JPS622676A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPS622676A JPS622676A JP60143195A JP14319585A JPS622676A JP S622676 A JPS622676 A JP S622676A JP 60143195 A JP60143195 A JP 60143195A JP 14319585 A JP14319585 A JP 14319585A JP S622676 A JPS622676 A JP S622676A
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- Japan
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- light
- dielectric multilayer
- band
- light emitting
- multilayer film
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば光通信、計ＩＩＩ装置の光源となる
半導体発光装置に関するものである。
半導体発光装置に関するものである。
第３図は１例えば、 ＩＥＥＥ ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ
ＱＵＡＮＴＵＭＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ、ＶＯＬ、Ｑ
Ｅ−２０，Ｎｏ、８．ＡＵＧＵＳＴ １９８４に示され
た従来の半導体発光装置を示す断面図である。
ＱＵＡＮＴＵＭＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ、ＶＯＬ、Ｑ
Ｅ−２０，Ｎｏ、８．ＡＵＧＵＳＴ １９８４に示され
た従来の半導体発光装置を示す断面図である。
図において、１は半導体基板、２はバッファ層、３はフ
ィルタ層、４はクラッド層、５はフィルタ層と同じ組成
の活性層、６はクラッド層、７はキャップ層、８は電極
である。活性層５とクラッド層４．６との接合部分はへ
テロ接合となっている。
ィルタ層、４はクラッド層、５はフィルタ層と同じ組成
の活性層、６はクラッド層、７はキャップ層、８は電極
である。活性層５とクラッド層４．６との接合部分はへ
テロ接合となっている。
次に動作について説明する。順方向電圧を印加すると、
を子と正孔は活性層５に注入されて閉じ込められ、ここ
で効率よく発光する。活性層５内部で発光した光は、活
性層５よりバンドギャップの大きな透明なりラッド層４
を通ってフィルタ層３へ入る。フィルタ層３はクラッド
層４を透過した光のうち一定の波長の光のみを透過し、
それ以外の波長の光を吸収する。フィルタ層３を透過し
た光は、バッファ層２、半導体基板ｌを通って外部に取
り出されるようになっている。
を子と正孔は活性層５に注入されて閉じ込められ、ここ
で効率よく発光する。活性層５内部で発光した光は、活
性層５よりバンドギャップの大きな透明なりラッド層４
を通ってフィルタ層３へ入る。フィルタ層３はクラッド
層４を透過した光のうち一定の波長の光のみを透過し、
それ以外の波長の光を吸収する。フィルタ層３を透過し
た光は、バッファ層２、半導体基板ｌを通って外部に取
り出されるようになっている。
しかしながら、このような従来の半導体発光装置では、
たとえフィルタ層３が入っているとしても、スペクトル
幅は広く約８０ＯＡにしかできず。
たとえフィルタ層３が入っているとしても、スペクトル
幅は広く約８０ＯＡにしかできず。
装置単独では光ファイバの伝送帯域を一定以上広げるこ
とができなかった。したがって、光ファイバの伝送帯域
をさらに広げるには、別途光学フィルタを用いてスペク
ト・し幅を狭くする必要があるという問題があった。す
なわち、例えば、にＩＫＫＥＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ５
１９Ｂ５．２．１１に示されている半導体発光装置のよ
うに、光学フィルタ１５を使用する必要があった。なお
、この装置においては１発光ダイオード１２から出た光
は、光ファイバ１３を通って光学レンズ１４を通過した
後、光学フィルタ１５を通って再び光学レンズ１６に入
り、この光学レンズ１６によって集束された光は１図外
の光ファイバに入射されるようになっている。
とができなかった。したがって、光ファイバの伝送帯域
をさらに広げるには、別途光学フィルタを用いてスペク
ト・し幅を狭くする必要があるという問題があった。す
なわち、例えば、にＩＫＫＥＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ５
１９Ｂ５．２．１１に示されている半導体発光装置のよ
うに、光学フィルタ１５を使用する必要があった。なお
、この装置においては１発光ダイオード１２から出た光
は、光ファイバ１３を通って光学レンズ１４を通過した
後、光学フィルタ１５を通って再び光学レンズ１６に入
り、この光学レンズ１６によって集束された光は１図外
の光ファイバに入射されるようになっている。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、別途光学フィルタを使用しなくてもスペク
トル幅を狭くすることができ、したがって、光ファイバ
の伝送帯域を広げることができる半導体発光装置を得る
ことを目的とするものである。
れたもので、別途光学フィルタを使用しなくてもスペク
トル幅を狭くすることができ、したがって、光ファイバ
の伝送帯域を広げることができる半導体発光装置を得る
ことを目的とするものである。
この発明に係る半導体発光装置は、ヘテロ接合を宥する
発光ダイオードの光取り出し面に誘電体多層Ｓミラーを
設けたものである。
発光ダイオードの光取り出し面に誘電体多層Ｓミラーを
設けたものである。
この発明における誘電体多層膜ミラーは、光学的バンド
パスフィルタの役割をするので、帯域の狭い一定の波長
の光のみを透過する。そして、この透過する光の波長の
帯域は、誘電体多層膜ミラーの暦数を増すほど狭くなる
。したがって、クラッド層を透過した光の周波数帯域が
広くでも、前記ミラーによってスペクトル幅は狭くなる
。
パスフィルタの役割をするので、帯域の狭い一定の波長
の光のみを透過する。そして、この透過する光の波長の
帯域は、誘電体多層膜ミラーの暦数を増すほど狭くなる
。したがって、クラッド層を透過した光の周波数帯域が
広くでも、前記ミラーによってスペクトル幅は狭くなる
。
以下、この発明の実施例を第１図によって説明する０図
において１〜８は第３図と同一ないし相当部分を示す、
１１は光取り出し面に形成された誘電体多層膜ミラーで
、嵐波長の厚さを有する屈折率の高い材料のＦ！’９と
曇波長の厚さを有する屈折率の低い材料の層１０を順次
交互に積層して形成されている。
において１〜８は第３図と同一ないし相当部分を示す、
１１は光取り出し面に形成された誘電体多層膜ミラーで
、嵐波長の厚さを有する屈折率の高い材料のＦ！’９と
曇波長の厚さを有する屈折率の低い材料の層１０を順次
交互に積層して形成されている。
次に動作について説明する。順方向電圧を印加すると、
電子と正孔は活性層５に注入されて閉じ込めら゛れ、こ
こで効率よく発光する。活性層５内部で発光した光は、
活性１！Ｆ５よりバンドギャップの大きな透明なりラッ
ドＰｊ６を通り、さらに昼波長の厚さを有する屈折率の
高い材料の暦９とｈ波長の厚さを有する屈折率の低い材
料の暦１０から成る誘電体多層膜ミラー１１を通って外
部に取り出される。このとき、誘電体多層膜ミラー１１
は光学的バンドパスフィルタとして機能し、帯域の狭い
一定の波長の光のみを透過する。そして、この透過する
光の波長の帯域は、誘電体多層膜ミラー１１の両層９，
１０の暦数が増すほど狭くなる。従って、クラッドＦ！
ｔ６を透過した光の周波数帯域が広くても、誘電体多層
［１１によってスペクトル幅を狭く制御することができ
る。
電子と正孔は活性層５に注入されて閉じ込めら゛れ、こ
こで効率よく発光する。活性層５内部で発光した光は、
活性１！Ｆ５よりバンドギャップの大きな透明なりラッ
ドＰｊ６を通り、さらに昼波長の厚さを有する屈折率の
高い材料の暦９とｈ波長の厚さを有する屈折率の低い材
料の暦１０から成る誘電体多層膜ミラー１１を通って外
部に取り出される。このとき、誘電体多層膜ミラー１１
は光学的バンドパスフィルタとして機能し、帯域の狭い
一定の波長の光のみを透過する。そして、この透過する
光の波長の帯域は、誘電体多層膜ミラー１１の両層９，
１０の暦数が増すほど狭くなる。従って、クラッドＦ！
ｔ６を透過した光の周波数帯域が広くても、誘電体多層
［１１によってスペクトル幅を狭く制御することができ
る。
なお、上記実施例では、面発光型発光ダイオードの光取
り出し面に誘電体多層Ｓミラー１１を設けたものを示し
たが、面発光型発光ダイオードに限らず１例えば、第２
図のように端面発光型発光ダイオードなどの発光ダイオ
ードの光取り出し面に誘電体多層膜ミラー１１を設けて
もよい、同図中、第１図と同符号は同一部分を示す。
り出し面に誘電体多層Ｓミラー１１を設けたものを示し
たが、面発光型発光ダイオードに限らず１例えば、第２
図のように端面発光型発光ダイオードなどの発光ダイオ
ードの光取り出し面に誘電体多層膜ミラー１１を設けて
もよい、同図中、第１図と同符号は同一部分を示す。
以上説明したように、この発明によれば、発光ダイオー
ドの光取り出し面に誘電体多層膜ミラーを設けたから、
別途光学フィルタを使用しなくても、スペクトル幅を狭
くすることができ、したがって、光ファイバの伝達帯域
を広げることができる。
ドの光取り出し面に誘電体多層膜ミラーを設けたから、
別途光学フィルタを使用しなくても、スペクトル幅を狭
くすることができ、したがって、光ファイバの伝達帯域
を広げることができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はこ
の発明の他の実施例を示す断面図、第３図および第４図
は従来の半導体発光装置を示す断面図である。 図において、ｌは半導体基板、２はバッファ層、３はフ
ィルタ層、４はクラッド層、５は活性層、６はクラッド
層、７はキャー７ブ層、８は電極、９は屈折率の高い材
料の層、１０は屈折率の低い材料の暦、１１は誘電体他
層膜ミラーである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
の発明の他の実施例を示す断面図、第３図および第４図
は従来の半導体発光装置を示す断面図である。 図において、ｌは半導体基板、２はバッファ層、３はフ
ィルタ層、４はクラッド層、５は活性層、６はクラッド
層、７はキャー７ブ層、８は電極、９は屈折率の高い材
料の層、１０は屈折率の低い材料の暦、１１は誘電体他
層膜ミラーである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- ヘテロ接合を有する発光ダイオードの光取り出し面に誘
電体多層膜ミラーを備えている半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143195A JPS622676A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143195A JPS622676A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622676A true JPS622676A (ja) | 1987-01-08 |
Family
ID=15333078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60143195A Pending JPS622676A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622676A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5073805A (en) * | 1989-02-06 | 1991-12-17 | Optoelectronics Technology Research Corporation | Semiconductor light emitting device including a hole barrier contiguous to an active layer |
| EP0563991A3 (en) * | 1992-04-03 | 1993-11-10 | Eastman Kodak Co | Light-emitting apparatus |
| EP0892473A1 (en) * | 1997-07-14 | 1999-01-20 | Mitel Semiconductor AB | High powered laser |
| US9124070B2 (en) | 2012-02-13 | 2015-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Superluminescent diode and optical coherence tomography apparatus including the superluminescent diode |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP60143195A patent/JPS622676A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5073805A (en) * | 1989-02-06 | 1991-12-17 | Optoelectronics Technology Research Corporation | Semiconductor light emitting device including a hole barrier contiguous to an active layer |
| EP0563991A3 (en) * | 1992-04-03 | 1993-11-10 | Eastman Kodak Co | Light-emitting apparatus |
| EP0892473A1 (en) * | 1997-07-14 | 1999-01-20 | Mitel Semiconductor AB | High powered laser |
| US9124070B2 (en) | 2012-02-13 | 2015-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Superluminescent diode and optical coherence tomography apparatus including the superluminescent diode |
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