JPS6088568U - 赤外線検出固体撮像素子 - Google Patents

赤外線検出固体撮像素子

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Publication number
JPS6088568U
JPS6088568U JP18035083U JP18035083U JPS6088568U JP S6088568 U JPS6088568 U JP S6088568U JP 18035083 U JP18035083 U JP 18035083U JP 18035083 U JP18035083 U JP 18035083U JP S6088568 U JPS6088568 U JP S6088568U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer gate
transfer
adjacent
electrode
photoelectric conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18035083U
Other languages
English (en)
Inventor
山形　敏男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP18035083U priority Critical patent/JPS6088568U/ja
Publication of JPS6088568U publication Critical patent/JPS6088568U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図ａは従来の赤外ＣＣＤの画素構成を示す平面図、
第１図すは従来の可視光用ＣＣＤの構成を適用した画素
構成を示す平面図、第２図は本考案の実施例を示す素子
全体構成図、第３図は本考案の実施例の画素を示す平面
図であり、第４図ａ及びｂはそれぞれ第３図に示した矢
印Ａ及びＢにおける断面の一部を示した図である。 図において、１．１１．３１はショットキーダイオード
、２，１２，２３はＣＣＤレジスター、３．１３．２２
はトランスファーゲート領域、４、　１４．４２．４３
．４６．４７．４８．４９は転送電極、５は配線、６，
２７．５３はトランスファーゲート電極、７は配線と転
送電極との接続部、２１は光電変換部、２４は出力回路
、２５、ｊｅはトランスファーゲート電極のゲート端子
、３２は半導体基板、３３は結合領域、３４はチャンネ
ルストッパー、３５は半導体基板と同じ導電型の高不純
物濃度領域、３６は厚い酸化膜、３７．３８はそれぞれ
Ｉ−Ｉ行目及びＩ十Ｉ行目、Ｊ列目のショットキーダイ
オード、３９．４０は境界部、４１はＣＣＤレジスター
の埋め込みチャンネル、４４．４５，５０．５１は転送
電極の延長部、５２はトランスファーゲート領域の表面
チャンネル、５３はトランスファーゲート電極であり、
５４はトランスファーゲート電極の延長部である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一導電型を有する半導体基板上に、行列状に互いに分離
    して配設された光電変換部と、これに隣接して配置した
    トランスファーゲート領域と、該トランスファーゲート
    領域に隣接して設けられた列方向の電荷結合シフトレジ
    スターと、該電荷結合レジスターにより転送された信号
    電荷を外部へ取り出す出力回路とを有し、前記光電変換
    部は、ショットキーダイオード、及び該ショットキーダ
    イオードと前記トランスファゲート領域との間に、前記
    半導体基板と反対の導電型で高不純物濃度として前記シ
    ョットキーダイオードの電極に電気的に接続するように
    配置された結合領域からなり、該結合領域の近傍を除い
    て前記ショットキーダイオードを囲み、かつ隣接する行
    のショットキーダイオードとの境界部分では互いに共有
    するようにフィールドストップが設けられ、前記電荷結
    合シフトレジスターは前記半導体基板と反対の導電型を
    有する埋め込みチャンネルと該埋め込みチャンネルをお
    おう複数の転送電極からなり、前記複数の転送電極は互
    いに隣接する２つの転送電極を一組として一つの前記光
    電変換部に対応するように配置され、かつそれぞれの転
    送電極は直近の前記境界部分のフィールドストップ上に
    設けられた延長部を介して隣接する列の同じ行の対応す
    る転送電極と一体化されており、また、前記トランスフ
    ァーゲート領域は前記半導体基板と同一の導電型の表面
    チャンネル及び該表面チャンネルをおおうトランスファ
    ゲート電極からなり、該トランスファーゲート電極は前
    記境界部分のフィールドストップ上に設けられた前記転
    送電極の延長部の上に更に電気的に絶縁して配置された
    トランスファーゲート電極延長部を有し、隣接する行に
    設けられたトランスファーゲート電極とは電気的に絶縁
    されながら、同じ行の隣接する列のトランスファーゲー
    ト電極同士は前記トランスファーゲート電極延長部を介
    して一体化されていることを特徴とする赤外線検出撮像
    素子。
JP18035083U 1983-11-22 1983-11-22 赤外線検出固体撮像素子 Pending JPS6088568U (ja)

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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52123823A (en) * 1976-04-10 1977-10-18 Sony Corp Solid pickup element
JPS52137210A (en) * 1976-05-12 1977-11-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Solid taking image device
JPS5475927A (en) * 1977-11-30 1979-06-18 Toshiba Corp Area sensor
JPS5518064A (en) * 1978-07-26 1980-02-07 Sony Corp Charge trsnsfer device
JPS57132482A (en) * 1981-02-09 1982-08-16 Toshiba Corp Charge transfer type image sensor
JPS58171849A (ja) * 1982-03-31 1983-10-08 Fujitsu Ltd 固体撮像装置

Patent Citations (6)

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