JPS609730B2 - アリル基の除去方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアリルヱステル「アリルカーボネートおよびア
リルカルバメート類からアリル基を除去する方法に関す
る。

Ｎーアリルオキシカルボニル基は従来「アミンの保護基
として使用されてきた。

Ｎ−アリルオキシカルボニル基は保護基として使用した
後、水素化によって開裂される。これに関連して「アリ
ルオキシカルボニルを保護基として使用しても、極めて
普遍的に使用されるペンジルオキシカルボニル保護基に
よってもたらされる様な利点は全く得られない。このこ
とは、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃへ７２、７２５（１
９５０）に教示されている。また、アミン類およびアル
コール類のアリルオキシカルボニル誘導体類の開裂はニ
ッケルカルボニルを用いて行われてきた。このことはＪ
．○ｒｇＣｈｅｍ．、３８ト３２２３（１９７３）に教
示されている。この方法の欠点は塩基性条件下で実施し
なければならないこと、および揮発性で有毒なニッケル
カルボニルを過剰に使用しなければならないことである
。本発明の目的はアリルェステル中のアリル基またはア
リルカーボネートまたはアリルカルバメート中のアリル
−オキシカルボニル基を除去する新規な方法を提供する
ことである。

要するに、本発明の方法は触媒量の、配位ホスフィン配
位子を有する有機溶剤可溶性のパラジウム鈴体の存在下
で、アリルェステル、アリルカルバメートまたはアリル
カーボネートの中性有機溶剤溶液を、炭素原子を５個〜
１８個含有するカルボン酸または該カルボン酸のアルカ
リ金属塩と反応させるか、若しくは水素化シアノホゥ素
ナトリウムまたは水素化ホウ素ナトｌｊゥムと反応させ
ることから成る。

本発明の方法はほぼ中性の条件下で実施できるので、酸
または塩基に過敏な出発化合物または生成物などにとっ
ては極めて好都合である。

従って本発明の方法によって生成できる酸、アルコール
またはアミンは少量の分解創生物をともなうが高収率で
生成される。アリルェステルからアリル基を除去する場
合、カルボン酸のアルカリ金属塩を使用することが好ま
しい。

最も好ましい態様では２−エチルヘキサン酸のアルカリ
塩を使用する。アリルェステルと例えば２−エチルヘキ
サン酸のアルカリ金属塩との反応によって生成酸のアル
カｌｊ金属塩がもたらされる。一般的に、この生成酸の
アルカリ金属塩は本発明の方法を実施するのに使用した
中性有機溶剤には不溶性である。生成塩が不溶性なので
、本発明の方法は該生成塩を沈殿させることによって完
遂される。また、この生成塩の沈殿によって極めて純粋
な生成物が得られるので、更に再結晶させる必要性は全
くない。カルボネートまたはカルバメートのアリルーオ
キシカルボニル基を除去して対応するアルコールまたは
アミンを生成する操作はカルボン酸のアルカリ塩よりも
むしろ遊離カルボン酸を使用して行うことが好ましい。
この反応では、Ｃ０２が副生物として放出される。従っ
てｔ この反応は本質的に不可逆的である。本発明の方
法によって除去させることのできる適当なアリル基はア
リル構造を有するものであればどのようなものであって
もよい。代表的なアリル基は例えば、アリルアルコール
、ハロアリルアルコール、メチルアリルアルコール、ク
ロチルアルコール、これらの低級アルコキシ譲導体類、
シンナミルァルコール、シンナミルアルコールの活性ェ
ステル類などから誘導されるものなど、および、適当な
保護基として当業界で周知なものなどである。簡便性お
よび経済性のためには、通常、アリルアルコールまたは
ハロアリルアルコール若しくは活性ェステルなどを使用
する。従って、本発明の方法で特に好適な出発物質はア
リルェステル類、アリルカーボネート類およびアリルカ
ルバメート類（ここで、該アリル基またはアリル−オキ
シカルボニル基はアリルアルコールまたはハロアリルア
ルコールから誘導されたものである）などである。炭素
原子を５個〜１８個有するカルボン酸または該カルボン
酸のアルカリ金属塩は何れも本発明の方法で使用できる
が、反応溶剤として使用される中性有機港に対する溶解
度によって、特に好適な特定の種類の酸がある。

２−プロピルベンタン酸、２−メチルヘプタン酸、２−
エチル酪酸、２ーェチルベンタン酸または２ーェチルヘ
プタン酸およびこれらのアルカリ塩の様な炭素原子を６
〜１の固有し、かつ、分枝鎖を有する酸が好ましい。

２−エチルヘキサン酸またはこれのアルカリ金属塩は殆
んどの中性溶剤に可溶性なので最も好ましい。

何れのアルカリ金属塩も使用できるが、一般的にカリウ
ムおよびナトリウム塩が好ましい。一般的に、反応は室
温で約０．５〜５時間にわたって行われる。反応条件は
ほぼ中性である。従って、除去反応中、他の保護基また
は官能基は何れも悪影響を受けない。従って、同一分子
中に存在するであろう他の保護基には悪影響を及ぼさず
にそのまま残置させて、アリルェステルのアリル基また
はアリルカルボネートまたはアリルカルバメートのアル
レーオキシカルボニル基のアリル基を選択的に除去する
方法が本発明によって提供される。同様に、本発明の方
法は単一分子中に存在する２個のカルボン酸官能基のう
ちの１個を選択的に脱保護するのにも使用できる。例え
ば、マロン酸ジァリルはマロン酸ァリルカリゥムに変換
できる。本発明の方法を実施するのに使用される溶剤は
アリルエステル、アリルカルバメートまたはアリルカー
ボネートが熔解でき、また、カルボン酸若しくは該カル
ボン酸のアルカリ金属塩または水素化シアノホウ素ナト
リウム若しくは水素化ホウ素ナトリウムが溶解できる中
性有機溶剤であればどの様なものでも使用できる。更に
、単離容易性の観点から、生成酸（または、該酸のアル
カリ金属塩）は反応溶剤として使用した溶剤にやや溶け
にくし・か、または不溶性でなければならない。適当な
溶剤としては例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、
四塩化炭素〜エチルエーテル、ベンゼン、トルェン、酢
酸エチル、アセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフ
ランまたはこれらの何れかの混合物などがある。使用す
る有機溶剤可溶性バラジウム錯体は配位ホスフィン配位
子を保有していなければならない。

トリフェニルホスフィンの様なトリアリールホスフイン
が配位ホスフィン配位子として好ましい。最も好ましい
錯体はテトラキス（トリフェニルホスフイソ）パラジウ
ム−（０）である。その他の使用可能な可溶性バラジゥ
ム錯体はビス（トリフエニルホスフイン）パラジウム（
ロ）ジクロリド、ジクロロージ〔ベンゾニトリル〕パラ
ジウム（ロ）および数等量のトリフェニルホスフィンと
併用される二酢酸パラジウム（ロ）（これは、Ｆｉｅｓ
ｅｒおよびＦｉｅｓｅｒの“Ｒｅａ袋ｎｔｆｏｒ ０ｒ
鱗ｒｌｃＳ肌ｔｈｅｓｉｓ”、Ｖｏｌ．Ｖ、４９汀官、
５０３頁、５０４頁に記載されている）などである。本
発明の方法で使用される触媒の使用量は通常、アリルェ
ステル、アリルカルボネートまたはアリルカルバメート
の０．２５〜５モル％の範囲内である。一般的には２モ
ル％の使用量が最も繁用される。しかしながら、もっと
大規模に生産する様な場合には０．２５〜１モル％の様
な使用量でも十分である。本発明の除去反応の前の適当
な段階で、例えばカルボキシル基、ヒドロキシ基または
アミノ基を保護するのに、アリル基を適当な分子の何れ
にも常法によって導入できる。

前記の導入方法はアリルアルコールまたはこれらの活性
ェステルの塩化物、臭化物または沃化物と反応させるこ
とから成る。例えば、前記酸または該酸の塩をジメチル
ホルムアミドの様な中性有機溶剤中で臭化アリルまたは
沃化アリルと反応させる。アミンまたはアルコールは酸
受容体の存在下でアリルアルコールのクロロ蟻酸ェステ
ルまたは活性カーボネートェステルと容易に反応する。
例えば、１−アミノアダマンタンはクロロ蟻酸アリルま
たはＮ−〔アリルオキシカルボニルオキシ〕サクシニィ
ミドと反応する。本発明の方法は特定の酸−または塩基
感受性分子中に存在するアリル基またはアリルオキシカ
ルボニル基の除去に特に有用である。

特に好ましい分子は８−ラクタムアリルェステルである
。例えば、ベナム類（例えば、ペニシリンＧ、アンピシ
リン）のアリルェステル類；セフェム類（例えば、セフ
アロスポリン酸、７−（フェニルアセトアミド）デスア
セトキシセフアロスポラン酸、セフアマイシン）のアリ
ルェステル類；カルバベネム類（例えば、チェナマィシ
ン）および特にべネムのァリルェステル類などが好まし
い分子である。前記の分子からアリル基を除去すると商
業的に重要な有用性の高い抗菌剤がもたらされる。本発
明の方法が極めて有用であると認められた化合物として
は例えば、次式で示される化合物が挙げられる。アリル
基 ｛式中、Ｒは水素、低級アルキル、アリルーオキシカル
ボニルーアミノ低級アルキルまたは低級ァルキルチオ（
ここで、後者はアリルーオキシカルボニルアミノまたは
アシルアミノもこよって任意に置換されている）であり
；Ｒ，は水素、ヒドロキシ低級アルキルまたはアシルア
ミノである｝。

アリ−ルーオキシカルボニル基が存在する場合これらは
反応中にアリルェステル基と共に除去できる。

前記の式で示される６一未置換−２−アルキル化合物の
遊離酸類は“ＣｕｎｅｎＴｏｐｉｃｓｉｎＤｒｕｇＲｅ
ｓｅａ比ｈ’、ＳＮ、ｐ２３〜２５（１９７７）に開示
されている。べネム環構造は酸性または塩基性条件に対
して過敏性なので、通常の保護基、例えば、ベンジル基
、ベンズヒドリル基などを、これら保護基に適用される
標準的条件下で除去すると副生物が高率で分解し、その
結果、所望の抗菌性２−アルキルベネム−３−カルボン
酸は低収率でしか得られない。この事実は、Ｗｏｏｄｗ
ａｒｄによつてＣｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｓｐｅｃｉａｌ Ｐ
ｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ Ｎｏ．２８、ｐ．１２９（１
９７６）の“Ｒｅｃｅｎｔ Ａｄｖａｎｃｅ ｉｎ ｔ
ｈｅＣｈｅｍｉｓｔｒｙｏｆＢｅね−Ｌａｃｔａｍ Ａ
ｈｔｉｂｉｏＵｃｓ”という論文中で考察されている。
本発明の方法が有用なその他の種類のべネム抗菌剤は米
国特許第４０７０４７７号明細書（１９７８年）、ベル
ギー特許第８４９１１８号および同第８６６８４５号明
細書および公開ヨーロッパ特許出願第６３６号、同第２
２１ぴ号および同第３９６０明細書などに開示されたも
のなどである。対応するアリルェステルから生成させる
ことのできるその他のカルボン酸類としては例えば、グ
リシン「セリン、フェニルアラニン等のアミノ酸類；安
息香酸およびナリジキシ酸（ＭｌｉｄＭｃａｃｉｄ）な
どがある。本発明の方法によって対応するアリルカルボ
ネートまたはアルカルバメートから生成させることので
きるアルコールおよびアミン類としては例えば、ｎーオ
クタデカノール、１ーメントール、１−オクタノール、
２−オクタノール、１−アダマンタノール、Ｎ−ペンジ
ルオキシカルボニルセリンの様なアルコール類；コルス
テロール「コルチソン、テストステロン、ェストラジオ
ールの様なステロイド類；フェノール、１−ナフトール
、マクロライド類（例えば、ェリスロマイシンおよびｏ
ザラミシン）および例えば１−アミノアダマンタン「２
−オクチルアミン、エフエドリン、アニリソ、ｐーメト
キシアニリン「１−ナフチルアミン、ベンゾカィンの様
なアミン類および例えばグリシン、フェニルアラニンお
よびセリンの様なアミノ酸類などがあげられる。

以下、製造例および実施例をあげて本発明を更に詳細に
説明する。

製造例は本発明の出発物質の製造方法を例証するもので
あり「一方、実施例は本発明の方法を例証するものであ
る。製造例 １ 沃化アリル（１．６５夕）を添加しながらペニシリン−
Ｇカリウム塩（３．７５夕）を乾燥ジメチルホルムアミ
ド（１２の【）中で室温で１報時間にわたって濃伴した
。

次いでこの混合物をエーテル（１００地）で希釈し、水
の５０地で３回洗浄し、５％チオ硫酸ナトリウム水溶液
（２５Ｍ）で洗浄し、最後に飽和食塩水（５０の‘）で
洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶剤
を除去し、残留物を高真空下で恒量になるまで乾燥させ
、ほぼ定量的収率で無色油状のペニシリン−Ｇアリルェ
ステルを得た。この生成物のジクロロメタン溶液中での
１．Ｒ．スペクトルデータは次の通りである：３３５０
、１７８５「 １７３０および１６６０伽‐１。製造例
２前記製造例１で使用した沃化アリルの代りに臭化シ
ンナミル（１．９５夕）を使用して製造例１に述べた方
法を繰返し実施した。

同様な方法で白色をした泡状のペニシリン−Ｇシンナミ
ルヱステルを単離した。この生成物のジクロロメタン中
での１．Ｒ．スペクトルデータは次の通りであった：３
３００、１７８５ １６７０および１６１０伽‐１。製
造例 ３製造例１で使用した沃化アリルの代りに再蒸留
したガンマ‐臭化クロトン酸メチル（１．７５夕）を使
用して製造例１に述べた方法を繰返し実施した。

同様にして、無色の粘瀬な油状のペニシリン−Ｇ３−（
メトキシカルボニル）アリルエステルを単離した。この
生成物のジクロロメタン中での１．Ｒ．スペクトルデー
タは次の通りであった：３３５０、１７８５１７５入１
７１５および１６８０肌‐１。製造例 ４ペニシリン一
Ｇアリルエステル（１０ミリモル；３．７５のをジクロ
ロメタン（２０の【）にとかして作った溶液を０〜５℃
でｍ−クロロベルオキシ安息香酸（１０．２ミリモル；
１．７５夕）のエチルエーテル（５地）溶液で処理した
。

この溶液を０〜５℃の温度で２時間静置し、その後ジク
ロロメタン（３０の【）で希釈し、そして、重炭酸ナト
リウム水溶液（２×５０泌）で洗浄し、乾燥させ、そし
て蒸発させ、ペニシリン一Ｇアリルエステルのスルホキ
シドから成る残留物（発泡体）を得た。この泡状物を乾
燥ジオキサン（５０の‘）に溶解させ、リン酸ピリジン
（０．２夕）と一緒に１０時間にわたって還流させた。
溶剤を蒸発させ、得られた残留物を５％エーテルージク
ロロメタンで溶藤することによってシリカゲルでクロマ
トグラフした。所望とする画分の熔出液を蒸発させ白色
をした泡状の７ーフエニルーアセトアミドデスアセトキ
シセフアロスポラソ酸アリルを得た。この生成物のジク
ロロメタン中での１．Ｒ．スペクトルデータは次の通り
であつた：〃ｍａ×３４００、１７７０、１７２５、１
６５０、１６０５伽一１０製造例 ５ ４ーアセチルチオアゼチジン−２ーオン （“Ａｍ脱ｌｅｒ、１９７４、ｐ．５５３）（１．４夕
）およびグリオキサル酸アリル水和物（１．５夕）をベ
ンゼン中で２時間にわたって還流させ、１一（アリルオ
キシカルポニルヒドロキシメチル）一４−アセチルチオ
アゼチジソ−２−オンの溶液を得た。

この溶液を放冷させ、次の工程でそのまま使用した。前
記の溶液をジクロロメタン（３０の‘）と塩化メタンス
ルホニル（１．５の【）とで希釈し、蝿拝しながらトリ
ェチルアミン（２．３の上）を２分間かけて添加した。
５分後、該溶液を０．州硫酸で洗浄し、次いで水で洗浄
した。

無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、蒸発させ、かくして
褐色をした油状の粗製１−（アリルオキシカルボニルク
ロロメチル）−４ーアセチルチオアゼチジンー２ーオン
を得た。前記の工程で得た粗製塩化物を乾燥ジクロロメ
タン（１５のと）、乾燥ジメチルホルムアミド（１５の
【）、トリフエニルホスフイン（３．２５夕）および２
・４・６ーコリジン（１．５多）から成る混合液中で２
畑時間にわたって乾燥させた。

該反応混合物をジクロロメタンで希釈し、水（３×５０
の【）で洗浄し、乾燥させ、そして、蒸発させた。残留
物を高真空下で乾燥させ、次いでシリカゲル（１００夕
）で初めにジクロロメタンで溶離し、次いで、２５％エ
ーテル／ジクロロメタンで溶離することによつてクロマ
トグラフした。ホスホランとトリフェニルホスフィンオ
キシドとから成る混合物を含有する画分をあわせ、蒸発
させた。前記の工程で生成したホスホランをトルェン（
５０の‘）中で還流温度で１．虫時間にわたって加熱し
た。

冷却し、蒸発させた後、残留物を初めにシリカゲルでジ
クロロメタン／へキサン（２：１）混合液で溶離し、次
いでジクロロメタンで溶雛することによってクロマトグ
ラフした。目的生成物を含有する画分を蒸発させ、淡黄
色をした油状物を得た。この油状物を強冷して結晶化さ
せ２ーメチルーベネム−３ーカルボン酸ァリルを得た。
この生成物のジクロロメタン中での１．Ｒ．スペクトル
データは次の通りであった：１７９５、１６９５、１６
４０弧一１０製造例 ６ １ーアミノアダマンタン（１０ミリモル；１．５１夕）
およびトリェチルアミン（１．９の‘）を乾燥ジクロロ
メタン（３物上）中で０〜５℃の温度で損拝し、クロロ
蟻酸アリル（１．１の‘）を一滴ずつ加えた。

３０分後、該溶液を希硫酸と水で洗浄した。

無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、該溶液を蒸発さ
せ、白色をした固形状の１一（アリルオキシカルボニル
アミノ）アダマンタンを得た。融点は約５６〜５８午○
であった。実施例 １ペニシリン−Ｇアリルエステル（
０．３８夕）をアルゴン雰囲気下で、２ーェチルヘキサ
ン酸カリウムの０．８Ｍジクロロメタン溶液（３のと）
とエチルエーテル（２の‘）との混合液中で蝿拝した。

トリフエニルホスフイン（０．０２５夕）およびテトラ
キス（トリフエニルホスフイン）パラジウム−（０）（
０．０２０夕）を添加し、室温で１時間継続的に蝿拝し
た。エチルエーテル（１０机）を添加し、生成物を炉過
し、エーテル／ジクロロメタン（１：１）混液で洗浄し
、５０ｑ○の真空下で乾燥させ、純粋なべニシリン−Ｇ
カリウムを０．３４夕を得た。収率は約９０％であった
。この生成物の１．Ｒ．およびｐ．ｍ．ｒスペクトル分
析の結果は別の純正品のそれと完全に一致した。実施例
２ 前記実施例１で使用したテトラキス（トリフェニルホス
フィン）パラジウム−（０）の代りに本例ではビス（ト
リフェニルホスフイン）パラジウム（０）ジクロリド（
０．０１５夕）を使用して行った。

同様に純粋なべニシリンーＧカリウムが得られた。実施
例 ３ ペニシリン−Ｇのシンナミルエステル（０．５０夕）を
エチルエーテル（５舷）中で鷹拝し、そして、２ーェチ
ルヘキサン酸カリウム０．５Ｍジクロロメタン溶液（３
．５の【）を添加した。

次いで、トリフエニルホスフイン（０．０２５夕）およ
びテトラキス（トリフエニルホスフイン）パラジウム一
（０）（０．２２夕）を添加した。得られた混合物をア
ルゴン雰囲気下で１時間にわたって燭拝した。エチルエ
ーテル（１０の【）で希釈した後、沈殿を炉過し、乾燥
させて純粋なべニシリンーＧカリウムを得た。収率は約
８５％であった。実施例 ４ 前記実施例３で使用したペニシリン−Ｇシンナミルェス
テルの代りにペニシリン−Ｇ−（３−メトキシカルポニ
ルアリル）ヱステル（０．４６夕）を使用し、収率約７
９％で純粋なべニシリンーＧカリウムを得た。

実施例 ５ ２−メチルベネム−３−カルボン酸アリル（０，１０夕
）を２ーェチルヘキサン酸カリウム０．９Ｍジクロロメ
タン溶液（１．２５の‘）と共にエチルエーテル（１．
５の‘）中で蝿拝した。

トリフェニルホスフイン（０．０１夕）およびテトラキ
ス（トリフエニルホスフイン）パラジウム−（０）（０
．０１夕）を添加した。得られた混合物をアルゴン雰囲
気で室温で４５分間にわたって婿拝した。エチルエーテ
ル（３舷）で希釈し、次いで生成物を集め、エチルエー
テルで洗浄し、室温で真空中で乾燥させクリーム様の固
体状をした２−メチルベネム−３ーカルボン酸カリウム
を得た。ＩＲ：レｍａｘ（ニュジョール）１７８５およ
び１６０５伽‐１。収率約８６％。実施例 ６７一（フ
エニルアセトアミド）ーデスアセトキシセフアロスポラ
ン酸アリル（１．０夕）を２−エチルヘキサン酸カリウ
ム、トリフェニルホスフイン（０．０８夕）、およびビ
スー（トリフエニルホスフイン）パラジウム（□）ジク
ロリド（０．０３夕）と共にジクロロメタン（０．２Ｍ
；１２の【）中でアルゴン雰囲気下で１．虫時間にわた
って蝿拝した。

生成物を集め、ジクロロメタンで洗浄した。５０ｏｏの
真空中で乾燥させ、７一（フェニルアセトアミド）デス
アセトキシセフアロスポラン酸カリウムを得た。

本例の生成物は市販の純正品と構造等の点で全く同一で
あった。実施例 ７ １一（アリルオキシカルボニルアミノ）アダマンタン（
０．５０夕）を２ーヱチルヘキサン酸（０．３５夕）と
共にジクロロメタン（１０机‘）中で燈拝した。

トリフエニルホスフイン（０．０５夕）およびテトラキ
ス（トリフヱニルホスフイン）パラジウム−（０）（０
．０４夕）を添加し、該混合物を室温で１時間にわたっ
て糟拝した。エチルエーテル（１０柵）を添加し、生成
物を集め、エーテルで洗浄し、２５００の真空中で乾燥
させた。本例で得た生成物は前記酸およびアミンをエー
テル中で反応させて得た１ーアミノアダマンタンの純正
品とＩＲ、ｍｐ．およびｐｒｍが全て一致した。実施例
８ トリフエニルホスフイン（０．０２５夕）およびテトラ
キス（トリフエニルホスフイン）パラジウム−（０）（
０．０２多）を含有するジクロロメタン（５机【）中で
ｎ−オクタデシルアリルカーボネート（０．５夕）（“
Ｊ．○ｒｇ．Ｃｈｅｍ．’’、３８、３２２３（１９７
３）に開示された方法によって調整した）およびエチル
ヘキサン酸（０．２夕）をチッ素雰囲気下で１時間にわ
たって蝿辞した。

全ての成分を混合し終った後から薄層クロマトグラフ分
析をしたところ、出発物質は完全に生成物に変換してい
ることが示された。この反応混合物をエチルエーテルで
希釈し、重炭酸ナトリウムで洗浄し、乾燥させ、そして
蒸発させた。残留物をシリカゲルでジクロロメタン／へ
キサン（１：１）混合で溶離することによってクロマト
グラフした。この操作によって２ーェチルヘキサン酸ア
ルカリを除去した。次いで、５％エーテル／ジクロロメ
タン混液で熔離することによってクロマトグラフし、目
的生成物ｎ−オクタデカノールを溶出させた。本例の生
成物は市販の純正品と全く同一であった。実施例 ９ 実施例８で使用したｎーオクタデシル譲導体の代りに“
Ｊ．○ｒｇ．Ｃｈｅｍ．”、３８（１９７３）に教示さ
れた様にして調製した１−メソチル炭酸アリル０．３夕
を使用して行った。

開裂は１時間以内に完了した。生成物則ち、１−メント
ールはクロマトグラフィーによって単離した。実施例
１０ ペニシリン−Ｇの２一クロロアリルエステル（１ミリモ
ル：０．４１夕）を水素化シアノホウ素ナトリウム（２
ミリモル；０．１３夕）と共にチッ素雰囲気下の乾燥テ
トラヒドロフラン（５の‘）中で燈拝した。

トリフェニルホスフイン（０．０５夕）およびテトラキ
ス（トリフエニルホスフイン）パラジウム一（０）（０
．０５のを添加し、この混合物をチッ素雰囲気下で室温
温度で一昼夜（２幼時間）にわたって鷹拝した。櫨梓終
了後、薄層クロマトグラフ分析したところ出発物質のェ
ステルは殆んど残っていないことがわかった。エーテル
（１０ｗ‘）を添加し、生成物を集め、エーテルで洗浄
し、乾燥させ白色をした粉末状のペニシリン−Ｇナトリ
ウム（０．３２のを得た。実施例 １１ ２ーェチルチオベネムー３−カルボン酸アリル（０．０
６夕）を水素化シアノホウ素ナトリウム（０．０２夕）
、トリフエニルホスフイン（０．０２夕）およびテトラ
キス（トリフエニルホスフイン）パラジウム一（０）（
０．０１５夕）と共にチッ素雰囲気下のテトラヒドロフ
ラン（１のと）中で室温で６時間にわたって燈拝した。

次いでエーテル（５の‘）を一滴ずつ加えて塩を沈殿さ
せ、該沈殿を遠心分離法によって集め、エーテルで洗浄
し、そして、室温で乾燥させ、蓑褐色をした固形物（０
．０４５夕）を得た。ＩＲスペクトル（ニユジヨール）
：１７７０、１６２０伽一１；ＰＭＲスペクトル（Ｄ２
０）：６１．２９（ｔ、Ｊ＝７、祖）、２．９６（ｑ、
Ｊ＝７、が）、３．２〜４．０（ｍ、２Ｈ）および５．
６７（ｄｄ、Ｊ＝３．５および１．５、ＩＨ）実施例
１２ 本実施例はシアノホゥ水素化ナトリウムによりアリルカ
ルバメートからアリルーオキシカルボニル基を除去する
方法を例証する。

Ｎ−アリルオキシカルボニル シクロドデシルアミン（
０．５３４夕）、シアノホウ水素化ナトリウム（０．２
５夕）トリフエニルホスフイン（０．２６夕）、テトラ
キス（トリフエニルホスフイン）カリウム（０．１１夕
）およびテトラヒドロフラン（１５の【）からなる混合
物を室温で３時間損拝した。

この混合物をエーテル（２５叫）で希釈し、ＩＮＨＣＩ
水溶液（２５叫）を添加した。この混合物を１時間櫨拝
した。水相をエーテルで洗浄し、過剰量の水酸化ナトリ
ウム溶液で塩基性にし、そして、エーテルで抽出した。
抽出物をＭが０４で乾燥し、そして、蒸発させ、淡黄色
をした油状のシクロドデシルアミン（０．１７夕、収率
４７％）が得られた。ＴＬＣ（ＭｅＯＨ／ｉ−Ｐｒ２Ｎ
Ｈ２／ＣＨ２ＣＩ２、２：１：５０）によるＲｆ値、Ｉ
ＲおよびＮＭＲスペクトルデータは市販の純製品と完全
に一致した。実施例 １３ 本実施例はホゥ水素化ナトリウムによりアリルカルバメ
ートからアリルーオキシカルボニル基を除去する方法を
例証する。

Ｎーアルオキシカルポニルシクロドデシルアミン（０．
５３４夕）、ホウ水素化ナトリウム（０．１５夕）、テ
トラキス（トリフエニルホスフイン）パラジウムおよび
トリフエニルホスフイン（０．２６夕）を使用し、反応
時間を０．即時間としたこと以外は実施例１２の方法を
くりかえした。

斯くして、シクロドデシルアミン（０．２２夕、収率６
０％）が得られた。この生成物は市販の純正品と全く同
一の物性を有していた。実施例 １４ 本実施例はホウ水素化ナトリウムによりアリルカーボネ
ートからアリルオキシカルポニル基を除去する方法を例
証する。

アリルｐ−ニトロベンジルカーボネート （０．４７４の、テトラヒドロフラン（１５叫）、ホウ
水素化ナトリウム（０．２５タ入 トリフェニルホスフ
イン（０．２６夕）およびテトラキス（トリフェニルホ
スフイン）パラジウム（０。

１１のからなる混合物をチッ素雰囲気下で室温で２時間
蝿拝した。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ アリルエステル中のアリル基またはアリルカーボネ
   ートまたはアリルカルバメート中のアリル−オキシカル
   ボニル基の除去方法であって、 触媒量の、配位ホスフ
   イン配位子を有する有機溶剤可溶性のパラジウム錯体の
   存在下でアリルエステル、アリルカーボネートまたはア
   リルカルバメートの中性有機溶剤溶液を、炭素原子数５
   〜１８のカルボン酸または該カルボン酸のアルカリ金属
   塩と反応させるか、若しくは、水素化シアノホウ素ナト
   リウムまたは水素化ホウ素ナトリウムと反応させること
   から成る前記方法。 ２ 炭素原子数５〜１８のカルボン酸または該酸のアル
   カリ金属塩を使用することから成る特許請求の範囲第１
   項記載の方法。 ３ 前記カルボン酸は炭素原子を６〜１０個含有し、か
   つ、分枝鎖を有するものである特許請求の範囲第２項記
   載の方法。 ４ 前記カルボン酸は２−エチルヘキサン酸である特許
   請求の範囲第１項〜３項の何れかに記載の方法。 ５ 前記可溶性パラジウム錯体の配位ホスフイン配位子
   がトリフエニルホスフインである特許請求の範囲第１項
   〜４項の何れかに記載の方法。 ６ 前記パラジウム錯体がテトラキス（トリフエニルホ
   スフイン）パラジウム−（Ｏ）である特許請求の範囲第
   １項〜５項の何れかに記載の方法。 ７ 前記可溶性パラジウム錯体の使用量が０．２５〜５
   モル％である特許請求の範囲第１項〜６項の何れかに記
   載の方法。 ８ 前記可溶性パラジウム錯体の使用量が２モル％であ
   る特許請求の範囲第７項記載の方法。 ９ アリルエステル中のアリル基を除去することから成
   り、カルボン酸のアルカリ金属塩を使用する特許請求の
   範囲第１項〜８項の何れかに記載の方法。 １０ 前記カルボン酸のアルカリ金属塩が２−エチルヘ
   キサン酸のカリウム塩またはナトリウム塩である特許請
   求の範囲第９項記載の方法。 １１ 前記アリルエステルはβ−ラクタムアリルエステ
   ルである特許請求の範囲第１項〜１０項の何れかに記載
   の方法。 １２ 前記β−ラクタムアリルエステルはペナム、セフ
   アロスポリン、カルバペネムおよびペネムアリルエステ
   ルから選択される特許請求の範囲第１１項記載の方法。 １３ 前記ペネムアリルエステルは次式、▲数式、化学
   式、表等があります▼ （式中、Ｒは水素、低級アルキル、アリル−オキシカル
   ボニルアミノ低級アルキルまたは、低級アルキルチオで
   あり、後者はアリル−オキシカルボニルアミノまたはア
   シルアミノで任意に置換されており； Ｒ＿１は水素、
   ヒドロキシ低級アルキルまたはアシルアミノである。 ）で示されるものであり、かつ、前記反応中にアリルエ
   ステル基およびアリル−オキシカルボニル基の双方が除
   去されることから成る特許請求の範囲第１２項記載の方
   法。