JPS5897850U - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

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Publication number
JPS5897850U
JPS5897850U JP1981192603U JP19260381U JPS5897850U JP S5897850 U JPS5897850 U JP S5897850U JP 1981192603 U JP1981192603 U JP 1981192603U JP 19260381 U JP19260381 U JP 19260381U JP S5897850 U JPS5897850 U JP S5897850U
Authority
JP
Japan
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photoelectric conversion
solid
image sensor
state image
scanning element
Prior art date
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Pending
Application number
JP1981192603U
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English (en)
Inventor
小池　紀雄
俊久 塚田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5897850U publication Critical patent/JPS5897850U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は固体撮像素子の概念構成を示す図、第　・２図
は本考案の固体撮像素子の構為および平面構成を示す図
、第３図および第４図は本考案の固体撮像素子の第２図
とは異なる実施例を示す図、第５図は本考案の固体撮像
素子の第２図とは異なる実施例を示す図である。 １１・・・半導体基板、１２・・・ＭＯＳスイッチ、１
３・・・ゲート電極、１４・・・ドレイン。 ト□□−７□

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １　第１導電型半導体基板上に複数個の光電変換素子、
    該光電変換素子に蓄積された信号電荷を転送するゲート
    スイッチおよび走査素子群を具備した固体撮像素子にお
    いて、該走査素子の周囲を、あるいは該走査素子および
    該光電変換素子領域の周囲を該基板より）ｉ度の高い第
    １導電型および第２導電型（基板と異なる型）の２種類
    の不純物層により囲み、該走査回路あるいは該光電変換
    領域の近辺で発生した不要電荷が該走査素子あるいは該
    光電変換領域の中に拡散することを防止するようにした
    固体撮像素子。 ２　実用新案登録請求の範囲第１項記載の固体撮像素子
    において、該２種類の不純物層のいずれ゛　か一方、ま
    たは両方に所定の電圧を印加することを特徴とする固体
    撮像素子。
JP1981192603U 1981-12-25 1981-12-25 固体撮像素子 Pending JPS5897850U (ja)

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JP1981192603U JPS5897850U (ja) 1981-12-25 1981-12-25 固体撮像素子

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JPS5897850U true JPS5897850U (ja) 1983-07-02

Family

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