JPS62258353A - ４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体の製造方法 - Google Patents
４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体の製造方法Info
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- JPS62258353A JPS62258353A JP61101856A JP10185686A JPS62258353A JP S62258353 A JPS62258353 A JP S62258353A JP 61101856 A JP61101856 A JP 61101856A JP 10185686 A JP10185686 A JP 10185686A JP S62258353 A JPS62258353 A JP S62258353A
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- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
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- Cephalosporin Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、３−位に水酸基が保護されたしドロキシエチ
ル基を有し、４−位にアセトキシ基を有する４−アセト
キシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導
体の新規な製造方法に関す８° ４．
７゜４．９）４−アセトキシ−８−ヒドロキシエチルア
ゼチジン−２−オン誘導体は、チェナマイシン等に代表
されるカルバペネム系β−フクタム抗生物質や、ペネム
系β−ラクタム抗生物質の合成中間体として有用である
ことが知られている〔たとえば、レイダー等、テトラヘ
ドロン・レターズ、２８巻、２２９８頁（１９８２年）
、およびヨシダ等、ケミカル・アンド・ファーマシュテ
イカル・ブレチア （Ｏｈｅｍ、 Ｐｈａｒｍ、 Ｂｕ
ｌｌ 、 ） ２９巻、−２８９９頁（１９８１年）〕
。
ル基を有し、４−位にアセトキシ基を有する４−アセト
キシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導
体の新規な製造方法に関す８° ４．
７゜４．９）４−アセトキシ−８−ヒドロキシエチルア
ゼチジン−２−オン誘導体は、チェナマイシン等に代表
されるカルバペネム系β−フクタム抗生物質や、ペネム
系β−ラクタム抗生物質の合成中間体として有用である
ことが知られている〔たとえば、レイダー等、テトラヘ
ドロン・レターズ、２８巻、２２９８頁（１９８２年）
、およびヨシダ等、ケミカル・アンド・ファーマシュテ
イカル・ブレチア （Ｏｈｅｍ、 Ｐｈａｒｍ、 Ｂｕ
ｌｌ 、 ） ２９巻、−２８９９頁（１９８１年）〕
。
（従来の技術と問題点）
従来、４−アセトキシ−８−ヒドロキシエチルアゼチジ
ン−２−オン誘導体の合成法として、６−アミノペニシ
ラン酸から合成する方法〔ヨシダ等、Ｏｈｅｍ 、 Ｐ
ｈａｒｍ、 Ｂｕｌｌ 、 ２９巻、２８９９頁（１９
８１年〕〕、スレオニンから合成する方法〔シオザキ等
、テトラヘドロン、８９巻、２８９９頁（１９８８年）
〕、アスパラギン酸から合成する方法〔レイダー等、テ
トラヘドロン・レターズ、２８巻、２２９８頁（１９８
２年）〕、〕β−ヒドロキシ酪のメタルエルレートから
合成する方法〔ナカイ等、ケミストリー・レターズ、１
９２７頁（１９８４年）〕等が知られている。しかし、
いずれの方法においても、β−フクタム環の４−位にア
セトキシ基を導入するために、酢酸水銀、硫酸水銀等の
水銀化合物や四部酸鉛等の工業的には好ましくない試薬
を使用する難点を有していた。
ン−２−オン誘導体の合成法として、６−アミノペニシ
ラン酸から合成する方法〔ヨシダ等、Ｏｈｅｍ 、 Ｐ
ｈａｒｍ、 Ｂｕｌｌ 、 ２９巻、２８９９頁（１９
８１年〕〕、スレオニンから合成する方法〔シオザキ等
、テトラヘドロン、８９巻、２８９９頁（１９８８年）
〕、アスパラギン酸から合成する方法〔レイダー等、テ
トラヘドロン・レターズ、２８巻、２２９８頁（１９８
２年）〕、〕β−ヒドロキシ酪のメタルエルレートから
合成する方法〔ナカイ等、ケミストリー・レターズ、１
９２７頁（１９８４年）〕等が知られている。しかし、
いずれの方法においても、β−フクタム環の４−位にア
セトキシ基を導入するために、酢酸水銀、硫酸水銀等の
水銀化合物や四部酸鉛等の工業的には好ましくない試薬
を使用する難点を有していた。
本発明者らは、８−位に〇−保獲ヒドロキシエチル基、
４−位にシリルエーテル基を有する新規なβ−フクタム
化合物のＮ−保護体を用いて、４−位にアセトキシ基を
導入する製法を見出し、既に出願した（特開昭６ｌ−１
８７５８）。しかし、４−位にアセトキシ基を導入する
際に、β−ヲクタムのＮに保護基を、あらかじめ導入し
、後で再度保護基を除去する操作が必要であった。本発
明者等は、上記のＮの保護化を省略しても、４−位のア
セトキシ化が一段で容易に達成できる条件を見出して、
本発明に至った。以下に詳細を説明する。
４−位にシリルエーテル基を有する新規なβ−フクタム
化合物のＮ−保護体を用いて、４−位にアセトキシ基を
導入する製法を見出し、既に出願した（特開昭６ｌ−１
８７５８）。しかし、４−位にアセトキシ基を導入する
際に、β−ヲクタムのＮに保護基を、あらかじめ導入し
、後で再度保護基を除去する操作が必要であった。本発
明者等は、上記のＮの保護化を省略しても、４−位のア
セトキシ化が一段で容易に達成できる条件を見出して、
本発明に至った。以下に詳細を説明する。
（問題点を解決するための手段および作用効果）本発明
は、一般式（Ｉ） （式中、Ｒ１は水酸基の保護基、Ｒ２ｅ Ｒ８ｅ Ｒ４
はＣ１〜Ｃ６の低級アルキル基、フェニル基またはアラ
ルキル基を示す）で表わされるβ−ツクタム化合物に、
有機溶媒中で低濃度の置換ピリジンの存在下で無水酢酸
を作用させることを特徴とする、一般式（ＩＩ） （式中、Ｒ１は水酸基の保護基を示す）で表わされる４
−アセトキシ−８−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−
オン誘導体の製造方法を要旨とする。
は、一般式（Ｉ） （式中、Ｒ１は水酸基の保護基、Ｒ２ｅ Ｒ８ｅ Ｒ４
はＣ１〜Ｃ６の低級アルキル基、フェニル基またはアラ
ルキル基を示す）で表わされるβ−ツクタム化合物に、
有機溶媒中で低濃度の置換ピリジンの存在下で無水酢酸
を作用させることを特徴とする、一般式（ＩＩ） （式中、Ｒ１は水酸基の保護基を示す）で表わされる４
−アセトキシ−８−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−
オン誘導体の製造方法を要旨とする。
一般式（Ｉ）で示される４−位にシリルエーテル基を有
するβ−ラクタム化合物は、本発明者らが既に出願（特
開昭６ｌ−１８７９１）したように１反応式Ｉの方法に
よって簡便に取得できる。
するβ−ラクタム化合物は、本発明者らが既に出願（特
開昭６ｌ−１８７９１）したように１反応式Ｉの方法に
よって簡便に取得できる。
反応式１：
β−ラクタム化合物（Ｉ）の８−位のヒドロキシエチル
基の〇−保護基であるＲ１としては％Ｒ１が一般式Ｃｍ
） ８ｉ −Ｒ６（ｍｌ） ■ Ｒ丁 （式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７はＣ１〜Ｃ６の低級アルキル
基を示す）で表わされるトリアルキルシリル基、たとえ
ばｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリイソプロピ
ルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、インブチ
ルジメチルシリル基、ジメチル−１，１，２−）リブチ
ルプロピルシリル基ヤ、その他ｔ−ブチル基、ベンジル
基、トリクロロエトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル基、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル基等が挙げられるが、好ましくは反応中により安定で
あり、さらに酸処理により選択的に脱保護されうるｔｅ
ｒｔ−ブチルジメチルシリル基やイソプロピルジメチル
シリル基やジメチル−１，１，２−）リメチルプロピル
シリル基がよい。又、β−ツクタム化合物（Ｉ）のＲ４
１Ｒｓ ＊ Ｒ４は、メチル、エチル、イソプロピル、
イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、１．１．２− ）リメ
チルプロビル等の０１〜Ｏａ （７） 低級アルキル基
、フェニル基、又はベンジルＭ、ｐ−二トロベンジル基
等のアラルキル基から同一または異なった基を選択でき
るが、好ましくはｎ２＝Ｒ，＝ １４−メチルが最適で
ある。
基の〇−保護基であるＲ１としては％Ｒ１が一般式Ｃｍ
） ８ｉ −Ｒ６（ｍｌ） ■ Ｒ丁 （式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７はＣ１〜Ｃ６の低級アルキル
基を示す）で表わされるトリアルキルシリル基、たとえ
ばｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリイソプロピ
ルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、インブチ
ルジメチルシリル基、ジメチル−１，１，２−）リブチ
ルプロピルシリル基ヤ、その他ｔ−ブチル基、ベンジル
基、トリクロロエトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニル基、ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル基等が挙げられるが、好ましくは反応中により安定で
あり、さらに酸処理により選択的に脱保護されうるｔｅ
ｒｔ−ブチルジメチルシリル基やイソプロピルジメチル
シリル基やジメチル−１，１，２−）リメチルプロピル
シリル基がよい。又、β−ツクタム化合物（Ｉ）のＲ４
１Ｒｓ ＊ Ｒ４は、メチル、エチル、イソプロピル、
イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、１．１．２− ）リメ
チルプロビル等の０１〜Ｏａ （７） 低級アルキル基
、フェニル基、又はベンジルＭ、ｐ−二トロベンジル基
等のアラルキル基から同一または異なった基を選択でき
るが、好ましくはｎ２＝Ｒ，＝ １４−メチルが最適で
ある。
上記のように調製した一般式（Ｉ）
（式中、Ｒ１＊ Ｒ２＊ Ｒｓ ｗ Ｒ４は前記と同じ
）で示されるβ−ツクタム化合物に、有機溶媒中、置換
ピリジンの存在下、無水酢酸を作用させて、目的の４−
アセトキシ−８−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オ
ン誘導体（ｎ） （式中、几ｌは前記と同じ）に変換するのであるが、こ
の際、置換ピリジンの反応系における濃度が、満足すべ
き収率で化合物（１）を得るために、重要な因子であり
、最適な濃度範囲が存在する。
）で示されるβ−ツクタム化合物に、有機溶媒中、置換
ピリジンの存在下、無水酢酸を作用させて、目的の４−
アセトキシ−８−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オ
ン誘導体（ｎ） （式中、几ｌは前記と同じ）に変換するのであるが、こ
の際、置換ピリジンの反応系における濃度が、満足すべ
き収率で化合物（１）を得るために、重要な因子であり
、最適な濃度範囲が存在する。
使用する置換ピリジンとしては、４−ジメチルアミノピ
リジン、４−ジエチルアミノピリジン等のジアルキルア
ミノピリジンや、４−ピロリジノピリジンや４−ピペラ
ジニルピリジン等の含窒素複累環基を置換基として有す
る置換ピリジンが好ましい。置換ピリジンの反応系にお
ける濃度は０．２〜３重爪％の範囲が好ましく、これよ
り低いと反応速度が低下し、基質の分解の副反応が多く
なり好ましくなく、濃度が高くなると下記の一般式（Ｉ
Ｔ）で示される副生物 （式中、恥は前記と同じ） の生成量が多（なり、満足すべき収率で目的の化合物（
１）を得ることはできない。・無水酢酸の量はは換ピリ
ジンに対し少ないと反応速度が低下するため、置換ピリ
ジンに対し過剰量あればよ（、好ましくは反応系におけ
る濃度が１０〜５０重量％の濃度の範囲で使用すればよ
い。
リジン、４−ジエチルアミノピリジン等のジアルキルア
ミノピリジンや、４−ピロリジノピリジンや４−ピペラ
ジニルピリジン等の含窒素複累環基を置換基として有す
る置換ピリジンが好ましい。置換ピリジンの反応系にお
ける濃度は０．２〜３重爪％の範囲が好ましく、これよ
り低いと反応速度が低下し、基質の分解の副反応が多く
なり好ましくなく、濃度が高くなると下記の一般式（Ｉ
Ｔ）で示される副生物 （式中、恥は前記と同じ） の生成量が多（なり、満足すべき収率で目的の化合物（
１）を得ることはできない。・無水酢酸の量はは換ピリ
ジンに対し少ないと反応速度が低下するため、置換ピリ
ジンに対し過剰量あればよ（、好ましくは反応系におけ
る濃度が１０〜５０重量％の濃度の範囲で使用すればよ
い。
反応に使用する溶媒としては、塩化メチレンや四塩化炭
素等のハロゲン系溶媒、ｎ−ヘキサン等の炭化水素、ト
ルエン等の芳香族系炭化水素や酢酸エチルが好ましい。
素等のハロゲン系溶媒、ｎ−ヘキサン等の炭化水素、ト
ルエン等の芳香族系炭化水素や酢酸エチルが好ましい。
反応温度は０℃〜−７０℃の低温領域で実施することで
目的の化合物（ＩＩ）を満足すべき収率で得ることがで
きる。好ましくは、−１０℃〜−６０℃の温度条件下で
反応をおこなえばよい。
目的の化合物（ＩＩ）を満足すべき収率で得ることがで
きる。好ましくは、−１０℃〜−６０℃の温度条件下で
反応をおこなえばよい。
又応操作としては、塩化メチレンやトルエン等の有機溶
媒に１一般式（Ｉ）で示される４−位にシリルエーテル
基を有するβ−ラクタム化合物を溶解し、この溶液を冷
却し、この温度で無水酢酸および４−ジメチルアミノピ
リジン等の置換ピリジンを一度に、あるいは分割して加
えて反応を行なう。反応経過を薄層クロマトグラフィー
でチェックしながら実施し、原料が消失又は微量になっ
たところで、水へ反応液を注ぐ。次に有機層を炭酸水素
ナトリウム、水で洗浄した後、研、酸マグネシウムで乾
燥する。溶媒を留去して得られた粗結晶をｎ−ヘキサン
等の溶媒で再結晶することにより目的の４−アセトキシ
−８−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体を
得る。又、溶媒を留去した反応混合物からカフムクロマ
トグラフイーにより４−アセトキシ−８−ヒドロキシエ
チルアゼチジン−２−オン誘導体を得ることもできる。
媒に１一般式（Ｉ）で示される４−位にシリルエーテル
基を有するβ−ラクタム化合物を溶解し、この溶液を冷
却し、この温度で無水酢酸および４−ジメチルアミノピ
リジン等の置換ピリジンを一度に、あるいは分割して加
えて反応を行なう。反応経過を薄層クロマトグラフィー
でチェックしながら実施し、原料が消失又は微量になっ
たところで、水へ反応液を注ぐ。次に有機層を炭酸水素
ナトリウム、水で洗浄した後、研、酸マグネシウムで乾
燥する。溶媒を留去して得られた粗結晶をｎ−ヘキサン
等の溶媒で再結晶することにより目的の４−アセトキシ
−８−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体を
得る。又、溶媒を留去した反応混合物からカフムクロマ
トグラフイーにより４−アセトキシ−８−ヒドロキシエ
チルアゼチジン−２−オン誘導体を得ることもできる。
（実施例）
以下実施例で本発明の詳細な説明する示、これらの実施
例によって本発明が限定されるものではない。
例によって本発明が限定されるものではない。
実施例１
（８Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−８−Ｃ（Ｒ）−１−
１ｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 （ＳＲ，４Ｂ）−８−Ｃ（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ −ブチ
ルジメチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリロ
キシアゼチジン−２−オン １５７ｍ１Ｉを塩化メチレ
ン０．９ｒｌｌ／に溶解し、これを−８５℃に冷却した
。ついで５４４ｍ、９の無水酢酸を添加し、さらに２０
ｍ、９の４−ジメチルアミノピリジンを添加して、−８
５℃で１昼夜撹拌した。反応後、６％ＮａＨＯＯ６水溶
液を加え分液し、水で有機層を洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、溶媒を減圧留去してワックス状固体１４７
ｒｎ、Ｆを得た。
１ｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジ
ン−２−オンの合成 （ＳＲ，４Ｂ）−８−Ｃ（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ −ブチ
ルジメチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリロ
キシアゼチジン−２−オン １５７ｍ１Ｉを塩化メチレ
ン０．９ｒｌｌ／に溶解し、これを−８５℃に冷却した
。ついで５４４ｍ、９の無水酢酸を添加し、さらに２０
ｍ、９の４−ジメチルアミノピリジンを添加して、−８
５℃で１昼夜撹拌した。反応後、６％ＮａＨＯＯ６水溶
液を加え分液し、水で有機層を洗浄し、硫酸マグネシウ
ムで乾燥後、溶媒を減圧留去してワックス状固体１４７
ｒｎ、Ｆを得た。
反応混合物を高速液体カラムクロマトグラフィー（カフ
ムＹＭＯ−パック（Ａ−８０８０Ｄ８）４．６Ｘ２５０
．、カラム温度５０℃、溶媒メタノール：水＝ ７ ：
８ （Ｖ／Ｖ）、流ｆｆ １ ｍ／７分、検出２１０
ｎｍ）で分析すると、７２．５ｍ、Ｆの（８Ｒ９４Ｂ
）−４−アセトキシ−３−Ｃ（Ｒ） −１−ｔｅ’ｒｔ
−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−
オンが生成していた。
ムＹＭＯ−パック（Ａ−８０８０Ｄ８）４．６Ｘ２５０
．、カラム温度５０℃、溶媒メタノール：水＝ ７ ：
８ （Ｖ／Ｖ）、流ｆｆ １ ｍ／７分、検出２１０
ｎｍ）で分析すると、７２．５ｍ、Ｆの（８Ｒ９４Ｂ
）−４−アセトキシ−３−Ｃ（Ｒ） −１−ｔｅ’ｒｔ
−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−
オンが生成していた。
さらにこの反応混合物をｎ−へキサンに溶解し、不溶物
を濾過後、−１５℃で冷却放置すると、４４ｍｙの白色
固体が得られ、以下の物性値から、目的の（ｆｌｌＲ，
４Ｂ）−４−アセトキシ−８（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オ
ンであることが確認された。
を濾過後、−１５℃で冷却放置すると、４４ｍｙの白色
固体が得られ、以下の物性値から、目的の（ｆｌｌＲ，
４Ｂ）−４−アセトキシ−８（（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−
ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オ
ンであることが確認された。
（ａ〕”＝＋５Ｑ°（ｃ＝０．５．ＯＨＯｌｇ）−Ｄ
ｍｐ：１０７〜１０８℃
ＩＨ−ＮＭＲ（９０ＭＨｚ、Ｃ！ＤｏＩｓ）、δ（ｐｐ
ｍ）：０．０８（６Ｉｉ、８）、０．８４（９■、ｓ）
、１．２０（８ｆｌ、ｄ）、２．１０（８Ｈ，ｇ）、８
．０４（ＩＨ。
ｍ）：０．０８（６Ｉｉ、８）、０．８４（９■、ｓ）
、１．２０（８ｆｌ、ｄ）、２．１０（８Ｈ，ｇ）、８
．０４（ＩＨ。
ｄｄ）、４．１２（ＩＨ，ｒｎ）、６．７６（ＩＨ，ｄ
）。
）。
６．７８（ＮＥＴ）
実施例２
（８Ｒ，４Ｒ）−４−アセトキシ−８−Ｃ（Ｒ）−ｌ
−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチ
ジン−２−オンの合成 （ＳＲ，４Ｒ）−８−Ｃ（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリロキシエチル）−４−）リメチルシリロキ
シアゼチジン−２−オン １５６ｍ、Ｆｆ８．６ｍｌ！
のトルエンに溶解し、−８５℃に冷却後、７８２ｍＪＦ
の無水酢酸およびａｏｍｙの４−ジメチルアミノピリジ
ンを添加し、４８時間−８５℃で撹拌をおこなった。反
応後、実施例１と同様の方法で処理をし、高速液体クロ
マトグラフィーで分析したところ、（８Ｒ，４Ｂ）−４
−アセトキシ−８−ＣＣａ）−ｔ−ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オンカフ２
ｍｙ生成していた。
−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチ
ジン−２−オンの合成 （ＳＲ，４Ｒ）−８−Ｃ（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリロキシエチル）−４−）リメチルシリロキ
シアゼチジン−２−オン １５６ｍ、Ｆｆ８．６ｍｌ！
のトルエンに溶解し、−８５℃に冷却後、７８２ｍＪＦ
の無水酢酸およびａｏｍｙの４−ジメチルアミノピリジ
ンを添加し、４８時間−８５℃で撹拌をおこなった。反
応後、実施例１と同様の方法で処理をし、高速液体クロ
マトグラフィーで分析したところ、（８Ｒ，４Ｂ）−４
−アセトキシ−８−ＣＣａ）−ｔ−ｔｅｒｔ−ブチルジ
メチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オンカフ２
ｍｙ生成していた。
反応物をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢
酸エチル−１０：１）に付し、（８Ｒ１４Ｒ）−，４−
アセトキシ−〇 −Ｃ（Ｒ） −１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オフ ６
５ｍＪを針状結晶として得た。
酸エチル−１０：１）に付し、（８Ｒ１４Ｒ）−，４−
アセトキシ−〇 −Ｃ（Ｒ） −１−ｔｅｒｔ−ブチル
ジメチルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オフ ６
５ｍＪを針状結晶として得た。
実施例８
（８Ｂ、４Ｂ）−４−アセトキシ−ａ −Ｃ（Ｒ）−１
−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチ
ジン−２−オンの合成 （８Ｂ、４ＩＬ）−８−Ｃ（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリロ
キシアゼチジン−２−オンを原料として、反応系の４−
ジメチルアミノピリジン、４−ピロリジノピリジンの濃
度を変化させて反応をおこない、Ｃ８Ｂ、４Ｂ）−４−
アセトキシ−８−Ｃ（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オンの生成収
率を実施例１と同様に、高速液体クロマトグツフィーで
分析した。
−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリロキシエチル〕アゼチ
ジン−２−オンの合成 （８Ｂ、４ＩＬ）−８−Ｃ（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチ
ルジメチルシリロキシエチル〕−４−トリメチルシリロ
キシアゼチジン−２−オンを原料として、反応系の４−
ジメチルアミノピリジン、４−ピロリジノピリジンの濃
度を変化させて反応をおこない、Ｃ８Ｂ、４Ｂ）−４−
アセトキシ−８−Ｃ（Ｒ）−１−ｔｅｒｔ−ブチルジメ
チルシリロキシエチル〕アゼチジン−２−オンの生成収
率を実施例１と同様に、高速液体クロマトグツフィーで
分析した。
結果を表１に示した。
表 １
実施例４
各種の４−アルキルシリロキシアゼチジン−２−オン（
化合物人）を原料として実施例１と同一の方法で得られ
る４−アセトキシアゼチジン−２表 ２ 特許出願人 鐘淵化学工業株式金社 代理人 弁理士 浅 野 真 − 手続補正書ＯＪ”） 昭和６１年１月２７日 、い、７，７□、□ やイエ。、ウ し）１、 ：
！ｊＧ件の表示 昭和６１ ＜１＝ ｎ 合’ｆ ｗｉｔ ｇ１０
１８５６号事件との関係 特許出願人 、１： 所 大阪市北区中之島三丁目２番４号
氏 名（名称）（０り勾鐘淵化学工業株式会社代表者
新納眞人 ４、ｆ（理 人 ” （６９３２） 弁理士 浅 野 真−５、補正
命令の日付 ８、補正の内容（１）ｑ斗詩絹求′４Ｌ１コ１劣ｒＨｆ
代４遠１２ψ正了ｊ。
化合物人）を原料として実施例１と同一の方法で得られ
る４−アセトキシアゼチジン−２表 ２ 特許出願人 鐘淵化学工業株式金社 代理人 弁理士 浅 野 真 − 手続補正書ＯＪ”） 昭和６１年１月２７日 、い、７，７□、□ やイエ。、ウ し）１、 ：
！ｊＧ件の表示 昭和６１ ＜１＝ ｎ 合’ｆ ｗｉｔ ｇ１０
１８５６号事件との関係 特許出願人 、１： 所 大阪市北区中之島三丁目２番４号
氏 名（名称）（０り勾鐘淵化学工業株式会社代表者
新納眞人 ４、ｆ（理 人 ” （６９３２） 弁理士 浅 野 真−５、補正
命令の日付 ８、補正の内容（１）ｑ斗詩絹求′４Ｌ１コ１劣ｒＨｆ
代４遠１２ψ正了ｊ。
（２）発明の詳細な説明の欄の補正
イ、明細書第１０頁７行目
「４−ピペラジニルピリジンＪをｒ４−ピペリジノピリ
ジン」に訂正する。
ジン」に訂正する。
ロ、同第１１頁５〜６行
酢酸エチルやテトラヒドロフランが好ましい。」に訂正
する。
する。
ハ、同第１６頁の表１の実験隘９の行、「ピペラジニル
ピリジン」ヲ「ピペリジノピリジン」に訂正する。
ピリジン」ヲ「ピペリジノピリジン」に訂正する。
二、同第１７頁の反応式中、（Ａ）の構造式（Ａ）
Ｊ （Ａ） Ｊに訂正する
。
Ｊ （Ａ） Ｊに訂正する
。
（別紙）
特許請求の範囲
（１） 一般式（１）
（式中、Ｒ１は水酸基の保護基、Ｒ２、Ｒ３゜Ｒ４はＣ
１〜Ｃ６の低級アルキル基、フェニル基またはアラルキ
ル基を示す。） で表わされるβ−ラクタム化合物に、有機溶媒中で低濃
度の置換ピリジンの存在下で、無水酢酸を作用させるこ
とを特徴とする、一般式（ＩＩ） （式中、Ｒ１は水酸基の保護基を示す。）で表わされる
４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２
−オン誘導体の製造方法。
１〜Ｃ６の低級アルキル基、フェニル基またはアラルキ
ル基を示す。） で表わされるβ−ラクタム化合物に、有機溶媒中で低濃
度の置換ピリジンの存在下で、無水酢酸を作用させるこ
とを特徴とする、一般式（ＩＩ） （式中、Ｒ１は水酸基の保護基を示す。）で表わされる
４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−２
−オン誘導体の製造方法。
（２） 几１が一般式（ＩＩＩ）
区
（式中、Ｒ５Ｔ Ｒ６ｔ Ｒ７はＣ１〜Ｃ６の低級アル
キル基を示す。）である特許請求の範囲第１項記載の製
造方法。
キル基を示す。）である特許請求の範囲第１項記載の製
造方法。
（３） Ｒｒがｔ−ブチルジメチルシリル基である特
許請求の範囲第１項記載の製造方法。
許請求の範囲第１項記載の製造方法。
〔４）Ｒ１がイゾプロピルジメチルシリル基である特許
請求の範囲第１項記載の製造方法。
請求の範囲第１項記載の製造方法。
（５） Ｒ１がジメチル−１，１，２−１−リメチル
プロピルシリル基である特許請求の範囲第１項記載の製
造方法。
プロピルシリル基である特許請求の範囲第１項記載の製
造方法。
（６） Ｒ２、Ｒｓ 、几４がメチル基である特許請
求の範囲第１項記載の製造方法。
求の範囲第１項記載の製造方法。
（７）置換ピリジンが４−ジメチルアミノピリジンであ
る特許請求の範囲第１項記載の製造方法。
る特許請求の範囲第１項記載の製造方法。
（８）置換ピリジンが４−ピロリジノピリジンである特
許請求の範囲第１項記載の製造方法。
許請求の範囲第１項記載の製造方法。
（９）置換ピリジンが４−ピペリジノピリジンである特
許請求の範囲第１項記載の製造方法。
許請求の範囲第１項記載の製造方法。
αＯ置換ピリジンの濃度が０．２〜８重量％の範囲であ
る特許請求の範囲第１項記載の製造方法。
る特許請求の範囲第１項記載の製造方法。
Claims (10)
- （１）一般式（Ｉ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は水酸基の保護基、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ
＿４はＣ＿１〜Ｃ＿６の低級アルキル基、フェニル基ま
たはアラルキル基を示す。） で表わされるβ−ラクタム化合物に、有機溶媒中で低濃
度の置換ピリジンの存在下で、無水酢酸を作用させるこ
とを特徴とする、一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中、Ｒ＿１は水酸基の保護基を示す。）で表わされ
る４−アセトキシ−３−ヒドロキシエチルアゼチジン−
２−オン誘導体の製造方法。 - （２）Ｒ＿１が一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｒ＿５、Ｒ＿６、Ｒ＿７はＣ＿１〜Ｃ＿６の低
級アルキル基を示す。）である特許請求の範囲第１項記
載の製造方法。 - （３）Ｒ＿１がｔ−ブチルジメチルシリル基である特許
請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （４）Ｒ＿１がイソプロピルジメチルシリル基である特
許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （５）Ｒ＿１がジメチル−１，１，２−トリメチルプロ
ピルシリル基である特許請求の範囲第１項記載の製造方
法。 - （６）Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４がメチル基である特許請
求の範囲第１項記載の製造方法。 - （７）置換ピリジンが４−ジメチルアミノピリジンであ
る特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （８）置換ピリジンが４−ピロリジノピリジンである特
許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （９）置換ピリジンが４−ピペラジニルピリジンである
特許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （１０）置換ピリジンの濃度が０．２〜３重量％の範囲
である特許請求の範囲第１項記載の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101856A JPH0830057B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | ４―アセトキシ―３―ヒドロキシエチルアゼチジン―２―オン誘導体の製造方法 |
| AU72140/87A AU601180B2 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Process for preparing 4-acetoxy-3-hydroxyethylazetidin -2- one derivatives |
| CA000535802A CA1256444A (en) | 1986-04-30 | 1987-04-28 | Process for preparing 4-acetoxy-3- hydroxyethylazetidin-2-one derivatives |
| EP87106234A EP0247378B1 (en) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Process for preparing 4-acetoxy-3-hydroxyethylazetidin-2-one derivatives |
| DE8787106234T DE3765009D1 (de) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Verfahren zur herstellung von 4-acetoxy-3-hydroxyaethyl-azetidin-2-one-derivaten. |
| ES87106234T ES2017956B3 (es) | 1986-04-30 | 1987-04-29 | Procedimiento para preparar derivados de 4-acetoxi-3-hidroxietilazetidin-2-ona. |
| KR1019870004232A KR910003612B1 (ko) | 1986-04-30 | 1987-04-30 | 4-아세톡시-3-히드록시에틸아제티딘-2-온 유도체의 제조방법 |
| US07/309,935 US4914200A (en) | 1986-04-30 | 1989-02-14 | Process for preparing 4-acetoxy-3-hydroxyethylazetidin-2-one derivatives |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61101856A JPH0830057B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | ４―アセトキシ―３―ヒドロキシエチルアゼチジン―２―オン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62258353A true JPS62258353A (ja) | 1987-11-10 |
| JPH0830057B2 JPH0830057B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=14311667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61101856A Expired - Fee Related JPH0830057B2 (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | ４―アセトキシ―３―ヒドロキシエチルアゼチジン―２―オン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830057B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007142207A1 (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-13 | Kaneka Corporation | ４－置換アゼチジノン誘導体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118758A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-01-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ４−アセトキシ−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体の製造法 |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP61101856A patent/JPH0830057B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118758A (ja) * | 1985-01-14 | 1986-01-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ４−アセトキシ−ヒドロキシエチルアゼチジン−２−オン誘導体の製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007142207A1 (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-13 | Kaneka Corporation | ４－置換アゼチジノン誘導体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0830057B2 (ja) | 1996-03-27 |
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