JPS6088558U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6088558U
JPS6088558U JP18163683U JP18163683U JPS6088558U JP S6088558 U JPS6088558 U JP S6088558U JP 18163683 U JP18163683 U JP 18163683U JP 18163683 U JP18163683 U JP 18163683U JP S6088558 U JPS6088558 U JP S6088558U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
abstract
heat sink
stack
semiconductor
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Pending
Application number
JP18163683U
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English (en)
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進藤　太裕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の高電圧整流スタックの断面図、第２図
は、通電時の高電圧整流スタックの温、、　　　　　度
分布図、第３図は、従来の高電圧整流スタックの側面図
、第４図は、本考案の一実施例である高電圧整流スタッ
クの側面図である。 ａ・・・第１図のスタックあ温度分布、ｂ・・・第３図
のスタックの温度分布、Ｃ・・・第４図のスタックの温
度分布、ｄ・・・距離、ｔ・・・温度、１・・・ダイオ
ード、２・・・絶縁性樹脂、３・・・リード電極、４・
・・放熱板を嵌合させるための凹凸形状、５・・・放熱
板。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体素子を封止するモールド樹脂の外表面に複数の溝
    を有し、それぞれの溝に放熱板を取付だことを特徴とす
    る半導体装置。
JP18163683U 1983-11-25 1983-11-25 半導体装置 Pending JPS6088558U (ja)

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JP18163683U JPS6088558U (ja) 1983-11-25 1983-11-25 半導体装置

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JP18163683U JPS6088558U (ja) 1983-11-25 1983-11-25 半導体装置

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JPS6088558U true JPS6088558U (ja) 1985-06-18

Family

ID=30393552

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JP18163683U Pending JPS6088558U (ja) 1983-11-25 1983-11-25 半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6393659U (ja) * 1986-12-05 1988-06-17

Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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