JPS6035536U - 減圧式気相成長装置 - Google Patents
減圧式気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6035536U JPS6035536U JP12748683U JP12748683U JPS6035536U JP S6035536 U JPS6035536 U JP S6035536U JP 12748683 U JP12748683 U JP 12748683U JP 12748683 U JP12748683 U JP 12748683U JP S6035536 U JPS6035536 U JP S6035536U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reduced pressure
- vapor phase
- phase growth
- pressure vapor
- growth equipment
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 title description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は減圧式気相成長装置の横断面図であり、第２図
は第１図の減圧式気相成長装置の正面図である。 なお図に於て、１・・・反応管、２・・・半導体基板、
３・・・半導体基板保持治具、である。
は第１図の減圧式気相成長装置の正面図である。 なお図に於て、１・・・反応管、２・・・半導体基板、
３・・・半導体基板保持治具、である。
Claims (1)
- 半導体基板に減圧下で薄膜を生成する工程に於て使用す
る半導体基板の径より内径が６３１！ｒＩｎ以上大きい
反応管を有することを特徴とする減圧式気相長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12748683U JPS6035536U (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 減圧式気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12748683U JPS6035536U (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 減圧式気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035536U true JPS6035536U (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=30289530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12748683U Pending JPS6035536U (ja) | 1983-08-18 | 1983-08-18 | 減圧式気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035536U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52132675A (en) * | 1976-04-30 | 1977-11-07 | Fujitsu Ltd | Vapor-phase growth method of thin film |
-
1983
- 1983-08-18 JP JP12748683U patent/JPS6035536U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52132675A (en) * | 1976-04-30 | 1977-11-07 | Fujitsu Ltd | Vapor-phase growth method of thin film |
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