JPS609126A - 縮小投影式アライメント方法およびその装置 - Google Patents
縮小投影式アライメント方法およびその装置Info
- Publication number
- JPS609126A JPS609126A JP58115864A JP11586483A JPS609126A JP S609126 A JPS609126 A JP S609126A JP 58115864 A JP58115864 A JP 58115864A JP 11586483 A JP11586483 A JP 11586483A JP S609126 A JPS609126 A JP S609126A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- wafer
- illumination
- detection
- scattered light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
不発明は縮小投影式露光装置、特にウェハパターン検出
忙関するものである。
忙関するものである。
従来の縮小投影露光装置について第１図乃至第８図にも
とづいて具体的に説明する。即ち従来の縮小投影式露光
装置はガラス乾板（レチクル１）上の回路パターン５の
縮小像を投影レンズ２によりウェハ３上のチップ８上に
繰り返し順次露光する装置である。
とづいて具体的に説明する。即ち従来の縮小投影式露光
装置はガラス乾板（レチクル１）上の回路パターン５の
縮小像を投影レンズ２によりウェハ３上のチップ８上に
繰り返し順次露光する装置である。
レチクル１は最初にレチクルアライメントマーク６によ
り装置光軸６４との位置合せが行なわれる。これは光軸
６４との相対位置が固定された顕微鏡（図示せず）によ
゛り目視で行なわれる。
り装置光軸６４との位置合せが行なわれる。これは光軸
６４との相対位置が固定された顕微鏡（図示せず）によ
゛り目視で行なわれる。
又、マーク６と回路パターン５との相対位置はレチクル
１上で正確に描画され工いる。
１上で正確に描画され工いる。
ウェハ３と光軸６４との粗位置合せを行うため、ウェハ
外形位置を固定する３点ビン２９を用いる。
外形位置を固定する３点ビン２９を用いる。
又、３点ピン２９のみでの粗位置合せ精度が十分でない
場合には、別ステーシロン（図示せず）で顕微鏡目視に
より粗位置決めを行い、そこでの粗位置合せ精度を露光
ステーション（第１図）で保持することも可能である。
場合には、別ステーシロン（図示せず）で顕微鏡目視に
より粗位置決めを行い、そこでの粗位置合せ精度を露光
ステーション（第１図）で保持することも可能である。
（例えば特開昭５３−１０５３７７Ｓ号）。このように
し″′Ｃ，ウェハ３は光軸３４に対して概略±１０μｍ
の粗位置合せが行なわれて、ウェハＸＹステージ３００
上に装着される。
し″′Ｃ，ウェハ３は光軸３４に対して概略±１０μｍ
の粗位置合せが行なわれて、ウェハＸＹステージ３００
上に装着される。
次にウェハ３とレチクル回路パターン５とのθ方向位置
合せ法を説明する。取初忙つエノ・チップ８Ｘ、上のア
ライメントパターン５５ｂとレチクルアライメントパタ
ーン７ｂとのｙ方向の位置ずれ量Δｙ１を位置検出器４
５ｂで検出する。次にステージ２８αを移動し、チップ
ＢＸｎを光軸３４の下に置く。そこでパターン３５がと
レチクルパターン７ｂ・との位置ずれ量ΔｙｒＬを同様
に検出する。
合せ法を説明する。取初忙つエノ・チップ８Ｘ、上のア
ライメントパターン５５ｂとレチクルアライメントパタ
ーン７ｂとのｙ方向の位置ずれ量Δｙ１を位置検出器４
５ｂで検出する。次にステージ２８αを移動し、チップ
ＢＸｎを光軸３４の下に置く。そこでパターン３５がと
レチクルパターン７ｂ・との位置ずれ量ΔｙｒＬを同様
に検出する。
−以上によりウェハ６とレチクル回路パターン５とのθ
方向ずれ量Δθは以下の式により算出され。
方向ずれ量Δθは以下の式により算出され。
θステージ（２８Ｃ）によりΔθの修正が行なわれる。
Δ０２（ΔカーΔｙｎ ）／ＩＬｐ ・・・（１）式（
１）でｎｐはチップ８Ｘ、と８ＸｒＬとの距離を表わす
。即ちＰはチップ間隔（１０ｍｍ ） 、 ｎはチップ
ｅＸ、 、 ｓＸｎ間のチップ数である。
１）でｎｐはチップ８Ｘ、と８ＸｒＬとの距離を表わす
。即ちＰはチップ間隔（１０ｍｍ ） 、 ｎはチップ
ｅＸ、 、 ｓＸｎ間のチップ数である。
次に各チップ８．とレチクル回路パターン５とのＸ−Ｙ
方向の位置合せを行う。例えばチップ８Ｘ。
方向の位置合せを行う。例えばチップ８Ｘ。
の位置合せでは、アライメントパターン３５αとレチク
ルパターン７α、３５ｈと７ｂを位置合せする。１Ａｏ
縮小尭光の場合、チップ面積ｉ ０ｍｍ”に対して、レ
チクル回路パターン部５０面積は１００７Ｌ７７１”と
なっている。この場合、第２図、及び第６図に示す如く
不透明部（クローム類Ｍ）に透明な窓状パターン７α、
７６内に直線状パターン３５α、３５ｂの１０倍拡大
像が投影レンズ２により結像される。例えばＳ窓状パタ
ーン７α、 ７ｂの大きさを４００１ｇＩＬＯ１（レチ
クル上での拡大像寸法は長さ６００μｍ９幅５０μｍと
なる。）パターン３５α、 ５５４の長さ６０１ＬｍＩ
幅５μｍを用いて粗位置合せ積度を±１０μｍ以内とす
れは、窓状パターン７α、７ｂ内忙パターン３５α、３
５ｂの拡大像が第３図、及び第４図の如く確実に結像す
る。ここで、窓状パターン７α、 ７＞の中心線と直線
状パターン６５ａ 、 ５５ｂの甲心線のずれ量Δ、：
Ｔ、、Δｙ。
ルパターン７α、３５ｈと７ｂを位置合せする。１Ａｏ
縮小尭光の場合、チップ面積ｉ ０ｍｍ”に対して、レ
チクル回路パターン部５０面積は１００７Ｌ７７１”と
なっている。この場合、第２図、及び第６図に示す如く
不透明部（クローム類Ｍ）に透明な窓状パターン７α、
７６内に直線状パターン３５α、３５ｂの１０倍拡大
像が投影レンズ２により結像される。例えばＳ窓状パタ
ーン７α、 ７ｂの大きさを４００１ｇＩＬＯ１（レチ
クル上での拡大像寸法は長さ６００μｍ９幅５０μｍと
なる。）パターン３５α、 ５５４の長さ６０１ＬｍＩ
幅５μｍを用いて粗位置合せ積度を±１０μｍ以内とす
れは、窓状パターン７α、７ｂ内忙パターン３５α、３
５ｂの拡大像が第３図、及び第４図の如く確実に結像す
る。ここで、窓状パターン７α、 ７＞の中心線と直線
状パターン６５ａ 、 ５５ｂの甲心線のずれ量Δ、：
Ｔ、、Δｙ。
が検出器４５ａ 、 ４５ｂにより検出される。ずれ量
Δ”１１Δｙ、はステージ２８α、２８ｈの移動により
修正される。
Δ”１１Δｙ、はステージ２８α、２８ｈの移動により
修正される。
次に検出器４５α、 （４５ｈ ）の構成を説明する。
一般に投影レンズ２は投影露光紫外草色光（ｇ＆Ｉ）に
対して設計されており、ｙ線以外の光では結像位１直が
変化する「色収差」が発生する為。
対して設計されており、ｙ線以外の光では結像位１直が
変化する「色収差」が発生する為。
パターン検出釦も９線を使用する。！ｉ線照明用ファイ
バ５６ａ （５６ｂ ）のノ（ターン照明光７０ａ（７
０ｂ）はハーフミラ−１２α（１２’６ ）で反射し、
レンズ１８α（１８ｂ）、ミラー１１α（１１ｈ）、窓
状パ４−ン７α（７ｂ）’ａ？通過して、投影レンズ２
に入射づ−る。Ｊ状ノ（ターン７ａ （７ｂ ）透明部
４００μｍｏは投影レンズ２によりイ。に縮小され４０
μｍＯとｒｌす、パターン５５Ｑ （５５ｂ）上を照明
する。パターン３５４ （３５ｂ）からの反射散乱光７
５ａ。
バ５６ａ （５６ｂ ）のノ（ターン照明光７０ａ（７
０ｂ）はハーフミラ−１２α（１２’６ ）で反射し、
レンズ１８α（１８ｂ）、ミラー１１α（１１ｈ）、窓
状パ４−ン７α（７ｂ）’ａ？通過して、投影レンズ２
に入射づ−る。Ｊ状ノ（ターン７ａ （７ｂ ）透明部
４００μｍｏは投影レンズ２によりイ。に縮小され４０
μｍＯとｒｌす、パターン５５Ｑ （５５ｂ）上を照明
する。パターン３５４ （３５ｂ）からの反射散乱光７
５ａ。
（７５ｂ ）は投影レンズ２に逆入射して、拡大結像５
５α（５５ｈ ）を忍状パターン７ａ （７ｂ ）内に
作ル。窓状パターン７α（７ｂ）と拡大像３５α（３５
ｂ）は重ね合わされ、ミラー１１ｃＬ（１１ｂ）、レン
ズ１８α（１Ｂｂ ） 、リレーレンズ３７αＣ３７ｈ
）、ミラー３８ｚ （５８ｂ ）を経て、スリット板３
９α（３９ｂ）上に再び拡大結像を形成される。スリッ
ト板３９α（５９ｂ ）上のスリット２３α（２ｓｂ
）は板ばね４４α（４４１６）に支えられ、ガル／（−
４１α（４１ｂ ）の揺動回転力とてこ４２ａ （４２
ｂ ） 、連結棒４３α（４３ｈ）により１両者の拡大
像上を振動走査する。スリット２６α（２３，６）の上
方には。
５α（５５ｈ ）を忍状パターン７ａ （７ｂ ）内に
作ル。窓状パターン７α（７ｂ）と拡大像３５α（３５
ｂ）は重ね合わされ、ミラー１１ｃＬ（１１ｂ）、レン
ズ１８α（１Ｂｂ ） 、リレーレンズ３７αＣ３７ｈ
）、ミラー３８ｚ （５８ｂ ）を経て、スリット板３
９α（３９ｂ）上に再び拡大結像を形成される。スリッ
ト板３９α（５９ｂ ）上のスリット２３α（２ｓｂ
）は板ばね４４α（４４１６）に支えられ、ガル／（−
４１α（４１ｂ ）の揺動回転力とてこ４２ａ （４２
ｂ ） 、連結棒４３α（４３ｈ）により１両者の拡大
像上を振動走査する。スリット２６α（２３，６）の上
方には。
集光レンズ４０α、 （４０ｂ ）、光電変換素子２５
α（２５ｈ）が装着されている為、第４図に示す如く。
α（２５ｈ）が装着されている為、第４図に示す如く。
両者の重ね合せ拡大像７ａ （７ｂ ） 、 ３５ａ
（３５ｂ）上をスリット２３α（２３ｈ）が通過すると
、光電変換素子２５α（２５ｂ）の出力は、第４図（ｈ
）の如く得られる。ここで、窓状パターン７α（７ｂ）
の左端、右端の位置はスリット２３α（２！１，６）の
原点６００よりＭ、 、 Ｍ、と検出されるので窓の中
心位置は（Ｍ、 十＆２ ）／２と演算される。一方、
ノくターン３５α（５５ｂ）の中心位置はＷと検出され
る。両者の差Δｘ、（Δｙｘ ）は次式となる。
（３５ｂ）上をスリット２３α（２３ｈ）が通過すると
、光電変換素子２５α（２５ｂ）の出力は、第４図（ｈ
）の如く得られる。ここで、窓状パターン７α（７ｂ）
の左端、右端の位置はスリット２３α（２！１，６）の
原点６００よりＭ、 、 Ｍ、と検出されるので窓の中
心位置は（Ｍ、 十＆２ ）／２と演算される。一方、
ノくターン３５α（５５ｂ）の中心位置はＷと検出され
る。両者の差Δｘ、（Δｙｘ ）は次式となる。
Δ−Ｚ”＋ （Δ３’ｌ）＝ＣＭｌ＋Ｊｆ２）／２−Ｆ
＝１２１以上で縮小投影露光装置におけるパターン検
出の原理を説明した。
＝１２１以上で縮小投影露光装置におけるパターン検
出の原理を説明した。
次に上記検出における間旭点を説明する。第６図に示す
如くパターン３５α（６５ｂ）は前述の如く直線状の段
差で構成されている。例えば、パターン段差を構成する
層（Ｓｉｎ、）３ｈは基板（Ｓｉ ）６Ｃ上に形成され
ており、パターン段差上にはホトレジスト３αが塗布さ
れる。−穀圧ホトレジスト３αは透明であるため、１線
照明光７ｏα（７ｏｂ）の照明によりパターン段差近傍
で干渉縞パターンが第５図に示す如く発生する。これは
、照明光７０Ｃ１（７０ｂ）によるホトレジスト３α表
面Ｓ、 、 Ｓ２上で、入射光７０ａ （７０ｂ ）と
反射光７５ａ （７５４）との干渉現象（例えばＤｉｔ
ｔｒｉｃｋ Ｆ、 Ｗｉｄｍａｎｎ ：「ＱＬＬａｎｔ
ｉｆ、ａｔｉｖｔ Ｅｖａｌｕ、ａｔｉｏルｏｆ ｐｈ
ｏｔｏｒａｓｉｓｔｐａｔｔｅｒｎ、？ｉｎ、 ｔｈｅ
１−ｐｍ Ｒａｎｇｅ Ｊ Ａｐｒｉｌ １９７５／
Ｖｏｌ 、１４．７ｆ６４ Ａｐｐｌｉｅｄ、 ０ｐｔ
ｉｃｓ ｐ９３１〜．Ｐ９３４参照）による。パターン
段差中心に対して、ホトレジストが対称に均一塗布され
ている場合には、光電素子２５α（２５ｂ）の出方波形
は第７図に示す様に段差中心に対して対称となる。この
出力波形の対称性を利用して対称中ｔＪ、）を検出する
方法（特開昭５３−６９０６５号）により、容易かつ正
確にパターン３５α（３５りの中心がまる。
如くパターン３５α（６５ｂ）は前述の如く直線状の段
差で構成されている。例えば、パターン段差を構成する
層（Ｓｉｎ、）３ｈは基板（Ｓｉ ）６Ｃ上に形成され
ており、パターン段差上にはホトレジスト３αが塗布さ
れる。−穀圧ホトレジスト３αは透明であるため、１線
照明光７ｏα（７ｏｂ）の照明によりパターン段差近傍
で干渉縞パターンが第５図に示す如く発生する。これは
、照明光７０Ｃ１（７０ｂ）によるホトレジスト３α表
面Ｓ、 、 Ｓ２上で、入射光７０ａ （７０ｂ ）と
反射光７５ａ （７５４）との干渉現象（例えばＤｉｔ
ｔｒｉｃｋ Ｆ、 Ｗｉｄｍａｎｎ ：「ＱＬＬａｎｔ
ｉｆ、ａｔｉｖｔ Ｅｖａｌｕ、ａｔｉｏルｏｆ ｐｈ
ｏｔｏｒａｓｉｓｔｐａｔｔｅｒｎ、？ｉｎ、 ｔｈｅ
１−ｐｍ Ｒａｎｇｅ Ｊ Ａｐｒｉｌ １９７５／
Ｖｏｌ 、１４．７ｆ６４ Ａｐｐｌｉｅｄ、 ０ｐｔ
ｉｃｓ ｐ９３１〜．Ｐ９３４参照）による。パターン
段差中心に対して、ホトレジストが対称に均一塗布され
ている場合には、光電素子２５α（２５ｂ）の出方波形
は第７図に示す様に段差中心に対して対称となる。この
出力波形の対称性を利用して対称中ｔＪ、）を検出する
方法（特開昭５３−６９０６５号）により、容易かつ正
確にパターン３５α（３５りの中心がまる。
しかし、第８図に示す如く、ホトレジスト塗布が段差中
心に対して非対称で不均一な場合には、当然光電素子２
５α（２５りの出方波形は非対称である。第８図（α）
に示す例は、段差の傾斜が左右で異なる為、ホトレジス
ト３αが非対称に塗布されており、第８図（Ａ）の如く
の出方波形では１段差中心を検出１゛ることは困難であ
り、ウェハパターン３５α（５５ｂ）の検出が出来ない
。
心に対して非対称で不均一な場合には、当然光電素子２
５α（２５りの出方波形は非対称である。第８図（α）
に示す例は、段差の傾斜が左右で異なる為、ホトレジス
ト３αが非対称に塗布されており、第８図（Ａ）の如く
の出方波形では１段差中心を検出１゛ることは困難であ
り、ウェハパターン３５α（５５ｂ）の検出が出来ない
。
この様なホトレジストの非対称塗布の原因は（１）上記
の段差傾斜非鉛称の他、（２）ホトレジスト塗布工程に
用いる回転型塗布装置（スピンナ）の振動、（３）ホト
レジストの溶剤粘度の不適正等にある。
の段差傾斜非鉛称の他、（２）ホトレジスト塗布工程に
用いる回転型塗布装置（スピンナ）の振動、（３）ホト
レジストの溶剤粘度の不適正等にある。
本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、ホトレ
ジスト塗布不均一等起因した干渉縞パターンの発生を防
ぎ、安定にウェハパターン検出を行うことができるよう
にした縮小投影露光装置を提供するにある。
ジスト塗布不均一等起因した干渉縞パターンの発生を防
ぎ、安定にウェハパターン検出を行うことができるよう
にした縮小投影露光装置を提供するにある。
本発明は、傾斜角度をＭする照明を用いて。
ウェハ段差傾胴部からの散乱光のみを投影レンズ忙逆入
射せしめて、左右段差傾斜部の中心をウェハパターン中
心と定義する検出方法を用いたこと忙ある。即ち本発明
は傾斜角度を有する照明を用いたので、ホトレジスト表
面での干渉現象が化せず、ウェハパターン検出が安定に
行なえることができるようにした。
射せしめて、左右段差傾斜部の中心をウェハパターン中
心と定義する検出方法を用いたこと忙ある。即ち本発明
は傾斜角度を有する照明を用いたので、ホトレジスト表
面での干渉現象が化せず、ウェハパターン検出が安定に
行なえることができるようにした。
以下本発明の笑施例は凍９図乃至第２６図にもとつい工
具体的に説明する。即ち第９図、及び第１０図に傾斜角
度な弔する照明装置２００α、２００ｂ。
具体的に説明する。即ち第９図、及び第１０図に傾斜角
度な弔する照明装置２００α、２００ｂ。
２００Ｃ９２００ｄによりウェハパターン３５α、３５
ｈを照明する方法を示す。
ｈを照明する方法を示す。
照明装置２００α（２００ｂ、 ２００ｃ、２００ｄ
）はｙ線単色元照明７ フィバ１０３ｃ （１０５ｂ
、 １０３ｃ、１’０５ｄ）。
）はｙ線単色元照明７ フィバ１０３ｃ （１０５ｂ
、 １０３ｃ、１’０５ｄ）。
シー？ツタ１０５ａ （１０５ｈ、 １０５ｃ、１０５
ｄ、 ） 、 ｖ ：ｙズ１０２（Ｚ （１０２ｈ 、
１０２Ｃ，１０２ｃｔ 、） 、ス リ ッ ト １
０１α（１０１Ａ 、 １０１ｃ、１０１ｄ） 、 レ
ンズ１００α（１００ｂ。
ｄ、 ） 、 ｖ ：ｙズ１０２（Ｚ （１０２ｈ 、
１０２Ｃ，１０２ｃｔ 、） 、ス リ ッ ト １
０１α（１０１Ａ 、 １０１ｃ、１０１ｄ） 、 レ
ンズ１００α（１００ｂ。
１００Ｃ，１００ｄ ） Ｋより構成される。ウェハパ
ターン６５α（５５ｂ）の左右の段差傾斜部は照明光１
０４．６ 、１０４ｄ （１０４α、 １０４ｃ） Ｋ
より照明される。この時１線照明光によりウニハチラグ
回路部８Ｘ、が露光されない様に、パターン６５α、３
５ｈは回路周辺部（スクライビングエリア）８Ｘ；に配
置することが肝要である。又、照明範囲９ｏα。
ターン６５α（５５ｂ）の左右の段差傾斜部は照明光１
０４．６ 、１０４ｄ （１０４α、 １０４ｃ） Ｋ
より照明される。この時１線照明光によりウニハチラグ
回路部８Ｘ、が露光されない様に、パターン６５α、３
５ｈは回路周辺部（スクライビングエリア）８Ｘ；に配
置することが肝要である。又、照明範囲９ｏα。
（９０ｂ）はパターン近傍のみに制限する必要がア７．
）為、スリｙ ） １０１ｂ−、１ｏｔｄ（１０１（Ｚ
、 １０１ｃ）を用いた。又パターン検出１伎置合せ
終了後水銀灯５４によるパターン５のチップ８Ｘ、上へ
の露光の際には、シャッタ１０５α（１０５Ａ 、 １
ｏｓｃ。
）為、スリｙ ） １０１ｂ−、１ｏｔｄ（１０１（Ｚ
、 １０１ｃ）を用いた。又パターン検出１伎置合せ
終了後水銀灯５４によるパターン５のチップ８Ｘ、上へ
の露光の際には、シャッタ１０５α（１０５Ａ 、 １
ｏｓｃ。
１０５ｄ、）を閉じる必要がある。
第１１図、及び第１２図にパターン５５６を照明光１０
４α、 １０４ｃにより照明する様子を示す。この照明
の場合には、第６図で見られる干渉縞パターンが、５１
．．５２点で発生しない。ここで照明光１０４α（１０
４Ｃ）により照明される左（右）傾斜部での散乱光７１
Ａ 、 ７５ｂのうち、７５ｈのみが投影レンズ２に逆
入射し、７１ｈは逆入射されないのでウェハパターン検
出に関与しない。
４α、 １０４ｃにより照明する様子を示す。この照明
の場合には、第６図で見られる干渉縞パターンが、５１
．．５２点で発生しない。ここで照明光１０４α（１０
４Ｃ）により照明される左（右）傾斜部での散乱光７１
Ａ 、 ７５ｂのうち、７５ｈのみが投影レンズ２に逆
入射し、７１ｈは逆入射されないのでウェハパターン検
出に関与しない。
第１３図に散乱光７５７５の検出原理、第１４図〜第１
６回圧検出方法を示す。又、第１３図〜第１６図では簡
単の為、パターン３５ｂのみの検出につい又述べる。
６回圧検出方法を示す。又、第１３図〜第１６図では簡
単の為、パターン３５ｂのみの検出につい又述べる。
第１３図では、パターン５５ｂからの散乱光７５ｂが、
レチクルパターン７ｂ上で拡大結像する様子を示した。
レチクルパターン７ｂ上で拡大結像する様子を示した。
レチクルパターン７ｂ上の拡大結像３５ｂはレンズ１８
ｚ、リレーレンズ３７ｂにより再拡大結像３５ｂとなり
スリット板上５９６に形成される。上記再拡大結像６５
ｂ上をスリット２３ｂが走査すると検出波形は図１４（
，６）の如くに得られる。しかし、この方法ではレチク
ル窓状パターン７ｂの窓端部位置Ｍ、 、 Ｍ２が検出
出来ない。そこで第１図（第１３図）に示すレチクルパ
ターン照明装置を用いる。ＰＩ装置は、照明ファイバ４
８ｂ。
ｚ、リレーレンズ３７ｂにより再拡大結像３５ｂとなり
スリット板上５９６に形成される。上記再拡大結像６５
ｂ上をスリット２３ｂが走査すると検出波形は図１４（
，６）の如くに得られる。しかし、この方法ではレチク
ル窓状パターン７ｂの窓端部位置Ｍ、 、 Ｍ２が検出
出来ない。そこで第１図（第１３図）に示すレチクルパ
ターン照明装置を用いる。ＰＩ装置は、照明ファイバ４
８ｂ。
レンズ４７ｂ、ミラー４６ｂ、ミラー１０ｂより構成さ
れる。同装置による照明光６０ｂはレチクル窓状パター
ン７７５を形成する不透明部（クローム蒸着部７カ）で
正反射し１．検出光学系４５ｂに入射する。この為、検
出出力波形は第１５図ＣＡ） Ｋ示す如くになり、窓端
部位置Ｍ、 、 Ｍ、が容易にまる。
れる。同装置による照明光６０ｂはレチクル窓状パター
ン７７５を形成する不透明部（クローム蒸着部７カ）で
正反射し１．検出光学系４５ｂに入射する。この為、検
出出力波形は第１５図ＣＡ） Ｋ示す如くになり、窓端
部位置Ｍ、 、 Ｍ、が容易にまる。
編１５図、第１６図は窓端部位置Ｍ、 、 Ｍ、 、段
差中心Ｆを電気回路でめる方法を説明する。光電変換素
子２５ｂの出力（ｂ）は、スライスレベル％が設定され
た二値化回路８０．ルが設定された二値化回路９０に入
力する。二値化回路８０の出力（Ｃ）により立上り、立
下り位置演算回路８１゜８２は窓端部位置Ｍ、 、 Ｍ
、を演算する。平均値回路８６は＜ Ｍ１＋ｕｔ ）／
２の演算を行ない、出力（ｄ）を位置ずれ演算回路８４
に送る。一方、二値化回路φもの出力はゲート回路９２
へ入力される。ゲート回路９２の他の入力は窓左端部位
置Ｍ１に余裕値Δ（レチクル上換算で５０μｒｒＬ）を
加えた位置Ｍ１＋Δであり、これは加算回路９１の出力
である。結局ゲート回路９２が°開°の区間Ｓはレチク
ル窓中心に中央を一致した約６００μｍとなる（信号（
ｅ））。
差中心Ｆを電気回路でめる方法を説明する。光電変換素
子２５ｂの出力（ｂ）は、スライスレベル％が設定され
た二値化回路８０．ルが設定された二値化回路９０に入
力する。二値化回路８０の出力（Ｃ）により立上り、立
下り位置演算回路８１゜８２は窓端部位置Ｍ、 、 Ｍ
、を演算する。平均値回路８６は＜ Ｍ１＋ｕｔ ）／
２の演算を行ない、出力（ｄ）を位置ずれ演算回路８４
に送る。一方、二値化回路φもの出力はゲート回路９２
へ入力される。ゲート回路９２の他の入力は窓左端部位
置Ｍ１に余裕値Δ（レチクル上換算で５０μｒｒＬ）を
加えた位置Ｍ１＋Δであり、これは加算回路９１の出力
である。結局ゲート回路９２が°開°の区間Ｓはレチク
ル窓中心に中央を一致した約６００μｍとなる（信号（
ｅ））。
ゲート回路９２０出力Ｃｆ）はウェハパターン３５／）
の左右段差部位置であり、中心位置演算回路９３゜９４
により段差部中心位置（、Ｖ） ｒ ＊ 石を得る。ウ
ェハ位置演算回路９５により（何十ろ）／２（＝Ｆ）が
演算され出力（Ａ）を得る。位置ずれ演算回路８４は前
述の信号（ｄ）とＣｈ）を入力して位置ずれ量を出力す
る。
の左右段差部位置であり、中心位置演算回路９３゜９４
により段差部中心位置（、Ｖ） ｒ ＊ 石を得る。ウ
ェハ位置演算回路９５により（何十ろ）／２（＝Ｆ）が
演算され出力（Ａ）を得る。位置ずれ演算回路８４は前
述の信号（ｄ）とＣｈ）を入力して位置ずれ量を出力す
る。
図１７ 、１８．１９に傾斜照明角度θと段差傾斜中心
位置麻検出精度との関係を説明する。第１７図は比較的
大きい傾斜角度θ（＝θＩ）で段差傾斜部を照明した場
合であり、第１８図では比較的小さい傾斜角度θ（＝＝
：θ２）で照明した場合である。例えば二値化回路９０
でのスライスレベル少を出力波形（りのピーク値ＶＭＡ
Ｘの４とした場合には、傾斜部中心位置籠と検出出力信
号（！Ｉ）による位置石との差＃（＝４−石）は、第１
７図。
位置麻検出精度との関係を説明する。第１７図は比較的
大きい傾斜角度θ（＝θＩ）で段差傾斜部を照明した場
合であり、第１８図では比較的小さい傾斜角度θ（＝＝
：θ２）で照明した場合である。例えば二値化回路９０
でのスライスレベル少を出力波形（りのピーク値ＶＭＡ
Ｘの４とした場合には、傾斜部中心位置籠と検出出力信
号（！Ｉ）による位置石との差＃（＝４−石）は、第１
７図。
第１８図に示す如くになる。一般に段差傾斜部上方の屑
では丸み形状となっているので、第１９図の実験結果（
実験条件φ−３５°ｍ Ａ＋ ＝ ５００ＱＪ’ （Ｓ
Ｌ０２ ｎ ＝ １．４６）、ｈｔ＝ １０００ＯＡ（
ｒＬ＝ １．６５））が示す様に、傾斜角度θは小さく
する方が検出誤差ΔＦは小すくする。この誤差は第６図
の如くの左右段差形状が同一の場合はウェハ位ｔ （Ｆ
ｌ＋’ｘ ）／２に影響しないか、第８図（α）に示す
様に左右段差形状が相違する場合には、ウェハ位置く格
子’ｚ ）／２の検出精度に影響する為、傾斜角θは極
力、小さくする構成が望ましい。
では丸み形状となっているので、第１９図の実験結果（
実験条件φ−３５°ｍ Ａ＋ ＝ ５００ＱＪ’ （Ｓ
Ｌ０２ ｎ ＝ １．４６）、ｈｔ＝ １０００ＯＡ（
ｒＬ＝ １．６５））が示す様に、傾斜角度θは小さく
する方が検出誤差ΔＦは小すくする。この誤差は第６図
の如くの左右段差形状が同一の場合はウェハ位ｔ （Ｆ
ｌ＋’ｘ ）／２に影響しないか、第８図（α）に示す
様に左右段差形状が相違する場合には、ウェハ位置く格
子’ｚ ）／２の検出精度に影響する為、傾斜角θは極
力、小さくする構成が望ましい。
第２０図、第２１図は傾斜角θと出力波形（Ａ）の５ｌ
ＩＶ比（コントラスト）の関係を説明する（実験条件り
、＝アルミ蒸着１００００λＡ、＝ １００００，４
（ｉｔ＝ １．６５ ） Ａ１＝ ５０００．（）。第
２０図は段差がアルミ蒸着層３ｄで構成されてｂる例を
示す３．この場合には、アルミ蒸着表面が粗い為、散乱
光７１Ａは散乱方位角度が広くなり、投影レンズ２に逆
入射する成分も含まれる。この為、出力波形（りのＳｌ
Ｎ比（コントラスト＝Ｖｓ／Ｖｏ ）は第１２図の場合
に比べ著しく低下する。第２１図はアルミ蒸着層３ｄで
構成された段差での出力波形のルＷ比の測定実験例であ
り、この場合も傾斜角度θは極力小さくする構成が望ま
しいことが判る。
ＩＶ比（コントラスト）の関係を説明する（実験条件り
、＝アルミ蒸着１００００λＡ、＝ １００００，４
（ｉｔ＝ １．６５ ） Ａ１＝ ５０００．（）。第
２０図は段差がアルミ蒸着層３ｄで構成されてｂる例を
示す３．この場合には、アルミ蒸着表面が粗い為、散乱
光７１Ａは散乱方位角度が広くなり、投影レンズ２に逆
入射する成分も含まれる。この為、出力波形（りのＳｌ
Ｎ比（コントラスト＝Ｖｓ／Ｖｏ ）は第１２図の場合
に比べ著しく低下する。第２１図はアルミ蒸着層３ｄで
構成された段差での出力波形のルＷ比の測定実験例であ
り、この場合も傾斜角度θは極力小さくする構成が望ま
しいことが判る。
以上では傾斜照明をｙ線単色光として説明したか、他の
草色光（例えばＣ緋）を用いても、第２２図及び第２３
図に示″３ｆ様な工夫をすれはウェハパターン検出が可
能となる。
草色光（例えばＣ緋）を用いても、第２２図及び第２３
図に示″３ｆ様な工夫をすれはウェハパターン検出が可
能となる。
第２２図に示す例では、パターン６５ｈを傾斜照１力１
−る照明光７０４α、 ７０４Ｃはｅ勝単色照明を用い
ている。この場合はｅ線照町によりホトレジストは露光
されないので、スリット１０１ａ、１０１Ｃは不用であ
る。又、投影レンズ２の色収差によリパターン段ｉ ３
５Ａの拡大像はレチクルパターン７ｂの上方７面に結像
する。そこで、レンズ１８ｂの焦点をパターン７ｂから
Ａ面に移＠する目的でレンズ１８Ａを１８が位置に検出
系４５Ａ元軸に浴い移動させる。この操作によりパター
ン５５４の再拡大像がスリット板３９ｂ上に結像される
。以上の様に本操作を行うと第２３図（α）に示す如く
。
−る照明光７０４α、 ７０４Ｃはｅ勝単色照明を用い
ている。この場合はｅ線照町によりホトレジストは露光
されないので、スリット１０１ａ、１０１Ｃは不用であ
る。又、投影レンズ２の色収差によリパターン段ｉ ３
５Ａの拡大像はレチクルパターン７ｂの上方７面に結像
する。そこで、レンズ１８ｂの焦点をパターン７ｂから
Ａ面に移＠する目的でレンズ１８Ａを１８が位置に検出
系４５Ａ元軸に浴い移動させる。この操作によりパター
ン５５４の再拡大像がスリット板３９ｂ上に結像される
。以上の様に本操作を行うと第２３図（α）に示す如く
。
レチクルパターン７ｈとウェハパターン５５ｂハ同時に
検出されず、レチクルパターン７ｂの恢出出力（第２３
図（Ａ）に示す。）とウェハパターン３５ｂの検出出力
（第２６図（ｄ）に示す。）は励時間で検出される。し
かし、スリット原点３００からの両パターン位置（Ｊ／
ｌ＋ ＆！ ）／２ ｃ第２６図（ｃ）に示す。）、Ｆ
（第２３図（ｇ）に示す。）を電気回路で記憶すること
により容易に位置ずれ量をめることが出来る。この時、
ウェハパターン位置Ｗの検出では、Ａ点での結像倍率が
１０倍より若干大きくなることを位置ずれ量の演算の際
に考慮する必要がある。
検出されず、レチクルパターン７ｂの恢出出力（第２３
図（Ａ）に示す。）とウェハパターン３５ｂの検出出力
（第２６図（ｄ）に示す。）は励時間で検出される。し
かし、スリット原点３００からの両パターン位置（Ｊ／
ｌ＋ ＆！ ）／２ ｃ第２６図（ｃ）に示す。）、Ｆ
（第２３図（ｇ）に示す。）を電気回路で記憶すること
により容易に位置ずれ量をめることが出来る。この時、
ウェハパターン位置Ｗの検出では、Ａ点での結像倍率が
１０倍より若干大きくなることを位置ずれ量の演算の際
に考慮する必要がある。
又１本発明は前述の／ｉｏ縮小投影露光のみに限らず、
１／１等倍投影露光にも適用出来ることは自明である。
１／１等倍投影露光にも適用出来ることは自明である。
以上説明したように本発明によればホトレジスト表面で
の干渉現象せず、ウェハパターンの検出が安定に行うこ
とが出来る効果な秦する。
の干渉現象せず、ウェハパターンの検出が安定に行うこ
とが出来る効果な秦する。
第１図は縮小投影式露光装置の原理と従来のパターン検
出法を示す図、第２図は従来のチップとレチクル回路パ
ターンとの位置合せ法を示す図、第３図は第２図の位置
合せ法における位置合せパターンの関係を示す図、第４
図は第３図の位置合せパターンの検出出力波形を示す図
。 第５図はウェハパターンと干渉縞パターンの関係を示す
図、第６図は第５図に示すウェハパターンのＡ−Ａ断面
図と干渉縞の発生を示す図。 第７図は第６図の段面な有するパターンの検出出力波形
な示す図、第８図（α）は左右段差傾斜が不均一な場合
のウェハパターンのＡ−Ａ断面図を示し、第８図（りは
第８図（α）の検出出力波形を示す図、第９図は本発明
の縮小投影露光装置の一実施例を示す図、第１０図は第
９図に示すチップ部分の拡大図、第１１図はウェハパタ
ーンの傾斜照明光による照明法を示す図、第１２図は第
１１図の照明法妊よる散乱光を示す図、第１３図はウェ
ハパターンの散乱光の検出原理を示す図であり、第１６
図（α）は側面囚、第１３図（Ａ）はその平面図（中心
部のみ）、第１４図はウェハパターンの再拡大結像と検
出信号を示す図、第１５図ハウエバパターンとレチクル
パターンの位置ずれをめるフローを示す図、第１６図は
第１５図に示すフローを実施する電気回路を示した図。 第１７図は傾斜角度θ、が大きな場合の段差傾斜中心れ
の検出誤差を示した図、第１８図は傾斜角度θ２が小さ
い場合の、段差傾斜中心らの検出誤差を示した図、第１
９図はある実験例における傾斜角度θと段差傾斜中心検
出誤差の関係を示した図、第２０図はアルミ蒸着層で形
成されたウェハパターンからの散乱光とその検出出力を
示す図、第２１図はある実験例における第２０図の検出
出力Ｓ／Ｎ比測定結果を示す図、第２２図は傾斜照明光
にｅ＃ｉｌを用いた場合の検出原理を示す図、第２６図
は第２２図の場合の検出出力を示した図である。 １・・・レチクル ２・・・縮示投影露光レンズ ３４・・・光軸 ４５α（４５ｂ）・・・検出光学系− １ｉｃｚ （１１ｂ）・・・ミラー １８α（１８，６）・・・レンズ ３７α（５７ｂ）・・・リレーレンズ ４８α（４８Ａ）・・・レチクルパターン照明用ファイ
バー３６α（５６ｂ）・・・ウェハパターン照明用ファ
イバー５４・・・水銀灯 ３α・・・ホトレジスト塗布層 ３ｂ・・・段差形成層 ３Ｃ・・・基板 ７５α（７５，６）・・・基板からの反射光２００α（
２０ＯＡ 、 ２００Ｃ，２００ｄ）・・・傾斜照明装
置１０２α（１０２５、１０２Ｃ，１０２ｄ）・・・レ
ンズ１０１α（１０１ｂ、 １０１Ｃ，１０１ｄ ）・
・・スリット１００α（１００ｂ、 １００Ｃ，１ｏｏ
ｄ）・・・レンズ１０５（Ｚ （１０５Ａ 、 １０５
ｃｍ、 １０５ｄ） −シャッター代理人弁理士 高
橋 明 夫 −′５図 〒７図 一一÷ズ（ｔ） 灼１０囲 勿１１図 ５ｂ 粥１δ図 閑１９図 泪２０図 兜２１図 □ θ
出法を示す図、第２図は従来のチップとレチクル回路パ
ターンとの位置合せ法を示す図、第３図は第２図の位置
合せ法における位置合せパターンの関係を示す図、第４
図は第３図の位置合せパターンの検出出力波形を示す図
。 第５図はウェハパターンと干渉縞パターンの関係を示す
図、第６図は第５図に示すウェハパターンのＡ−Ａ断面
図と干渉縞の発生を示す図。 第７図は第６図の段面な有するパターンの検出出力波形
な示す図、第８図（α）は左右段差傾斜が不均一な場合
のウェハパターンのＡ−Ａ断面図を示し、第８図（りは
第８図（α）の検出出力波形を示す図、第９図は本発明
の縮小投影露光装置の一実施例を示す図、第１０図は第
９図に示すチップ部分の拡大図、第１１図はウェハパタ
ーンの傾斜照明光による照明法を示す図、第１２図は第
１１図の照明法妊よる散乱光を示す図、第１３図はウェ
ハパターンの散乱光の検出原理を示す図であり、第１６
図（α）は側面囚、第１３図（Ａ）はその平面図（中心
部のみ）、第１４図はウェハパターンの再拡大結像と検
出信号を示す図、第１５図ハウエバパターンとレチクル
パターンの位置ずれをめるフローを示す図、第１６図は
第１５図に示すフローを実施する電気回路を示した図。 第１７図は傾斜角度θ、が大きな場合の段差傾斜中心れ
の検出誤差を示した図、第１８図は傾斜角度θ２が小さ
い場合の、段差傾斜中心らの検出誤差を示した図、第１
９図はある実験例における傾斜角度θと段差傾斜中心検
出誤差の関係を示した図、第２０図はアルミ蒸着層で形
成されたウェハパターンからの散乱光とその検出出力を
示す図、第２１図はある実験例における第２０図の検出
出力Ｓ／Ｎ比測定結果を示す図、第２２図は傾斜照明光
にｅ＃ｉｌを用いた場合の検出原理を示す図、第２６図
は第２２図の場合の検出出力を示した図である。 １・・・レチクル ２・・・縮示投影露光レンズ ３４・・・光軸 ４５α（４５ｂ）・・・検出光学系− １ｉｃｚ （１１ｂ）・・・ミラー １８α（１８，６）・・・レンズ ３７α（５７ｂ）・・・リレーレンズ ４８α（４８Ａ）・・・レチクルパターン照明用ファイ
バー３６α（５６ｂ）・・・ウェハパターン照明用ファ
イバー５４・・・水銀灯 ３α・・・ホトレジスト塗布層 ３ｂ・・・段差形成層 ３Ｃ・・・基板 ７５α（７５，６）・・・基板からの反射光２００α（
２０ＯＡ 、 ２００Ｃ，２００ｄ）・・・傾斜照明装
置１０２α（１０２５、１０２Ｃ，１０２ｄ）・・・レ
ンズ１０１α（１０１ｂ、 １０１Ｃ，１０１ｄ ）・
・・スリット１００α（１００ｂ、 １００Ｃ，１ｏｏ
ｄ）・・・レンズ１０５（Ｚ （１０５Ａ 、 １０５
ｃｍ、 １０５ｄ） −シャッター代理人弁理士 高
橋 明 夫 −′５図 〒７図 一一÷ズ（ｔ） 灼１０囲 勿１１図 ５ｂ 粥１δ図 閑１９図 泪２０図 兜２１図 □ θ
Claims (2)
- （１）半導体ウェハの複数直線状段差パターンに各パタ
ーンの両側直角方向で傾斜角４０度以下に光軸を有する
複数の照明装置と、該照明装置による照明光の該パター
ン段差からの散乱光を入射せしめて該パターン段差の拡
大結像を作る投影露光用レンズ光学系と、該投影露光用
レンズ光学系によっ又形成された拡大結像の位置を検出
する検出光学系とを設けたことを特徴とした投影式露光
装置。 - （２） 上記照明装置は、照明光なウェハ露光用単色光
とし、ウェハ照明範囲を該パターン近傍のみに限定する
よう構成したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の縮小投影式露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115864A JPS609126A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 縮小投影式アライメント方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58115864A JPS609126A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 縮小投影式アライメント方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609126A true JPS609126A (ja) | 1985-01-18 |
| JPH0510814B2 JPH0510814B2 (ja) | 1993-02-10 |
Family
ID=14673034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58115864A Granted JPS609126A (ja) | 1983-06-29 | 1983-06-29 | 縮小投影式アライメント方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS609126A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62190724A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Tokyo Electron Ltd | 位置合せ方法 |
| JP2008010548A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | アライメントマークおよび位置計測方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51117538A (en) * | 1975-04-07 | 1976-10-15 | Canon Inc | Object image recognizing method and device |
| JPS53105376A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Hitachi Ltd | Positioning unit |
| JPS54152A (en) * | 1977-03-28 | 1979-01-05 | Chatelain Michel | Element for maintaining thin and flat film under tension power |
| JPS54136180A (en) * | 1978-04-14 | 1979-10-23 | Hitachi Ltd | Position detecting method for chip on semiconductor wafer |
-
1983
- 1983-06-29 JP JP58115864A patent/JPS609126A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51117538A (en) * | 1975-04-07 | 1976-10-15 | Canon Inc | Object image recognizing method and device |
| JPS53105376A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Hitachi Ltd | Positioning unit |
| JPS54152A (en) * | 1977-03-28 | 1979-01-05 | Chatelain Michel | Element for maintaining thin and flat film under tension power |
| JPS54136180A (en) * | 1978-04-14 | 1979-10-23 | Hitachi Ltd | Position detecting method for chip on semiconductor wafer |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62190724A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-20 | Tokyo Electron Ltd | 位置合せ方法 |
| JP2008010548A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | アライメントマークおよび位置計測方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0510814B2 (ja) | 1993-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6421124B1 (en) | Position detecting system and device manufacturing method using the same | |
| JPH09210629A (ja) | 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP4645113B2 (ja) | 光検査方法及び光検査装置並びに光検査システム | |
| JPH05343291A (ja) | 位置合わせ方法及びそれを用いた投影露光装置 | |
| US20140152991A1 (en) | Level Sensor of Exposure Apparatus and Wafer-Leveling Methods Using the Same | |
| JP3713354B2 (ja) | 位置測定装置 | |
| US20040214095A1 (en) | Photomask for aberration measurement, aberration measurement method unit for aberration measurement and manufacturing method for device | |
| JPH0480762A (ja) | 位置検出装置及びその検出方法 | |
| US20090135390A1 (en) | Lithographic alignment marks | |
| US5448350A (en) | Surface state inspection apparatus and exposure apparatus including the same | |
| US7056625B2 (en) | Focus detection structure | |
| JPS609126A (ja) | 縮小投影式アライメント方法およびその装置 | |
| KR100740601B1 (ko) | 이물검사장치 및 방법, 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
| US20010026366A1 (en) | Method of measuring displacement of optical axis, optical microscope and evaluation mark | |
| JP2003209048A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2006512760A (ja) | 照明系の性能測定方法 | |
| JPH08191043A (ja) | アライメント方法及び該方法で使用される露光装置 | |
| JP3348721B2 (ja) | 照明装置及び方法 | |
| JP2002340524A (ja) | パターン検出方法及びパターン検出装置 | |
| JP4565248B2 (ja) | 位置検出装置およびその調整方法 | |
| JP3343919B2 (ja) | マスク及び回路素子製造方法並びに露光方法 | |
| JP2004311735A (ja) | 近接露光における位置検出方法、および半導体装置の製造方法、ウェハ、露光マスク、位置検出装置 | |
| US7982851B2 (en) | Method for measuring flare amount, mask for measuring flare amount, and method for manufacturing device | |
| JP3299758B2 (ja) | 焦点評価用のレチクルおよびそれを用いた焦点評価方法 | |
| JP4052691B2 (ja) | 荷電粒子線装置 |