JPS623984B2 - - Google Patents
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- JPS623984B2 JPS623984B2 JP56087572A JP8757281A JPS623984B2 JP S623984 B2 JPS623984 B2 JP S623984B2 JP 56087572 A JP56087572 A JP 56087572A JP 8757281 A JP8757281 A JP 8757281A JP S623984 B2 JPS623984 B2 JP S623984B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- thin plate
- plate body
- hole
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/20845—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for automotive electronic casings
- H05K7/20854—Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放熱用フインを有する基台上に薄板
体を密着させて設け、該薄板体に搭載される回路
を包覆して為る電子装置に関する。
体を密着させて設け、該薄板体に搭載される回路
を包覆して為る電子装置に関する。
現今、自動車等に搭載される電子装置または屋
外用機器のための電子装置に対して、極めて高度
で複雑な機能が要求されるようになつてきてい
る。このような民生用電子機器においては、設置
される環境条件、例えば振動、温度変化、湿気等
による厳しい条件が課せられている。前記の条件
下において、電子装置を小型化・高密化し、耐候
性を向上させるためには、放熱性および気密性を
改善することが必要である。
外用機器のための電子装置に対して、極めて高度
で複雑な機能が要求されるようになつてきてい
る。このような民生用電子機器においては、設置
される環境条件、例えば振動、温度変化、湿気等
による厳しい条件が課せられている。前記の条件
下において、電子装置を小型化・高密化し、耐候
性を向上させるためには、放熱性および気密性を
改善することが必要である。
従来、前記のような苛酷な条件下で作用される
電子装置として、例えば第１図に示されるような
装置がパワートランジスタ用に用いられている。
第１図において、パワートランジスタ用装置１
は、コバール等から作られた基台１１、シリコン
回路チツプ１２、コバールから成るキヤツプ体１
３、コネクタ１４から構成されている。回路チツ
プ１２は、基台１１上に１７に示されるようにダ
イボンデイング（Au−Suロウ付け）されてお
り、キヤツプ体１３は１８に示されるように基台
に溶接されている。コネクタ１４は、基台１１に
設けられた孔部にハーメチツクシール（ガラス封
止）されている。シリコン回路チツプ１２は、コ
ネクタ１４と接続導体１６により接続されてい
る。
電子装置として、例えば第１図に示されるような
装置がパワートランジスタ用に用いられている。
第１図において、パワートランジスタ用装置１
は、コバール等から作られた基台１１、シリコン
回路チツプ１２、コバールから成るキヤツプ体１
３、コネクタ１４から構成されている。回路チツ
プ１２は、基台１１上に１７に示されるようにダ
イボンデイング（Au−Suロウ付け）されてお
り、キヤツプ体１３は１８に示されるように基台
に溶接されている。コネクタ１４は、基台１１に
設けられた孔部にハーメチツクシール（ガラス封
止）されている。シリコン回路チツプ１２は、コ
ネクタ１４と接続導体１６により接続されてい
る。
しかし、上述した従来技術では、装置の高密度
化という現今の要求には十分応えることができな
い。即ち、従来技術においては、回路チツプ１２
がコバール製の基台１１にロウ付けされている
が、高密度化すればより多くの部品が基台１１上
に搭載される可能がある。ところが搭載部品が多
くなればなるほど該部品からの発熱量も多くな
り、装置自体の温度が上昇する。
化という現今の要求には十分応えることができな
い。即ち、従来技術においては、回路チツプ１２
がコバール製の基台１１にロウ付けされている
が、高密度化すればより多くの部品が基台１１上
に搭載される可能がある。ところが搭載部品が多
くなればなるほど該部品からの発熱量も多くな
り、装置自体の温度が上昇する。
従つて、従来のように基台１１とチツプ１２間
を接合する手段としてロウ付けを使用していたの
では放熱効果が少ないので、発熱のため搭載部品
の電気的及び機械的特性が劣下する。
を接合する手段としてロウ付けを使用していたの
では放熱効果が少ないので、発熱のため搭載部品
の電気的及び機械的特性が劣下する。
また、基台１１の裏面が全体として平坦状であ
るため、放熱のために有効な面積が確保されてい
ないことも、高密度化した場合に装置の温度上昇
を阻止できずに上述と同様特性が劣下する原因と
なつている。
るため、放熱のために有効な面積が確保されてい
ないことも、高密度化した場合に装置の温度上昇
を阻止できずに上述と同様特性が劣下する原因と
なつている。
次に、気密性の観点からは、高密度化した場合
に、第１図に示す従来の接合手段たるロウ付け１
７や溶接１８ではその融点が低いために発熱によ
り溶け出すおそれがあり、外部の温度、湿度など
の影響を受け易くなる。
に、第１図に示す従来の接合手段たるロウ付け１
７や溶接１８ではその融点が低いために発熱によ
り溶け出すおそれがあり、外部の温度、湿度など
の影響を受け易くなる。
更に、従来は、キヤツプ体１３が基台１１の表
面に溶接１８により接合されていたため、キヤツ
プ体１３を取りはずしてチツプ１２やコネクタ１
４を点検し又は取替えようとしても上記溶接１８
の部分を溶かすので時間がかかつた。高密度化す
れば、それに比例して電子装置の保守交換の機会
は多くなるが、従来技術では保守交換が容易では
ない。
面に溶接１８により接合されていたため、キヤツ
プ体１３を取りはずしてチツプ１２やコネクタ１
４を点検し又は取替えようとしても上記溶接１８
の部分を溶かすので時間がかかつた。高密度化す
れば、それに比例して電子装置の保守交換の機会
は多くなるが、従来技術では保守交換が容易では
ない。
上記のとおり、従来技術では、高密度化した場
合に放熱性、気密性が低下すると共に保守交換が
容易でないという問題点がある。
合に放熱性、気密性が低下すると共に保守交換が
容易でないという問題点がある。
本発明は上記問題点を解決し高密度化した電子
装置の放熱性、気密性及び保守交換性のいずれを
も向上させようとするものであり、その手段は基
台の裏面には放熱用フインが形成されていると共
に上記基台の表面には回路部品を搭載した薄板体
がヒートシンクコンパウンド結合され、かつ該表
面の上記薄板体近傍に外部引出しコネクタを挿入
するための貫通孔が形成されて該貫通孔内壁には
上記回路部品と電気的に接続された上記コネクタ
が密閉封止結合され、更に上記基台表面には上記
薄板体と貫通孔を包覆する包覆キヤツプ体が密封
部材を介して螺着されていることを特徴とする電
子装置。
装置の放熱性、気密性及び保守交換性のいずれを
も向上させようとするものであり、その手段は基
台の裏面には放熱用フインが形成されていると共
に上記基台の表面には回路部品を搭載した薄板体
がヒートシンクコンパウンド結合され、かつ該表
面の上記薄板体近傍に外部引出しコネクタを挿入
するための貫通孔が形成されて該貫通孔内壁には
上記回路部品と電気的に接続された上記コネクタ
が密閉封止結合され、更に上記基台表面には上記
薄板体と貫通孔を包覆する包覆キヤツプ体が密封
部材を介して螺着されていることを特徴とする電
子装置。
本発明装置は、基台裏面に放熱用フインを植設
すると共にその裏面には回路部品をヒートシンク
コンパウンド接合した薄板体を介在されて搭載し
更に貫通孔を形成してその内壁に外部引出しコネ
クタを密閉封止結合せしめたので、放熱性と気密
性が共に向上し、かつ上記薄板体及び貫通孔を包
覆するキヤツプ体を基板表面にねじ止めしたの
で、保守交換性も向上する。
すると共にその裏面には回路部品をヒートシンク
コンパウンド接合した薄板体を介在されて搭載し
更に貫通孔を形成してその内壁に外部引出しコネ
クタを密閉封止結合せしめたので、放熱性と気密
性が共に向上し、かつ上記薄板体及び貫通孔を包
覆するキヤツプ体を基板表面にねじ止めしたの
で、保守交換性も向上する。
以下、本発明を実施例により添付図面を参照
し、説明する。
し、説明する。
第２図は、本発明装置の長手方向断面図であ
る。第２図の装置は、モリブデンまたはコバール
などセラミツクスと熱膨張係数が等しい材料で作
られた基台２１、ガラス系セラミツクス等の絶縁
層および回路パターン導電層から構成された薄板
体２２、基台２１上に取付けられたキヤツプ体２
３を有し、上記基台２１にはその裏面に放熱用フ
イン２１１がまた薄板体２２の近傍に外部引出し
コネクタ用貫通孔２１２（第４図）が、それぞれ
設けられている。
る。第２図の装置は、モリブデンまたはコバール
などセラミツクスと熱膨張係数が等しい材料で作
られた基台２１、ガラス系セラミツクス等の絶縁
層および回路パターン導電層から構成された薄板
体２２、基台２１上に取付けられたキヤツプ体２
３を有し、上記基台２１にはその裏面に放熱用フ
イン２１１がまた薄板体２２の近傍に外部引出し
コネクタ用貫通孔２１２（第４図）が、それぞれ
設けられている。
上記基台２１と薄板体２２とキヤツプ体２３は
ほぼ熱膨張係数が等しい材料により形成され、外
部又は内部から生じる熱の変動のためにこれらが
熱破壊を受ける危険性が回避されている。基台２
１の裏面には、放熱薄フイン２１１が複数個下方
に向かつて突起状に形成され、後述するように放
熱効果が高められている。
ほぼ熱膨張係数が等しい材料により形成され、外
部又は内部から生じる熱の変動のためにこれらが
熱破壊を受ける危険性が回避されている。基台２
１の裏面には、放熱薄フイン２１１が複数個下方
に向かつて突起状に形成され、後述するように放
熱効果が高められている。
一方、基台２１の表面には、回路部品２６を搭
載した薄板体２２が、後述するようにヒートシン
クコンパウンド２２２により（第３図）接着され
ている。尚、上記薄板体２２に搭載される回路部
品２６は、所望の電子回路を構成する部品であ
り、例えばトランジスタ、サイリスタ、LSIなど
がある。
載した薄板体２２が、後述するようにヒートシン
クコンパウンド２２２により（第３図）接着され
ている。尚、上記薄板体２２に搭載される回路部
品２６は、所望の電子回路を構成する部品であ
り、例えばトランジスタ、サイリスタ、LSIなど
がある。
上記薄板体２２を基台上に接着するヒートシン
クコンパウンド２２２は、第３図に示すように、
該薄板体２２の側面と底面を包囲すると共に薄板
体２２の底面全体とそれより広い領域に亘る基台
２１の表面との間に介在している。
クコンパウンド２２２は、第３図に示すように、
該薄板体２２の側面と底面を包囲すると共に薄板
体２２の底面全体とそれより広い領域に亘る基台
２１の表面との間に介在している。
このように基台上にヒートシンクコンパウンド
結合された薄板体２２の上面にはその中央に回路
部品を装着するための凹所２２３が形成され、そ
の両側には回路構成層２２１が形成されている。
結合された薄板体２２の上面にはその中央に回路
部品を装着するための凹所２２３が形成され、そ
の両側には回路構成層２２１が形成されている。
上記凹所２２３内には回路部品２６が接着剤２
２４により固着されている。回路部品２６には、
薄板体２２に接着される面の反対側の面に接続導
体２６１，２６２が設けられ、この接続導体２６
１，２６２が回路構成層２２１に接続されてい
る。従つて、回路部品２６において発生した熱
は、矢印に示されるように接着剤２２４と薄板体
２２とヒートシンクコンパウンド２２２と基台２
１と放熱用フイン２１１とを通して外部に放散さ
れる。
２４により固着されている。回路部品２６には、
薄板体２２に接着される面の反対側の面に接続導
体２６１，２６２が設けられ、この接続導体２６
１，２６２が回路構成層２２１に接続されてい
る。従つて、回路部品２６において発生した熱
は、矢印に示されるように接着剤２２４と薄板体
２２とヒートシンクコンパウンド２２２と基台２
１と放熱用フイン２１１とを通して外部に放散さ
れる。
これにより、該装置２の高密度化にも拘らず、
従来より一層の放熱効果が高められる。
従来より一層の放熱効果が高められる。
外部引出しコネクタ用貫通孔２１２は、第４図
に示すように、その内壁が階段状に形成され内壁
に対応する形状のコネクタ２５が着座している。
コネクタ２５は、セラミツクスまたはプラスチツ
ク製の絶縁部材２５１と引出し導体５２５から成
り、ガラス等で絶縁された上基台２１に設けられ
た上記貫通孔２１２の階段状部分にハーメチツク
シールされている。コネクタ２５を形成する絶縁
部材２５１を貫通した引出し導体２５２は、相手
側コネクタに嵌合され得るように装置外部に向か
つて下方に突出していると共に装置内部に向かつ
て延びハンダ２２５で接合された接続導体２８を
介して薄板体２２の表面パターン２２６に接続さ
れる。
に示すように、その内壁が階段状に形成され内壁
に対応する形状のコネクタ２５が着座している。
コネクタ２５は、セラミツクスまたはプラスチツ
ク製の絶縁部材２５１と引出し導体５２５から成
り、ガラス等で絶縁された上基台２１に設けられ
た上記貫通孔２１２の階段状部分にハーメチツク
シールされている。コネクタ２５を形成する絶縁
部材２５１を貫通した引出し導体２５２は、相手
側コネクタに嵌合され得るように装置外部に向か
つて下方に突出していると共に装置内部に向かつ
て延びハンダ２２５で接合された接続導体２８を
介して薄板体２２の表面パターン２２６に接続さ
れる。
更に、上記基台２１の表面には、包覆キヤツプ
体２３が上記コネクタと回路部品２６を全体から
覆うようにねじ２７によりＯリング２４を介して
密着固定されている（第２図）。
体２３が上記コネクタと回路部品２６を全体から
覆うようにねじ２７によりＯリング２４を介して
密着固定されている（第２図）。
Ｏリング２４は基台２４の表面に形成された角
形溝２４１内に挿入され、包覆キヤツプ体２３と
基台２１間の密封効果を高めることにより装置の
外部からほこり等が入り込まれないようになつて
いる（第２図）。
形溝２４１内に挿入され、包覆キヤツプ体２３と
基台２１間の密封効果を高めることにより装置の
外部からほこり等が入り込まれないようになつて
いる（第２図）。
また、キヤツプ体２３は、ねじ２７により基台
２１に取付けられているので、回路部品２６の保
守点検時には従来の溶接１８（第１図）と比べて
取りはずすことが容易であり、故障した回路部品
２６を交換することが一層容易でしかも迅速に行
える。
２１に取付けられているので、回路部品２６の保
守点検時には従来の溶接１８（第１図）と比べて
取りはずすことが容易であり、故障した回路部品
２６を交換することが一層容易でしかも迅速に行
える。
上記構成を有する第２図の電子装置は、次の方
法で製造される。この製造方法においては、ま
ず、放熱用フインを設けた基台２１をコバール等
の材基台２１の平面に仕上げられた面上に、ガラ
ス系セラミツクス等の誘導体ペーストをスクリー
ン印刷法により印刷して絶縁層を形成する。次い
で、この絶縁層上に導体ペーストを印刷して回路
パターン導電層を形成する。回路パターンがクロ
スする場合には、前記の絶縁層および導体層の印
刷を繰返して多層の回路構成層を形成することも
可能である。このようにして基台２１上に形成さ
れた絶縁層および導体層から成る薄板体２２は、
印刷後に乾燥された後に焼成されて完成された後
に焼成されて完成される。
法で製造される。この製造方法においては、ま
ず、放熱用フインを設けた基台２１をコバール等
の材基台２１の平面に仕上げられた面上に、ガラ
ス系セラミツクス等の誘導体ペーストをスクリー
ン印刷法により印刷して絶縁層を形成する。次い
で、この絶縁層上に導体ペーストを印刷して回路
パターン導電層を形成する。回路パターンがクロ
スする場合には、前記の絶縁層および導体層の印
刷を繰返して多層の回路構成層を形成することも
可能である。このようにして基台２１上に形成さ
れた絶縁層および導体層から成る薄板体２２は、
印刷後に乾燥された後に焼成されて完成された後
に焼成されて完成される。
次に、予め作成されたコネクタ２５が基台２１
に設けられた孔部に挿入され、ガラス系セラミツ
クス等によりハーメチツクシールされる。次に、
回路部品２６を薄板体２２上に取付けてハンダ付
けすることにより基台上の回路ユニツトを完成さ
せる。最後に、Ｏリングを用いてキヤツプ体２３
が気密的に基台２１上に取付けられる。
に設けられた孔部に挿入され、ガラス系セラミツ
クス等によりハーメチツクシールされる。次に、
回路部品２６を薄板体２２上に取付けてハンダ付
けすることにより基台上の回路ユニツトを完成さ
せる。最後に、Ｏリングを用いてキヤツプ体２３
が気密的に基台２１上に取付けられる。
前記のように印刷により薄板体を形成した場
合、基台と薄板体が一体物として構成されるため
放熱効果が向上する。
合、基台と薄板体が一体物として構成されるため
放熱効果が向上する。
本発明によれば、苛酷な条件下で用いられる電
子装置における、放熱性、気密性および保守性を
向上させることができ、それにより、電子装置の
小型化、高密度化を実現することができる。
子装置における、放熱性、気密性および保守性を
向上させることができ、それにより、電子装置の
小型化、高密度化を実現することができる。
第１図は、従来の電子装置の構成図、第２図
は、本発明の一実施例としての電子装置の構成を
示す断面図、第３図、第４図は、第２図の装置の
部分的な詳細図である。 ２……電子装置、２１……基台、２１１……放
熱用フイン、２１２……外部引出コネクタ用貫通
孔、２２……薄板体、２２１……回路構成層、２
２２……ヒートシンクコンパウンド、２３……包
覆キヤツプ体、２４……Ｏリング、２５……外部
引出しコネクタ、２５１……絶縁部材、２５２…
…引出し導体、２６……回路部品、２７……ネ
ジ、２８……接続導体。
は、本発明の一実施例としての電子装置の構成を
示す断面図、第３図、第４図は、第２図の装置の
部分的な詳細図である。 ２……電子装置、２１……基台、２１１……放
熱用フイン、２１２……外部引出コネクタ用貫通
孔、２２……薄板体、２２１……回路構成層、２
２２……ヒートシンクコンパウンド、２３……包
覆キヤツプ体、２４……Ｏリング、２５……外部
引出しコネクタ、２５１……絶縁部材、２５２…
…引出し導体、２６……回路部品、２７……ネ
ジ、２８……接続導体。
Claims (1)
- １ 基台の裏面には放熱用フインが形成されてい
ると共に上記基台の表面には回路部品を搭載した
薄板体がヒートシンクコンパウンド結合され、か
つ該表面の上記薄板体近傍に外部引出しコネクタ
を挿入するための貫通孔が形成されて該貫通孔内
壁には上記回路部品と電気的に接続された上記コ
ネクタが密閉封止結合され、更に上記基台表面に
は上記薄板体と貫通孔を包覆する包覆キヤツプ体
が密封部材を介して螺着されていることを特徴と
する電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56087572A JPS57202763A (en) | 1981-06-09 | 1981-06-09 | Electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56087572A JPS57202763A (en) | 1981-06-09 | 1981-06-09 | Electronic device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57202763A JPS57202763A (en) | 1982-12-11 |
| JPS623984B2 true JPS623984B2 (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=13918707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56087572A Granted JPS57202763A (en) | 1981-06-09 | 1981-06-09 | Electronic device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57202763A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63235685A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-30 | Keibunshiya Seisakusho:Kk | ベ−ン式真空ポンプ |
| JPH0291492A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Aisin Seiki Co Ltd | 容積型過給機 |
| JPH0424687U (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016067383A1 (ja) | 2014-10-29 | 2016-05-06 | 新電元工業株式会社 | 放熱構造 |
-
1981
- 1981-06-09 JP JP56087572A patent/JPS57202763A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63235685A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-30 | Keibunshiya Seisakusho:Kk | ベ−ン式真空ポンプ |
| JPH0291492A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-30 | Aisin Seiki Co Ltd | 容積型過給機 |
| JPH0424687U (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57202763A (en) | 1982-12-11 |
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