JPS6089562A - 物理蒸着前処理法 - Google Patents
物理蒸着前処理法Info
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- JPS6089562A JPS6089562A JP19553083A JP19553083A JPS6089562A JP S6089562 A JPS6089562 A JP S6089562A JP 19553083 A JP19553083 A JP 19553083A JP 19553083 A JP19553083 A JP 19553083A JP S6089562 A JPS6089562 A JP S6089562A
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- Japan
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- vapor deposition
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 発明の属する技術分野
本発明は金属、セラミックまたは有機
物表面に気相下でセラミック薄層をコーティングする物
理蒸着のための前処理方法に関する。
理蒸着のための前処理方法に関する。
（ロ） 従来技術とその問題点
金属、セラミックまたは有機物表面上
にセラミックを物理蒸着する場合、基板の接合面が十分
に活性化さＪしていないと、一般に基板と蒸着セラミッ
ク層どの良好な密着性を得ることが困難である。このた
め密着性を改善するだめの前処理方法として、ヒーター
により基板を加熱する方法やＡｒノ°ラズマ等を用いた
イオンボンバード法により加熱、クリーニングする方法
が有効な方法として一般的に広く用いられている。
に活性化さＪしていないと、一般に基板と蒸着セラミッ
ク層どの良好な密着性を得ることが困難である。このた
め密着性を改善するだめの前処理方法として、ヒーター
により基板を加熱する方法やＡｒノ°ラズマ等を用いた
イオンボンバード法により加熱、クリーニングする方法
が有効な方法として一般的に広く用いられている。
しかしながら、このような方法を使用してもクリーニン
グ効果が不十分なため、ゴミは除去できても油や酸化層
などの汚れが基板表面上て残ってしまう。このため、な
お十分な密着性を得ることかできず、熱衝撃試験や９０
°曲１′試験等の苛酷な試験では接合界面からセラミッ
クがはがれたり、セラミックにクラックが発生したりす
ることがある。また、基板表面上に残った油や酸化層な
どの汚れはセラミック層のピンホール発生の原因となり
、蒸着後セラミック層の絶縁不良や耐量７圧の低下等を
生ずることがある。
グ効果が不十分なため、ゴミは除去できても油や酸化層
などの汚れが基板表面上て残ってしまう。このため、な
お十分な密着性を得ることかできず、熱衝撃試験や９０
°曲１′試験等の苛酷な試験では接合界面からセラミッ
クがはがれたり、セラミックにクラックが発生したりす
ることがある。また、基板表面上に残った油や酸化層な
どの汚れはセラミック層のピンホール発生の原因となり
、蒸着後セラミック層の絶縁不良や耐量７圧の低下等を
生ずることがある。
（ハ） 発明の目的
本発明は上記従来の事情に鑑みなされ
たものであって、金属、セラミックまたは有様物の基板
表面に物理蒸着法でセラミックをコーティングする場合
の基板とセラミック層との密着性を向上しかつセラミッ
ク層のピンホール発生を防止しうる物理蒸着前処理方法
を提供することを目的とする。
表面に物理蒸着法でセラミックをコーティングする場合
の基板とセラミック層との密着性を向上しかつセラミッ
ク層のピンホール発生を防止しうる物理蒸着前処理方法
を提供することを目的とする。
（ニ） 発明の構成
本発明によるセラミックコーティング
のための物理蒸着前処理方法は電子線照射法を用いてい
る。
る。
これにより、基板とセラミック層の密着性が向上されか
つ、セラミック層のピンホール発生が防止される。
つ、セラミック層のピンホール発生が防止される。
（ホ） 発明の実施例
厚さ０−２５ｍｍの４２７０イ（Ｆｅ−４２％Ｎｉ）テ
ープ表面を１．５ Ｋ Ｗの電子線で走査しながら照射
した後、酸素圧５ Ｘ １０− ”Ｊ：ｏｒｒの下でＡ
ｌ２Ｏ，焼結体を用い電子ビーム加熱によって、Ａｌ２
Ｏ，の蒸着を行なった。この際、高周波（１６，５６Ｍ
１１７． ） ２００ Ｗを印加して蒸発したＡｌ２Ｏ
３粒子の一部をイオン化して２．０μＩｌｌのＡｌ２ｏ
３蒸着層を得た。
ープ表面を１．５ Ｋ Ｗの電子線で走査しながら照射
した後、酸素圧５ Ｘ １０− ”Ｊ：ｏｒｒの下でＡ
ｌ２Ｏ，焼結体を用い電子ビーム加熱によって、Ａｌ２
Ｏ，の蒸着を行なった。この際、高周波（１６，５６Ｍ
１１７． ） ２００ Ｗを印加して蒸発したＡｌ２Ｏ
３粒子の一部をイオン化して２．０μＩｌｌのＡｌ２ｏ
３蒸着層を得た。
電子線照射は従来のイオンボンバードに比べ、同一照射
面積ずなわち同一ビーム径あるいはスーポット径に対し
、より高いパワ密度を得ることができるため被照射物体
（基板）Ｋ対し短時間で有効な加熱、クリーニング効果
を発揮し、従来除去できなかった油や酸化層を除去する
ことが可能となる。
面積ずなわち同一ビーム径あるいはスーポット径に対し
、より高いパワ密度を得ることができるため被照射物体
（基板）Ｋ対し短時間で有効な加熱、クリーニング効果
を発揮し、従来除去できなかった油や酸化層を除去する
ことが可能となる。
得られた４２７０イテープ上のＡｌ２ｏ３蒸着層にさら
に第１図に示すよう眞スポット状にＡＩを蒸着しテスタ
ーを用いて電流リークテストを行なった。
に第１図に示すよう眞スポット状にＡＩを蒸着しテスタ
ーを用いて電流リークテストを行なった。
電流リークはＡ１□０３ 蒸着層のピンボールを通じて
ＡＩのマイグレーションてより引きおこされるものであ
るから、ピンホールが減少すれは直接電流リークが減少
するという関係がもたらされる。
ＡＩのマイグレーションてより引きおこされるものであ
るから、ピンホールが減少すれは直接電流リークが減少
するという関係がもたらされる。
第２図は電流リークテストの結果を示すグラフであって
、Ａｌ２Ｏ３物理蒸着前処理として（］）前処理なし、
（２）イオンボンバード、（３）電子線照射、０３条件
間にオｌ−るＡｌ２ｏ３蒸着層厚さをパラメータとした
不良率、すなわちリーク発生率（リーク数／スポット数
）を示している。
、Ａｌ２Ｏ３物理蒸着前処理として（］）前処理なし、
（２）イオンボンバード、（３）電子線照射、０３条件
間にオｌ−るＡｌ２ｏ３蒸着層厚さをパラメータとした
不良率、すなわちリーク発生率（リーク数／スポット数
）を示している。
第２図のグラフに示されたように、電子線照射法を使用
した本発明による物理蒸着前処理法を行なった場合、従
来のイオンボンバードに比べ不良率の顕著な低下が見ら
れた。すなわち、基板表面のクリーニング効果の向上に
よるピンホールの減少が達成されたことを示すものであ
る。
した本発明による物理蒸着前処理法を行なった場合、従
来のイオンボンバードに比べ不良率の顕著な低下が見ら
れた。すなわち、基板表面のクリーニング効果の向上に
よるピンホールの減少が達成されたことを示すものであ
る。
また、９０’ 折曲げによる密着性試験でも電子線照射
法を使用した本発明眞よる物理蒸着前処理法を行なった
場合、従来のイオンボンバードに比べ良好な結果が得ら
れた。すなわち、こｉｚも基板表面の加熱、クリーニン
グ効果の向上を示すものである。
法を使用した本発明眞よる物理蒸着前処理法を行なった
場合、従来のイオンボンバードに比べ良好な結果が得ら
れた。すなわち、こｉｚも基板表面の加熱、クリーニン
グ効果の向上を示すものである。
本発明による物理蒸着前処理法における′電子線の照射
エネルギーは０．５〜１０Ｉ（Ｗが適当であり、この範
囲内で基板材料に応じて圧意に選択することが望ましい
。また本発明による物理蒸着前処理法の電子線照射とと
もに基板加熱やイオンボンバードを併用することも可能
である。
エネルギーは０．５〜１０Ｉ（Ｗが適当であり、この範
囲内で基板材料に応じて圧意に選択することが望ましい
。また本発明による物理蒸着前処理法の電子線照射とと
もに基板加熱やイオンボンバードを併用することも可能
である。
本発明の物理蒸着前処理法は耐食性、耐薬品性、あるい
は電気絶縁性を付力ずべく各種耐食材料や金属材料およ
び有機物等にセラミックを蒸着する場合に適用すること
ができ、−例として半導体基板材料のセラミック被覆金
属に適用することも好適である。
は電気絶縁性を付力ずべく各種耐食材料や金属材料およ
び有機物等にセラミックを蒸着する場合に適用すること
ができ、−例として半導体基板材料のセラミック被覆金
属に適用することも好適である。
（へ）発明の効果
以上のように本発明によれば、セラミ
ックコーティングのための物理蒸着前処理法として電子
線照射法を用いている。これにより、同一照射面積に対
し、より高いパワ密度が得られるため有効な加熱、クリ
ーニング効果が得られ、基板とセラミック層との密着性
が向上され、かつセラミック層のピンホール発生が防止
される。
線照射法を用いている。これにより、同一照射面積に対
し、より高いパワ密度が得られるため有効な加熱、クリ
ーニング効果が得られ、基板とセラミック層との密着性
が向上され、かつセラミック層のピンホール発生が防止
される。
【図面の簡単な説明】
第１図は電流リークテストの方法を示す図、第２図はＡ
ｌ２Ｏ３物理蒸着前処理法の相違如よる第１図の電流リ
ークテストの結果の差を示ずグラフ。 １：基 板 ２：セラミック層 ６：アルミ蒸着層 ４：テスター （外４名）
ｌ２Ｏ３物理蒸着前処理法の相違如よる第１図の電流リ
ークテストの結果の差を示ずグラフ。 １：基 板 ２：セラミック層 ６：アルミ蒸着層 ４：テスター （外４名）
Claims (1)
- 金属、セラミックまたは有機物表面に気相下でセラミッ
クを物理蒸着するための前処理法において、電子線照射
法を用いることを特徴とする物理蒸着前処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19553083A JPS6089562A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 物理蒸着前処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19553083A JPS6089562A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 物理蒸着前処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089562A true JPS6089562A (ja) | 1985-05-20 |
Family
ID=16342617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19553083A Pending JPS6089562A (ja) | 1983-10-19 | 1983-10-19 | 物理蒸着前処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089562A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324053A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-01 | Kawasaki Steel Corp | 密着性に優れたセラミツク被膜をそなえる低炭素鋼板およびステンレス鋼板の製造方法 |
| CN100494471C (zh) | 2004-11-08 | 2009-06-03 | 东京毅力科创株式会社 | 陶瓷喷镀部件及其制造方法、执行该方法的程序、存储介质 |
-
1983
- 1983-10-19 JP JP19553083A patent/JPS6089562A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6324053A (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-01 | Kawasaki Steel Corp | 密着性に優れたセラミツク被膜をそなえる低炭素鋼板およびステンレス鋼板の製造方法 |
| CN100494471C (zh) | 2004-11-08 | 2009-06-03 | 东京毅力科创株式会社 | 陶瓷喷镀部件及其制造方法、执行该方法的程序、存储介质 |
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