JPS6092681A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6092681A JPS6092681A JP58200305A JP20030583A JPS6092681A JP S6092681 A JPS6092681 A JP S6092681A JP 58200305 A JP58200305 A JP 58200305A JP 20030583 A JP20030583 A JP 20030583A JP S6092681 A JPS6092681 A JP S6092681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser
- return light
- light
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信、光ディスクやレーザプリンタ等の光情
報処理装置に用いられる半導体レーザ装置に関するもの
である。
報処理装置に用いられる半導体レーザ装置に関するもの
である。
従来例の構成とその問題点
近年半導体レーザは小型軽量で高効率なレーザ光源とし
て、従来Ｈｅ−Ｎｅレーザ等のガスレーザが主として用
いられていた光情報処理機器に組み込まれ様としている
。
て、従来Ｈｅ−Ｎｅレーザ等のガスレーザが主として用
いられていた光情報処理機器に組み込まれ様としている
。
以下図面を参照しながら従来の半導体レーザについて説
明する。第１図は従来の半導体レーザのパッケージ構造
を示すものである。ステム１にヒートシンク２が付けら
れており、Ｓｔ等のサブマウント３を介して半導体レー
ザ素子４がボンディングされている。レーザ光はキャッ
プ６に貼り付けられたガラス等の透光性の窓６を通して
外部に取シ出される。窓はレーザ光の光軸に対して垂直
になっている。レーザ光はレーザ素子４の共振器の両端
面から等しく出射されるので、通常後端面出射光はホト
ダイオード８で受光し、モニタ電流を得る様になってい
る。７は外部リード線である。
明する。第１図は従来の半導体レーザのパッケージ構造
を示すものである。ステム１にヒートシンク２が付けら
れており、Ｓｔ等のサブマウント３を介して半導体レー
ザ素子４がボンディングされている。レーザ光はキャッ
プ６に貼り付けられたガラス等の透光性の窓６を通して
外部に取シ出される。窓はレーザ光の光軸に対して垂直
になっている。レーザ光はレーザ素子４の共振器の両端
面から等しく出射されるので、通常後端面出射光はホト
ダイオード８で受光し、モニタ電流を得る様になってい
る。７は外部リード線である。
さて半導体レーザを光通信・光情報処理装置の光源とし
て用いる時に、半導体レーザの共振器内にレーザ光が外
部より戻ると、レーザのコヒーレント長が長いだめにそ
の位相差によって干渉性の雑音が生じる。第２図は半導
体レーザ内に戻り光が入った時の雑音の増加を示してい
る。横軸は戻り光量で縦軸はＳ／Ｎである。戻り光量が
１チでＳ／Ｎが１５ｄＢ以上悪くなることが分る。これ
に対する対策としてレーザ構造を屈折率導波型から利得
導波型にし、縦モードを多モードにする方法がある。し
かしこの方法だと非点収差が１０μｍ以よとなりレーザ
光を絞り込む時に光学系で補正してやらなければならな
い。他に半導体レーザに電気的に高周波（５０ＭＨｚ以
上）の変調をかけ、多モード化する方法や、戻り光量を
１０６以上にして用いるという方法があるが、これとい
った有効な方法がないのが現状である。
て用いる時に、半導体レーザの共振器内にレーザ光が外
部より戻ると、レーザのコヒーレント長が長いだめにそ
の位相差によって干渉性の雑音が生じる。第２図は半導
体レーザ内に戻り光が入った時の雑音の増加を示してい
る。横軸は戻り光量で縦軸はＳ／Ｎである。戻り光量が
１チでＳ／Ｎが１５ｄＢ以上悪くなることが分る。これ
に対する対策としてレーザ構造を屈折率導波型から利得
導波型にし、縦モードを多モードにする方法がある。し
かしこの方法だと非点収差が１０μｍ以よとなりレーザ
光を絞り込む時に光学系で補正してやらなければならな
い。他に半導体レーザに電気的に高周波（５０ＭＨｚ以
上）の変調をかけ、多モード化する方法や、戻り光量を
１０６以上にして用いるという方法があるが、これとい
った有効な方法がないのが現状である。
発明の目的
本発明は上記欠点に＠岑、外部から半導体レーザ内への
戻り光を減少させる効果を有する半導体・−ザ装置を提
供する東のである。
戻り光を減少させる効果を有する半導体・−ザ装置を提
供する東のである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の半導体レーザ装置は
、前面のレーザ光を外部に取り出す透明な窓を光軸に対
し垂直“の位置から例えば数置程度傾けるという構成に
なっている。
、前面のレーザ光を外部に取り出す透明な窓を光軸に対
し垂直“の位置から例えば数置程度傾けるという構成に
なっている。
実施例の説明
以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。第３図は本発明による半導体レーザのパッケージ
構造である。第１図に示す従来の半導体レーザと異なっ
ている点は、半導体レーザパ１ツケージからレーザ光を
取り出す窓に用いであるガラス等の透明板９を光軸に対
し従来例（第１図）の９０°から数置（の傾けであるこ
とである。
する。第３図は本発明による半導体レーザのパッケージ
構造である。第１図に示す従来の半導体レーザと異なっ
ている点は、半導体レーザパ１ツケージからレーザ光を
取り出す窓に用いであるガラス等の透明板９を光軸に対
し従来例（第１図）の９０°から数置（の傾けであるこ
とである。
この様にすることによシ、半導体レーザ光がパッケージ
に戻って来た時に、レーザ素子４の内部に入る割合を減
少させることができ、戻シ光によ＃）Ｓ／Ｎが最悪とな
る戻シ光景を大きくすることができる。このことは実用
上重要である。なぜなら半導体レーザをレンズやプリズ
ム等の光学素子と組み合わせて用いる場合、戻り光を完
全に零にすることは非常に難しいからである。
に戻って来た時に、レーザ素子４の内部に入る割合を減
少させることができ、戻シ光によ＃）Ｓ／Ｎが最悪とな
る戻シ光景を大きくすることができる。このことは実用
上重要である。なぜなら半導体レーザをレンズやプリズ
ム等の光学素子と組み合わせて用いる場合、戻り光を完
全に零にすることは非常に難しいからである。
第４図に本発明による半導体レーザの戻り光によるＳ／
Ｎの改善例を示す。この場合、透明窓９を光軸に対し９
００の位置より６°傾けることによシ、Ｓ／Ｎが最悪と
なる戻り光量が１チから４優になり、戻り光量が２％以
下の範囲ではＳ／Ｎが１０ｄＢ程良くなっている。
Ｎの改善例を示す。この場合、透明窓９を光軸に対し９
００の位置より６°傾けることによシ、Ｓ／Ｎが最悪と
なる戻り光量が１チから４優になり、戻り光量が２％以
下の範囲ではＳ／Ｎが１０ｄＢ程良くなっている。
発明の効果
以上の様に本発明は、半導体レーザパッケージのレーザ
光を取り出す透明な窓を傾けることにより、戻り光によ
シＳ／Ｎが悪くなる戻シ光量を大きくすることができ、
半導体レーザの応用に際して光学部品の設削が容易にな
り、その実用的効果は大なるものがある。
光を取り出す透明な窓を傾けることにより、戻り光によ
シＳ／Ｎが悪くなる戻シ光量を大きくすることができ、
半導体レーザの応用に際して光学部品の設削が容易にな
り、その実用的効果は大なるものがある。
第１図は従来の半導体レーザのパッケージ構造を示す断
面図、第２図は従来の半導体レーザの戻り光量に対する
Ｓ／Ｎを示す図、第３図は本発明による半導体レーザの
パッケージ構造を示す断面図、第４図は窓を６°傾ける
ことにより戻り光量に対してＳ／Ｎが改善された一例を
示す図である。 １・・・・・・ステム本体、２・・・・・・ヒートシン
ク、３・・・・・・サプマウン）（Ｓｉｎ）、４・・・
・・・半導体レーザ素子、６・・・・・・キャップ、６
・・・・・・従来の傾けてない透明な窓（ガラス等）、
７・・・・・・外部リード線、８・・・・・・光出力モ
ニタ用フォトダイオード、９・・・・・・本発明による
傾けた透明な窓（ガラス等）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 、戻四尤！（′／、）
面図、第２図は従来の半導体レーザの戻り光量に対する
Ｓ／Ｎを示す図、第３図は本発明による半導体レーザの
パッケージ構造を示す断面図、第４図は窓を６°傾ける
ことにより戻り光量に対してＳ／Ｎが改善された一例を
示す図である。 １・・・・・・ステム本体、２・・・・・・ヒートシン
ク、３・・・・・・サプマウン）（Ｓｉｎ）、４・・・
・・・半導体レーザ素子、６・・・・・・キャップ、６
・・・・・・従来の傾けてない透明な窓（ガラス等）、
７・・・・・・外部リード線、８・・・・・・光出力モ
ニタ用フォトダイオード、９・・・・・・本発明による
傾けた透明な窓（ガラス等）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 、戻四尤！（′／、）
Claims (1)
- 半導体レーザ素子のパンケージ内のレーザ内のレーザ光
を外部に取り出す透光性の窓が、レーザ光の光軸に対し
垂直の位置から傾いていることを特徴とする半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200305A JPS6092681A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200305A JPS6092681A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092681A true JPS6092681A (ja) | 1985-05-24 |
Family
ID=16422103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58200305A Pending JPS6092681A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5245620A (en) * | 1990-04-28 | 1993-09-14 | Rohm Co., Ltd. | Laser diode system for reflecting and maintaining laser light within the system |
| EP1691458A4 (en) * | 2003-12-03 | 2007-09-05 | Sony Corp | TYPE SEMICONDUCTOR LASER WITH EXTERNAL RESONATOR |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815287A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-28 | Nec Home Electronics Ltd | 光半導体装置 |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP58200305A patent/JPS6092681A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815287A (ja) * | 1981-07-21 | 1983-01-28 | Nec Home Electronics Ltd | 光半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5245620A (en) * | 1990-04-28 | 1993-09-14 | Rohm Co., Ltd. | Laser diode system for reflecting and maintaining laser light within the system |
| EP1691458A4 (en) * | 2003-12-03 | 2007-09-05 | Sony Corp | TYPE SEMICONDUCTOR LASER WITH EXTERNAL RESONATOR |
| US7729400B2 (en) | 2003-12-03 | 2010-06-01 | Sony Corporation | External cavity type semiconductor laser |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0886923A (ja) | レンズ付ファイバ | |
| JPS63205984A (ja) | 面発光型半導体レ−ザ | |
| US7046879B2 (en) | Optical via for three dimensional interconnection | |
| JPS6092681A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS60257584A (ja) | 光検出器内蔵型半導体レ−ザ | |
| JPH0720359A (ja) | 光デバイス | |
| JPH08148756A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS60246688A (ja) | 光帰還型半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6297387A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS59208886A (ja) | 発光半導体装置 | |
| JPS6366985A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| US4937638A (en) | Edge emitting light emissive diode | |
| JPS61272987A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS6384184A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS622676A (ja) | 半導体発光装置 | |
| CA2358912A1 (en) | Fiber optic gyroscope | |
| JPS55107289A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS6164182A (ja) | 光帰還型半導体レ−ザ装置 | |
| JPH04150085A (ja) | 半導体レーザパッケージ | |
| JPH09304668A (ja) | 光送信モジュール | |
| JPH10300989A (ja) | 光結合器 | |
| JPH03145179A (ja) | 進行波発振型半導体レーザー | |
| JPS60196710A (ja) | 光結合器 | |
| JPS6394208A (ja) | 半導体レ−ザと光フアイバとの結合方法 | |
| JPS6394209A (ja) | 半導体レ−ザ装置 |