JPS6094742A - 密封式電力チツプ用パツケ−ジ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発　明　の　背　景 本発明は、電力半導体チップ用のパッケージ、詳しくは
密封式電力チップ用パッケージに関Ｊる。

電力半導体チップ（以下、甲に［７［ｆカチップ−１と
略称する）は、動作中典型的には１ワツ１−以−１−。

の無用な熱を発生する。この熱は電カーｆツブの破４− 壊を防止するために取り除かれなＩづればならない。

従って、電力チップは熱が電力チップから取り除かれ易
いように段目されたパッケージまたは構造内に組み立て
られている。密」１式すなわち気密式パッケージは特に
電力チップをパッケージ化するのに好ましいものである
。これは、密封式パッケージが電力チップの動作性能を
低下するものとして知られている汚染物や水分から電力
チップを保護するからである。

現在入手可能な典型的な密封式電力チップ用パッケージ
は、比較的大きな金属基板を有し、この金属基板上に電
力チップが熱的に取り付けられ、またこの基板は金属の
放熱部材（ヒートシンク）上に熱的に取り付【プられる
ようになっている。２つのガラス−金属密封シールが典
型的には電力チップ用パッケージ内に取り入れられ、こ
れにより電流リード線を介して電力チップに電気的接続
できるようになっている。これらのガラス−金属シール
は作るのが高価であり、また金属基板を使用することも
高価である。電力チップ用パッケージは更に電力チップ
を密」」シて取り囲むハウジングを有しており、上述し
たガラス−金属シールを更に一つ以上使用すること（、
Ｌ史にバツ／／−ジを高１＋ＩＩｉなものにしている。

上述は、本質的に完成した形式、’Ｊ”、’ｒわＩう回
路用に使用するように準備された形式の蜜月式電力チッ
プ用パッケージについて説明しｌこ。従ヌ（、電力チッ
プの最初の電気的試験は、旭川イｆ熱の除去に対処する
ために、電力チップを完成された蜜月式電力チップ用パ
ッケージ内に組み立（た１殺に実行されていた。このＪ
：うな試験は、電力用ダーリントン・トランジスタに、
１−３いて共通エミッタ電流利得ＨＦＥおよび素子飽和
状態に、１３りる］レクタ・エミッタ間電圧ＶＣＥ（Ｓ
ＡＴ）のＪ、う４Ｔ素了の！ｐ要な特性を確めるのに必
要なこと′Ｃある１、電カブツブ用パッケージ内の電力
チップが必ｉＪ７　ｔｆ基ｔ％Ｉに適合していない場合
には、電カブツブ用バツノノージの全体が廃棄されるこ
とになる、１この結宋、現在利用できる密封式パッケー
ジに絹み込ｌυだ電力チップの試験は高価なものとなっ
−Ｃいるｎ電力チップの試験を」ζり経済的なものにす
るために、蜜月式電力チップ用パッケージを部分的に完
成した形態、すなわちビルディング・ブロック形式にし
て、廃棄されるパッケージの無駄を低減するのが望まし
い。

発　明　の　目　的 本発明の目的は、電力チップから熱を取り除く高能力を
有して密封式電力チップ用パッケージを提供することに
ある。

本発明の仙の目的は、比較的経済的な密封式電力チップ
用パッケージを提供することである。

本発明の別の目的は、密１４弐雷力チップ用パッケージ
が取すイ（１けられる放熱部材から電気的に絶縁分離さ
れた密封式電力チップ川パッケージを提供することにあ
る。

本発明の更に伯の目的は、ビルディング・ブロック形式
の密１４式電力チップ用パッケージを提供することにあ
る。

本発明の更に別の目的は、電力チップ試験のために金属
基板を必要としない密封式電力チップ用７− パッケージを提供することにある。

発　明　の　概　要 これらの目的およびその他の「１的を達成りる密封式電
力チップ用パッケージは、゛電力用ダーリントン・トラ
ンジスタに応用した好適形態に、１１いて、上側パッケ
ージ部と、電力用グーリン１ヘン・トランジスタと、下
側パッケージ部とを右］する。上側パッケージ部は、そ
の下面に第１おＪ：び第２のベース電極とエミッタ電極
とを右する誘電体１１ノートを含む。これらの電極への
電気的接続は対応する第１および第２のベース・リード
導体と王ミッタ・リード導体により誘電体プレー１〜の
１−面側から行なわれる。これらのリード導体はそれぞ
れ誘電体プレート中の垂直方向の導電性貫通（（、にに
り誘電体プレートを通って第１おにび第２のベース電極
およびエミッタ電極に接続され−Ｃいる。上側パッケー
ジ部は更にその下面に接合され、１１つ第１および第２
のベース電極とエミッタ電極を取り囲む金属密閉リング
を含む。

電力用ダーリントン・１〜ランジスタは、その上−８＝ 面に第１および第２のベース端子とエミッタ端子を有し
、これらの端子は上側パッケージ部の誘電体プレートの
下面に有する対応する電極に電気的に接続され、また電
力用ダーリントン・１ヘランジスタはその下面にコレク
タ端子を有しＣいる。

下側パッケージ部は、単一の］レクク端子に接合される
］レクタ電極を有し、更に電力用ダーリントン・トラン
ジスタを密封して取り囲むように、上側パッケージ部の
金属密閉リングに接合される。

上述した密封式電力チップ川パッケージは、金属基板を
必要とせず、部分的に完成した形式すなわちビルディン
グ・ブロック形式になっている。

電力用ダーリントン・トランジスタに用いた揚台の本発
明による別の密封式電力チップ用パッケージは、上述し
た電力用パッケージの対応する部分に同一である上側パ
ッケージ部および電力用ダーリントン・トランジスタを
含む。この別のパッケージは更にプレートの−に面に接
合されたシート状の］レクタ電極を有する下側パッケー
ジ部を含み、またこのコレクタ電極は電力用ダーリント
ン・トランジスタの下部端子寸なわら二１１ノクタ喘イ
に接合されている。ガスクーラ１〜が−１−側パッケー
ジ部と下側パッケージ部との間に配設され、このガスケ
ットの上面は上側パツウーージ部の金属密閉リングに接
合され、ガスケツＩ・の下面は下側パッケージ部のコレ
クタ電極に接合されている。ガスケットの熱膨張係数は
、上側パッケージ部の熱膨張係数の約±５０パーセント
以内に７７るＪ：うに選ぶことが好ましい。この結果、
パッケージは、広い範囲で変化する高温および低湿との
間の湿度り゛イクルを繰返し受けることができ、しかも
機械的＜’に完全性および密封性をＩＩＩ持することが
できる。

新規であると考えられる発明の１４１徴は特ｉ′［ｉ′
ｌＩ′Ｉ求の範囲に記載されているが、本発明はその他
の［ｉ的とともに図面を参照した次の説明から一層よく
理解されよう。

好適実施例の説明 第１図には、本発明による蜜月式電カブーツブ用パッケ
ージ１０を下側から見上げた蜜月式電力チップ用パッケ
ージの分解図が示されている。パッケージ１０は、」二
側パッケージ部１２おＪ：び下側パッケージ１４を有し
、これらの間に例えば電力ダーリントン・トランジスタ
のような電力チップ１６が配置される。

上側パッケージ部１２は、熱膨張係数が電力チップ１６
の熱膨張係数に近い誘電体プレート１８、例えば電力チ
ップ１６がシリコンである場合にはレラミツク・ベリリ
アまたはアルミナからなる誘電体プレート１８を有する
。誘電体プレート１８の下面には、第１のベース電極２
０、第２のベース電極２２およびエミッタ電極２４が接
合されている。これらの電極は、共融接合処理により誘
電体プレート１８に接合された銅からなることが好まし
い。りなわら、この接合処理は溶融した共晶合金を各電
極２０．２２および２４および誘雷体プレート１８の間
に形成するものである。好ましい共融接合処理の詳細に
ついては、米国特許第３，７６６．６３４弓および米１
１特許第３．９９４，４３０号に開示されている。電極
２０．２２および２４として共融接合された銅を使用す
る代りに、これらの電極を銅のような金属シートで構成
しても１１− よい。この場合、金属シート【、１１、ブレート１８に
銅を蒸着すること等にＪ、り誘電体ブ１ノー１〜１８の
下面に被着された半田付り可能な金属層（図示１↓ず）
に半田付けされる。

誘電体プレート１８の上面に１．１１、第２図の拡大−
に面図に示すように、電４４＋２（１，２２おＪζび２
４に対応Ｊる一組のリード導体、すなわら第１のベース
・リード導体２０′、第２のベース・リード導体２２’
　ｆ＋りよびエミッタ・リード導体２４′　がＫ（０１
られている。

これらのリード導体２０’　、２２’　および２４′　
は、電力チップ用パッケージ１０の外部から、パッケー
ジ１０の内部に設【プられ〕ｃ電極２０．２２および２
４に？ｈ気的接続を行うことを可能にする。

第２図に示すように、外部電極１ｂわらリード導体２０
’　、２２’おＪ：び２４′　と内部電１４ｉ２０．２
２Ｊ５Ｊ：び２４（第１図）とは、第１図においで点線
で示゛り導電性貫通孔２６によって電気的にＩＩＩ　Ｔ
ｉ−１６続されている。導電性貫通孔の適切な４Ｍ造が
第：３図にｉ）細に示されており、この第３図は第２図
の線３−３に沿って取られたものであって、部分的な断
面図１２− である。第３図かられかるＪ：うに、７ｔ２８が誘電体
プレート１８を垂直に貫通して設りられており、この孔
２８は半田３０のような導電性物質で充填されている。

導電性貫通孔２６を形成覆る好適な処理においては、ま
ず孔２８が誘電体１１ノート１８中に形成され、続いて
誘電体プレート１８の下面にエミッタ電極２４を接合す
る。電極２４が孔２８の底部を覆って孔２８を密封する
。それから、共融接合処理により上部リード導体２４′
が誘電体プレー１〜１８の上面に接合される。予め形成
された孔３２が誘電体プレート１８の孔２８と一致する
にうに設けられていることが好ましい。それから、半田
３０が溶解されて孔２８および３２内に挿入され、エミ
ッタ電極２４およびエミッタ・リード導体２４′　との
間に導電性接続部を形成する。適切な導電性貫通孔の更
に詳細な説明は、例えばＪ、　Ｆ、　ｐ、ｕｒＱｅｓｓ
、　Ｃ，Ａ、　Ｎｅｕｇｅｂａｕｅｒ。

Ｇ　、　Ｆ　ｌａｎａｇａｎおよびＲ，Ｗ、　Ｍｏｏｒ
ｅの論文［Ｈｙｂｒｉｄ　ｐａｃｋａｇｅｓ　ｂｙ　ｔ
ｈｅ　Ｄ　１ｒｅｃｔ　１３ｏｎｄｅｄ　Ｃｏｔ）ｐｅ
ｒ　ＰｒｏｃｅｓｓＪ　、　３ｏ１ｉｄ　５ｔａｔｅ　
ｌｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　。

１９７５年５月、ページ４１４４（第５図およびその説
明参照）に記載されている。

再び第１図を参照１Ｊると、」−側パッケージ部１２の
内部電極２０．２２および２　Ａ　ＩＪ：、電力チップ
１６の」一部端子に対応してパターン形成されており、
これらの端子は電力用グーリン１−ン・Ｉ−ランジスタ
用として誇張して例示されているＪ：・うに、＋側パッ
ケージ部１２の内部電極２０に対応Ｊる第１のベース端
子（図示せず）、■ミッタ端子３４おＪ：びｍ２のベー
ス端子３６を有している。

電力チップ１６は、その下面に（少Ｑ　くともダーリン
トン・トランジスタの場合）甲−の］レクタ端子３８を
右し、下側パッケージ部１４に電気的に接触づるように
なっている。電力チップ川パッケージ１０の図示の実施
例におい（は、＋側バッグ−９部１４はコレクタ電極１
７を右１ハこの］レクタ電極は好ましくは銅のＪ、う′
／、【金属シー１−で形成されている。コレクタ電極１
７と一体的に１一方に突出したコレクタ・リード５ｇ体
が形成され、史に上方に而する凹部１７ｂが密］５１式
電力ヂツ／用バック゛−ジ１０を組み立てた時、電力チ
ップ１ＧをＩＩＶ　＊　＞Ｉるようになっている。下側
パッケージ部１４を上側パッケージ部１２に接合するた
めに、上側パッケージ部１２にはその下面に接合され、
且つ内部の電極２０．２２および２４を取り囲む金属密
閉リング４２が設けられている。金属密閉リング４２は
、誘電体プレート１８に共融接合された銅からなること
が好ましいが、例えば誘電体プレート１８の下面に銅を
蒸着することによって形成される半田Ｍ　Ｇプ可能な層
であってもよい。

密封式電力チップ用パッケージ１０を組み立てる好適手
順によると、電力チップ１６の上側の端子（すなわち第
１のベース端子（図示ｔ！ｆ）および端子３４および３
６）が、予め形成された半田層により内部の電極２０．
２２および２４に半田付けされる。

次いで電力チップ１６の下側の端子３８が予め形成され
た半田層により］レクタ電極１７に半田付けされ、同時
に］レクタ電極１７が上側パッケージ部１２の金属密閉
リング４２に半田付けされる。パッケージ１０に対する
他の組み立て手順、例えばレーザまたは電子ビーム溶接
によってコレクタ電極１７を金属密１　Ｈ，５＝ 閉リング４２に接合するＪ：うな手順は本技術分野に専
門知識を有する者にとって明らかなことであろう。上述
した組み立て手順にお（プるＪ：うイア一連の半田付は
動作を行う場合に、半田層ＶＲＫａ　ＩＱ：を順次減ら
すことは、２段階に限定するのが好ましいが、前の半田
接合部が再び溶解しないことを保証する。

電力チップ１０が組み立てられると、第４図の断面図に
示すようになる。この図は第１図の１４−４に沿って示
したものである。第４図かられかるように、下側パッケ
ージ部１４のコレクタ７’ｌｆ　１４１７は上方を向い
た四部１７ｂ内に電力チップ１６を取り囲み、電力チッ
プ１６をパッケージ１０内に密封シールするように上側
パッケージ部１２の金属密閉リング４２に接合される。

密封式電力チップ用パッケージ１０内に組み立てられた
とき、電力チップ１６は、コレクタ電４４ｉ１７が電力
チップ１６から熱を取り除く放熱部ＩＮ　（図示ｌ！ず
）に対して機械的に押し付けることが出来るので、オー
バーヒートや破壊の危険を伴うことなく電気的試験を行
なうことができる。電力チップ１６１６− の第１のベース端子（図示せず）、第２のベース端子３
６ａ３よびエミッタ端子３４への電気的接続は、誘電体
プレート１８（第２図参照）の表面上の第１のベース・
リード導体２０′、第２のベース・リード導体２２′　
およびエミッタ・リード導体２４′　を介してそれぞれ
行なわれる。密封式電力チップ用パッケージ１０は、完
成された密封式電力チップ用パッケージ組立体く図示せ
ず）の一部のみを椙成しているので、ビルディング・ブ
ロック形式として便利である。このため、パッケージ１
０は、このパッケージを完成された密封式電ノコチップ
用パッケージ組立体に組み込む前に電力チップ１６の試
験を行える経済的な手段を提供する。特に特徴とする点
は、パッケージ１０内に金属基板がないことである。

密封式電力チップ用パッケージ１０を取り付ける放熱部
材（図示せず）とコレクタ電極１７との間に電気的絶縁
が必要な場合には、第５図に示すように別の誘電体プレ
ート４４を電力チップ用パッケージ１０のコレクタ電極
１７の下面に接合して設けることｈ＜できる。第５図の
密Ｊ′Ｊ式電力・ｆツブ用パッケージにおいては、誘電
体プレー１−７１４の熱膨張係数は電力チップ１６の熱
膨張係数は近いことが好；１、しく、かつ誘電体プレー
ト４４は電力ヂツゾ１６がシリコンである場合セラミッ
ク・ベリリアまたはアルミナで構成することが適切であ
る。誘電体プレート４４は、その下面に設（）た金属層
４０を介し−Ｃ金属放熱部材（図示せず）に接合するこ
とが便利であり、この金属層４６は誘電体プレート４４
に共融接合された銅またはその代りどして蒸着されｌこ
銅のような半田付は可能な層で・あることがりｆましい
。＝ｌレクタ電極１７は、共融接合処理により１！ｔ′
市体プレート４４に接合されること好ましいが、＝１１
ノクタ電極１７はその代りに誘電体プレー１〜４４の一
１面に設けられた蒸着された銅のよう（７半ＩＩ＋　（
−ｈ〕可能な金属層（図示せず）に早口１付りし“’Ｃ
４−１Ｊ、い。

次に、第６図を参照覆ると、本発明の仙の実施例による
密封式電力ヂツブ用バツクージ００の下側から見上げた
図が示されでいる。バック−シロ０は、第１図の電力チ
ップ用パッケージ１０の１側パッケージ部１２おＪ：び
電力チップ１６とそれぞれ同一である＋側パッケージ部
１２′おにび電力チップ１６′　を有している。第６図
ａ３よび第１図間において同じ符号は同じ構成部品を示
している。

密封式電力チップ用パッケージ６０は更に下側パッケー
ジ部６２ど、上側パッケージ部１２′おＪ：び下側パッ
ケージ部６２′　間に設（プられたガスケット６４とを
有している。下側パッケージ部６２は］レクタ電極６６
を有し、この］レクタ電極には典型的には］レクタ・リ
ード導体６６ａが一体的に形成されＣいる。金属放熱部
材（図示せず）に対し−Ｃ］レクタ電極６６を電気的に
絶縁分離したい場合には、下側パッケージ部６２に更に
セラミック・ベリリアまたはアルミナのような誘電体プ
レート６８を設【ノ、この誘電体プレー１−６８の上面
に＝ルクタ電極６６を上述した共融接合処理ににり接合
部ることが好ましい。ガスケット６４は、上側バック゛
−ジ部１２′　の熱膨張係数の約±５０パーセント以内
の熱膨張係数を右づる金属であることが好ましい。例え
ば、電力チップ１６がシリコンである場合には、ガスケ
ツ１９− ］−６４は一例としてモリブデンまたはタングステンで
あることが適切である。

電力チップ用パッケード６０の（Φ々の部分の相！ｉ間
の組立て状態は、第７図を参照１」ることにより良く理
解されることであろう、、この第７図は、第６図の線７
−７に沿って取られたバック−シロ０の断面図である。

図示のにうに、ガスケツ１−６４の下面は、上側パッケ
ージ部１２′の金属密閉リング４２′に接合され、ガス
ケツ１−６４の下面は下側パッケージ部６２の金属シー
１へ６６に接合され−Ｃいる。ガスケット６４は電力チ
ップ１６′を取り囲んでいる。下側パッケージ部６２の
誘電体プレー１〜６８は］レクタ電極６６よりも広く大
きいことが第７図から理解されるであろう。これは、典
型的には誘電体プレート６８を取り付ける金属基板（図
示１ず）と＝ルクタ電極６６との間の誘電体プレー１−
６８の表面のいわゆる「電気的沿面」距ｌｌ１ｌを艮く
ηるためである。

電ツノチップ用パッケージ６０を１１”ｌ　Ｊ、　ｘ″
１′Ｃる好適手順によると、電力チップ１６′　は最初
上側パッケージ部１２′　の内部の電極２０’　、２２
’　おにび２４′　に予−２０− め形成された半田層により半田イ」けされる。それから
、ガスケット６４が上側パッケージ部１２′の密閉リン
グ４２′　に予め形成され／ｊ半田層により半田例けさ
れ、同時に下側パックージ部６２が電力チップ１６′の
下側の端子３８′およびガスケット６４の下面にそれぞ
れ予め形成された半ＩＩＩ層により半田付けされる。本
技術分野に専門知識を有する者に明らかなように、上述
した半田（Ｊ番）動作の順序は、予め形成された半田層
を用いることにより２つに限定され、一度形成された半
田付は接合部をそこなうことがないように溶融温度を順
次下げる。

密封式電力チップ用パッケージ６０は機械的一体性が良
く、広い範囲で変化する高温および低温の間（例えば、
−４０℃および−１−１５０℃の間）の温ｉザイクルを
繰返し受ける電力チップ１６′　に用いるのに適してい
る。これはガスケツ１−６４が誘電体プレート１２′　
とともに水平方向に膨張、収縮するからである。

密封式電力チップ用パッケージ６０の別の実施例におい
ては、第８図に示すようなガスケット６４′が第６図に
示すガスケット６４の代りに用いられる。

ガスケツ１〜６４′　は誘電体プレー１〜ＩＩＩ’　（
第７図）の熱膨張係数の約±５０パーセン１へ以内の熱
１ｋｉｊ張係数を有することが好ましい誘雷月別７０を
右する。１誘電材）！３１１０は、電力チップ１６′　
が例えばシリコンである場合にはセラミック・ベリリア
ン）、ｌこはアルミナであることが適切である。半ＩＩ
＋　（−１１Ｊ可能な金属層７２および７４がガスケツ
１〜６４′　の下面ｉ１．ｊ　Ｊ：び下面にそれぞれ接
合され、これらの金属層はバ融接合された銅であること
が好ましい、１ 密封式電力チップ用パッケージ組立体（図示１↓ず）を
完成するには、上述した蜜月式？［１カチツプ用パツケ
ージを１つ以」ニ半田イ１りなどににり金属基板（図示
せず）に取り（＝、ｔ　Ｉ）る。この、１：うな金属基
板は、その上に通常のパッケージずイ【わら信号チップ
・キャリヤ内の「信号」チップ１なわら電力用でないチ
ップを取付けて、ハイブリッド・パッケージを形成する
ことが出来るので便利である。

それから、経済的な蜜月式でないハウジングを金属基板
、密封式電力チップ用パッケージおＪ：び信号デツプ・
キャリヤを覆うように設りることができ、かつ外部電気
リード線を密封式電力チップ用パッケージまたは信号チ
ップ・キャリヤの電気リード導体に接続するために設け
ることができる。

以上、電力チップをＩ￥洛的に試験することができ、電
力チップから無用な熱を取り除く高能力を右Ｊるビルデ
ィング・ブロック形式の密封式電力チップ川パッケージ
について説明した。一つの実施例においては、密封式電
力チップ用パッケージと典型的にはこのパッケージを取
り伺Ｃプる金属放熱部材との間が誘電体にＪ：り分離さ
れる。

本発明は特定の実施例について説明したが、多くの変更
および置換えを行なうことができることは本技術分野に
専門知識を有する者にとって明らかなことであろう。従
って、特許請求の範囲は本発明の真の精神および範囲内
に入るこのようなすべての変更および置換えを包含Ｊ−
ることを理解されたい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による電力チップ用パッケー２３− ジを下側から売上げた分解図であり、 第２図は、第１図の−１−側パッケージ部１２を拡大し
て示す上面図であり、 第３図は、第２図の４！！Ｉ＋　３−３に沿つ−（取ら
れた第２図の導電性貫通孔２０の断面図であり、第４図
は、第１図の線４−／Ｉに沿つ−Ｃ取られた第１図の電
力チップ用パッケージの絹１″ｆてられた状態の断面図
であり、 第５図は、第１図の電力チップ川パッケージの別の実施
例を示す第４図に類似した断面図であり、第６図は、別
の実施例の電力チップ川パッケージを下から見−Ｌげた
分解図であり、 第７図は、第６図の線７−７に沿つ−４取られ！ご第６
図の電力チップ川パッケージの組立てられた状態の断面
図であり、 第８図は、第６図のガスケツｌ”（ｉ４の別の実施例を
示す斜視図である。 １０・・・密封式電力チップ川パッケージ、１２・・・
−に側パッケージ部、１４・・・下側パッケージ部、１
６・・・電力チップ、１８・・・誘電体ブ１ノーｈ、２
０・・・第１のベース−２／ｌ− 電極、２２・・・第２のベース電極、２４・・・エミッ
タ電極、２６・・・導電性貫通孔、６４・・・ガスケッ
ト。 特許出願人 ゼネラル・エレクＩ〜リック・カンパニイ代理人　＜７
６３０＞　生　沼　徳　二ｆ→７テｄヨ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ａ）誘電体プレート、該プレートの下面に接合され
   た少なくとも第１の電極、前記プレートの上面に接合さ
   れた第１の金属リード導体、前記第１の電５極および前
   記第１の金属リード導体を電気的に相互接続する前記誘
   電体プレー１〜中に形成された少なくとも一つの導電性
   貫通孔、および前記プレートの下面に接合され、且つ前
   記第１の電極を取り囲む金属密閉リングを有する上側パ
   ッケージ部と、 ｂ）上面に配置され、且つ前記上側パッケージ部の前記
   第１電極に接合された少なくとも第１の端子、および下
   面に単一の端子を有する電力チップと、 Ｃ）前記電力チップの下面の前記単一の端子に接合され
   、且つ前記電力チップを密封して取り囲むように前記上
   側パッケージ部の前記金属密閉リングに接合されたシー
   ト状の電力チップ用下部電極を有する下側パッケージ部
   と、を含む密封式電力チップ用パッケージ。 ２、特許請求の範囲第１項記載の密封式電力チップ用パ
   ッケージにおいて、前記第１の電極および第１の金属リ
   ード導体が各々前記誘電体プレートに共融接合された銅
   からなる密封式電力チップ用パッケージ。 ３、特許請求の範囲第２項記載の密封式電力チップ用パ
   ッケージにおいて、前記上側パッケージ部の前記金属密
   閉リングが前記誘電体プレートに共融接合された銅から
   なる密封式電力チップ用パッケージ。 ４、特許請求の範囲第１項記載の密封式電力チップ用パ
   ッケージにおいて、前記下側パッケージ部が、更に前記
   電力チップ用下部電極の下面に接合された誘電体プレー
   トと、該誘電体プレートの下面に接合された金属シート
   とを含んでいる密封式電力チップ用パッケージ。 ５、ａ）誘電体プレート、該プレートの下面に接合され
   た少なくとも第１の電極、！’Ｉ’ｌ　ｎＮブレートの
   上面に接合された第１の金属リード導体、前記第１の電
   極および前記第１の金属リード導体を電気的に相互接続
   する前記誘電体プレー１〜中に形成された少なくとも一
   つの導電（ＩＩ　Ｌ’Ｊ通召１、お３１、び前記プレー
   トの下面に接合され、口つ前記第１の電極を取り囲む金
   属密閉リングを右Ｊる＋側パック−２部と、 ｂ）上面に配置され、目つ前記＋側バック−９部の第１
   の電極に接合された少なくと６第１の端子、および下面
   に甲−の端子を右Ｊる雷カブツブと、 Ｃ）前記電力チップの下面の前記中−の端子に接合され
   たシート状の電力チップ川下部電極を有する下側パッケ
   ージ部と、 ｄ）前記電力チップを取り囲むＪ：うに配置市され、上
   面が前記上側パッケージ部の前記金属密閉リングに接合
   され、そして下面が前記下側パッケージ部の前記電力チ
   ップ川下部雷（４に接合されて、前記電力チップを密ｊ
   ４りるガスケツｌ〜と、を含む密封式電力チップ用パッ
   ケージ。 ６、特許請求の範囲第５項記載の密封式電力チップ用パ
   ッケージにおいて、前記ガスケットの熱膨張係数が前記
   上側パッケージ部の前記誘電体プレートの熱膨張係数の
   約±５０パーセン１〜以内である密封式電力チップ用パ
   ッケージ。 ７、特許請求の範囲第５項記載の密封式電力チップ用パ
   ッケージにおいて、前記電力チップがシリコンで形成さ
   れ、前記ガスケツ１〜がタングステンおよびモリブデン
   からなるグループの一つで形成されている密封式電力チ
   ップ用パッケージ。 ８、特許請求の範囲第５項記載の密封式電力チップ用パ
   ッケージにおいて、前記ガスケットが、ガスケットの上
   面および下面にそれぞれ共融接合された銅の」−側層お
   よび下側層を有するセラミックで構成されている密封式
   電力チップ用パッケージ。 ９、特許請求の範囲第５項記載の密封式電力チップ用パ
   ッケージにおいて、前記第１の電極および前記第１の金
   属リード導体が各々前記上側パラ３− ケージ部の前記誘電体プレー１−に共融接合された銅か
   らなる密封式電カブーツブ用バック°−ジ、１１０、特
   許請求の範囲第９１ｊ’Ｊ　ｉ’ｉｌ：載の密１・１式
   電力チップ用パッケージにおいて、前記上側バツクーー
   ジ部の前記金属密閉リングが前記−に側パッケージ部の
   前記誘電体プレートに共融接合された銅からなる密封式
   電力チップ川パッケージ。 １１、特許請求の範囲第５項記載の蜜月式電力チップ用
   パッケージにＪ３いて、前記下側バツクージ部が更に前
   記型）］デツプ川下部雷捗の下面に接合された誘電体プ
   レー１〜ど、該誘電体ブ１ノー！・の下面に接合された
   金属シー１〜を含んでいる密」１式電力チップ用パッケ
   ージ。