JPH0436587B2 - - Google Patents
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- JPH0436587B2 JPH0436587B2 JP59201420A JP20142084A JPH0436587B2 JP H0436587 B2 JPH0436587 B2 JP H0436587B2 JP 59201420 A JP59201420 A JP 59201420A JP 20142084 A JP20142084 A JP 20142084A JP H0436587 B2 JPH0436587 B2 JP H0436587B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- sensing element
- collector
- detector according
- led
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/184—Infrared image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/197—Bipolar transistor image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
- H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は赤外検出器、特に熱検出器に係る。
熱検出器により吸収される赤外ふく射は検出器
材料の温度上昇をもたらす。検出器材料は温度変
化による温度依存特性を有するように選択され、
この特性は検出器を照射する赤外線強度を示す信
号を供給するように監視される。
材料の温度上昇をもたらす。検出器材料は温度変
化による温度依存特性を有するように選択され、
この特性は検出器を照射する赤外線強度を示す信
号を供給するように監視される。
熱検出器は、フオトン検出器とも呼称されてお
り同様に赤外線検出に使用されている光検出器と
は区別される。フオトン検出器の場合、吸収され
たふく射は検出器材料中に電子遷移を励起し、電
子エネルギ分布の変化から信号を発生する。光伝
導性及び光起電力検出器はこのように作動する。
3μmより大の赤外線波長を検出するためには、一
般にフオトン−誘導遷移が生じるように熱誘導遷
移を減少させるべく冷却する必要がある。
り同様に赤外線検出に使用されている光検出器と
は区別される。フオトン検出器の場合、吸収され
たふく射は検出器材料中に電子遷移を励起し、電
子エネルギ分布の変化から信号を発生する。光伝
導性及び光起電力検出器はこのように作動する。
3μmより大の赤外線波長を検出するためには、一
般にフオトン−誘導遷移が生じるように熱誘導遷
移を減少させるべく冷却する必要がある。
焦電性材料は熱検出器として使用されることが
知られている。焦電性材料の内部電気極性はキユ
リー温度の範囲で温度と共に急速に変化する。単
素子焦電性検出器は盗難警報器、ラジオメータ等
の赤外線検出器として使用されている。焦電性材
料はコンデンサ誘電体として配置され、コンデン
サ中の電気信号を監視することにより赤外線吸収
による温度に伴なう誘電特性変化が監視されてい
る。例えば焦電性ビジコン管として焦電性検出器
の網状多重素子列が知られている。このデバイス
では、焦電性材料は赤外線照射により画像から誘
導された表面負荷パターンの変化を読取るべく電
子ビームで走査される。管回路中の電流は、検出
器表面上で電子ビームを照射される点の極性負荷
に依存している。
知られている。焦電性材料の内部電気極性はキユ
リー温度の範囲で温度と共に急速に変化する。単
素子焦電性検出器は盗難警報器、ラジオメータ等
の赤外線検出器として使用されている。焦電性材
料はコンデンサ誘電体として配置され、コンデン
サ中の電気信号を監視することにより赤外線吸収
による温度に伴なう誘電特性変化が監視されてい
る。例えば焦電性ビジコン管として焦電性検出器
の網状多重素子列が知られている。このデバイス
では、焦電性材料は赤外線照射により画像から誘
導された表面負荷パターンの変化を読取るべく電
子ビームで走査される。管回路中の電流は、検出
器表面上で電子ビームを照射される点の極性負荷
に依存している。
熱検出器用焦電性材料は冷却せずに作動できる
ようにキユリー温度が周囲温度に近くなるべく選
択される。感度は焦電特性の関数である。残念な
がら冷却により性能の向上は何ら得られず、実際
に材料のキユリー点を考慮しないなら性能は冷却
と共に低下する。好適な焦電特性を有する化合物
を、検出器列に好適な焦電性材料の検出器品質ス
ライスとして形成するには比較的費用がかかる。
更に、必要な信号読取り装置は複雑である。例え
ば焦電性ビジコン管は電子銃を含む比較的大形の
真空管と、ビーム偏向及び集電電極装置とが必要
である。電子ビームは好ましくないレベルの電気
的ノイズを生じる。
ようにキユリー温度が周囲温度に近くなるべく選
択される。感度は焦電特性の関数である。残念な
がら冷却により性能の向上は何ら得られず、実際
に材料のキユリー点を考慮しないなら性能は冷却
と共に低下する。好適な焦電特性を有する化合物
を、検出器列に好適な焦電性材料の検出器品質ス
ライスとして形成するには比較的費用がかかる。
更に、必要な信号読取り装置は複雑である。例え
ば焦電性ビジコン管は電子銃を含む比較的大形の
真空管と、ビーム偏向及び集電電極装置とが必要
である。電子ビームは好ましくないレベルの電気
的ノイズを生じる。
一般に、フオトン検出器は焦電型熱検出器より
も高感度である。しかしながら、高感度適用には
低温（77°K）冷却が必要であり、従つて、装置
が大型、複雑且つ高価になり好ましくない。出力
要件において許容可能な単純な熱電冷却装置は、
必要な冷却レベルを得るには適当でない。ジユー
ル−ケルビン効果型冷却器が必要である。光ダイ
オードやシヨツトキー発光器のように一般に低い
安定温度で作動する光起電力デバイスが知られて
いる。これらのデバイスは一般に比較的厚い半導
体材料を熱シンク及び冷却器に密接に接触させる
ことにより構成されている。この結果、好ましく
ない熱誘導遷移を最小化し一定に維持し得る。
も高感度である。しかしながら、高感度適用には
低温（77°K）冷却が必要であり、従つて、装置
が大型、複雑且つ高価になり好ましくない。出力
要件において許容可能な単純な熱電冷却装置は、
必要な冷却レベルを得るには適当でない。ジユー
ル−ケルビン効果型冷却器が必要である。光ダイ
オードやシヨツトキー発光器のように一般に低い
安定温度で作動する光起電力デバイスが知られて
いる。これらのデバイスは一般に比較的厚い半導
体材料を熱シンク及び冷却器に密接に接触させる
ことにより構成されている。この結果、好ましく
ない熱誘導遷移を最小化し一定に維持し得る。
本発明の目的は、
(a) 単一又は列状の廉価な製造、
(b) 比較的簡単な読取り、及び
(c) 周囲温度での作動又は低温での高感度作動が
可能な熱検出器を提供することにある。
可能な熱検出器を提供することにある。
本発明は、
(1) 少なくとも１個のpn接合を有する薄膜構造
の半導体デバイスから構成される感知素子と、 (2) 感知素子と緊密に熱接触するように配置され
た赤外線吸収材料の薄層と、 (3) 熱伝導率の低い感知素子サポートと、 を備えて成る熱検出器を提供するものである。
の半導体デバイスから構成される感知素子と、 (2) 感知素子と緊密に熱接触するように配置され
た赤外線吸収材料の薄層と、 (3) 熱伝導率の低い感知素子サポートと、 を備えて成る熱検出器を提供するものである。
本発明の検出器は、薄膜半導体デバイスが既知
の薄膜技術により単一又は列状に形成され得るの
で製造費用が廉価であり、赤外線吸収材料と組合
わせることも可能である。サポートの形成は容易
である。本発明の検出器は周囲温度、又は高感度
が必要な場合には低温で作動可能である。冷却要
件はフオトン検出器ほど厳密ではなく、一般に簡
単な熱電冷却器で十分である。以下に詳述するよ
うに、信号読取りは焦電性デバイスからの読取り
に比較して比較的簡単である。
の薄膜技術により単一又は列状に形成され得るの
で製造費用が廉価であり、赤外線吸収材料と組合
わせることも可能である。サポートの形成は容易
である。本発明の検出器は周囲温度、又は高感度
が必要な場合には低温で作動可能である。冷却要
件はフオトン検出器ほど厳密ではなく、一般に簡
単な熱電冷却器で十分である。以下に詳述するよ
うに、信号読取りは焦電性デバイスからの読取り
に比較して比較的簡単である。
感知素子とこれに組合わせられる吸収材料薄膜
構造であり、低伝導率サポートにより熱絶縁が得
られるため、素子と吸収材料とは熱容量が小さ
く、画像中の温度変化に迅速に追随する。
構造であり、低伝導率サポートにより熱絶縁が得
られるため、素子と吸収材料とは熱容量が小さ
く、画像中の温度変化に迅速に追随する。
感知素子はバイポーラトランジスタ又は接合ダ
イオードであり得る。ダイオードは発光ダイオー
ド（LED）であり得る。トランジスタの場合、
感知素子は熱時定数から生じる蓄積特性に加えて
前置増幅器及び読取り装置として作動し得る。前
置増幅器の機能は一般的トランジスタ特性から生
じ、読取りはトランジスタベース電圧を適当に印
加するための手段を使用することにより実施され
得る。あるいは、トランジスタはエミツタ−コレ
クタ回路に挿入された変換トランジスタを付加さ
れ得る。更に、トランジスタは適合可能なスレシ
ヨルド控除をもたらす長尾対構造の遮蔽疑似トラ
ンジスタと組合わせてもよい。LEDは温度の関
数である光出力を供給する。光出力は任意の従来
手段により監視され得る。
イオードであり得る。ダイオードは発光ダイオー
ド（LED）であり得る。トランジスタの場合、
感知素子は熱時定数から生じる蓄積特性に加えて
前置増幅器及び読取り装置として作動し得る。前
置増幅器の機能は一般的トランジスタ特性から生
じ、読取りはトランジスタベース電圧を適当に印
加するための手段を使用することにより実施され
得る。あるいは、トランジスタはエミツタ−コレ
クタ回路に挿入された変換トランジスタを付加さ
れ得る。更に、トランジスタは適合可能なスレシ
ヨルド控除をもたらす長尾対構造の遮蔽疑似トラ
ンジスタと組合わせてもよい。LEDは温度の関
数である光出力を供給する。光出力は任意の従来
手段により監視され得る。
本発明の好ましい具体例において、感知素子は
厚さ10μmより小であり、1eVより大きいバンド
ギヤツプを有する半導体材料、例えばSi，
GaAs，GaAlAs又はGaPから形成され得る。ま
た、感知素子の熱伝導率は0.4W／Ｋcm2より小で
ある。サポートは酸化ケイ素発泡ガラス又は発泡
プラスチツク材料から形成され得る。感知素子と
サポートとの間の熱伝導はサポート表面を部分的
に盛上げることにより阻止され得る。別の具体例
ではそれぞれ上述の構成に従う検出器の列が形成
される。列は好ましくは複数の網場薄膜構造の感
知素子から構成される。
厚さ10μmより小であり、1eVより大きいバンド
ギヤツプを有する半導体材料、例えばSi，
GaAs，GaAlAs又はGaPから形成され得る。ま
た、感知素子の熱伝導率は0.4W／Ｋcm2より小で
ある。サポートは酸化ケイ素発泡ガラス又は発泡
プラスチツク材料から形成され得る。感知素子と
サポートとの間の熱伝導はサポート表面を部分的
に盛上げることにより阻止され得る。別の具体例
ではそれぞれ上述の構成に従う検出器の列が形成
される。列は好ましくは複数の網場薄膜構造の感
知素子から構成される。
以下、低熱伝導性サポート上に薄膜感知素子を
堆積して成る単純な熱絶縁拡散限定型バイポーラ
トランジスタの性能特性について記載する。同種
接合デバイスあるいは異種接合デバイスに拘わら
ず接合ダイオードの性能特性についても同様の考
察を行なつた。
堆積して成る単純な熱絶縁拡散限定型バイポーラ
トランジスタの性能特性について記載する。同種
接合デバイスあるいは異種接合デバイスに拘わら
ず接合ダイオードの性能特性についても同様の考
察を行なつた。
拡散限定バイポーラトランジスタの場合、エミ
ツタ−ベース接合の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性は
下式： Ｉ＝Ip（Ｔ）．［exp（q.Vb／kBＴ）−１］ （式中、Vb（ボルト）はエミツタ−ベース電圧、
Ｔ（Ｋ）は接合の絶対温度、ｑ（クーロン）は電荷
定数、kB（J.K-1）はボルツマン定数、及びIp（ア
ンペア）は温度強度依存性電流パラメータであ
る。）で示される。
ツタ−ベース接合の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性は
下式： Ｉ＝Ip（Ｔ）．［exp（q.Vb／kBＴ）−１］ （式中、Vb（ボルト）はエミツタ−ベース電圧、
Ｔ（Ｋ）は接合の絶対温度、ｑ（クーロン）は電荷
定数、kB（J.K-1）はボルツマン定数、及びIp（ア
ンペア）は温度強度依存性電流パラメータであ
る。）で示される。
温度が材料の固有温度特性より高い場合、上式
は下式： Ｉ＝const.exp（q.Vb−Eg／kBＴ） ……式１ （式中、Eg（エレクトロン−ボルト）はトランジ
スタ材料のエネルギバンドギヤツプである。）に
変形される。
は下式： Ｉ＝const.exp（q.Vb−Eg／kBＴ） ……式１ （式中、Eg（エレクトロン−ボルト）はトランジ
スタ材料のエネルギバンドギヤツプである。）に
変形される。
トランジスタ検出器の感度RI〓、即ち検出器が
受ける単位実効値ふく射出力ΔP当たりの実効値
信号電流ΔIは、下式： RI〓＝dI／dP＝dI／dT・dT／dP＝１／Ｇ・dI／dT； RI〓＝（qV−Eg）／kT2ＧＩ……（Ａ／Ｗ） ……式２ （式中、Ｇ（Ｗ／cm2／Ｋ）は検出器の熱伝導率で
ある。）で与えられる。
受ける単位実効値ふく射出力ΔP当たりの実効値
信号電流ΔIは、下式： RI〓＝dI／dP＝dI／dT・dT／dP＝１／Ｇ・dI／dT； RI〓＝（qV−Eg）／kT2ＧＩ……（Ａ／Ｗ） ……式２ （式中、Ｇ（Ｗ／cm2／Ｋ）は検出器の熱伝導率で
ある。）で与えられる。
検出器伝導率Ｇの式を導く場合、第一近似計算
では薄膜トランジスタ（基台より高伝導率材料か
ら成る）は無視できる。
では薄膜トランジスタ（基台より高伝導率材料か
ら成る）は無視できる。
Ｇ＝［（kTＡ／ｄ）2＋（ρs.Ad.2πf）2］1/2……式
３ （式中、Ａ（cm2）は基台に接触しているトランジ
スタ素子の面積、ｄ（cm）は基台の厚さ、ｋ（Ｗ／
cm．Ｋ）は基台の熱伝導率、ρs（Ｊ／cm3Ｋ）は基
台の容積比熱、及びＦ（Hz）は標本周波数であ
る。） ２項の伝導率が等しい時、サポートの最適厚さ
d0が得られ、従つて伝熱率は最小になる。
３ （式中、Ａ（cm2）は基台に接触しているトランジ
スタ素子の面積、ｄ（cm）は基台の厚さ、ｋ（Ｗ／
cm．Ｋ）は基台の熱伝導率、ρs（Ｊ／cm3Ｋ）は基
台の容積比熱、及びＦ（Hz）は標本周波数であ
る。） ２項の伝導率が等しい時、サポートの最適厚さ
d0が得られ、従つて伝熱率は最小になる。
d0＝（kT／2πfρ.s）1/2；Gnio＝√２（kTＡ／d0）
……式４
次にデバイスの検出度を導く。
最小検出器パワー（ノイズ等価）PNdは下式で
与えられる。
与えられる。
PNd＝（4kBT2Ｇ）1/2 ……式５
トランジスタの電流ノイズioaは、
ioa＝（2qI）1/2……Ａ／√z……
対応するノイズパワーPNaは、
PNa＝（2qI）1/2／RI〓 ……式６
であると考えられる。
高感度構造のトランジスタの場合、分配ノイズ
（１／ｆ）は第一近似計算に無視できるので全ノイズ 等価パワーPNは実効値加算により下式で与えら
れる。
（１／ｆ）は第一近似計算に無視できるので全ノイズ 等価パワーPNは実効値加算により下式で与えら
れる。
PN＝［PNd 2＋PNa 2］1/2 ……式７
従つて、比検出度D*＝A1/2／PNは、下式：
D*＝RI〓・A1/2／［RI〓2（4kT2Ｇ）＋2qI］1/2……
式８ で与えられる。
式８ で与えられる。
検出器ノイズが顕著な電流上限、即ち、
Ｉ≫kTkBT2qA／2d0（qV−Eg）2
の場合、比検出度の式は下式：
D*＝Ａ／［4kT2Ｇ］1/2……式８（Ａ）
＝d0 1/2／［4.8kTkBT2］1/2 ……式８（Ｂ）
に変形される。
一般に、デバイスの感度は、高電流、低温、サ
ポート伝導率最小時に最適である。検出率は低温
で基板伝導率が最小の時に最適である。
ポート伝導率最小時に最適である。検出率は低温
で基板伝導率が最小の時に最適である。
以下、実施例について記載する。
実施例 １
50μm平方の薄膜ケイ素トランジスタを最適厚
さの酸化ケイ素から成る固体層サポートに配置
し、室温（300K）に維持された包囲体中に保持
した。
さの酸化ケイ素から成る固体層サポートに配置
し、室温（300K）に維持された包囲体中に保持
した。
Eg＝1.12eV；kT＝0.014W／cm．K.；ρs＝
0.03J／cm3Ｋ；d0＝63μmであつた。
0.03J／cm3Ｋ；d0＝63μmであつた。
ゲート電圧Vb＝0.687ボルト、定在コレクタ電
流Ｉ＝10μA及び標本周波数＝25Hzで作動させた
時、 （qV＝Eg）／kT＝−5020（計算値） ＝−4410（実測値） dI／dT／300＝−0.8μA／Ｋ（接合部）であつた。
流Ｉ＝10μA及び標本周波数＝25Hzで作動させた
時、 （qV＝Eg）／kT＝−5020（計算値） ＝−4410（実測値） dI／dT／300＝−0.8μA／Ｋ（接合部）であつた。
８〜12μm波長のIRバンドにおけるふく射出力
が２×10-4Ｗ／cm2／Ｋであるとするなら、 ΔTjuoctipo＝10-4Ｋ／Ｋ（熱画像中の温度変化
ΔT）、 dI／dT′／3000.1nA／Ｋ（熱画像の温度変化） D* 300＝1.5×108WHz-1/2cm-1であつた。
が２×10-4Ｗ／cm2／Ｋであるとするなら、 ΔTjuoctipo＝10-4Ｋ／Ｋ（熱画像中の温度変化
ΔT）、 dI／dT′／3000.1nA／Ｋ（熱画像の温度変化） D* 300＝1.5×108WHz-1/2cm-1であつた。
この結果は熱絶縁が理想的な場合の検出度に相
当し、熱伝達がふく射のみである場合、理論的極
限は下式で示される。
当し、熱伝達がふく射のみである場合、理論的極
限は下式で示される。
D* R＝（16σkBT5）-1/2＝1.8×1010WHz1/2cm-1。
実施例 ２
低温（77K）以外は実施例１と同様の条件で、
Eg＝1.15eV；Vb＝1.017vを得た。
Eg＝1.15eV；Vb＝1.017vを得た。
この値から下式を導いた。
（qV−Eg）／kT＝−1486（計算値）
＝−1360（実測値）
dI／dT／77＝−2.4μA／ｋ
D* 77＝2.3×109WHz1/2cm-1。
実施例 ３
50μm平方の薄膜ケイ素トランジスタを発泡ガ
ラス固体層サポート上に支持させた。
ラス固体層サポート上に支持させた。
kT＝300μW／cm．Ｋ；ρs＝600μJ／cm3Ｋ；d0＝
63μmであつた。
63μmであつた。
この値から下式を導いた。
ΔT／ΔT′５×10-3Ｋ／Ｋ
dI／dT′／300＝5nA／Ｋ
D* 300＝７×109WHz-1/2cm-1。
サポート伝導率を減少させることにより、例え
ばトランジスタの下層のサポート表面の一部をエ
ツチングすることにより検出率を更に改良するこ
とができる。ケイ素の替わりにバンドキヤツプの
より大きい材料、例えば固有キヤリア濃度が温度
と共により迅速に変化するガリウムヒ素（Eg＝
1.4eVε300K）を使用することにより感度を更に
改良することができる。
ばトランジスタの下層のサポート表面の一部をエ
ツチングすることにより検出率を更に改良するこ
とができる。ケイ素の替わりにバンドキヤツプの
より大きい材料、例えば固有キヤリア濃度が温度
と共により迅速に変化するガリウムヒ素（Eg＝
1.4eVε300K）を使用することにより感度を更に
改良することができる。
添付図面を参考に本発明の別の具体例を単に例
示として以下に説明する。
示として以下に説明する。
第１図は単一素子検出器１の横断面図であり、
第２図は等価回路である従来型共通エミツタトラ
ンジスタ回路を示している。検出器１は、酸化ケ
イ素の低熱伝導率基板５の表面に結合されたｎ型
ケイ素材料の薄膜単結晶から構成されている。膜
及び基板の厚さｔ及びd0は、それぞれ約2μm及び
60μmである。基板５は熱容量の高い金属シール
ド７の表面に結合されており、前記シールドは作
動条件中、一定の温度に維持される。シリコンフ
イルム３中には、npnトランジスタ構造Ｔ及び抵
抗接触リードのエミツタｅ、ベースｂ、及びコレ
クタｃ領域を規定すべくＰ及びＮ型拡散が導入さ
れており、例えばポリシリコントラツク（図示せ
ず）もまた形成されている。ケイ素フイルム３の
一部は、トランジスタセンサｔの領域を規定し且
つ横方向熱拡散を最小化すべくフオトリソグラフ
エツチにより凹所９を形成されている。センサＴ
は１辺が２mmの正方形であり、従つて、大面積
検出器として機能する。センサＴの表面上には、
例えば黒鉛又は金属分散−ゴールドブラツク等の
薄膜低熱伝導率赤外吸収層１０が形成されてい
る。
第２図は等価回路である従来型共通エミツタトラ
ンジスタ回路を示している。検出器１は、酸化ケ
イ素の低熱伝導率基板５の表面に結合されたｎ型
ケイ素材料の薄膜単結晶から構成されている。膜
及び基板の厚さｔ及びd0は、それぞれ約2μm及び
60μmである。基板５は熱容量の高い金属シール
ド７の表面に結合されており、前記シールドは作
動条件中、一定の温度に維持される。シリコンフ
イルム３中には、npnトランジスタ構造Ｔ及び抵
抗接触リードのエミツタｅ、ベースｂ、及びコレ
クタｃ領域を規定すべくＰ及びＮ型拡散が導入さ
れており、例えばポリシリコントラツク（図示せ
ず）もまた形成されている。ケイ素フイルム３の
一部は、トランジスタセンサｔの領域を規定し且
つ横方向熱拡散を最小化すべくフオトリソグラフ
エツチにより凹所９を形成されている。センサＴ
は１辺が２mmの正方形であり、従つて、大面積
検出器として機能する。センサＴの表面上には、
例えば黒鉛又は金属分散−ゴールドブラツク等の
薄膜低熱伝導率赤外吸収層１０が形成されてい
る。
第２図は、コレクタ電圧及びベース電圧供給ラ
インVcc，Vbb及びコレクタｃとコレクタ電圧ラ
インVccとの間の負荷抵抗RLを示している。セン
サＴの周辺のシリコンフイルム３中に前置トラン
ジスタを形成してもよい。
インVcc，Vbb及びコレクタｃとコレクタ電圧ラ
インVccとの間の負荷抵抗RLを示している。セン
サＴの周辺のシリコンフイルム３中に前置トラン
ジスタを形成してもよい。
第３図は上述の検出器１の製造工程を示してい
る。工程の第１段階（第３図α）では、ｐ型シリ
コンの高品質単結晶基板１１の清浄な平面上にｎ
型シリコンの薄膜エピタキシヤル層３を成長させ
る。前記基板の厚さは従来通り〜200μmである。
次にトランジスタ構造を規定すべくＰ及びＮ型拡
散を形成する。この段階で他の全周辺トランジス
タ構造が規定され得る（第３図ｂ）。この段階に
続いて、pn選択的エツチング材料を用いて基板
１１を除去し、適当な最適厚さの酸化ケイ素、発
泡ガラス又は発泡プラスチツク材料から形成され
得る低伝導率基板５にフイルム３を結合させる。
次に、適当なエツチング材料を用いてフオトリソ
グラフパターンに従いフイルム３に網目９を形成
する。次にポリシリコン抵抗リード１３，１５及
び１７及び検出器周辺のコンタクトパツドの内部
−接続パターンを規定し（第３図ｄ）、吸収材料
を堆積させる。所与の適当な低伝導性基板材料及
び処理温度であれば、上記工程の順序を適当に組
変えることができる。
る。工程の第１段階（第３図α）では、ｐ型シリ
コンの高品質単結晶基板１１の清浄な平面上にｎ
型シリコンの薄膜エピタキシヤル層３を成長させ
る。前記基板の厚さは従来通り〜200μmである。
次にトランジスタ構造を規定すべくＰ及びＮ型拡
散を形成する。この段階で他の全周辺トランジス
タ構造が規定され得る（第３図ｂ）。この段階に
続いて、pn選択的エツチング材料を用いて基板
１１を除去し、適当な最適厚さの酸化ケイ素、発
泡ガラス又は発泡プラスチツク材料から形成され
得る低伝導率基板５にフイルム３を結合させる。
次に、適当なエツチング材料を用いてフオトリソ
グラフパターンに従いフイルム３に網目９を形成
する。次にポリシリコン抵抗リード１３，１５及
び１７及び検出器周辺のコンタクトパツドの内部
−接続パターンを規定し（第３図ｄ）、吸収材料
を堆積させる。所与の適当な低伝導性基板材料及
び処理温度であれば、上記工程の順序を適当に組
変えることができる。
上述の処理工程を使用して多素子列検出器を構
成することも可能である。第４図及び第５図はこ
のような列検出器の一般的な具体例の横断面図及
び平面図である。シリコンフイルム３はエツチン
グされた低伝導性基板５上に堆積されており、前
記基板は好適な機械的サポートを構成し得るよう
にもはやフイルムに対する最小熱接触を持たない
サポート構造を形成すべくエツチングされてい
る。フイルム３は網目を形成されており、トラン
ジスタ構造T11，T12……は横列及び縦列状の２
次元列として形成されている。各トランジスタセ
ンサT11，……Tonの寸法は50μm平方である。
成することも可能である。第４図及び第５図はこ
のような列検出器の一般的な具体例の横断面図及
び平面図である。シリコンフイルム３はエツチン
グされた低伝導性基板５上に堆積されており、前
記基板は好適な機械的サポートを構成し得るよう
にもはやフイルムに対する最小熱接触を持たない
サポート構造を形成すべくエツチングされてい
る。フイルム３は網目を形成されており、トラン
ジスタ構造T11，T12……は横列及び縦列状の２
次元列として形成されている。各トランジスタセ
ンサT11，……Tonの寸法は50μm平方である。
第６図は列検出器の作動回路を示している。接
続パターンは、各横列のトランジスタ、例えば
T11，T12，……T1nのベース接点が、対応する共
通横列アドレスラインに接続されるように形成さ
れる。各縦列のトランジスタ、例えばT12，T22，
……To2のコレクタ接点ｃは対応する共通縦列出
力ラインに接続されており、前記ラインの一端は
有効抵抗負荷RLを介してコレクタ電圧Vcc供給ラ
インに接続されている。抵抗負荷RLには、複数
の前置A1，A2，……，Anの対応する１個に接続
すべく各縦列出力ラインが引出されている。各増
幅器の出力はマルチプレクサ２１に接続されてお
り、出力Ｏ／Ｐからライン信号が供給される。各
横列のトランジスタは、一般的フレーム間隔40ミ
リ秒（即ち標本周波数ｆ＝25Hz）で各フレーム毎
に１回印加される。スイツチパルスはアドレス回
路２３，例えばシフトレジスタから供給される。
前記構成において、各トランジスタT11乃至Ton
は熱ふく射センサとしてのみならず各パルス間の
集積メモリ及び各パルススイツチとして機能す
る。
続パターンは、各横列のトランジスタ、例えば
T11，T12，……T1nのベース接点が、対応する共
通横列アドレスラインに接続されるように形成さ
れる。各縦列のトランジスタ、例えばT12，T22，
……To2のコレクタ接点ｃは対応する共通縦列出
力ラインに接続されており、前記ラインの一端は
有効抵抗負荷RLを介してコレクタ電圧Vcc供給ラ
インに接続されている。抵抗負荷RLには、複数
の前置A1，A2，……，Anの対応する１個に接続
すべく各縦列出力ラインが引出されている。各増
幅器の出力はマルチプレクサ２１に接続されてお
り、出力Ｏ／Ｐからライン信号が供給される。各
横列のトランジスタは、一般的フレーム間隔40ミ
リ秒（即ち標本周波数ｆ＝25Hz）で各フレーム毎
に１回印加される。スイツチパルスはアドレス回
路２３，例えばシフトレジスタから供給される。
前記構成において、各トランジスタT11乃至Ton
は熱ふく射センサとしてのみならず各パルス間の
集積メモリ及び各パルススイツチとして機能す
る。
各トランジスタT11乃至Tonの前記列状回路の
変形例として、コレクタと出力ラインとの間に付
加トランジスタを挿入し、そのベースを対応する
アドレスラインに接続してもよい。この場合、各
感知トランジスタのベースｂは共通ゲート電圧ラ
インに接続する。従つて信号電流は、感知トラン
ジスタをそれ自体のスイツチとして使用せずに感
知トランジスタにコレクタ電圧を加えることによ
り得られる。また、座標選択が可能なようにベー
スとコレクタとの双方を割当ててもよい。
変形例として、コレクタと出力ラインとの間に付
加トランジスタを挿入し、そのベースを対応する
アドレスラインに接続してもよい。この場合、各
感知トランジスタのベースｂは共通ゲート電圧ラ
インに接続する。従つて信号電流は、感知トラン
ジスタをそれ自体のスイツチとして使用せずに感
知トランジスタにコレクタ電圧を加えることによ
り得られる。また、座標選択が可能なようにベー
スとコレクタとの双方を割当ててもよい。
測定信号の定常電流バイアスは、列へのふく射
を遮断するべくチヨツパを使用し、交流フレーム
信号を控除することにより除去され得る。別のア
プローチとして、２個組のトランジスタ、例えば
第７図の構造の長尾対トランジスタT1，T2を使
用してもよい。一方のトランジスタT1を熱ふく
射から遮蔽し、このトランジスタ上に反射金属シ
ールドを配置する。各トランジスタに共通ベース
電圧を印加し、スイツチングはエミツタ回路に付
加トランジスタTGを挿入することにより行なう。
第８図は同様の回路を示しているが、この場合、
各トランジスタT1及びT2は異なる抵抗負荷R1，
R2を介して異なるコレクタ電圧ラインVc1，Vc2
に接続されている。この構成では、疑似トランジ
スタT1はは著しく小型であり、検出器平面のス
ペースが非常に小さくなるように設計されてい
る。従つて、感知素子の実装密度が増加し、空中
解像度が改良される。
を遮断するべくチヨツパを使用し、交流フレーム
信号を控除することにより除去され得る。別のア
プローチとして、２個組のトランジスタ、例えば
第７図の構造の長尾対トランジスタT1，T2を使
用してもよい。一方のトランジスタT1を熱ふく
射から遮蔽し、このトランジスタ上に反射金属シ
ールドを配置する。各トランジスタに共通ベース
電圧を印加し、スイツチングはエミツタ回路に付
加トランジスタTGを挿入することにより行なう。
第８図は同様の回路を示しているが、この場合、
各トランジスタT1及びT2は異なる抵抗負荷R1，
R2を介して異なるコレクタ電圧ラインVc1，Vc2
に接続されている。この構成では、疑似トランジ
スタT1はは著しく小型であり、検出器平面のス
ペースが非常に小さくなるように設計されてい
る。従つて、感知素子の実装密度が増加し、空中
解像度が改良される。
上記ライン及び座標アドレスに使用されるトラ
ンジスタ回路は共通ベース又は共通コレクタ構造
に構成され得る。有効フイードバツクを導入して
もよい。使用可能な列アドレスは上記の直接アド
レス構造に限定されない。
ンジスタ回路は共通ベース又は共通コレクタ構造
に構成され得る。有効フイードバツクを導入して
もよい。使用可能な列アドレスは上記の直接アド
レス構造に限定されない。
上述の本発明の具体例に従うトランジスタ感知
素子は、感知素子がそれ自体の前置増幅器、読出
しデバイス又はスイツチ、及び集積メモリとして
作動し得るという利点を有する。前置増幅器の機
能は、トランジスタの増幅及びインピーダンス変
換特性により、記憶機能は、全熱検出器に共通な
熱時定数効果により生じる。感知素子に前置増幅
器又は読出し装置を備える必要がない場合、感知
素子は単一又は列状に製造されたpn接合ダイオ
ードであり得る。pn接合の電流−電圧又はＩ×
Ｖ特性は、E.2式から導いた下式： dI／dT＝GRI〓＝（qV−Eg）Ｉ／KT2 ……式９ に示すように温度（従つて、画像から受取る赤外
ふく射）と共に変化する。
素子は、感知素子がそれ自体の前置増幅器、読出
しデバイス又はスイツチ、及び集積メモリとして
作動し得るという利点を有する。前置増幅器の機
能は、トランジスタの増幅及びインピーダンス変
換特性により、記憶機能は、全熱検出器に共通な
熱時定数効果により生じる。感知素子に前置増幅
器又は読出し装置を備える必要がない場合、感知
素子は単一又は列状に製造されたpn接合ダイオ
ードであり得る。pn接合の電流−電圧又はＩ×
Ｖ特性は、E.2式から導いた下式： dI／dT＝GRI〓＝（qV−Eg）Ｉ／KT2 ……式９ に示すように温度（従つて、画像から受取る赤外
ふく射）と共に変化する。
従つて、バイアス時にダイオード中の電流を監
視することにより、ダイオードにより受取られた
赤外ふく射を測定し得る。
視することにより、ダイオードにより受取られた
赤外ふく射を測定し得る。
ダイオード又はダイオード列はトランジスタの
具体例と同様に、赤外吸収層と低伝導性サポート
とを有する薄膜構造として製造され得る。ダイオ
ード当たり２個のリードしか必要でないため、リ
ードに沿う各ダイオードへの熱伝導はトランジス
タの場合よりも小であり、接合当たり１個しか必
要でないため、デバイスは薄型であり且つ熱容量
が小さい。
具体例と同様に、赤外吸収層と低伝導性サポート
とを有する薄膜構造として製造され得る。ダイオ
ード当たり２個のリードしか必要でないため、リ
ードに沿う各ダイオードへの熱伝導はトランジス
タの場合よりも小であり、接合当たり１個しか必
要でないため、デバイスは薄型であり且つ熱容量
が小さい。
ダイオードが発光ダイオード（LED）である
場合、LED発光強度は温度の関数である。上記
のように熱絶縁されたトランジスタの薄膜（〜
2μm）pn接合LEDの温度は、それ自体が受取る
赤外ふく射の強さに従つて変化する。温度変化
は、Ｉ−Ｖ特性のLED作動点に対応する変化を
もたらす。当然のことながら、LED発光強さの
付帯変化は従来手段により監視され得る。Gaを
含む−Ｖ族半導体LEDはバンドギヤツプが1eV
より大きいため可視光又は赤外線付近で発光す
る。この発光の好適感度での検出は波長3μm以上
の赤外光の検出よりはるかに簡単な問題である。
更に、LEDに使用するGaAsやGaP等の材料はSi
よりもバンドギヤツプが広いので、感度が増加す
る。（式２）。
場合、LED発光強度は温度の関数である。上記
のように熱絶縁されたトランジスタの薄膜（〜
2μm）pn接合LEDの温度は、それ自体が受取る
赤外ふく射の強さに従つて変化する。温度変化
は、Ｉ−Ｖ特性のLED作動点に対応する変化を
もたらす。当然のことながら、LED発光強さの
付帯変化は従来手段により監視され得る。Gaを
含む−Ｖ族半導体LEDはバンドギヤツプが1eV
より大きいため可視光又は赤外線付近で発光す
る。この発光の好適感度での検出は波長3μm以上
の赤外光の検出よりはるかに簡単な問題である。
更に、LEDに使用するGaAsやGaP等の材料はSi
よりもバンドギヤツプが広いので、感度が増加す
る。（式２）。
先述の具体例と類似の構造のLEDの平面網目
状列を検出器として使用することもできる。列の
一方の側は画像から赤外ふく射を受取り、反対側
から光を放出する。又、既知の型の電荷結合素子
（CCD）カメラを使用して発光を監視し、電気出
力を供給させてもよい。検出器列の各ダイオード
からの光出力はパラレル、即ち同時に現われる。
ダイオード出力は監視手段に光結合されるので、
熱伝導率を高め検出器の熱絶縁を低下させる出力
接続リードを形成する必要がない。ダイオードは
作動時に感度を高めるべく高電流レベルで印加さ
れ得る。式２からRI〓∝Ｉが導かれ、従つて、パ
ルス電流が高く且つ平均電流が低いために感度が
高く、許容不可レベルのダイオード加熱を生じな
い。
状列を検出器として使用することもできる。列の
一方の側は画像から赤外ふく射を受取り、反対側
から光を放出する。又、既知の型の電荷結合素子
（CCD）カメラを使用して発光を監視し、電気出
力を供給させてもよい。検出器列の各ダイオード
からの光出力はパラレル、即ち同時に現われる。
ダイオード出力は監視手段に光結合されるので、
熱伝導率を高め検出器の熱絶縁を低下させる出力
接続リードを形成する必要がない。ダイオードは
作動時に感度を高めるべく高電流レベルで印加さ
れ得る。式２からRI〓∝Ｉが導かれ、従つて、パ
ルス電流が高く且つ平均電流が低いために感度が
高く、許容不可レベルのダイオード加熱を生じな
い。
第１図は本発明の一具体例に従う単一素子熱検
出器の構造を示す横断面図、第２図は第１図の検
出器の回路図、第３図ａ〜ｄは第１図の検出器の
製造各段階を示す横断面図、第４図及び第５図は
本発明の別の具体例に従う多素子列検出器の構造
を示す横断面図及び平面図、第６図は第４図及び
第５図の列検出器の回路図、及び第７図及び第８
図は第２図及び第６図の単一トランジスタに置換
え得る長尾対トランジスタの回路図である。 １……検出器、３……単結晶薄膜、５，１１…
…基板、７……シールド、１０……吸収層、１
３，１５，１７……リード、２１……マルチプレ
クサ、２３……アドレス回路、ｂ……ベース、ｃ
……コレクタ、ｅ……エミツタ、Ｔ……トランジ
スタ。
出器の構造を示す横断面図、第２図は第１図の検
出器の回路図、第３図ａ〜ｄは第１図の検出器の
製造各段階を示す横断面図、第４図及び第５図は
本発明の別の具体例に従う多素子列検出器の構造
を示す横断面図及び平面図、第６図は第４図及び
第５図の列検出器の回路図、及び第７図及び第８
図は第２図及び第６図の単一トランジスタに置換
え得る長尾対トランジスタの回路図である。 １……検出器、３……単結晶薄膜、５，１１…
…基板、７……シールド、１０……吸収層、１
３，１５，１７……リード、２１……マルチプレ
クサ、２３……アドレス回路、ｂ……ベース、ｃ
……コレクタ、ｅ……エミツタ、Ｔ……トランジ
スタ。
１ 一方のリードを備えたステム上に発光素子を
マウントし、他のリードとの間でワイヤーボンデ
イングし、前記ステムの周縁にレンズを有する筒
状のキヤツプを被着させた発光ダイオードにおい
て、前記レンズは前面が略平坦で周側面が曲面を
呈する略椀形の全体形状を呈し、後面中央部に断
面凹状の陥没部を設け、該陥没部内に前記発光素
子が納まるように配設し、前記周側面は前記発光
素子からの放射光線を光学的に全反射させる曲面
としたことを特徴とする発光ダーオード。
マウントし、他のリードとの間でワイヤーボンデ
イングし、前記ステムの周縁にレンズを有する筒
状のキヤツプを被着させた発光ダイオードにおい
て、前記レンズは前面が略平坦で周側面が曲面を
呈する略椀形の全体形状を呈し、後面中央部に断
面凹状の陥没部を設け、該陥没部内に前記発光素
子が納まるように配設し、前記周側面は前記発光
素子からの放射光線を光学的に全反射させる曲面
としたことを特徴とする発光ダーオード。
Claims (1)
- 知素子が網状薄膜構造であることを特徴とする熱
検出器。 ７ 感知素子が横列と縦列状に配置されたトラン
ジスタであり、検出器がそれぞれ各横列のトラン
ジスタベースに連結された複数のアドレスライン
と、それぞれ縦列のトランジスタエミツタ又はコ
レクタに連結された複数の出力ラインとを備えて
いることを特徴とする特許請求の範囲第６項に記
載の熱検出器。 ８ 感知素子がトランジスタであり、各感知素子
トランジスタが各スイツチングトランジスタと対
に構成されており、前記トランジスタの一方のコ
レクタが他方のエミツタに接続されており、トラ
ンジスタ対が横列及び縦列状に配置されており、
各アドレスラインが各横列の各スイツチングトラ
ンジスタベースに連結されており、ゲート電圧ラ
インが感知素子トランジスタベースに連結されて
おり、各出力ラインが各感知素子トランジスタエ
ミツタ又はコレクタに連結されていることを特徴
とする特許請求の範囲第６項に記載の熱検出器。 ９ 特定の又は各感知素子を照射するふく射を変
調させるように配置された赤外ふく射変調手段
と、照射ふく射強さの変化を示す差信号を供給す
べく感知素子出力信号を減算するための手段とを
備えていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第８項のいずれかに記載の熱検出器。 １０ 特定の又は各感知素子が長尾対構造を形成
すべく遮蔽トランジスタと組合わせられたトラン
ジスタであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第５項のいずれかに記載の熱検出器。 １１ 長尾対の各トランジスタ毎に異なるコレク
タ電圧結線とコレクタ負荷とを備えていることを
特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載の熱検
出器。 １２ 特定の又は各感知素子がLEDであり、検
出器がLED発光を監視するための手段を備えて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
第６項のいずれかに記載の熱検出器。 １３ LED感知素子列とLED発光を監視するた
めのCCDカメラとを備えていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１２項に記載の熱検出器。 １４ LED又はLED列がガリウム含有−族
半導体材料から構成されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１２項又は第１３項に記載の熱
検出器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB838325935A GB8325935D0 (en) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | Thermal detector |
| GB8325935 | 1983-09-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6095340A JPS6095340A (ja) | 1985-05-28 |
| JPH0436587B2 true JPH0436587B2 (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=10549398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59201420A Granted JPS6095340A (ja) | 1983-09-28 | 1984-09-26 | 熱検出器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4948963A (ja) |
| EP (1) | EP0139408B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6095340A (ja) |
| CA (1) | CA1249355A (ja) |
| DE (1) | DE3474615D1 (ja) |
| GB (1) | GB8325935D0 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5446284A (en) * | 1994-01-25 | 1995-08-29 | Loral Infrared & Imaging Systems, Inc. | Monolithic detector array apparatus |
| US5554849A (en) * | 1995-01-17 | 1996-09-10 | Flir Systems, Inc. | Micro-bolometric infrared staring array |
| JP3484354B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2004-01-06 | 三菱電機株式会社 | 熱型赤外線検出器アレイおよびその製造方法 |
| EP1043574B1 (en) | 1998-10-19 | 2003-08-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared sensor and infrared sensor array comprising the same |
| US6504153B1 (en) | 1999-07-26 | 2003-01-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor infrared detecting device |
| AU2002224563B2 (en) * | 2000-07-25 | 2005-03-03 | Kevin Liddiard | Active or self-biasing micro-bolometer infrared detector |
| AUPQ897600A0 (en) * | 2000-07-25 | 2000-08-17 | Liddiard, Kevin | Active or self-biasing micro-bolometer infrared detector |
| EP2147288B1 (de) * | 2007-05-08 | 2014-04-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und verfahren zur erfassung von elektromagnetischer strahlung |
| FR3054697B1 (fr) * | 2016-07-29 | 2019-08-30 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de capture de motif thermique a chauffage optimise des pixels |
| FR3054696B1 (fr) * | 2016-07-29 | 2019-05-17 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur de motif thermique a elements chauffants mutualises |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2977477A (en) * | 1958-05-28 | 1961-03-28 | Rca Corp | Semiconductive materials for infrared transmissive components |
| GB1395033A (en) * | 1971-03-20 | 1975-05-21 | Philips Electronic Associated | Semiconductor device having a radiation-energised circuit element |
| DE2247966A1 (de) * | 1972-09-29 | 1974-04-11 | Heinz Prof Dr Rer Nat Beneking | Halbleiteranordnung zum nachweis von lichtstrahlen |
| GB1568958A (en) * | 1976-10-22 | 1980-06-11 | Mullard Ltd | Methods of manufacturing infra-red sensitive devices |
| US4142925A (en) * | 1978-04-13 | 1979-03-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making silicon-insulator-polysilicon infrared image device utilizing epitaxial deposition and selective etching |
| US4242706A (en) * | 1978-11-13 | 1980-12-30 | Texas Instruments Incorporated | Visible light and near infrared imaging device |
| DE2851250A1 (de) * | 1978-11-27 | 1980-06-04 | Eltro Gmbh | Infrarot-fotoempfaenger |
| US4224520A (en) * | 1979-07-13 | 1980-09-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Room temperature two color infrared detector |
| US4360732A (en) * | 1980-06-16 | 1982-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Infrared charge transfer device (CTD) system |
| JPS57206838A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-18 | Fujitsu Ltd | Detection element for infrared rays |
| DE3202819C2 (de) * | 1982-01-29 | 1984-12-20 | Preh, Elektrofeinmechanische Werke Jakob Preh Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt | Infrarotdetektor und Verfahren zum Herstellen |
| JPS58131525A (ja) * | 1982-01-31 | 1983-08-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出装置 |
-
1983
- 1983-09-28 GB GB838325935A patent/GB8325935D0/en active Pending
-
1984
- 1984-08-24 DE DE8484305832T patent/DE3474615D1/de not_active Expired
- 1984-08-24 EP EP84305832A patent/EP0139408B1/en not_active Expired
- 1984-09-26 JP JP59201420A patent/JPS6095340A/ja active Granted
- 1984-09-27 CA CA000464124A patent/CA1249355A/en not_active Expired
-
1989
- 1989-12-27 US US07/453,374 patent/US4948963A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3474615D1 (en) | 1988-11-17 |
| GB8325935D0 (en) | 1983-11-02 |
| US4948963A (en) | 1990-08-14 |
| JPS6095340A (ja) | 1985-05-28 |
| CA1249355A (en) | 1989-01-24 |
| EP0139408B1 (en) | 1988-10-12 |
| EP0139408A1 (en) | 1985-05-02 |
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