熱手段の駆動を制御する制御手段とを有することを特
徴としている。
安定化装置は、エレクトロルミネセンス装置を収容する
収容部と、上記収容部に収容されたエレクトロルミネセ
ンス装置を駆動させる駆動手段と、上記収容部内を加熱
する加熱手段と、上記エレクトロルミネセンス装置の表
面温度を検出する温度検出手段と、上記駆動手段により
エレクトロルミネセンス装置を駆動させてエージングを
行う際に、上記温度検出手段の検出結果に基づいて上記
加熱手段の駆動を制御する制御手段とを有することを特
徴としている。
本発明の製造方法においては、エレクトロルミネセンス
装置のエージングを行う工程において、エレクトロルミ
ネセンス装置の表面温度を検出し、この検出結果に基づ
いて加熱手段の駆動を制御している。従って、加熱手段
の動作はエレクトロルミネセンス装置の置かれている環
境温度に基づいてではなく、エレクトロルミネセンス装
置の表面温度に基づいて制御されることとなる。このた
め、エレクトロルミネセンス装置の駆動による発熱がも
たらす温度上昇をも考慮した適正な温度設定が可能とな
り、エージングは短い時間でしかも過剰加熱による損傷
を防止しつつ行なわれることとなる。
装置のエージングを行う工程において、エレクトロルミ
ネセンス装置の表面温度を検出し、この検出結果に基づ
いて加熱手段の駆動を制御している。従って、加熱手段
の動作はエレクトロルミネセンス装置の置かれている環
境温度に基づいてではなく、エレクトロルミネセンス装
置の表面温度に基づいて制御されることとなる。このた
め、エレクトロルミネセンス装置の駆動による発熱がも
たらす温度上昇をも考慮した適正な温度設定が可能とな
り、エージングは短い時間でしかも過剰加熱による損傷
を防止しつつ行なわれることとなる。
エレクトロルミネセンス装置の製造に用いる特性安定化
装置においては、収容部にその内部を加熱する加熱手段
とエレクトロルミネセンス装置の表面温度を検出する温
度検出手段とが備えられており、制御手９段は温度検出
手段の検出結果に基づいて加熱手段の駆動を制御する。
装置においては、収容部にその内部を加熱する加熱手段
とエレクトロルミネセンス装置の表面温度を検出する温
度検出手段とが備えられており、制御手９段は温度検出
手段の検出結果に基づいて加熱手段の駆動を制御する。
従って、加熱手段の駆動は収容部の内部温度に基づいて
ではなく、エレクトロルミネセンス装置の表面温度に基
づいて制御されることとなる。
ではなく、エレクトロルミネセンス装置の表面温度に基
づいて制御されることとなる。
以下に本発明を図示の実施例に基づいて説明する。第１
図は本発明に係るエレクトロルミネセンス装置の製造に
用いる特性安定化装置１のブロック図である。同図にお
いて、２０はエレクトロルミネセンス装置としてのＥＬ
パネルであり、このＥＬパネル２０は第２図に示したも
のと同様な断面構成を有している。このＥＬパネル２０
はＸ方向に配列されたＭ列の線状の透明電極２２とＹ方
向に配列されたＮ列の線状の背面電極２６とを有してお
り、両方の電極２２と２６との対向箇所毎に画素が形成
されている。
図は本発明に係るエレクトロルミネセンス装置の製造に
用いる特性安定化装置１のブロック図である。同図にお
いて、２０はエレクトロルミネセンス装置としてのＥＬ
パネルであり、このＥＬパネル２０は第２図に示したも
のと同様な断面構成を有している。このＥＬパネル２０
はＸ方向に配列されたＭ列の線状の透明電極２２とＹ方
向に配列されたＮ列の線状の背面電極２６とを有してお
り、両方の電極２２と２６との対向箇所毎に画素が形成
されている。
また、２はＥＬパネル２０の収容槽（収容部）であり、
収容槽２はエージング対象としてのＢＬパネル２０を収
容して、ＥＬパネル２０に適正な環境温度を提供する。
収容槽２はエージング対象としてのＢＬパネル２０を収
容して、ＥＬパネル２０に適正な環境温度を提供する。
３及び４はＥＬパネル２０の駆動手段としてのＸドライ
バ回路及びＹドライバ回路、５はＸドライバ回路３及び
Ｙドライバ回ＦＩ＠４に電力を供給する高圧電源、６は
高圧電源５の出力電圧を制御する高圧制御回路、７はＸ
ドライバ回路３及びＹドライバ回路４の駆動を制御する
駆動制御回路である。
バ回路及びＹドライバ回路、５はＸドライバ回路３及び
Ｙドライバ回ＦＩ＠４に電力を供給する高圧電源、６は
高圧電源５の出力電圧を制御する高圧制御回路、７はＸ
ドライバ回路３及びＹドライバ回路４の駆動を制御する
駆動制御回路である。
一方、８はＥＬパネル２０の表面に接触配置される温度
センサ（温度検出手段）、９は温度センサ８の出力をデ
ジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路、ｌＯは加熱し−タ
（加熱手段）、１１は加熱し−タ１０の駆動を制御する
温度制御回路である。
センサ（温度検出手段）、９は温度センサ８の出力をデ
ジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路、ｌＯは加熱し−タ
（加熱手段）、１１は加熱し−タ１０の駆動を制御する
温度制御回路である。
また、１２は中央制御装置（以下ＣＰＵと称する）であ
り、このＣＰＵ１２は高圧制御回路６、駆動制御回路７
及び温度制御回路１１と件に特性安定化装置１全体の制
御をつかさどる。
り、このＣＰＵ１２は高圧制御回路６、駆動制御回路７
及び温度制御回路１１と件に特性安定化装置１全体の制
御をつかさどる。
上記構成を有する特性安定化装置１を用いて、ＥＬパネ
ル２０のエージングは次のように実施される。
ル２０のエージングは次のように実施される。
先ず、ＥＬパネル２０を収容槽２の所定位置にセットし
、コネクタ（図示せず）により透明電極をＸドライバ回
路３と、背面電極をＹドライバ回路４と接続する。そし
て、ＥＬパネル２０の表面に温度センサ（例えば、熱電
対）８を接触させて固定する。尚、例えは収容槽２内に
カイトレールを設け、このガイドレールに沿ってＥＬパ
ネル２０を挿入可能にすると共に、収容槽２内にコネク
タと温度センサ８を備え付けて、ＥＬパネル２０の収容
ＷＪ２への挿入と同時にコネクタの接続及び温度センサ
８の接触固定とがなされるｉｌｍとしてもよい。
、コネクタ（図示せず）により透明電極をＸドライバ回
路３と、背面電極をＹドライバ回路４と接続する。そし
て、ＥＬパネル２０の表面に温度センサ（例えば、熱電
対）８を接触させて固定する。尚、例えは収容槽２内に
カイトレールを設け、このガイドレールに沿ってＥＬパ
ネル２０を挿入可能にすると共に、収容槽２内にコネク
タと温度センサ８を備え付けて、ＥＬパネル２０の収容
ＷＪ２への挿入と同時にコネクタの接続及び温度センサ
８の接触固定とがなされるｉｌｍとしてもよい。
次に、図示しない操作スイッチによりエージングの開始
を指令すると、ＣＰＵ１２は内蔵している制御プログラ
ムに基づいた制御信号を高圧制御回路６、駆動制御回路
７及び温度制御回路１１に出力する。高圧制御回路６は
ＣＰＵ１２からの制御信号に基づいた電圧を高圧電源５
に出力させる。
を指令すると、ＣＰＵ１２は内蔵している制御プログラ
ムに基づいた制御信号を高圧制御回路６、駆動制御回路
７及び温度制御回路１１に出力する。高圧制御回路６は
ＣＰＵ１２からの制御信号に基づいた電圧を高圧電源５
に出力させる。
駆動制御回路７は駆動信号をＸドライバ回路３とＹドラ
イバ回路４に出力してＥＬパネル２０の選択された画素
を発光させる。第４図は駆動信号の一例を示す波形図で
あり、同図において、Ｔは駆動周期、ＴＤは交番周期、
Ｔ引及びＴＷ２はパルス幅、Ｖａｌ及びＶａ２は印加電
圧を示ず。
イバ回路４に出力してＥＬパネル２０の選択された画素
を発光させる。第４図は駆動信号の一例を示す波形図で
あり、同図において、Ｔは駆動周期、ＴＤは交番周期、
Ｔ引及びＴＷ２はパルス幅、Ｖａｌ及びＶａ２は印加電
圧を示ず。
この時、ＣＰＵ１２には温度センサ８が検出しＡ／Ｄ変
換回路９により２値化され表面温度信号が入力され、温
度制御回路１１はＣＰＵ１２からの制御信号に基づき、
加熱し−タ１０の駆動を制御する。
換回路９により２値化され表面温度信号が入力され、温
度制御回路１１はＣＰＵ１２からの制御信号に基づき、
加熱し−タ１０の駆動を制御する。
従って、加熱し−タ１０の駆動は環境温度に基づいてで
はなく、ＥＬパネル２０の表面温度に基づいて制御され
ることとなる。このため、ＥＬパネル２０の駆動による
発熱がもたらす温度上昇をも考慮した適正な温度設定が
可能となり、短い時間でしかも過剰加熱による損傷を防
止しつつエージングを行うことが可能となる。
はなく、ＥＬパネル２０の表面温度に基づいて制御され
ることとなる。このため、ＥＬパネル２０の駆動による
発熱がもたらす温度上昇をも考慮した適正な温度設定が
可能となり、短い時間でしかも過剰加熱による損傷を防
止しつつエージングを行うことが可能となる。
次に、ＥＬパネル２０の表面温度と、ＥＬパネル２０の
Ｖ−Ｂ特性の安定化処理時間との関係を、印加電圧をパ
ラメータとして調べた結果について説明する。ここで、
ＥＬパネル２０の特性か安定化したか否かの判断はしき
い値電圧のシフトがなくなった時点により行うものとす
る。
Ｖ−Ｂ特性の安定化処理時間との関係を、印加電圧をパ
ラメータとして調べた結果について説明する。ここで、
ＥＬパネル２０の特性か安定化したか否かの判断はしき
い値電圧のシフトがなくなった時点により行うものとす
る。
第５図はＥＬパネル２０の表面温度と、ＥＬパネル２０
のＶ−Ｂ特性の安定化処理時間との関係を、印加電圧を
パラメータとして調べた結果を両対数グラフに示した特
性曲線図である。Ｖ−Ｂ特性はＥＬパネル２０の表面温
度６０．８０．１００℃においてエージングを行ったと
きに輝度特性が安定するまでの時間（しきい値電圧のシ
フトがなくなった時点）を測定して行い、印加電圧をし
きい値電圧Ｖ とした場合Ａ、印加電圧を（■ｔｈｈ ＋３０）Ｖとした場合Ｂ及び印加電圧を（■ｔｈ＋６０
）■とした場合Ｃについて実施した。同図より、ＥＬパ
ネル２０の表面温度が高いほど、またＥＬパネル２０の
印加電圧が高いほど安定化処理時間を短縮することがで
きることがわかる。但し、過度の高温環境、高電圧印加
はＥＬパネル２０の損傷発生率の上昇を招くので、実際
のエージングではＥＬパネルの特性、要求される製造歩
留り及びエージング処理の効率等に応じて条件を設定す
る必要があり、一般に表面温度は８０℃以下に設定する
ことが望ましい。
のＶ−Ｂ特性の安定化処理時間との関係を、印加電圧を
パラメータとして調べた結果を両対数グラフに示した特
性曲線図である。Ｖ−Ｂ特性はＥＬパネル２０の表面温
度６０．８０．１００℃においてエージングを行ったと
きに輝度特性が安定するまでの時間（しきい値電圧のシ
フトがなくなった時点）を測定して行い、印加電圧をし
きい値電圧Ｖ とした場合Ａ、印加電圧を（■ｔｈｈ ＋３０）Ｖとした場合Ｂ及び印加電圧を（■ｔｈ＋６０
）■とした場合Ｃについて実施した。同図より、ＥＬパ
ネル２０の表面温度が高いほど、またＥＬパネル２０の
印加電圧が高いほど安定化処理時間を短縮することがで
きることがわかる。但し、過度の高温環境、高電圧印加
はＥＬパネル２０の損傷発生率の上昇を招くので、実際
のエージングではＥＬパネルの特性、要求される製造歩
留り及びエージング処理の効率等に応じて条件を設定す
る必要があり、一般に表面温度は８０℃以下に設定する
ことが望ましい。
以上説明したように、本発明の製造方法によれば、エー
ジングを行う工程において、エレクトロルミネセンス装
置の表面温度を検出し、この検出結果に基づいて加熱手
段の駆動を制御している。
ジングを行う工程において、エレクトロルミネセンス装
置の表面温度を検出し、この検出結果に基づいて加熱手
段の駆動を制御している。
従って、エレクトロルミネセンス装置はその表面温度に
基づいて駆動を制御されることとなり、駆動による発熱
がもならず温度上昇をも考慮した適正な温度設定が可能
となる。よって、エージングは短い時間でしかも過剰加
熱による損傷を防止しつつ行なわれることとなり、製造
歩留りの向上及びエージング処理の高効率化を達成でき
る。
基づいて駆動を制御されることとなり、駆動による発熱
がもならず温度上昇をも考慮した適正な温度設定が可能
となる。よって、エージングは短い時間でしかも過剰加
熱による損傷を防止しつつ行なわれることとなり、製造
歩留りの向上及びエージング処理の高効率化を達成でき
る。
また、エレクトロルミネセンス装置の製造に用いる特性
安定化装置によれば、エージング処理作業が容易になり
、製造歩留りの向上及びエージング処理の高効率化を容
易に達成することができるという効果が得られる。
安定化装置によれば、エージング処理作業が容易になり
、製造歩留りの向上及びエージング処理の高効率化を容
易に達成することができるという効果が得られる。
第１図は本発明に係るエレクトロルミネセンス装置の特
性安定化装置の一実施例を示すブロック図、 第２図は従来及び本実施例におけるＥＬパネルの概略構
成図、 第３図はＥＬパネルの印加電圧対発光輝度特性のエージ
ング時間による変化を示すグラフ、第４図は駆動信号の
一例を示す波形図、第５図はＥＬパネルの表面温度と安
定化処理時間の関係を示す特性曲線図である。 １・・・特性安定化装置、２・・・収容槽（収容部）、
３・・・Ｘドライバ回路、４・・・Ｙドラ４８回路、８
・・・温度センサ（温度検出手段）、９・・・Ａ／Ｄ変
換器、ｌＯ・・・加熱ヒータ（加熱手段）、１１・・・
温度制御回路、１２・・・ＣＰＵ（中央制御装置）、２
０・・・ＥＬパネル（エレクトロルミネセンス装置）。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 前 １） 実 ２．８ 些 ｊ Ｌ Ｌ トＬ ＥＬパネルも刊記亀劉處成口 第２図 ｐ／７ｏｔＦＬ（ｖ）
性安定化装置の一実施例を示すブロック図、 第２図は従来及び本実施例におけるＥＬパネルの概略構
成図、 第３図はＥＬパネルの印加電圧対発光輝度特性のエージ
ング時間による変化を示すグラフ、第４図は駆動信号の
一例を示す波形図、第５図はＥＬパネルの表面温度と安
定化処理時間の関係を示す特性曲線図である。 １・・・特性安定化装置、２・・・収容槽（収容部）、
３・・・Ｘドライバ回路、４・・・Ｙドラ４８回路、８
・・・温度センサ（温度検出手段）、９・・・Ａ／Ｄ変
換器、ｌＯ・・・加熱ヒータ（加熱手段）、１１・・・
温度制御回路、１２・・・ＣＰＵ（中央制御装置）、２
０・・・ＥＬパネル（エレクトロルミネセンス装置）。 特許出願人 沖電気工業株式会社 代理人 弁理士 前 １） 実 ２．８ 些 ｊ Ｌ Ｌ トＬ ＥＬパネルも刊記亀劉處成口 第２図 ｐ／７ｏｔＦＬ（ｖ）
Claims (2)
- １． 発光層と、この発光層の一方の面に備えられた透
明電極と、他方の面に備えられた背面電極とを有するエ
レクトロルミネセンス装置を用意する工程と、 上記エレクトロルミネセンス装置の環境温度を上昇さ
せる加熱手段を用意する工程と、 上記加熱手段の駆動により上昇した環境温度のもとで
、上記エレクトロルミネセンス装置を所定の電圧及び周
波数で駆動させてエージングを行う工程とを有し、 上記エージングを行う工程において、エレクトロルミ
ネセンス装置の表面温度を検出し、この検出結果に基づ
いて上記加熱手段の駆動を制御することを特徴とするエ
レクトロルミネセンス装置の製造方法。 - ２． エレクトロルミネセンス装置を収容する収容部と
、 上記収容部に収容されたエレクトロルミネセンス装置
を駆動させる駆動手段と、 上記収容部内を加熱する加熱手段と、 上記エレクトロルミネセンス装置の表面温度を検出す
る温度検出手段と、 上記駆動手段によりエレクトロルミネセンス装置を駆
動させてエージングを行う際に、上記温度検出手段の検
出結果に基づいて上記加熱手段の駆動を制御する制御手
段と を有することを特徴とするエレクトロルミネセンス装
置の特性安定化装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013335A JPH01189889A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | エレクトロルミネセンス装置の製造方法及びこの製造に用いる特性安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013335A JPH01189889A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | エレクトロルミネセンス装置の製造方法及びこの製造に用いる特性安定化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189889A true JPH01189889A (ja) | 1989-07-31 |
Family
ID=11830258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63013335A Pending JPH01189889A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | エレクトロルミネセンス装置の製造方法及びこの製造に用いる特性安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189889A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100343685B1 (ko) * | 1999-08-31 | 2002-07-19 | 엘지전자주식회사 | 마이크로 웨이브 조명시스템의 재시동 제어방법 |
| WO2003056880A3 (fr) * | 2001-12-24 | 2004-02-12 | Saint Gobain | Vitre feuilletee avec un element fonctionnel a commande electrique |
| JP2007128663A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Hitachi Ltd | 有機発光ディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2013235721A (ja) * | 2012-05-09 | 2013-11-21 | Panasonic Corp | 発光パネルの製造方法及びエージング装置 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP63013335A patent/JPH01189889A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100343685B1 (ko) * | 1999-08-31 | 2002-07-19 | 엘지전자주식회사 | 마이크로 웨이브 조명시스템의 재시동 제어방법 |
| WO2003056880A3 (fr) * | 2001-12-24 | 2004-02-12 | Saint Gobain | Vitre feuilletee avec un element fonctionnel a commande electrique |
| US7009156B2 (en) | 2001-12-24 | 2006-03-07 | Saint-Gobain Glass France | Laminated glass plane with electrically controlled functional element |
| CZ307923B6 (cs) * | 2001-12-24 | 2019-08-21 | Saint-Gobain Glass France | Vrstvená okenní tabule s elektricky ovládaným funkčním prvkem |
| JP2007128663A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Hitachi Ltd | 有機発光ディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2013235721A (ja) * | 2012-05-09 | 2013-11-21 | Panasonic Corp | 発光パネルの製造方法及びエージング装置 |
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