JPS6095340A - 熱検出器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は赤外検出器、特に熱検出器に係る。

熱検出器により吸収される赤外ふく射は検出器材料の温
度」１昇をもたらす。検出器材料は温度変−゛化による
温度依存特性を有するように選択され、この特性は検出
器を照射する赤外線強度を示す信号を供給するように監
視される。

熱検出器は、フォトン検出器とも呼称されており同様に
赤外線検出に使用されている光検出器とは区別される。

）１トン検出器の場合、吸収されたふく射は検出器材料
中に電子遷移を励起し、電子エネルギ分布の変化から信
号を発生ずる。光伝導性及び光起電ノｊ検出器はこのよ
うに作動する。

３μｍより大の赤外線波長を検出するためには、一般に
フォトン−誘導遷移が生じるように熱誘導遷移を減少さ
せるべく冷却する必要がある。

焦電性材料は熱検出器として使用されることが知られて
いる。焦電性材料の内部電気極性はキュリ一温度の範囲
で温度と共に急速に変化する。弔素子焦電性検出器は盗
難警報器、ラジオメータ等の赤外線検出器として使用さ
れている。焦電性材料はコンデンザ誘電体として配置さ
れ、コンデンザ中の電気信号を監視することにより赤外
線吸収による温度に伴なう誘電特性変化が監視されてい
る。例えば焦電性ビジコン管として焦電性検出器の網状
多重素子列が知られている。このデバイスでは、焦電性
飼料は赤外線照射により画像から誘導された表面負６：
Ｉパターンの変化を読取るべく電子ヒームて走査される
。管口路中の電流は、検出器表面」二で電−ｒヒームを
照射される点の極性負６４ｊに依存している。

感度は焦電特性の関数である。残念ながら冷却により性
能の向−１１は何ら得られず、実際に＋Ａ利のキュリ一
点を考慮しないなら性能は冷却と共に低下する。好適な
焦電特性を有する化合物を、検出器列に好適な焦電性材
料の検出器品質スライスとして形成するには比較的費用
がかかる。更に、必要な信号読取り装置は複雑である。

例えば焦電性ビジコン管は電子銃を含む比較的大形の真
空管と、ビーム偏向及び集電電極装置とが必要である。

電子ビームは好ましくないレベルの電気的ノイズを生じ
る。

一般に、フォトン検出器は焦電型熱検出器よりも高感度
である。しかしながら、高感度適用には低温（７７°Ｋ
）冷却が必要であり、従って、装置が大型、複雑且つ高
価になり好ましくない。出力要件において許容可能な単
純な熱電冷却装置は、必要な冷却レベルを得るには適当
てない。ジュール−ケルビン効果型冷却器が必要である
。光ダイオードやンヨッ、トギー発光器のように一般に
低い安定温度で作動する光起電力デバイスが知られてい
る。

これらのデバイスは一般に比較的厚い半導体材料を熱ノ
ンク及び冷却器に密接に接触させることにより構成され
ている。この結果、好ましくない熱誘導遷移を最小化し
一定に維持し得る。

本発明の目的は、 （ａ）単−又は列状の廉価な製造、 （ｂ）比較的簡単な読取り、及び （ｃ）周囲温度ての作動又は低温での高感度作動が可能
な熱検出器を提供することにある。

本発明は、 （１）少なくとら１個のｐｎ接合を有する薄膜構造の半
導体デバイスから構成される感知素子と、（２）感知素
子と緊密に熱接触するように配置された赤外線吸収＋、
４利の薄層と、 （３）熱伝導率の低い感知素子ザボートと、を備えて成
る熱検出器を提供するものである。

本発明の検出器は、薄膜半導体デバイスが既知の薄膜技
術により単−又は列状に形成され搏ろので製造費用か廉
価であり、赤外線吸収材料と組合わせることも可能であ
る。ザボートの形成は容易である。本発明の検出器は周
囲温度、又は高感度が必要な場合には低温で作動可能で
ある。冷却要件はフォトン検出器はど厳密ではなく、一
般ノこ簡単な熱電冷却器で十分である。以下に詳述する
ように、信号読取りは焦電性デバイスからの読取りに比
較して比較的簡単である。

感知素子とこれに組合わＵられる吸収材料薄膜構造であ
り、低伝導率ザボートにより熱絶縁が得られるため、素
子と吸収材料とは熱容量が小さく、画像中の温度変化に
迅速に追随する。

感知素子はバイポーラトランジスタ又は接合ダイオード
であり得る。ダイオードは発光ダイオード（ＬＥＤ）で
あり得る。トランジスタの場合、感知素子は熱時定数か
ら生しる蓄積特性に加えて前置増幅器及び読取り装置と
して作動し得る。前置増−幅器の機能は一般的トランジ
スタ特性から生し、読取りはトランジスタベース電圧を
適当に印加するための手段を使用４−ることにより実施
され得ろ。

あるいは、ｌ・ランジスタはエミッター＝ルタタ回路に
挿入された変換トランジスタを（＝１加され得る。

更に、トランジスタは適合可能なスレンヨル）・控除を
もたらす長尾対構造の遮蔽疑似トランジスタと組合わせ
てもよい。Ｌ、ＣＤは温度の関数である光出力を供給す
る。光出力は任意の従来手段により監視され得る。

本発明の好ましい具体例において、感知素子は厚さ１０
μｍより小であり、ＩｅＶより大きいバントギャップを
有する半導体材料、例えばＳｉ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌ八
ｓ又へＧａＰから形成され得る。また、感知素子の熱伝
導率は０．４Ｗ／Ｋ　ｃｍ’より小である。ザボートは
酸化ケイ素発泡ガラス又は発泡プラスデック＋、Ｉ刺か
ら形成され得る。感知素子とザボートどの間の熱伝導は
ザボート表面を部分的に盛］−けることにより阻止され
得る。別の具体例ではそれぞれ」−述の構成に従う検出
器の列が形成される。列は好ましくは複数の網状薄膜構
造の感知素子から構成される。

以下、低熱伝導性ザボート上に薄膜感知素子を堆積して
成る単純な熱絶縁拡散限定型バイポーラトランジスタの
性能特性について記載する。同種接合デバイスあるいは
異種接合デバイスに拘わらず接合ダイオードの性能特性
についても同様の考察を行なった。

拡散限定バイポーラトランジスタの場合、エミッターベ
ース接合の電流−電圧（１−Ｖ）特性は下式（式中、ｖ
ｂ（ボルト）はエミッターベース電圧、Ｔ（Ｋ）は接合
の絶対温度、ｑ（クーロン）は電荷定数、ｋＢ（Ｊ、に
一つはボルツマン定数、及びＩ。（アンペア）は温度強
依存性電流パラメータである。）で示される。

温度が材料の固有温度特性より高い場合、上式は下式： （式中、Ｅｇ（エレクトロン−ポル）・）はトランジス
タ材料のエネルギバンドギャップである。）に変形され
る。

トランジスタ検出器の感度Ｒ１、即し検出器が受ける単
位実効値ふく射出力ΔＰ当たりの実効値信号電流ΔＩは
、下式 （式中、Ｇ（Ｗ／ｃｍ’／Ｋ）は検出器の熱伝導率であ
る。）で与えられる。

検出器伝導率Ｇの式を導く場合、第一近似計算では薄膜
トランジスタ（基台より高伝導率祠ｆ、１から成る）は
無視できる。

（式中、Ａ（ａｍ’）は基台に接触しているトランジス
タ素子の面積、ｄ（ｃｍ）は基台の厚さ、ｋ　（Ｗ／ｃ
ｍ、Ｋ）は基台の熱伝導率、ρｓ（Ｊ／ｃｍ’Ｋ）は爪
台の容積比熱、及びＦ（ｆｉｚ）は標本周波数である。

）２項の伝導率が等しい時、ザボートの最適厚さｄ。

が得られ、従って伝導率は最小になる。

次にデバイスの検出度を導く。

最小検出器パワー（ノイズ等価）ＰＮｄは下式で与えら
れる。

Ｐ　＝　（４ｋ　Ｔ’Ｇ）”　’　、、、式５％式％ トランジスタの電流ノイズｉ　は、 ａ ｉ、、　−’　（２ｑげ、、、　Ａ／社、、、、、、。

対応するノイズパワーＰＨａは、 ＰＮ−＝　（２ｑｌν／Ｒ，、、、、式６であると考え
られる。

高感度構造のトランジスタの場合、分配ノイズ（−）は
第一近似計算に無視できるので全ノイズ等価パワーＰＮ
は実効値加算により下式で与えられる。

ｐ　−［’Ｎｄ’　＋　ＰＮａ’］”　１１式７％式％ 検出器ノイズが顕著な電流」−限、即ち、の場合、比検
出度の式は下式・ に変形される。

一般に、デバイスの感度は、高電流、低温、サポート伝
導率最小時に最適である。検出率は低温で幕板伝導率が
最小の時に最適である。

以下、実施例について記載する。

実施例１ ５０７ｚｍ平方の薄膜ケイ素トランジスタを最適厚さの
酸化ケイ素から成る固体層ザボート上に配置し、室温（
３００Ｋ）に維持された包囲体中に保持した。

Ｅｇ＝　１．１２ｅＶ；　ｋＴ＝　０．０Ｉ４Ｗ／ｃｍ
、に、　：　ｐ　ｓ＝　０．０３Ｊ／ｃｍ３に；　ｄｏ
＝　６３μｍであった。

ゲート電圧Ｖｂ＝０．６８７ボルト、定在コレクタ電流
ｌ−１０μ八及び標本周波数−２５ＩＩ　ｚて作動さＵ
゛た時、（ｑＶ−Ｅｇ）／に１−−５０２Ｇ（計算値）
−−４４１０（実測値） ８〜１２μｍ波長のＩＲバンドにおけるふく射出力が２
Ｘ　１０−Ｊ／ｃｍ’／にであるとするなら、ΔＴ、　
、−１０４に／Ｋ（熱画像中の温度変化へＴ）、１ｕｎ
ＣＬｌＯｎ この結果は熱絶縁が理想的な場合の検出度に相当し、熱
伝達がふく射のみである場合、理論的極限は下式で示さ
れる。

割廊煮ｌ 低温（７７Ｋ）以外は実施例１と同様の条件で、Ｅｇ−
１，ｌ５ｅＶ；　Ｖｂ＝　１．ｏｌ、７ｖを得た。

この値からＦ式を導いた。

（ｑＶ　−Ｅｇ）／に’ｌ’　＝　−１４８６（計Ｗ（
ｌＩｌＮ）＝　”　１３６０（実測値） Ｄ’　＝’２．３ｘ　ＩＯ”ＷＩＩｚ÷ｃｍ　−’。

７ 実施例３ ５０μｍ平方の薄膜ケイ素トランジスタを発泡ガラス固
体層ザボート上に支持させた。

ｋＴ＝　３００μＷ／ｃｍ、に；　ｐ　ｓ＝　６００μ
Ｊ／ｃｍ３に；　＋Ｉｏ”６３μｍであった。

この値から下式を導いた。

ΔＴ／ΔＴ゛二５ＸｌＯ−３に／Ｋ Ｄ”３ｏｏ＝　７ｘ　ＩＯ”ＷＨｚ”　ｃｍ　’電。

サポート伝導率を減少させることにより、例えば）・ラ
ンジスタの下層のサポート表面の一部をエツチングする
ことにより検出率を更に改良することがてきる。ケイ素
の替わりにバンドギャップのより大きい材料、例えば固
有キャリア濃度が温度と共により迅速に変化するガリウ
ムヒ素（ＩＥｇ　＝　１　、４ｅＶｅ３００Ｋ）を使用
することにより感度を更に改良することができる。

添付図面を参考に本発明の別の具体例を単に例示として
以下に説明する。

第１図は単一素子検出器１の横断面図であり、第２図は
等価回路である従来型共通エミッタトランジスタ回路を
示している。検出器ｌは、酸化ケイ素の低熱伝導率基板
５の表面に結合されたｎ型ケイ素材料の薄膜単結晶から
構成されている。膜及び基板の厚さＬ及びｄ。は、それ
ぞれ約２μ川及び６０μｍである。基板５は熱容量の高
い金属シールド７の表面に結合されており、前記シール
ドは作動条件中、一定の温度に維持される。シリコンフ
ィルム３中には、■）ロトランノスタ構造Ｔ及び抵抗接
触リードのエミッタｅ１ベースｂ１　及びコレクタＣ領
域を規定すべく１）及びＮ型拡散が導入されており、例
えばポリソリコントラック（図示せず）もまた形成され
ている。ケイ素フィルム３の一部は、トランジスタセン
ザｔの領域を規定し且つ一横方向熱拡散を最小化すべく
フォトリソグラフエッチにより凹所９を形成されている
。センサＴは一辺Ｕが２ｍｍの正方形であり、従って、
大面積検出器として機能する。センサＴの表面上には、
例えば黒鉛又は金属分散−ゴールドブラック等の薄膜低
熱伝導率赤外吸収層１０が形成されている。

第２図は、コレクタ電圧及びベース電圧供給ライン■。

。＝■ｂｂ及びコレクタＣとコレクタ電圧ラインＶ　と
の間の負荷抵抗Ｒ１，を示している。センサＴのＣ 周辺のシリコンフィルム３中に前置トランジスタを形成
してもよい。

第３図は上述の検出器１の製造工程を示している。工程
の第１段階（第３図（ａ））では、ｎ型ノリコンの高品
質単結晶基板１１の清ａトな平面」二にｎ型ノリコンの
薄膜エピタキシャル層３を成長させる。

前記基板の厚さは従来通り〜２００μｍである。次にト
ランジスタ構造を規定ずべくＰ及びＮ型拡散を形成する
。この段階で他の全周辺トランジスタ構造が規定され得
る（第３図（ｂ））。この段階に続いて、ｐｎｎ選択的
エッヂダグ材料用いて基板１１を除去し、適当な最適厚
さの酸化ケイ素、発泡ガラス又は発泡プラスデック飼料
から形成され得る低伝導率基板５にフィルム３を結合さ
Ｈる。次に、適当なエソヂンク材利を用いてフォトリッ
クラフパターンに従いフィル１２３に網目９を形成する
。次にポリノリコン抵抗リード１３．１５及び１７及び
検出器周辺のコンタクトパッドの内部−接続パターンを
規定しく第３図（ｄ））、吸収材料を堆積させる。所与
の適当な低伝導率基板祠１ｉ１及び処理温度であれば、
に記二ｊ程の順序を適当に組変えることがてきる。

」二連の処理］［程を使用して多素子列検出器を構成す
るごとら可能である。第４図及び第５１：Ｊｌはこのよ
うな列検出器の一般的な具体例の横断面図及び平面図で
ある。ノリコンフィルム３はエツチングされた低伝導率
基板５上に堆積されており、１）ＩＩ記基板は好適な機
械的ザボー１−を構成し得るようにもはやフィルムに対
する最小熱接触を持たないザボート構造を形成ずべくエ
ツチングされている、フィルム３は網目を形成されてお
り、トランジスタ構造Ｔ　Ｔ　、は横列及び縦列状の２
次元列と１１°　１２゛ して形成されている。各トランジスタ構造ザ”１１’８
Ｔ　の寸法は５０μｍ平方である。

１ｍ 第６図は列ダ検出器の作動回路を示している。

接続パターンは、各横列のトランジスタ、例えばＴ　、
　Ｔ　１．、．７１ｍのベース接点が、対応する共１１
　１２ 通横列アドレスラインに接続されるように形成される。

各縦列のトランジスタ、例えばＴ１□、Ｔ２□１．。

Ｔｎ２のコレクタ接点Ｃは対応する共通縦列出力ライン
に接続されており、前記ラインの一端は有効抵抗負荷Ｒ
，を介してコレクタ電圧ＶＣ８供給ラインに接続されて
いる。抵抗負荷Ｒ１，には、複数の前置へ、Δ　、１．
への対応する１個に接続すべく各縦列１２゛ｍ 出力ラインが引出されている。各増幅器の出ノｊはリラ
イン惜号が恢鞄される。合グのトランジスタは、一般的
フレーム間隔４０ミリ秒（即ち標本周波数ｒ＝２５１１
ｚ）て咎フレーｌ＼毎に１回印加されろ。スイッチパル
スはアドレス回路２３、例えばソフトレジスタから供給
される。ｎｔｊ記構成において、各トランジスタ”１１
乃至Ｔｌ１ｍは熱ふく射センザとしてのみならツ゛各パ
ルス間の集積メモリ及び各パルススイッチとして機能す
る。

各トランジスタＴ１１乃至Ｔｎｍの前記列状回路の変形
例として、コレクタと出力ラインとの間にト］加トラン
ジスタを挿入し、そのベースを対応するアドレスライン
に接続してもよい。この場合、各感知トランジスタのベ
ースｂは共通ゲート電圧ラインに接続する。従って信号
電流は、感知トランジスタをそれ自体のスイッチとして
使用せずに感知トランジスタにコレクタ電圧を加えるこ
とにより得られる。また、座標選択が可能なようにベー
スとコレクタとの双方を割当ててもよい。

測定信号の定常電流バイアスは、列へのふく射を遮断す
るべくヂョソパを使用し、交流フレーム信号を控除する
ことにより除去され得る。別のアブローチとして、２個
組のトランジスタ、例えば第７図の構造の長尾対トラン
ジスタＴＩ、’Ｉ’２を使用してもよい。一方のトラン
ジスタＴ１を熱ふく射から遮蔽し、このトランジスタ」
二に反射金属シールドを配置する。各トランジスタに共
通ベース電圧を印加し、スイツチングはエミッタ回路に
イ：ｊ加トランジスタＴＧを挿入することにより行なう
。第８図は同様の回路を示しているが、この場合、各ト
ランジスタＴ１及びＴ２は異なる抵抗負荷Ｒ，，Ｉ＋、
、を介して異なるコレクタ電圧ラインｖｃｌ”ｃ２に接
続されている。この構成では、疑似トランジスタＴ１は
は著しく小型であり、検出器平面のスペースが非常に小
さくなるように設計されている。従って、感知素子の実
装密度が増加し、空中解像度が改良される。

上記ライン及び座標アドレスに使用されるトラ、ン°ジ
スク回路は共通ベース又は共通コレクタ構造に構成され
得る。有効フィードバックを導入してもよい。使用＋１
Ｊ能な列アドレスは−１−記の直接アドレス構造に限定
されない。

」二連の本発明の具体例に従うトランジスタ感知素子は
、感知素子がそれ自体の前置増幅器、続出しデバイス又
はスイッチ、及び集積メモリとして作動し得るという利
点を有する。ｒｉＱ置装幅器の機能は、トランジスタの
増幅及びインピーダンス変換特性により、記憶機能は、
全熱検出器に共通な熱時定数効果により生しる。感知素
子にｎ丁ｊ置増幅器又は続出し装置を備える必要かない
場合、感知素子は単−又は列状に製造されたｐＨ接合ダ
イオードであり得る。ｐｌ＋接合の電流−電圧又はＩｘ
Ｖ特性は、Ｅｌ式から導いた下式。

に示ずように温度（従って、画像から受取る赤外ふく射
）と共に変化リーる。

従って、バイアス時にグイオート中の電流を監視するこ
とにより、ダイオードにより受取られた赤外ふく射を測
定し得る。

ダイオード又はダイオード列はトランジスタの具体例と
同様に、赤外吸収層と低伝導性ザボートとを有する薄膜
構造として製造され得る。ダイオード当たり２個のリー
ドしか必要でないため、リードに沿う各ダイオードへの
熱伝導はトランジスタの場合よりも小であり、接合当た
り１個しか必要でないため、デバイスは薄型であり且つ
熱容量が小さい。

グイオートが発光ダイオード（Ｌ　Ｅ　Ｄ　）である場
合、ＬＥＩ）発光強度は温度の関数である。上記のよう
に熱絶縁されたトランジスタの薄膜（〜２μｍ）ｐｎ接
合しＥＤの温度は、それ自体が受取る赤外ふく射の強さ
に従って変化する。温度変化は、＋−Ｖ特性のＬＥＤ作
動点に対応する変化をもたらす。当然のことな−から、
ＬＥＤ発光強さの付帯変化は従来手段により監視され得
る。Ｇａを含む■−■族半導体ＬＥＤはバンドギヤツプ
がＩｅＶより大きいため可視光又は赤外線付近て発光す
る。この発光の好適感度での検出は波長３μｍ以上の赤
外光の検出よりはるかに筒中な問題である。更に、Ｉ、
ＥＤに使用４〜ろＧａ八へやＧ　ａＰ等の材料はＳｉよ
りもパントギャップか広いのて、感度が増加する（式２
）。

先述の具体例と類似の構造のＩ、Ｅｌ）の平面網目状列
を検出器として使用することもてきる。列の一方の側は
画像から赤外ふく射を受取り、反対側から光を放出する
。又、既知の型の電荷結合素子（ＣＣＤ）カメラを使用
して発光を監視し、電気出力を供給させてもよい。検出
器列の各ダイオードからの光出力はパラレル、即ち同時
に現われる。ダイオード出力は監視手段に光結合される
ので、熱伝導率を高め検出器の熱絶縁を低下させる出力
接続リードを形成４゛る必要がない。ダイオードは作動
時に感度を高めるべく高電流レベルで印加され得る。式
２からＲ１λｏｃｌが導かれ、従って、パルス電流が高
く且つ平均電流が低いために感度が高く、許容不可レベ
ルのダイオード加熱を生じない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一興体例に従う単一素子熱検出器の構
造を示す横断面図、第２図は第１図の検出器の回路図、
第３図（ａ）〜（ｄ）は第１図の検出器の製造各段階を
示す横断面図、第４図及び第５図は本発明の別の具体例
に従う多素子列検出器の構造を示す横断面図及び平面図
、第６図は第４図及び第５図の列検出器の回路図、及び
第７図及び第８図は第２図及び第６図の単一トランジス
タに置換え得る長屋対トランジスタの回路図である。 ■・・・検出器、３・　・・単結晶薄膜、５，１１・・
・基板、７・・・・シールド、１０　・吸収層、１３．
１５．１７・・リード、２１・・・・・マルチプレクサ
、２３・・・・アドレス回路、ｂ・　・ベース、Ｃ・・
・・・コレクタ、ｅ・・・・・・エミッタ、Ｔ・・・・
トランジスタ。 図面の浄書（内容に変更なし） 名称 ４９代理人 ８、補正の内容 手続補正書 昭和５９年１０月２４日 学殿 昭和５９年特許願第２０１４２０’−（熱検出器 特許出願人 イギリス国 東京都新宿区新宿１丁目１番１４号　山田ビル自　発 づ°る発明の数 図面

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. （１）　半導体デバイスから構成される感知素子と感知
   素子サポートとを備える熱検出器において、半導体デバ
   イスが薄膜構造から形成されており且つ少なくとも１個
   のｐｎ接合を有しており、サポートが低熱伝導性であり
   、感知素子と密接に熱接触するように赤外吸収材料の薄
   層が配置されていることを特徴とする熱検出器。
2. （２）感知素子の厚さが１０７１ｍより小であり、サポ
   ートの伝導率が０．４Ｗ／Ｋｃｍ”より小であり、半導
   体デバイスがｌｅＶより犬のバンドギャップを有する材
   料から構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項に記載の熱検出器。
3. （３）サポートが酸化ケイ素材料から成ることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の熱検出器
   。
4. （４）ザボー１−が発泡ガラス又は発泡プラスチック材
   料から成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は
   第２項に記載の熱検出器。
5. （５）サポートが感知素子への又は感知素子からの熱伝
   導を減少させるべく凹部を備えていることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれかに記載の熱
   検出器。
6. （６）それぞれ特許請求の範囲第１項乃至第５項のいず
   れかに記載の熱検出器の列を備えており、感知素子が網
   状薄膜構造であることを特徴と４−る熱検出器。
7. （７）感知素子が横列と縦列状に配置されたトランジス
   タてあり、検出器がそれぞれ各横列のトランジスタベー
   スに連結された複数のアドレスラインと、それぞれｌ縦
   列のトランジスタエミ・ツタ又はコレクタに連結された
   複数の出力ラインとを備えていることを特徴とする特許
   請求の範囲第６項に記載の熱検出器。
8. （８）感知素子がトランジスタであり、各感知素子トラ
   ンジスタが各スイッチングトランジスタと対に構成され
   ており、前記トランジスタの一方のコレクタが他方のエ
   ミッタに接続されており、トランジスタ対が横列及び縦
   列状に配置されており、各アドレスラインが各横列の各
   スイッチングトランジスタベースに連結されており、ゲ
   ート電圧ラインが感知素子トランジスタベースに連結さ
   れており、各出力ラインが各感知素子トランジスタエミ
   ッタ又はコレクタに連結されていることを特徴とする特
   許請求の範囲第６項に記載の熱検出器。
9. （９）特定の又は各感知素子を照射するふく射を変調さ
   Ｕるように配置された赤外ふく射変調手段と、照射ふく
   射強さの変化を示す差信号を供給すべく感知素子出力信
   号を減算するための手段とを備えていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項乃至第８項のいずれかに記載の
   熱検出器。
10. （１０）特定の又は各感知素子が長尾対構造を形成すべ
    く遮蔽トランジスタと組合わＵられたトランジスタであ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第５項の
    いずれかに記載の熱検出器。
11. （１１）長尾対の各トランジスタ毎に異なるコレクタ電
    圧結線と＝Ｉレクタ負荷とを備えていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第１０項に記載の熱検出器。
12. （１２）特定の又は各感知素子力月、ＥＤであり、検出
    器がＬＥＤ発光を監視するだめの手段を備えていること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第６項のいずれ
    かに記載の熱検出器。
13. （１３）　ＬＥＤ感知素子列とＬ　Ｅ　Ｉ）発光を監視
    ４−るためのＣＣＤカメラとをｆｉｔｌｉえていること
    を特徴とする特８′１請求の範囲第１２項に記載の熱検
    出器。 （＋４）　１．ＥＤ又はＬＥＤ列がガリウム含イイ［ｌ
    ｌＶ族半導体材料から構成されていることを特徴とする
    特許請求の範囲第１２項又は第１３項に記載の熱検出器
    。