JPS6090267A - 新規な顔料ケーク及びそれを得る方法 - Google Patents
新規な顔料ケーク及びそれを得る方法Info
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- JPS6090267A JPS6090267A JP59196983A JP19698384A JPS6090267A JP S6090267 A JPS6090267 A JP S6090267A JP 59196983 A JP59196983 A JP 59196983A JP 19698384 A JP19698384 A JP 19698384A JP S6090267 A JPS6090267 A JP S6090267A
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09C3/00—Treatment in general of inorganic materials, other than fibrous fillers, to enhance their pigmenting or filling properties
- C09C3/04—Physical treatment, e.g. grinding or treatment with ultrasonic vibrations
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
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- B01D21/0009—Settling tanks making use of electricity or magnetism
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
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- C09C1/30—Silicic acid
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- C09C1/3607—Titanium dioxide
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- C25B—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
- C25B7/00—Electrophoretic production of compounds or non-metals
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は顔料、特に沈降シリカの新規なケークに関する
。
。
また、本発明は一過操作に替わるものとしてシリカ懸濁
の脱水に特に適用し得る電着法によシケークを得る方法
、及びその方法によシ得られるシリカに関する。
の脱水に特に適用し得る電着法によシケークを得る方法
、及びその方法によシ得られるシリカに関する。
沈降シリカの調製において珪酸ナトリウムのようなシリ
カ源と硫酸や二酸化炭素のような酸性化剤とを反応させ
てシリカ懸濁液を形成させることは知られている。
カ源と硫酸や二酸化炭素のような酸性化剤とを反応させ
てシリカ懸濁液を形成させることは知られている。
しかし、この懸濁液は多血の水を含有しているので、回
転フィルターのような任意の公知手段を使用してと過操
作を行なっている。ケークの含水蓋、すなわち燃焼時の
重量損失が最終製品の性質の見地からシリカを得る方法
において重要な因子であることも知られている。
転フィルターのような任意の公知手段を使用してと過操
作を行なっている。ケークの含水蓋、すなわち燃焼時の
重量損失が最終製品の性質の見地からシリカを得る方法
において重要な因子であることも知られている。
従って、現在は技術的理由から及び最終製品の品質から
種々の制約があるO −過を改善する手段として例えば化学的処理が既に提案
されている。よシ良好な性能を持つと想像される新しい
タイプのフィルターも提供されている。
種々の制約があるO −過を改善する手段として例えば化学的処理が既に提案
されている。よシ良好な性能を持つと想像される新しい
タイプのフィルターも提供されている。
しかしながら、通常の技術ではシリカケークの乾燥1[
が増加する程ケークの不可逆性が高くなル、従って最H
製品の品質とw4m性を損なう危険が増大することは明
らかである。
が増加する程ケークの不可逆性が高くなル、従って最H
製品の品質とw4m性を損なう危険が増大することは明
らかである。
一般的な背景として、固体粒子を液相から分離する電気
浸透法(米国特!FF第1.1 ’53.967号、同
fJX1,15へ715号及び同第1.174.946
号明細書)及びこのタイプの処理法を粘土懸濁液に適用
すること(米国特許第1.229.203号明細書)が
提案されてから久しい。
浸透法(米国特!FF第1.1 ’53.967号、同
fJX1,15へ715号及び同第1.174.946
号明細書)及びこのタイプの処理法を粘土懸濁液に適用
すること(米国特許第1.229.203号明細書)が
提案されてから久しい。
電気泳動法が同様に固体を液体から分離するのに提案さ
れている(米国特許第2.440.504号明細書)。
れている(米国特許第2.440.504号明細書)。
液体担体に固体を分散させた懸濁液を電場をかけて脱水
する方法及び装置について種々の改良が提案されている
。
する方法及び装置について種々の改良が提案されている
。
粘土に関しては技術開発はある程反なされている(例え
ば、米国特許第3.980.547号、同第4、003
.811号及び同第4.003.819号明細書参照)
。
ば、米国特許第3.980.547号、同第4、003
.811号及び同第4.003.819号明細書参照)
。
しかしながら、知る限シにおいて、電気濃縮の知顔はシ
リカ懸濁液に未だ適用されていない。
リカ懸濁液に未だ適用されていない。
種々検討の結果、意外にも電着法がシリカ懸濁液特に沈
降シリカの懸濁液に適用できることが見出された。
降シリカの懸濁液に適用できることが見出された。
従って、本発明の一つの目的は顔料特に沈降シリカの懸
濁液を濃縮する新規な方法及びそのようにして得られる
シリカケークを提供することであるO 本発明の他の目的はこの技術の若干の考え得る適用例を
提供することである。
濁液を濃縮する新規な方法及びそのようにして得られる
シリカケークを提供することであるO 本発明の他の目的はこの技術の若干の考え得る適用例を
提供することである。
本発明者らが種々検困した結果、通常の沈降条件下で湿
式沈澱法によシ得られたシリカ懸濁液に電着技術を変更
を加えずそのまま適用すると、効果がないこと、すなわ
ちシリカが沈澱しないことが示された。
式沈澱法によシ得られたシリカ懸濁液に電着技術を変更
を加えずそのまま適用すると、効果がないこと、すなわ
ちシリカが沈澱しないことが示された。
しかし、さらに仙究した結果、抵抗率が一定の閾値に達
すると効果が生じることがわかった。
すると効果が生じることがわかった。
すなわち、本発明の方法は顔料懸濁液を脱水する方法、
特に水をごく少量しか含有しないシリカのケークを得る
ための方法である。その/i!徴は、懸濁液の抵抗率を
顔料が電場において沈電しイけるに十分な高さの閾値に
し、懸濁液に電場を作用させることである。
特に水をごく少量しか含有しないシリカのケークを得る
ための方法である。その/i!徴は、懸濁液の抵抗率を
顔料が電場において沈電しイけるに十分な高さの閾値に
し、懸濁液に電場を作用させることである。
閾値は明らかにpH1電極の性質、媒体の組成のような
多数のパラメータによって決まる。
多数のパラメータによって決まる。
抵抗率は従って広い範囲内で種々に変えることができる
。電着条件に従うと、実地上これらの範囲は100〜1
5.000 ohmcx、好ましくは500〜5,00
0 ohmcmである。電圧は15〜150ポルト、電
場は5〜100V/crRが有利である。
。電着条件に従うと、実地上これらの範囲は100〜1
5.000 ohmcx、好ましくは500〜5,00
0 ohmcmである。電圧は15〜150ポルト、電
場は5〜100V/crRが有利である。
本発明の方法は他の顔料、特に酸化チタン顔料に適用す
ることができる。
ることができる。
顔料の好適な例は沈降シリカである。
本発明者らの研究によれば、シリカの等電点から離れれ
ば離れる程電着がうまくゆくこと、すなわち沈澱のI)
Hに対する実施可能な範囲は五5〜10であるが、pH
のレベルが低いほど抵抗率のレベルが高い。
ば離れる程電着がうまくゆくこと、すなわち沈澱のI)
Hに対する実施可能な範囲は五5〜10であるが、pH
のレベルが低いほど抵抗率のレベルが高い。
抵抗率は電極の種類によっても決まり、非侵蝕性電極の
場合は侵蝕性電極の場合よりも高い。
場合は侵蝕性電極の場合よりも高い。
特にエネルギー消費の理由から当業者は工業設備の技術
的経済的要語を考慮に入れ、抵抗率をむやみに高くする
ことに関心を持たないことはもちろんである。
的経済的要語を考慮に入れ、抵抗率をむやみに高くする
ことに関心を持たないことはもちろんである。
50〜15011/lの5io2 を含有するシリカ懸
濁液について懸濁液の抵抗率は通常1.ooo〜5、0
00 ohzmであるが、特に理由があればこれと異な
る値を採用しても本発明の範囲内である。
濁液について懸濁液の抵抗率は通常1.ooo〜5、0
00 ohzmであるが、特に理由があればこれと異な
る値を採用しても本発明の範囲内である。
懸濁液の抵抗率を高める簡単な方法はシリカの沈澱によ
シ生じたNa+及びso4〜オンを洗い流すことである
。もつと完全に洗うために高い抵抗率(1,000oh
mcm超)の脱イオン水を例えは通常のフィルター上で
の洗浄又は砕解工程において供給してもよい。
シ生じたNa+及びso4〜オンを洗い流すことである
。もつと完全に洗うために高い抵抗率(1,000oh
mcm超)の脱イオン水を例えは通常のフィルター上で
の洗浄又は砕解工程において供給してもよい。
さらに、本発明者らの研究によシ、上記方法の生産性が
、脱水すべき懸濁液に無機イオン及び/又は有機添加物
を導入することによシかなシ改善できることが見出され
た。
、脱水すべき懸濁液に無機イオン及び/又は有機添加物
を導入することによシかなシ改善できることが見出され
た。
現在ではこれらの添加物の作用機作はわかっていないが
、それらのうちの少なくともいくつかは分散状態を変化
させて比較的高レベルのp I−(及び高濃度で操作す
ることを可能にしていることが知られている。
、それらのうちの少なくともいくつかは分散状態を変化
させて比較的高レベルのp I−(及び高濃度で操作す
ることを可能にしていることが知られている。
従って、特にシリカの場合は例えtよアルミン酸ナトリ
ウムの形の少量のアルミナの存在が好ましい効果を有し
、6以上のp)lで働くことを可能にしているが、この
因子は例えばゴムを使用する適用例の場合は非常にTi
娶である。珪酸塩も使用できる。水酸化物の形のバリウ
ムは重要な添加物であることが見出されている。鉛も有
効であることが見出されている。
ウムの形の少量のアルミナの存在が好ましい効果を有し
、6以上のp)lで働くことを可能にしているが、この
因子は例えばゴムを使用する適用例の場合は非常にTi
娶である。珪酸塩も使用できる。水酸化物の形のバリウ
ムは重要な添加物であることが見出されている。鉛も有
効であることが見出されている。
同様に、脂肪族又は芳香族アミン一般のような誘導体、
アンモニア、ピリジ/、及びスルホコへり酸ナトリウム
又紘ジエステルメチルスルホネートのような非窒素性生
成物を使用することも可能である。もちろん、このリス
トに限定されるものではない。
アンモニア、ピリジ/、及びスルホコへり酸ナトリウム
又紘ジエステルメチルスルホネートのような非窒素性生
成物を使用することも可能である。もちろん、このリス
トに限定されるものではない。
一般にこれらの化合物は400〜1.200 ppmで
使用する必要がある。
使用する必要がある。
これらの添加物は沈澱を向上させるが、沈澱を生じはし
ない。すなわち、沈澱が生じない条件下では添加物を存
在させても、懸濁液の抵抗率を同時に増大させない限シ
沈澱は生じない。
ない。すなわち、沈澱が生じない条件下では添加物を存
在させても、懸濁液の抵抗率を同時に増大させない限シ
沈澱は生じない。
他の重要なパ1ラメータは陽極の性質である。
電気的腐蝕のために、ケーク中に不純物として存在する
金属はケークの形成に関係しておシ、する条件の下では
ケークの孔中に孔まれろ水を駆逐する。
金属はケークの形成に関係しておシ、する条件の下では
ケークの孔中に孔まれろ水を駆逐する。
陽極祉特にFe、 Cu、 AI、 Zn、白金及びグ
ラファイトから成る群よル選ばれる。しかし、Al又は
ステンレス鋼のような若干の金属では不fe態化してい
てもよく、亜鉛のように不純物を含んでいても許容しな
ければならない。不働態化の場合は酸素が遊離して陽極
の作用を阻害することが観察されるが、第二の場合には
陽極が消費され製品が汚染する。
ラファイトから成る群よル選ばれる。しかし、Al又は
ステンレス鋼のような若干の金属では不fe態化してい
てもよく、亜鉛のように不純物を含んでいても許容しな
ければならない。不働態化の場合は酸素が遊離して陽極
の作用を阻害することが観察されるが、第二の場合には
陽極が消費され製品が汚染する。
このため、ある実施態様では陽極と陰極との間に半透膜
を置いてもよい。この膜は陰極側に設けることも可能で
あるが陽極に配置してもよい。
を置いてもよい。この膜は陰極側に設けることも可能で
あるが陽極に配置してもよい。
本発明の一つの実施態様においてはグラファイト又は白
金製陽極も使用できる。
金製陽極も使用できる。
珪酸ナトリウムの水溶液からシリカを沈澱する方法とし
てもちろん任意の公知方法を使用でき、H2S 04及
びCO2のような酸性化剤、特に仏画特許第2.159
.580号、同第2.471,978号、同第2.47
t949号、同第ス471.q4y+j、同第2,20
8,948号、同第2.208.949号及び同第22
0 &950号に記載のものを使用できる。
てもちろん任意の公知方法を使用でき、H2S 04及
びCO2のような酸性化剤、特に仏画特許第2.159
.580号、同第2.471,978号、同第2.47
t949号、同第ス471.q4y+j、同第2,20
8,948号、同第2.208.949号及び同第22
0 &950号に記載のものを使用できる。
前述のように、本発明はこのようにして得られたシリカ
ケークにも関する。それらは可逆性で区別される、乾燥
拐料15〜40%を含有し、pHが3.5〜10である
。
ケークにも関する。それらは可逆性で区別される、乾燥
拐料15〜40%を含有し、pHが3.5〜10である
。
本発明者らは次の方法によシ砕解能力を決定した。すな
わち、8ノ容タンクにシリカケーク6KI充填する0こ
のタンクは二枚の回転スクリュと回転板から成る攪拌機
を備え、400rPmで回転し2600ワツトの力を発
生する(第3図及び第4図参照)。
わち、8ノ容タンクにシリカケーク6KI充填する0こ
のタンクは二枚の回転スクリュと回転板から成る攪拌機
を備え、400rPmで回転し2600ワツトの力を発
生する(第3図及び第4図参照)。
時間t−o、t=i分及びt=S分におし1て消費され
る力を測定する。時間t=5分にお!/)て消費される
力がi、oooワット未満ならはケークは砕解可能であ
るものとする。
る力を測定する。時間t=5分にお!/)て消費される
力がi、oooワット未満ならはケークは砕解可能であ
るものとする。
ペーストが@霧に適しているか否の試験も上記の装置に
おいて3分間攪拌したペーストにつし)て行なった。次
いで40μmメツシュよシ大きし)材料の鼠を測定し、
900℃乾燥抽出物の鼠も測定する。40μmメツシュ
よシ大きし)ものの童t(16%未満ならにペーストは
粉末状で噴霧し得ると考えられる。
おいて3分間攪拌したペーストにつし)て行なった。次
いで40μmメツシュよシ大きし)材料の鼠を測定し、
900℃乾燥抽出物の鼠も測定する。40μmメツシュ
よシ大きし)ものの童t(16%未満ならにペーストは
粉末状で噴霧し得ると考えられる。
本発明によれは砕解できI) H約6で噴霧できるが、
一方20%以上の乾燥材料を含有し、かっこのpHレベ
ルでも乾燥材料を20〜28%含有するシリカケークを
得ることができるが、これは予想外の特長である。20
%以上の乾燥材料を含有するケークは特にこのp Hレ
ベルでは比表面積が200mν]以上のシリカの場合に
得られる。
一方20%以上の乾燥材料を含有し、かっこのpHレベ
ルでも乾燥材料を20〜28%含有するシリカケークを
得ることができるが、これは予想外の特長である。20
%以上の乾燥材料を含有するケークは特にこのp Hレ
ベルでは比表面積が200mν]以上のシリカの場合に
得られる。
これらの値はもちろん本発明を何ら限定せず、pHレベ
ルを下げ乾燥材料の含有量を増しても本発明の範囲内で
ある。
ルを下げ乾燥材料の含有量を増しても本発明の範囲内で
ある。
当業者は適用法及びシリカを得る方法(H2BO3又は
C02)に従って一定数の因子例えはp Hを考慮に入
れなければならないことを特に認識するであろう。
C02)に従って一定数の因子例えはp Hを考慮に入
れなければならないことを特に認識するであろう。
本発明の方法は回転又は静止沈澱要素を設け、選択透過
膜を持つ又は持たない装置のような任意のタイプの装置
によル実施することができる。
膜を持つ又は持たない装置のような任意のタイプの装置
によル実施することができる。
本発明はまた本発明に従うケークから得られた懸濁液を
乾燥するととにょシ得られるシリカを対象とする。
乾燥するととにょシ得られるシリカを対象とする。
ケークを砕解すると生じた懸濁液は任意の公知手段、特
に噴霧によシ乾燥することができる。
に噴霧によシ乾燥することができる。
有利な手段は仏画特許第2.257.326号明細会に
記載の方法を実施することである。この方法では、連動
量の大きい熱ガスで対象渦回転流が形成され、ケークか
ら得られた懸濁液が流れの回転の対象軸に沿って対象渦
回転流の比較的弱い帯域に導入され、M濁液の軸流束に
対象な渦回転流の連動量は軸流束を破坊し、分散し、接
収しかつ乾燥させるのに十分である。
記載の方法を実施することである。この方法では、連動
量の大きい熱ガスで対象渦回転流が形成され、ケークか
ら得られた懸濁液が流れの回転の対象軸に沿って対象渦
回転流の比較的弱い帯域に導入され、M濁液の軸流束に
対象な渦回転流の連動量は軸流束を破坊し、分散し、接
収しかつ乾燥させるのに十分である。
実施例
以下の実施例は第1図及び第2図に1示した装置を使用
した。
した。
この装置(第1図)は亀着檜(1)と、電極(3)、p
Htfi、極(4)及び温度調節系(5)を備えた緩
衝ポット(2)と、−組の温度記録計(6)、電圧電流
記録計(7)、I)H記録計(8)及び導電記録計(9
)とから成る。
Htfi、極(4)及び温度調節系(5)を備えた緩
衝ポット(2)と、−組の温度記録計(6)、電圧電流
記録計(7)、I)H記録計(8)及び導電記録計(9
)とから成る。
寛着槓(第2図)は陰極(10)と、(11)のような
陽極と、カッター(12)と、水の入口及び出口(13
,14)とから成る。
陽極と、カッター(12)と、水の入口及び出口(13
,14)とから成る。
実施例においてn場はホイールの表面にのみ存在する。
陰極と回転している陽極との間の空隙は5crnであシ
、回転している陽極の直径1ds OC+++である。
、回転している陽極の直径1ds OC+++である。
両極はステンレス調でできている( 28 CNDT1
8−12%、Car 16〜20 %、Nf 10〜1
4%、MOで安定化)。
8−12%、Car 16〜20 %、Nf 10〜1
4%、MOで安定化)。
緩衝ポットは十分に大きくてケークのサンプルの除去が
無意味となシ、操作が一定濃夏で起きるものとみなせる
。
無意味となシ、操作が一定濃夏で起きるものとみなせる
。
シリカの特性はBET表面積とCTAB表面積を測定す
ることにょシ決定される。
ることにょシ決定される。
BET比表面積は「ザ・ジャーナル・オプ・ザ・アメリ
カン・ケミカル・ソサイエティ」第60巻第509頁(
1938年2月)に記載のブルナウアー・エメット・テ
ラー法にょシ測定される。
カン・ケミカル・ソサイエティ」第60巻第509頁(
1938年2月)に記載のブルナウアー・エメット・テ
ラー法にょシ測定される。
CTAB表面積はジェイ、ジャンツエン及びG。
クラウス=「ラバー・ケミストリー・アンド・テクノロ
ジー」第44巻、第1287頁〜第1296頁(197
1年)に記載の方法によ1)pH9でセチルトリメチル
アンモニウムブロマイドの吸着によル決定される外表面
積である。
ジー」第44巻、第1287頁〜第1296頁(197
1年)に記載の方法によ1)pH9でセチルトリメチル
アンモニウムブロマイドの吸着によル決定される外表面
積である。
実施例1
この実施例の目的は粘土と沈降シリカとの相違を示すこ
とである。
とである。
粘土はARGILEC[F]B24 の商品名で市販さ
れているカオリンを使用した。
れているカオリンを使用した。
操作条件は下記の通シである。
一濃度 100p/懸濁液11
− p H7,5
−電流密度 100 A / m”
−抵抗率 1050 ohmz
使用した沈降シリカペーストはBET比表面積及びCT
AB比表面積が175♂/IであるEPlB、866に
よるシリカに相当する。p I−ルベルは10011/
lの濃度に対してZ5である。同じ電流密度を適用した
。すなわち、100 A / 六抵抗率170 ohm
cmである。(電圧=5.1ボルト)。
AB比表面積が175♂/IであるEPlB、866に
よるシリカに相当する。p I−ルベルは10011/
lの濃度に対してZ5である。同じ電流密度を適用した
。すなわち、100 A / 六抵抗率170 ohm
cmである。(電圧=5.1ボルト)。
沈澱はみられなかった。
本発明者等はついでシリコアルミネートの対照懸濁液の
抵抗率が、シリカの抵抗率170ohmmに比較すると
1051050oh+であることを見出したO 同じ電極で対照粘土に対して最良の電着条件が250
ohmca(6001//粘土1)の濃度に相当する)
であることを観察した。
抵抗率が、シリカの抵抗率170ohmmに比較すると
1051050oh+であることを見出したO 同じ電極で対照粘土に対して最良の電着条件が250
ohmca(6001//粘土1)の濃度に相当する)
であることを観察した。
換言すると、当業者が粘土に対して最適条件を創出して
それをシリカの場合に転用しようとすると失敗するれめ
になる。粘土に対しては少なくとも実験した条件下にお
いて紘抵抗率を低下させる必要があるのでなおさらであ
る。
それをシリカの場合に転用しようとすると失敗するれめ
になる。粘土に対しては少なくとも実験した条件下にお
いて紘抵抗率を低下させる必要があるのでなおさらであ
る。
沈降シリカでは同じpHと濃度の条件下で沈澱が少しで
も観察されるには抵抗率を1600 ohmlに増加さ
せなけれはならない。(電圧線5.1ボルトである)。
も観察されるには抵抗率を1600 ohmlに増加さ
せなけれはならない。(電圧線5.1ボルトである)。
従って、仁の実施例は粘土に比較してシリカの挙動が予
想外に優れていることを示している。
想外に優れていることを示している。
実施例2
この実施例の目的は上記実施例1と同じ沈降シリカを使
用して本発明方法を二つのタイプの従来のp過性すなわ
ち真空フィルターとフィルタープレスとに比較した結果
を示すことである。
用して本発明方法を二つのタイプの従来のp過性すなわ
ち真空フィルターとフィルタープレスとに比較した結果
を示すことである。
この実施例では粉末状の同じ性質のシリカを使用して下
記の条件でケークの含水坦を変化させた・テスト 1 2 3 ベースF濃度(#/l) 11B ?2 5spl(6
,87A Z6 電流密度(A/m”) 30 78 56電圧(ボルト
) 51 220 210抵抗率(ohm cm) 5
115 8900 11720ケークの性質は下記の通
夛である。
記の条件でケークの含水坦を変化させた・テスト 1 2 3 ベースF濃度(#/l) 11B ?2 5spl(6
,87A Z6 電流密度(A/m”) 30 78 56電圧(ボルト
) 51 220 210抵抗率(ohm cm) 5
115 8900 11720ケークの性質は下記の通
夛である。
(%) (L4)
1 777 3.5 635
27α7 2.54 6.2
3 6B、6 2.2 6.2
1 350 105 58 Z25
2 2257 952 210 &1
5 2675 818 473 4.82比較として、
サンプル1に相当するペーストにおいて、真空乾燥した
ケークの含水量は73%(2,7z/Kp)であった。
サンプル1に相当するペーストにおいて、真空乾燥した
ケークの含水量は73%(2,7z/Kp)であった。
電力消費は1430ワット3分間であシ、401mメツ
シュ超過分は36.23%である。
シュ超過分は36.23%である。
さらに、この結果に到達するだめには、1cm厚のケー
クを1〜20時間真空乾燥しなければならないが、本発
明に従うサンプル1に対しては電場における滞留時間は
ただの1分間である。
クを1〜20時間真空乾燥しなければならないが、本発
明に従うサンプル1に対しては電場における滞留時間は
ただの1分間である。
実施例4
サンプル1に相当する同じシリカ(BIT−175m”
/Ii)に対して、高乾燥度(69〜72%の水)を得
るだめの最適条件は下記の通シである。
/Ii)に対して、高乾燥度(69〜72%の水)を得
るだめの最適条件は下記の通シである。
1最高濃度(1ss#/j)
−強い電場(両電極間の空隙が最小)38al?ルト/
czR−平均的抵抗率(1000〜4000ohmC1
11)−強い電流密度(100アンペア/m3)最低の
電力消費のだめの最適条件は生産性/hm”の犠牲にお
いて、 一非常に低い電流密度(5入/−) −長い滞留時間(回転9mの1/10)−非常に高い抵
抗率(6,Og□ohm 傭)実施例5 使用したシリカは250♂/11の大きし1CT人B比
表面積とDBP油吸収420 crn”/ 100 f
iを有する。
czR−平均的抵抗率(1000〜4000ohmC1
11)−強い電流密度(100アンペア/m3)最低の
電力消費のだめの最適条件は生産性/hm”の犠牲にお
いて、 一非常に低い電流密度(5入/−) −長い滞留時間(回転9mの1/10)−非常に高い抵
抗率(6,Og□ohm 傭)実施例5 使用したシリカは250♂/11の大きし1CT人B比
表面積とDBP油吸収420 crn”/ 100 f
iを有する。
一真空f過:燃焼時重凰損失=815%(yz/Kp)
−iI着:燃焼時重址損失−78%〜81%(3,35
〜4.2517にり) 砕解能力に対する以前の結果二酊 電着条件は下記のmDである0 一濃度 14o1/1 一抵抗率 2,000ohm ts −17℃ p H7,5 一電流密度 100A/m” 一回転 115 rpm −電圧 60ボルト 実施例に の実施例の目的は添加剤によシ生産性がどのように改善
されるかを示す仁とである。
〜4.2517にり) 砕解能力に対する以前の結果二酊 電着条件は下記のmDである0 一濃度 14o1/1 一抵抗率 2,000ohm ts −17℃ p H7,5 一電流密度 100A/m” 一回転 115 rpm −電圧 60ボルト 実施例に の実施例の目的は添加剤によシ生産性がどのように改善
されるかを示す仁とである。
a)両電極間空KfL: 5 an
電流密度:45A/m!
電[E:29ボルト
抵抗率: 2,250ohmcm(脱イオン水中では最
初の洗浄は少ない方が経済的でおる。)上記条件下で量
化産性は時間・m3当夛1330z6、2 KF及び消
費電力Q、 21 kwh249sio、に過ぎないO 抵抗率を4650 ohmamにするためにシリカを激
しく洗浄するか2250 ohmcmで良好な結果を与
える添加物を見出さなければならない。
初の洗浄は少ない方が経済的でおる。)上記条件下で量
化産性は時間・m3当夛1330z6、2 KF及び消
費電力Q、 21 kwh249sio、に過ぎないO 抵抗率を4650 ohmamにするためにシリカを激
しく洗浄するか2250 ohmcmで良好な結果を与
える添加物を見出さなければならない。
水中にエチレンジアミンを1 o o o ppm存在
すせ抵抗率を2250 ohmcnにすると生産性は6
.2Kj’ S i O,/by1”から39 Kf!
S i Ox /hy1+” になシケークの乾燥度は
含水量75%(すなわち、51/Kp乾燥抽出物)で同
じである。
すせ抵抗率を2250 ohmcnにすると生産性は6
.2Kj’ S i O,/by1”から39 Kf!
S i Ox /hy1+” になシケークの乾燥度は
含水量75%(すなわち、51/Kp乾燥抽出物)で同
じである。
b)同じ一シリカを10011/l含有する懸濁液をス
テンレスfII製の@極と陰極がら成シ10 Q cr
y”の大きさで31間隔の仮型の装置で処刑した。
テンレスfII製の@極と陰極がら成シ10 Q cr
y”の大きさで31間隔の仮型の装置で処刑した。
pHFi7.5で温反は20℃である。電流密度60
A / m”で最低2.0000hmc+aの抵抗率が
沈澱を生じるのに必要であるが、0.51!/It懸濁
液の割合で水酸化バリウムBa(OH)2・8HzO(
又は無水810zIKf当シバリウム2.18 g )
を添加すると初期抵抗率1,000omcmで沈澱が生
じる。この場合、性能の最高レベルは懸濁液11当シα
75Iの水酸化物(5,261Ba/Ky8 fo2)
を添加すると到達される。
A / m”で最低2.0000hmc+aの抵抗率が
沈澱を生じるのに必要であるが、0.51!/It懸濁
液の割合で水酸化バリウムBa(OH)2・8HzO(
又は無水810zIKf当シバリウム2.18 g )
を添加すると初期抵抗率1,000omcmで沈澱が生
じる。この場合、性能の最高レベルは懸濁液11当シα
75Iの水酸化物(5,261Ba/Ky8 fo2)
を添加すると到達される。
同じ条件下で鉛を使用しても同等の結果が得られる。
α5ml/11のアルミン酸ナトリウムペースト(Al
1ays 156 、li’/ l及びNa2O16b
11 / l % すなわち5iOxIKN当、り
Altos 0.68 & )を添加すると得られたシ
リカテークの燃焼時重量損失は74%であシ、抵抗率は
1500 ohm3である。
1ays 156 、li’/ l及びNa2O16b
11 / l % すなわち5iOxIKN当、り
Altos 0.68 & )を添加すると得られたシ
リカテークの燃焼時重量損失は74%であシ、抵抗率は
1500 ohm3である。
さらに、810z 5701/l及びNa、011&8
9/j(すナワち5io=1Kp当p 74 g (0
810z)を含み抵抗率2000 ohrncs+の珪
酸塩溶液を添加すると、非常に均一な沈澱が形成され、
良く付着し安定であることがわかるが、同じ条件下で珪
酸塩を添加しないと沈澱は陽極から脱着し易い。
9/j(すナワち5io=1Kp当p 74 g (0
810z)を含み抵抗率2000 ohrncs+の珪
酸塩溶液を添加すると、非常に均一な沈澱が形成され、
良く付着し安定であることがわかるが、同じ条件下で珪
酸塩を添加しないと沈澱は陽極から脱着し易い。
実施例7
a) M鉛製陽極を使用すると抵抗率が2.00Dtb
m口ではな(620ohmcmから沈澱が起きる。
m口ではな(620ohmcmから沈澱が起きる。
さらに、ケークの含水敞はよシ少なく、エネルギー効率
の結果はよシ良い。
の結果はよシ良い。
一1ooA/m”電圧30ボルトで60 Kf/ h
=m”の生産性 −2,1〜2.3ゆ水/へ5I02のレベルの乾燥度−
α05 kwh/KPSiO2のレベルtカ消費b)グ
ンファイト電極を使用すると、2,0000hmcmの
代わシに850 ohmczのよシ低い抵抗率において
も沈澱の形成が観察された。
=m”の生産性 −2,1〜2.3ゆ水/へ5I02のレベルの乾燥度−
α05 kwh/KPSiO2のレベルtカ消費b)グ
ンファイト電極を使用すると、2,0000hmcmの
代わシに850 ohmczのよシ低い抵抗率において
も沈澱の形成が観察された。
実施例8
この実施例はシリカ懸濁液を電場処理する他の利点及び
濾過とそれに続く沈澱に関するペーストの挙動の改善を
示す。
濾過とそれに続く沈澱に関するペーストの挙動の改善を
示す。
ペースト100!1/!を両電極間に通す。少量の7リ
カが陽極に沈澱し、残余のペーストは装置人にとる。人
が新しい電着槽であるならは、性能は第一の槽の性能よ
シ良いこと、及び人がフィルターならばケークは第一の
電着槽を通過しなかった場合よシもずっと洗浄性が高い
ことが見出された。
カが陽極に沈澱し、残余のペーストは装置人にとる。人
が新しい電着槽であるならは、性能は第一の槽の性能よ
シ良いこと、及び人がフィルターならばケークは第一の
電着槽を通過しなかった場合よシもずっと洗浄性が高い
ことが見出された。
第1図は本発明の方法の実施に使用する電着装置の概略
説明図、第2図は第1Nに示す電着装置の電着槽の部分
断面斜視図を示す。 手続補正書 昭和59年12月 7日 特許庁長官 志 賀 学 殿 事件の表示 昭和59年特 願第196983号発明の
名称 新規な顔料ケーク及びそれを得る方法補正をする
者 事件との関係 特許出願人 名称 ローヌープ−ラン・シミ・ド・パース代理人 住 所 東京都中央区日本橋3丁目13計11号油脂工
業会館補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 補正の内容 別紙の通り 本願、の明細書を次のように補正する。 t 第25頁11行の次に下記の文章を加入する。
説明図、第2図は第1Nに示す電着装置の電着槽の部分
断面斜視図を示す。 手続補正書 昭和59年12月 7日 特許庁長官 志 賀 学 殿 事件の表示 昭和59年特 願第196983号発明の
名称 新規な顔料ケーク及びそれを得る方法補正をする
者 事件との関係 特許出願人 名称 ローヌープ−ラン・シミ・ド・パース代理人 住 所 東京都中央区日本橋3丁目13計11号油脂工
業会館補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 補正の内容 別紙の通り 本願、の明細書を次のように補正する。 t 第25頁11行の次に下記の文章を加入する。
Claims (16)
- (1) 懸濁液の抵抗率を顔料が電場の作用によシ付着
し得るように十分高い閾値にしてから懸濁液に電場を作
用させることを特徴とする無機顔料懸濁液の脱水方法。 - (2)懸濁液の抵抗率を500〜5,000 ohmc
+nのレベルにしたことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の方法。 - (3)電圧を15〜150ボルトのレベルにするととも
に、電場を5 = 100 V / anのレベルにし
たことを特徴とする特許請求の範囲第1又は2項記載の
方法。 - (4)顔料懸濁液が酸化チタン懸濁液であることを特徴
とする特許請求の範1fE第1又は2項記載の方法◇ - (5)顔料懸濁液がシリカ懸濁液であることを特徴とす
る特許8骨求の範囲第1又は3項記載の方法。 - (6)沈降シリカの8!濁液をpH&5〜10で使用し
たことを特徴とする特許請求の範囲第5項記載の方法。 - (7) シリカ懸濁液が50〜150F/jのシリカを
含有し、かつ抵抗率が1,000〜5.000ohzH
c+nであることを特徴とする特許請求の範囲第5又は
6項記載の方法。 - (8)無機及び有機添加物の群から選dれた添加物を懸
濁液中に含有させたことを特徴とする特許請求の範囲第
1〜7項のいずれか一つに記載の方法。 - (9) 添加物を水酸化バリウム、アルミン′酸ナトリ
ウムおよび4酸ナトリウムから成る群よシ選んだことを
特徴とする特許請求の範囲第8項記載の方法。 - (10)懸濁液が添加物を400〜% 20099m含
有することを特徴とする特許請求の範囲第8又は9項記
載の方法。 - (11) 陽極がFe 、 Co 、 AI及びZn、
グラファイト併びに白金から成る群よシ選は゛れたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1〜10項のいずれか一
つに記載の方法。 - (12) 特許請求の範囲第1.2.4.5.6.7.
8.9及び10項のいずれか一つに記載の方法を実施し
て得ることができ、可逆性を有し、かつIIH10〜3
.5において乾燥材料を15〜40%含有する新規なシ
リカケーク。 - (13) pH6で乾燥材料の含冶鼠が20〜28%で
あることを特徴とする特け゛1;請求の範囲第12項記
載の砕解可能なケーク。 - (14) 比表面積200 m”/ 77以上のシリカ
用乾燥拐料を20%以上詮南することを特徴とする特許
請求の範囲第13項記載の砕解可能なケーク。 - (15) 特許請求の範囲第12又i1.第13項に記
載のケークから得られる懸濁液を乾燥して得られること
を特徴とする新規なシリカ。 - (16) 運動量の多い熱ガスで対象渦穴流を形成し、
ケークから得た懸濁液を流れの回転の対象軸に沿って流
れが比較的に弱い帯域において導入し、懸濁液の軸方向
流束に関して対象である渦穴流の運動量が軸方向流束を
破壊し、分散し、接収しかつ乾燥するようにした方法を
使用してシリカケークを乾燥したことを特徴とする特許
請求の範囲第15項記載のシリカ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8314986A FR2552096B1 (fr) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | Nouveau gateau de pigment et procede pour son obtention |
| FR83.14986 | 1983-09-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090267A true JPS6090267A (ja) | 1985-05-21 |
Family
ID=9292393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59196983A Pending JPS6090267A (ja) | 1983-09-21 | 1984-09-21 | 新規な顔料ケーク及びそれを得る方法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0140741B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6090267A (ja) |
| KR (1) | KR850002588A (ja) |
| AT (1) | ATE26587T1 (ja) |
| BR (1) | BR8404728A (ja) |
| CA (1) | CA1240286A (ja) |
| DE (1) | DE3463156D1 (ja) |
| ES (1) | ES8505711A1 (ja) |
| FR (1) | FR2552096B1 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE559080A (ja) * | ||||
| US4110189A (en) * | 1974-07-05 | 1978-08-29 | J. M. Huber Corporation | Electro-osmotic/phoretic process for concentrating clay |
-
1983
- 1983-09-21 FR FR8314986A patent/FR2552096B1/fr not_active Expired
-
1984
- 1984-09-14 AT AT84401829T patent/ATE26587T1/de active
- 1984-09-14 EP EP84401829A patent/EP0140741B1/fr not_active Expired
- 1984-09-14 DE DE8484401829T patent/DE3463156D1/de not_active Expired
- 1984-09-20 ES ES536100A patent/ES8505711A1/es not_active Expired
- 1984-09-20 CA CA000463660A patent/CA1240286A/fr not_active Expired
- 1984-09-20 BR BR8404728A patent/BR8404728A/pt not_active IP Right Cessation
- 1984-09-21 JP JP59196983A patent/JPS6090267A/ja active Pending
- 1984-09-21 KR KR1019840005797A patent/KR850002588A/ko not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3463156D1 (en) | 1987-05-21 |
| CA1240286A (fr) | 1988-08-09 |
| KR850002588A (ko) | 1985-05-15 |
| EP0140741B1 (fr) | 1987-04-15 |
| EP0140741A1 (fr) | 1985-05-08 |
| BR8404728A (pt) | 1985-08-13 |
| ES536100A0 (es) | 1985-06-01 |
| ATE26587T1 (de) | 1987-05-15 |
| ES8505711A1 (es) | 1985-06-01 |
| FR2552096A1 (fr) | 1985-03-22 |
| FR2552096B1 (fr) | 1987-01-23 |
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