JPS6094821U - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置

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Publication number
JPS6094821U
JPS6094821U JP18705783U JP18705783U JPS6094821U JP S6094821 U JPS6094821 U JP S6094821U JP 18705783 U JP18705783 U JP 18705783U JP 18705783 U JP18705783 U JP 18705783U JP S6094821 U JPS6094821 U JP S6094821U
Authority
JP
Japan
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plasma cvd
cvd equipment
reaction tube
thin film
metal thin
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Pending
Application number
JP18705783U
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English (en)
Inventor
剛 篠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP18705783U priority Critical patent/JPS6094821U/ja
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
“第１図、第２図は従来例を孝子もので、第１図は装置
あ全体図、゛第２図はシリコンウニ・・のセット状態を
示゛す反応管の断面図、第３図はこの考案の一実施例の
構成を示す第２図相当の反応管の断面図である。 図中、１は反応管、２はカーボンボート、３は・シリコ
ンウェハ、１１は金属薄膜である。なお、図中の同一符
号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 反応管内でプラズマ放電を発生させＣＶＤを行うプラズ
    マＣＶＤ装置において、カーボンボートを金属薄膜で覆
    ったことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
JP18705783U 1983-12-01 1983-12-01 プラズマｃｖｄ装置 Pending JPS6094821U (ja)

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JP18705783U JPS6094821U (ja) 1983-12-01 1983-12-01 プラズマｃｖｄ装置

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JP18705783U JPS6094821U (ja) 1983-12-01 1983-12-01 プラズマｃｖｄ装置

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Publication Number Publication Date
JPS6094821U true JPS6094821U (ja) 1985-06-28

Family

ID=30403875

Family Applications (1)

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JP18705783U Pending JPS6094821U (ja) 1983-12-01 1983-12-01 プラズマｃｖｄ装置

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JP (1) JPS6094821U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014107414A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Shimadzu Corp サンプルホルダ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014107414A (ja) * 2012-11-28 2014-06-09 Shimadzu Corp サンプルホルダ

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