JPS6097453A - アレイ装置のテスト並びに修理方法及びその装置 - Google Patents
アレイ装置のテスト並びに修理方法及びその装置Info
- Publication number
- JPS6097453A JPS6097453A JP59210333A JP21033384A JPS6097453A JP S6097453 A JPS6097453 A JP S6097453A JP 59210333 A JP59210333 A JP 59210333A JP 21033384 A JP21033384 A JP 21033384A JP S6097453 A JPS6097453 A JP S6097453A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- row
- defective
- coordinates
- column
- array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 97
- 230000008439 repair process Effects 0.000 title claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 124
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 101
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 53
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims 1
- 210000001113 umbilicus Anatomy 0.000 claims 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 75
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 27
- 238000003491 array Methods 0.000 description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 241001590997 Moolgarda engeli Species 0.000 description 1
- 240000007320 Pinus strobus Species 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/72—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with optimized replacement algorithms
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/56—External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(8明の利用分野)
本発明はメモリー素子等を配列したアレイの部品の間違
い、故障を発見し、修理する方法と装置に関する。
い、故障を発見し、修理する方法と装置に関する。
(従来技術)
予備的に修理可能としたアレイ装置には1通常1枚の主
アレイとそれに並設して、アレイの部品が故障した際に
取換え可能にスペア部品を設けたものがある。例えば、
予備的メモリー装置は、横列と縦列に複数の個別メモリ
ーセルと。
アレイとそれに並設して、アレイの部品が故障した際に
取換え可能にスペア部品を設けたものがある。例えば、
予備的メモリー装置は、横列と縦列に複数の個別メモリ
ーセルと。
それに対応して予備的な複数の横列、縦列のセルとを夫
々備えた。長方形のアレイからなる。
々備えた。長方形のアレイからなる。
仮にアレイに欠陥セルが入っている場合、予備的に設け
である部品を使って、欠陥セルの入っている横列又は縦
列全体を交換することで修理することができる。複数個
のセルに欠陥がある場合、1個または複数個の予備部品
が使われるが、ある1個の特定のセルを横列全体または
縦列全体として取換えるかどうか決めるのは難しい問題
である。選択を間違えると、完全な修理が可能となる正
しい修理手順が判明するまでに予備部品を使い尽くすこ
ととなる。予備部品が全ての不具合をカバーするまで供
給されると。
である部品を使って、欠陥セルの入っている横列又は縦
列全体を交換することで修理することができる。複数個
のセルに欠陥がある場合、1個または複数個の予備部品
が使われるが、ある1個の特定のセルを横列全体または
縦列全体として取換えるかどうか決めるのは難しい問題
である。選択を間違えると、完全な修理が可能となる正
しい修理手順が判明するまでに予備部品を使い尽くすこ
ととなる。予備部品が全ての不具合をカバーするまで供
給されると。
そのメモリーアレーは修理手順を実行すべくレーザー“
′トリマー”へと送られる。場合によっては、供給しで
ある限られた数の予備部品では不具合の全てを網羅し切
れない場合もある。
′トリマー”へと送られる。場合によっては、供給しで
ある限られた数の予備部品では不具合の全てを網羅し切
れない場合もある。
修理用に予備部品を使うことによって、アレー生産高を
格段に向上させることができるものであり、バブルメモ
リーの製造業者が盛んにこの冗長性技術を採用すること
によって次第に一般化され次第に比較的高いビットの例
えば256K DRAMといったものの製造分野まで普
及するようになっている。
格段に向上させることができるものであり、バブルメモ
リーの製造業者が盛んにこの冗長性技術を採用すること
によって次第に一般化され次第に比較的高いビットの例
えば256K DRAMといったものの製造分野まで普
及するようになっている。
(本発明が解決しようとする問題点)
冗長性を有するシステムの技術には、その利益面とは逆
の不利益面がいくつかある。その1つはテストによって
コスト高になること、他の1つは生産高を低下させるこ
とである。これらの不利益面は、アレイが修理可能かど
うか、またもし可能ならばどのような修理手順でやれる
か等を決定するハードウェアおよび時間に関連して表わ
れる。従来の方法では、テスターによリアレイを秒才た
は分単位でテストし修理手順を探るのであるが、その手
順を準備するのζこ要する時間は、欠陥セルをテストに
より特定するのに要する時間が加算される。その結果、
生産高は落ち、アレイによってはテストとその分析の時
間当り能率は低いものとなる。
の不利益面がいくつかある。その1つはテストによって
コスト高になること、他の1つは生産高を低下させるこ
とである。これらの不利益面は、アレイが修理可能かど
うか、またもし可能ならばどのような修理手順でやれる
か等を決定するハードウェアおよび時間に関連して表わ
れる。従来の方法では、テスターによリアレイを秒才た
は分単位でテストし修理手順を探るのであるが、その手
順を準備するのζこ要する時間は、欠陥セルをテストに
より特定するのに要する時間が加算される。その結果、
生産高は落ち、アレイによってはテストとその分析の時
間当り能率は低いものとなる。
従って本発明は1以上の問題点を解決するフスト的に有
利な方法と装置であってその目的とするところは、以下
でDUTという名称で示すアレイ素子に対して迅速なテ
ストと迅速な修理手順の特定とを行える方法と装置とを
提供することである。この場合、テストデータはテスト
結果として検討され、それらの情報から明らかに修理不
能と判定されると本装置の適用が直ちに拒まれ、若し逆
にある欠陥が、予備部品の特定の横列又は縦列のものを
投下するのみで修理可能と判定されると、直ちにそのタ
イプの部品が提供されるという具合になっている。
利な方法と装置であってその目的とするところは、以下
でDUTという名称で示すアレイ素子に対して迅速なテ
ストと迅速な修理手順の特定とを行える方法と装置とを
提供することである。この場合、テストデータはテスト
結果として検討され、それらの情報から明らかに修理不
能と判定されると本装置の適用が直ちに拒まれ、若し逆
にある欠陥が、予備部品の特定の横列又は縦列のものを
投下するのみで修理可能と判定されると、直ちにそのタ
イプの部品が提供されるという具合になっている。
本発明の更なる目的は、上記本装置の性能に加え、最初
からポストテストのデータを、実際のテストの最中に処
理して、修理情報を特定するという利点、並びにテスト
結果が照査され。
からポストテストのデータを、実際のテストの最中に処
理して、修理情報を特定するという利点、並びにテスト
結果が照査され。
種々の形態のポストテスト情報を修理のため迅速に処理
(必要とする修理情報を設定才たは完成)するという利
点を有する本装置を提供することにある。
(必要とする修理情報を設定才たは完成)するという利
点を有する本装置を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、上記に概観した目的のほかに
、複数のアレイ共用のアレイそして。
、複数のアレイ共用のアレイそして。
バイトワイドアレイを備えることにある。
本発明になる装置は、欠陥セルの横縦座標を検出する方
法を実施することができ、かつ同時に本装置のセルであ
る交換部品をその検出時に取換可能にする。欠陥パター
ン(例えばアレー上に欠陥セルが配列されているような
)の1つの類型に対しては、修理に必要な指示の全てを
。
法を実施することができ、かつ同時に本装置のセルであ
る交換部品をその検出時に取換可能にする。欠陥パター
ン(例えばアレー上に欠陥セルが配列されているような
)の1つの類型に対しては、修理に必要な指示の全てを
。
本装置によるテストの進行中に準備でき、従って最後の
セルのテストによって完成させることができる。第2の
類型の場合には、それが修理不能のものとすれば、本装
置は修理lこ役立たないという事実が、セル全部をテス
トし終る前に判明するので本装置自体で機能停止しそれ
以上の時間の浪費を防ぐことができる。第3の類型は1
本装置で修理可能としても、その事実をテスト時間中に
は判定できないという場合である。
セルのテストによって完成させることができる。第2の
類型の場合には、それが修理不能のものとすれば、本装
置は修理lこ役立たないという事実が、セル全部をテス
トし終る前に判明するので本装置自体で機能停止しそれ
以上の時間の浪費を防ぐことができる。第3の類型は1
本装置で修理可能としても、その事実をテスト時間中に
は判定できないという場合である。
テスト終了後、装置は、収集されたデータが更に処理を
要するとする信号を発することになる。
要するとする信号を発することになる。
第4の類型に属する欠陥パターンは1本装置が修理不能
である場合であるが、ポストテストデータの処理によっ
てその事実が判定される。実際のテスト時間の終了時に
1本装置がポストテストデータ処理の必要を表示する。
である場合であるが、ポストテストデータの処理によっ
てその事実が判定される。実際のテスト時間の終了時に
1本装置がポストテストデータ処理の必要を表示する。
例えば欠陥解読装置や半導体素子の接合における金属蒸
着の破壊といった本装置の共通する欠陥のあるものは全
体的に実際のテスト時間中に処理されるので、リジェク
ト信号または修理情報はテスト終了前又は直後に得られ
る。ポストテストデータの処理を要する場合でも、それ
はナノ秒あるいはマイクロ秒単位の短時間の問題にしか
すぎない。本装置において1個だけ欠陥を示した場合及
び他の個々の欠陥セル類型の場合には常にポストテスト
データ処理の必要があるが、それらの類型の多くはその
ポストテストデータ処理が極めて急速に完了される。
着の破壊といった本装置の共通する欠陥のあるものは全
体的に実際のテスト時間中に処理されるので、リジェク
ト信号または修理情報はテスト終了前又は直後に得られ
る。ポストテストデータの処理を要する場合でも、それ
はナノ秒あるいはマイクロ秒単位の短時間の問題にしか
すぎない。本装置において1個だけ欠陥を示した場合及
び他の個々の欠陥セル類型の場合には常にポストテスト
データ処理の必要があるが、それらの類型の多くはその
ポストテストデータ処理が極めて急速に完了される。
個々の欠陥セルの座標は本装置により1例えそれが複数
回提起されるとしても唯一回だけ受容される。この特徴
のため、この装置を使う者は複数のアレイテストを行う
ことができ全てのテストの合成である修理情報を得るこ
とができる。本装置は1分割機列1分割縦列からなるア
レイの処理もでき、更にバイトワイドアレイの処理もで
きるものである。
回提起されるとしても唯一回だけ受容される。この特徴
のため、この装置を使う者は複数のアレイテストを行う
ことができ全てのテストの合成である修理情報を得るこ
とができる。本装置は1分割機列1分割縦列からなるア
レイの処理もでき、更にバイトワイドアレイの処理もで
きるものである。
実際のテスト時間終了前の本装置の作用は全てそれ迄に
収集されたテストデータに基づくものであるが1例えテ
スト完了前であっても、その作用の不可避性を示すのに
充分なものである。
収集されたテストデータに基づくものであるが1例えテ
スト完了前であっても、その作用の不可避性を示すのに
充分なものである。
これらの作用を次に記す。
(a) 同種の予備部品が充分残っていないため。
その部品で修理することが不可能な一連の欠陥セルの修
理用部品(即ち、横列又は縦列)の選択と割り当て、こ
の作用は自動割り当てと呼ばれている。
理用部品(即ち、横列又は縦列)の選択と割り当て、こ
の作用は自動割り当てと呼ばれている。
(b)1横列に余りに多くの欠陥セルがあるため。
予備縦列によっては修理不能で、かつそれ故予備横列に
よって修理せざるを得ないが、偶々予備横列も他の不可
避理由によって横列が使い尽くされていて1本装置によ
る修理が不能である場合の本装置の拒絶。(同じように
使い尽くした縦列からの割り当てができない場合もある
。) (c) 欠陥セルのパターンに関わりなく1割り当てる
予イ11η部品の理論上の最大限からみた保有可能数以
上の欠陥を抱えた場合の本装置の拒絶。
よって修理せざるを得ないが、偶々予備横列も他の不可
避理由によって横列が使い尽くされていて1本装置によ
る修理が不能である場合の本装置の拒絶。(同じように
使い尽くした縦列からの割り当てができない場合もある
。) (c) 欠陥セルのパターンに関わりなく1割り当てる
予イ11η部品の理論上の最大限からみた保有可能数以
上の欠陥を抱えた場合の本装置の拒絶。
以上の作用は実際のテスト時間中に装置によって行われ
るものである。
るものである。
(実施例)
本発明は1本願においてその最も好適な例で示されるが
、それに限定して考えられてはならない。第1A図にお
いて1本装置の一部をなすDUTは10A、10B、1
00,10Dの4個のアレイを備え、その各個には複数
の半導体メモリーセル(その個々は図示しない)が横列
、縦列に配されている。各セルは、1ビツトの容量を有
する。
、それに限定して考えられてはならない。第1A図にお
いて1本装置の一部をなすDUTは10A、10B、1
00,10Dの4個のアレイを備え、その各個には複数
の半導体メモリーセル(その個々は図示しない)が横列
、縦列に配されている。各セルは、1ビツトの容量を有
する。
2セツトの冗長縦列12A、12B、120,12Dは
アレイの夫々に関連し、一方2セットの冗長横列14A
、14B、140,14Dも同様に夫々アレイに関連し
ている。
アレイの夫々に関連し、一方2セットの冗長横列14A
、14B、140,14Dも同様に夫々アレイに関連し
ている。
各アレイの横列と縦列、及びその冗長横列と縦列は交差
しており更に図示しない他の装置に導体によって連結さ
れている。この導体はレーザー又は他の手段によって夫
々が切断されるものであって、冗長横列や縦列をそれら
が関連しているアレイの横列や縦列と交換ができる。若
し望むらくは、その交差回路を、冗長横列が図中上半部
の2個のアレイIOAと10Bのいずれかの修理に割り
当てできるように配することはさして困難なことではな
い。交差方法には様々なものがあるが、それらは公知で
あり、しかも本発明とは類似ではない。
しており更に図示しない他の装置に導体によって連結さ
れている。この導体はレーザー又は他の手段によって夫
々が切断されるものであって、冗長横列や縦列をそれら
が関連しているアレイの横列や縦列と交換ができる。若
し望むらくは、その交差回路を、冗長横列が図中上半部
の2個のアレイIOAと10Bのいずれかの修理に割り
当てできるように配することはさして困難なことではな
い。交差方法には様々なものがあるが、それらは公知で
あり、しかも本発明とは類似ではない。
同様に、長方形のセルアレイを、第1B図に示したよう
に半導体基板上に配することもできる。2個の上側のア
レイ16A、16Bが4個の冗長縦列メモリーセルから
なるグループ18Aを分有しており、また、下側のアレ
イ160,16Dが、4つの冗長縦列メモリーセルから
なるグループ180を分有している。
に半導体基板上に配することもできる。2個の上側のア
レイ16A、16Bが4個の冗長縦列メモリーセルから
なるグループ18Aを分有しており、また、下側のアレ
イ160,16Dが、4つの冗長縦列メモリーセルから
なるグループ180を分有している。
この配列において、グループ18Aの冗長縦列の1つが
1つまたはそれ以上の欠陥セルを有するアレイ16Aの
縦列と交換されると、それに応じて欠陥セルがあるかど
うかに関係なくアレイ16Bの縦列も同じ冗長縦列によ
って交換されることになる。冗長縦列18Aと冗長横列
20A、20B、200,20Dが割り当てられるアレ
イL6Aと1iSBに対する修理情報は、あたかもアレ
イ16Aの欠陥パターンがアレイ16Bの欠陥パターン
に重畳したかのように提起される。
1つまたはそれ以上の欠陥セルを有するアレイ16Aの
縦列と交換されると、それに応じて欠陥セルがあるかど
うかに関係なくアレイ16Bの縦列も同じ冗長縦列によ
って交換されることになる。冗長縦列18Aと冗長横列
20A、20B、200,20Dが割り当てられるアレ
イL6Aと1iSBに対する修理情報は、あたかもアレ
イ16Aの欠陥パターンがアレイ16Bの欠陥パターン
に重畳したかのように提起される。
第1C図に、他の例としてアレイとそれに対応する横列
及び縦列の配置江を示した。
及び縦列の配置江を示した。
第1D図に8個のアレイ22Aを示す、それらの各個に
は修理用として2個の冗長縦列24Aを設けである。こ
のバイトワイド設計では、いずれかのバイトの8ビツト
の夫々がアレイ22Aの異なった1つに入っている。2
個の冗長横列26Aが、8個のアレイ22Aの全てに同
一記号を付された横列と交換されることによってアレイ
22Aのいずれに欠陥セルがあっても交換される。冗長
横列26Bは第2のバイトワイドアレイ22Aの修理に
も、また第2のバイトワイドグループアレイ22Bの修
理にも使え、冗長横列26Aは同様にアレイ22Bの修
理用にも使える。
は修理用として2個の冗長縦列24Aを設けである。こ
のバイトワイド設計では、いずれかのバイトの8ビツト
の夫々がアレイ22Aの異なった1つに入っている。2
個の冗長横列26Aが、8個のアレイ22Aの全てに同
一記号を付された横列と交換されることによってアレイ
22Aのいずれに欠陥セルがあっても交換される。冗長
横列26Bは第2のバイトワイドアレイ22Aの修理に
も、また第2のバイトワイドグループアレイ22Bの修
理にも使え、冗長横列26Aは同様にアレイ22Bの修
理用にも使える。
元々の横列にある欠陥を修理するのに冗長横列を割り当
てることは、成る情況下では、特に本装置用の可能な修
理案について不可欠の部分である。1横列上の欠陥セル
の数が、修理可能な冗長縦列の数を上回る場合、これら
のセルのは1問題の横列上の欠陥セルの各々が異なった
Y座標を有し、従ってもし修理を縦列lこよって行おう
とすれば欠陥セルの各々が各々異なった横列縦列が必要
となるということをみればよく判るであろう。しかしな
がら、全部の欠陥セルを修理し切るだけ充分な冗長縦列
はない。従って冗長縦列は、そのような種類の欠陥類型
に不適であり、冗長横列が割り当てられる修理案では不
可欠のステップである。冗長横列は従って。
てることは、成る情況下では、特に本装置用の可能な修
理案について不可欠の部分である。1横列上の欠陥セル
の数が、修理可能な冗長縦列の数を上回る場合、これら
のセルのは1問題の横列上の欠陥セルの各々が異なった
Y座標を有し、従ってもし修理を縦列lこよって行おう
とすれば欠陥セルの各々が各々異なった横列縦列が必要
となるということをみればよく判るであろう。しかしな
がら、全部の欠陥セルを修理し切るだけ充分な冗長縦列
はない。従って冗長縦列は、そのような種類の欠陥類型
に不適であり、冗長横列が割り当てられる修理案では不
可欠のステップである。冗長横列は従って。
その条件を充たすに充分なデータが収集されるや否や自
動的に割り当てされる。高速度冗長性プロセッサーがこ
れを行うのである。
動的に割り当てされる。高速度冗長性プロセッサーがこ
れを行うのである。
高速度冗長性プロセッサーには16個のプログラムがで
きる捕獲回路26が備えてあり、そのうちの1個の略図
が第2図に示しである。
きる捕獲回路26が備えてあり、そのうちの1個の略図
が第2図に示しである。
(図面を通して使用されている論理記号はこの分野で標
準的なものである。図中” W E ”は書込可能、−
ws”はwrite 5trobeを意味する。)公知
の回路やその機能の説明は省略した。装置全体としては
高速度冗長性プロセッサー回路のみならず、他のプロー
ブ、パターンジェネレータ。
準的なものである。図中” W E ”は書込可能、−
ws”はwrite 5trobeを意味する。)公知
の回路やその機能の説明は省略した。装置全体としては
高速度冗長性プロセッサー回路のみならず、他のプロー
ブ、パターンジェネレータ。
スクラッチバンドメモリー等の部品をも示しである。そ
れらのうちのある部分は1発明をよりよく理解してもら
うために、第8図にも示しである。1個又はそれ以上の
本装置上に16個のアレイが、同時テスト用に設置し得
るが、1個のアレイのみが補助装置のいずれかと連結で
きる。夫々が捕獲回路26で例示したように、それ自身
の捕獲回路を備えている。捕獲回路は、本装置とそのア
レイのトポロジイに合致するように配置されている。記
載されている実施例の本装置のセルは、テストに都合が
よいように順番に配列されている。
れらのうちのある部分は1発明をよりよく理解してもら
うために、第8図にも示しである。1個又はそれ以上の
本装置上に16個のアレイが、同時テスト用に設置し得
るが、1個のアレイのみが補助装置のいずれかと連結で
きる。夫々が捕獲回路26で例示したように、それ自身
の捕獲回路を備えている。捕獲回路は、本装置とそのア
レイのトポロジイに合致するように配置されている。記
載されている実施例の本装置のセルは、テストに都合が
よいように順番に配列されている。
高速度冗長性プロセッサーはアルゴリズムを完成し、そ
れによって、セルの実際のテスト時間が進行していると
き、そのプロセッサーが冗長横列の割り当てによっての
み修理される欠陥セルの将来の修理用に冗長横列を割り
当てる。
れによって、セルの実際のテスト時間が進行していると
き、そのプロセッサーが冗長横列の割り当てによっての
み修理される欠陥セルの将来の修理用に冗長横列を割り
当てる。
そして冗長縦列の割り当てによってのみ修理される欠陥
セルの将来の修理用に冗長縦列を割り当てる。捕獲回路
26が、あるアレイが、関連する修理用部品が修正し得
るより多くの欠陥セルを有していると信号を受取ったと
表示したとき、テストは中止され1本装置はりジェクト
信号を発生するであろう。
セルの将来の修理用に冗長縦列を割り当てる。捕獲回路
26が、あるアレイが、関連する修理用部品が修正し得
るより多くの欠陥セルを有していると信号を受取ったと
表示したとき、テストは中止され1本装置はりジェクト
信号を発生するであろう。
実際の時間のテストアルゴリズムには、バッファーレジ
スター52.54を捉えるため各欠陥セルのアドレス座
標を表わすこと、そのアドレス座標を他の情報と比較す
ること、そしである場合には欠陥セルに冗長横列又は縦
列を割り当てることが含まれる。このような割り当てを
自動割り当てと言う。自動割り当てを行う際装置前は。
スター52.54を捉えるため各欠陥セルのアドレス座
標を表わすこと、そのアドレス座標を他の情報と比較す
ること、そしである場合には欠陥セルに冗長横列又は縦
列を割り当てることが含まれる。このような割り当てを
自動割り当てと言う。自動割り当てを行う際装置前は。
修理されるべき欠陥セルの1つのアドレス座標を欠陥レ
ジスター28 、’30の中へ受け入れ、自動割り当て
が行われた旨表示するために、対応状況をキャッチバッ
ファースティタス回路55,57のビソトヘセットする
。
ジスター28 、’30の中へ受け入れ、自動割り当て
が行われた旨表示するために、対応状況をキャッチバッ
ファースティタス回路55,57のビソトヘセットする
。
本装置によるテスト開始前に、欠陥素子レジスター28
.30と、キャッチバッファー32 、34の全ての場
所が、それらの全ての段階で1を含むようにするため明
瞭化すなわち開始状態にされる。これが各場所に−16
いて1機能をテスト中に受けるどのアドレスよりも大き
い非常に大きなアドレスを刺激する。
.30と、キャッチバッファー32 、34の全ての場
所が、それらの全ての段階で1を含むようにするため明
瞭化すなわち開始状態にされる。これが各場所に−16
いて1機能をテスト中に受けるどのアドレスよりも大き
い非常に大きなアドレスを刺激する。
本装置の各セルは連続してテストされるので。
欠陥を表示するX、X座標はキャッチバッファ喰
−32,54に捕捉される。横列キャッチバッファー5
2には複数の登録場所があり、その各々が12ビツトの
広さである。縦列キャッチバッファー34は横列キャッ
チバッファー32と同一である(そしてそれらは欠陥レ
ジスター28.30に非常によく類似している)。それ
らの全てがで示す多くのフリップフロップの各々は、長
方形の左上部角近辺にデータ入力端子りを、左上部角近
辺にクロック入力端子を、そしてその右側面に出力端子
Qを有している。端子Cにクロック信号が入力されると
、フリップフロップが、端子りのデータに依存状態に入
る。フリップフロップの状態は、出力端子Qでの信号に
よって表示される。
2には複数の登録場所があり、その各々が12ビツトの
広さである。縦列キャッチバッファー34は横列キャッ
チバッファー32と同一である(そしてそれらは欠陥レ
ジスター28.30に非常によく類似している)。それ
らの全てがで示す多くのフリップフロップの各々は、長
方形の左上部角近辺にデータ入力端子りを、左上部角近
辺にクロック入力端子を、そしてその右側面に出力端子
Qを有している。端子Cにクロック信号が入力されると
、フリップフロップが、端子りのデータに依存状態に入
る。フリップフロップの状態は、出力端子Qでの信号に
よって表示される。
横列キャッチバッファ−32と縦列キャッチバッファー
64は、ポインターシフトレジスター40を共通にして
いる。これは横列/縦列ポインターと呼ばれ1回路を読
み易くするため第2図の対向側に一実線と点線で描かれ
ている。横列/M1列ポインターは当初、唯その初期段
階の作動のみを行い、その後計時される毎にそのポイン
ターの日付が移動して、横列キャッチバッファー32と
縦列キャッチバッファー34の次のより高次の場所を可
能にする。横列、縦列ポインターで可能となる横列キャ
ッチバッファーと縦列キャソチバップアーの場所は、そ
のアドレスが1捕獲”されている1つの欠陥セルのXX
座標をそれぞれ保存した位置を示す。欠陥縦列レジスタ
ー50と、縦列キャッチパンファー34とそれと連結さ
れる装置は、対応する横列装置と同一(M列についても
同様に作動する)である。
64は、ポインターシフトレジスター40を共通にして
いる。これは横列/縦列ポインターと呼ばれ1回路を読
み易くするため第2図の対向側に一実線と点線で描かれ
ている。横列/M1列ポインターは当初、唯その初期段
階の作動のみを行い、その後計時される毎にそのポイン
ターの日付が移動して、横列キャッチバッファー32と
縦列キャッチバッファー34の次のより高次の場所を可
能にする。横列、縦列ポインターで可能となる横列キャ
ッチバッファーと縦列キャソチバップアーの場所は、そ
のアドレスが1捕獲”されている1つの欠陥セルのXX
座標をそれぞれ保存した位置を示す。欠陥縦列レジスタ
ー50と、縦列キャッチパンファー34とそれと連結さ
れる装置は、対応する横列装置と同一(M列についても
同様に作動する)である。
実際のタイムテストが多くのセルについて終了して後、
横列キャッチバッファー52のいくつかの場所に、欠陥
セルのアドレスのX座標部を含むことがある。これらの
X座標は、新規に欠陥セルが見つかる毎に入るX座標と
比較される。
横列キャッチバッファー52のいくつかの場所に、欠陥
セルのアドレスのX座標部を含むことがある。これらの
X座標は、新規に欠陥セルが見つかる毎に入るX座標と
比較される。
横列キャッチバッファー32は論理回路49(第7図)
を含み、それぞれの場所に蓄えられた内容を4線42上
のアドレスラグレジスター46から入る欠陥セルのアド
レスと同時的に比較する。横列キャッチバッファーの各
場所は。
を含み、それぞれの場所に蓄えられた内容を4線42上
のアドレスラグレジスター46から入る欠陥セルのアド
レスと同時的に比較する。横列キャッチバッファーの各
場所は。
それ自体の独立した比較回路49と比較出力回路53を
有する。(比較出力回路は横列/縦列ポインター40の
アドレスから独立している。)横列キャッチバッファー
の1つの内容が入ってくる欠陥アドレスと合致すると必
ず、対応比較回路が出力信号を発する。
有する。(比較出力回路は横列/縦列ポインター40の
アドレスから独立している。)横列キャッチバッファー
の1つの内容が入ってくる欠陥アドレスと合致すると必
ず、対応比較回路が出力信号を発する。
キャッチバッファー32の全比較回路49の出力は、横
列キャッチバッファーサマー(60)を供給する高速デ
ジタルアナログ変換器(DAC) 56(第2図)へ連
結されており、導線64にアナログ出力信号を発生させ
る。その場合、その電圧は、新規に発見された欠陥セル
のアドレス(42)に合致する内容を備えた。横列キャ
ッチバッファーの場所の数の機能である。このようにア
ナログサマー60の出力は、入ってくる欠陥アドレスに
、どれだけの数の比較回路出力53が合致するかを示す
。
列キャッチバッファーサマー(60)を供給する高速デ
ジタルアナログ変換器(DAC) 56(第2図)へ連
結されており、導線64にアナログ出力信号を発生させ
る。その場合、その電圧は、新規に発見された欠陥セル
のアドレス(42)に合致する内容を備えた。横列キャ
ッチバッファーの場所の数の機能である。このようにア
ナログサマー60の出力は、入ってくる欠陥アドレスに
、どれだけの数の比較回路出力53が合致するかを示す
。
捕獲アレイ26には、スペア縦列カウンター52とスペ
ア横列カウンター54とが含まれる。
ア横列カウンター54とが含まれる。
このスペアカウンターは、実際のタイムテスト前lこパ
ターンジェネレーター45から先ず負荷を受けるが、冗
長横列と縦列の数を最初同じにしておく。スペア縦列カ
ウンター52は、修理に割り当てできる縦夕11の数を
示すデジタル出力を縦列カウンターデジタルアナログ変
換器68へ伝達する。この変換器6日は縦列カウンター
サマー70と共jIi+、1 j、て、横列比較増幅器
66の逆端子に接続されている導線72に出力を発生さ
せる。上述したようにサマー6oの出力は。
ターンジェネレーター45から先ず負荷を受けるが、冗
長横列と縦列の数を最初同じにしておく。スペア縦列カ
ウンター52は、修理に割り当てできる縦夕11の数を
示すデジタル出力を縦列カウンターデジタルアナログ変
換器68へ伝達する。この変換器6日は縦列カウンター
サマー70と共jIi+、1 j、て、横列比較増幅器
66の逆端子に接続されている導線72に出力を発生さ
せる。上述したようにサマー6oの出力は。
横列比較増幅器66内で、末だ割り当てられていない冗
長縦列の数と比較される。合致する横列の数が割り当て
られていない冗長縦列の数と比較されるてとに注意しな
ければならない。
長縦列の数と比較される。合致する横列の数が割り当て
られていない冗長縦列の数と比較されるてとに注意しな
ければならない。
オフセット調整ポテンショメーター74と76(第5図
)は導線64の電圧信号が導線72での電圧信号と同じ
か超えるかしたとき、横列比較増幅器66が冗長横列の
自動割り当てを開始する非道出力端子78に出力信号を
発生させる。
)は導線64の電圧信号が導線72での電圧信号と同じ
か超えるかしたとき、横列比較増幅器66が冗長横列の
自動割り当てを開始する非道出力端子78に出力信号を
発生させる。
この現象は、スペア縦列カウンター52の出力がキャッ
チバッファーデジタルアナログ変換器56の出力と同じ
になったとき及び横列において欠陥セルが更に検出され
たときに生じる。
チバッファーデジタルアナログ変換器56の出力と同じ
になったとき及び横列において欠陥セルが更に検出され
たときに生じる。
横列からの自動割り当ての際、スペア横列カウンター5
4はORのゲート82を介して横列比較増幅器66の逆
出力からの信号によって1カウントだけ数を減じる。ス
ペア横列カウンター54はその後、依然として冗長横列
の供給が可能なのでバランスのとれた数少ない冗長横列
を示す。
4はORのゲート82を介して横列比較増幅器66の逆
出力からの信号によって1カウントだけ数を減じる。ス
ペア横列カウンター54はその後、依然として冗長横列
の供給が可能なのでバランスのとれた数少ない冗長横列
を示す。
第2図の捕獲回路26には欠陥横列レジスター28と、
第7図に示したように欠陥縦列レジスター30とを含む
。欠陥横列レジスター28は、そのいずれもが12ビツ
トでありかつ本装置の欠陥セルのアドレスの横列座標(
X座標)を貯蔵できる複数の貯蔵場所からなる。
第7図に示したように欠陥縦列レジスター30とを含む
。欠陥横列レジスター28は、そのいずれもが12ビツ
トでありかつ本装置の欠陥セルのアドレスの横列座標(
X座標)を貯蔵できる複数の貯蔵場所からなる。
捕獲回路26はまた。シフトレジスター56(第7図)
を有し、これは欠陥横列ポインターと呼ばれ、同じシフ
トレジスター38は欠陥縦列ポインターと呼ばれる。こ
れらはそれぞれ欠陥横列レジスター2B及び欠陥縦列レ
ジスター30と関連し、ポインターの各段階が欠陥レジ
スターのアドレス場所の1つに対応する。ポインター5
6 、38は最初に、それらの第1段階の場所のみを設
定するようにクリアーされる。欠陥横列ポインクー56
又は縦列ポインター38が計時される毎に、その表示日
向が1段階毎に変り、対応欠陥素子レジスターの続く数
多くの場所が可能となる。欠陥横列ポインター36と。
を有し、これは欠陥横列ポインターと呼ばれ、同じシフ
トレジスター38は欠陥縦列ポインターと呼ばれる。こ
れらはそれぞれ欠陥横列レジスター2B及び欠陥縦列レ
ジスター30と関連し、ポインターの各段階が欠陥レジ
スターのアドレス場所の1つに対応する。ポインター5
6 、38は最初に、それらの第1段階の場所のみを設
定するようにクリアーされる。欠陥横列ポインクー56
又は縦列ポインター38が計時される毎に、その表示日
向が1段階毎に変り、対応欠陥素子レジスターの続く数
多くの場所が可能となる。欠陥横列ポインター36と。
欠陥縦列ポインター58とは独立に計時される。
冗長横列が交換のために割り当てられる欠陥オリジナル
横列を特定するために、導線42上の最新に特定された
欠陥素子のアドレスの横列部分が、欠陥横列レジスター
28の一つの場所に自動割り当てされるとすぐ記載され
る。記載指令は、端子80から欠陥横列I/レジスター
8に入り、欠陥横列ポインター56を計時して欠陥横列
レジスターの次の空き場所を可能にする。
横列を特定するために、導線42上の最新に特定された
欠陥素子のアドレスの横列部分が、欠陥横列レジスター
28の一つの場所に自動割り当てされるとすぐ記載され
る。記載指令は、端子80から欠陥横列I/レジスター
8に入り、欠陥横列ポインター56を計時して欠陥横列
レジスターの次の空き場所を可能にする。
上述のように横列に対して自動割り当てした後、同一の
横列で続いて発見された欠陥を考慮する必要はない、と
いうのも装置はそのようなデータをブロックするよう設
計されている。アレイ状態と自動割り当てが第4図の遮
蔽論理回路を比較し、すでに自動割り当てで処理済の座
標がその後の比較時において隙害にならないようにする
。明瞭に判るように、4ステイタスフリツプフロツプ9
5と、4ステイタスフリツプフロツプ97のみが示され
ている。これらはそれぞれ横列キャッチバッファー52
の4つの場所と縦列キャッチバッファー34の4つの場
所に対応している。各フリップフロップの端子Sはフリ
ップフロップをセットし、端子几はリセットする。端子
Q及びQはそれぞれフリップフロップの状態を示す正逆
出力端子である。
横列で続いて発見された欠陥を考慮する必要はない、と
いうのも装置はそのようなデータをブロックするよう設
計されている。アレイ状態と自動割り当てが第4図の遮
蔽論理回路を比較し、すでに自動割り当てで処理済の座
標がその後の比較時において隙害にならないようにする
。明瞭に判るように、4ステイタスフリツプフロツプ9
5と、4ステイタスフリツプフロツプ97のみが示され
ている。これらはそれぞれ横列キャッチバッファー52
の4つの場所と縦列キャッチバッファー34の4つの場
所に対応している。各フリップフロップの端子Sはフリ
ップフロップをセットし、端子几はリセットする。端子
Q及びQはそれぞれフリップフロップの状態を示す正逆
出力端子である。
1つの座標が自動割り当てされると、対向する全てのそ
の値の同じ座標が識別され、その後発生する欠陥座標と
比較されることのないようにされる。例えば、いま1つ
の冗長横列がある横列(X=3)の修理用に自動割り当
てされる走した場合、すでに横列キャッチバッファーの
場所にX−3という複数の欠陥アドレスがあることにな
る。(これらが上記の“その値の同一座標”である。)
これらの欠陥アドレスのそれぞれには、Y座標もあり、
それが縦列キャッチバッファー34の同一数字に貯蔵さ
れている。
の値の同じ座標が識別され、その後発生する欠陥座標と
比較されることのないようにされる。例えば、いま1つ
の冗長横列がある横列(X=3)の修理用に自動割り当
てされる走した場合、すでに横列キャッチバッファーの
場所にX−3という複数の欠陥アドレスがあることにな
る。(これらが上記の“その値の同一座標”である。)
これらの欠陥アドレスのそれぞれには、Y座標もあり、
それが縦列キャッチバッファー34の同一数字に貯蔵さ
れている。
(これらが上記の“対向座標”である。)自動割り当て
では、その値(即ち、3)の同じ(即ちX)座標を有す
る欠陥の全てを処理する。従ってそれらの欠陥は、その
後の修理情報を特定するにあたってその部分を対象にし
なくて済むように遮蔽すべきである。従って、それらの
修正された欠陥の対向(すなわち、Y)座標は。
では、その値(即ち、3)の同じ(即ちX)座標を有す
る欠陥の全てを処理する。従ってそれらの欠陥は、その
後の修理情報を特定するにあたってその部分を対象にし
なくて済むように遮蔽すべきである。従って、それらの
修正された欠陥の対向(すなわち、Y)座標は。
続いて発見される欠陥に対して比較しないよう遮蔽され
ねばならない。フリップフロップ95゜97の1つがセ
ットされると、その出力が以後の比較を上記したように
阻止するのである。
ねばならない。フリップフロップ95゜97の1つがセ
ットされると、その出力が以後の比較を上記したように
阻止するのである。
1つの横列の自ルb割り当て信号が発生(即ち低くなる
)すると、IIJj99で(第4図)S端子105で0
である打消されたORゲート1o1のいずれもが1の出
力を発生する。この出力が関連するフリップフロップ9
7をセットする。端子101での信号は横列キャッチバ
ッファー32の比較出力からそこへ出てくるそして横列
キャッチバッファーの各場所に対して貯蔵されたX座標
が自動割り当てされたアドレスのX座標に合致するかど
うか意味づける。
)すると、IIJj99で(第4図)S端子105で0
である打消されたORゲート1o1のいずれもが1の出
力を発生する。この出力が関連するフリップフロップ9
7をセットする。端子101での信号は横列キャッチバ
ッファー32の比較出力からそこへ出てくるそして横列
キャッチバッファーの各場所に対して貯蔵されたX座標
が自動割り当てされたアドレスのX座標に合致するかど
うか意味づける。
セットされると、フリップフロップ97は出力端子Qに
1の信号を発生させる。この信号はワイアORを通って
対応縦列キャッチバッファー比較出力の出力と連結され
る。これが縦列キャッチパンファーの場所に対して遮蔽
信号を発生させる。
1の信号を発生させる。この信号はワイアORを通って
対応縦列キャッチバッファー比較出力の出力と連結され
る。これが縦列キャッチパンファーの場所に対して遮蔽
信号を発生させる。
またセットされたフリップフロップ97は逆出力(Q)
端子にφ信号を発生させる。キャッチバッファーレジス
ターの同じ数の場所に対応するフリップフロップ97又
は95のいずれかがセットされると1両方のフリップフ
ロップから信号を受けるANDゲート105は出力φを
発生する。その出力の結合は、テストされるアレイの適
合状態の存在又は不存在を表すワイアOR回路の数個の
入力の1つである。このワイアOR回路の出力は、全て
のアレイが適合状態を有するかどうかを示すため1本装
置の他のアレイからの同様の信号と共に採用されている
。
端子にφ信号を発生させる。キャッチバッファーレジス
ターの同じ数の場所に対応するフリップフロップ97又
は95のいずれかがセットされると1両方のフリップフ
ロップから信号を受けるANDゲート105は出力φを
発生する。その出力の結合は、テストされるアレイの適
合状態の存在又は不存在を表すワイアOR回路の数個の
入力の1つである。このワイアOR回路の出力は、全て
のアレイが適合状態を有するかどうかを示すため1本装
置の他のアレイからの同様の信号と共に採用されている
。
仮に自動割り当てされた欠陥アドレスが再び提起される
と、比較出力83(第7図)が低下し、横列インバータ
論理回路84(第2図)の出力が高くなる。これによっ
て、キャッチバッファー32と34.そしてそれらのポ
インター(ORゲート86.88.90経由)及び欠陥
レジスター28.!10そしてそれらのポインター(O
Rゲート92.94 経由)が不能となる。このように
して続いて起る欠陥のアドレス座標が1着しすでにその
いずれか1つの座標が自動割り当てによって処理されて
いるなら、その後の処理に対しては遮蔽される。
と、比較出力83(第7図)が低下し、横列インバータ
論理回路84(第2図)の出力が高くなる。これによっ
て、キャッチバッファー32と34.そしてそれらのポ
インター(ORゲート86.88.90経由)及び欠陥
レジスター28.!10そしてそれらのポインター(O
Rゲート92.94 経由)が不能となる。このように
して続いて起る欠陥のアドレス座標が1着しすでにその
いずれか1つの座標が自動割り当てによって処理されて
いるなら、その後の処理に対しては遮蔽される。
若しテストが進み1元の横列の欠陥を修理するために冗
長横列を割り当てする必要が生じ。
長横列を割り当てする必要が生じ。
更にその冗長横列の供給が使い尽くされているとすると
、装置は本装置が修理不能であると検知し、テストの中
止信号を発する。同様に、冗長縦列への要求は若しスペ
ア縦列カウンターがすでに冗長縦列が不可能であると表
示していれば、テスト中止の原因をなす。この特徴は第
2図、第6図のスペア横列カウンター54に図示しであ
る。スペア横列カウンターのカウンテングモジュール9
6は、端子Do、DI、D2にデータを供給することに
よって、冗長横列の数まで予め負荷がかけられている。
、装置は本装置が修理不能であると検知し、テストの中
止信号を発する。同様に、冗長縦列への要求は若しスペ
ア縦列カウンターがすでに冗長縦列が不可能であると表
示していれば、テスト中止の原因をなす。この特徴は第
2図、第6図のスペア横列カウンター54に図示しであ
る。スペア横列カウンターのカウンテングモジュール9
6は、端子Do、DI、D2にデータを供給することに
よって、冗長横列の数まで予め負荷がかけられている。
この開始時の値はクロック端子98に加えられるパルス
で減少される。カウンターの種々の段階の出力は端子Q
OtQ1.Q2からスペアカウンターデジタルアナログ
変換器68(第5図)へと、更に同様に、その出力端子
100が打消されたORゲート102に接続されている
ワイアOR回路97へと接続されている。ゲート102
の第2の入力はクロック端子98に接続されている。モ
ジュール96の全ゆる段階が零を含むときは、端子10
0での信号は0である。もし、端子98でクロツクパル
スが低下し、予備横列を再度必要とするならば、打消さ
れたORゲート102の出力は上昇する。これは未熟信
号であって、テストを終了奉萎≠は、最高度の洗練をも
ってする。ポストテストデータ処理をもってしても修理
し得ない多くの欠陥を有する。従ってそのセルのテスト
においてはそのような絶望的状況に特に気をつけ、仮に
修理指示が不能ということが明らかとなったときにはテ
ストを中止する。こういうことは、バッファーによって
検知された欠陥の数が、冗長横列及び冗長縦列の数によ
って修理され得る最大限の数を越えるときに生起する。
で減少される。カウンターの種々の段階の出力は端子Q
OtQ1.Q2からスペアカウンターデジタルアナログ
変換器68(第5図)へと、更に同様に、その出力端子
100が打消されたORゲート102に接続されている
ワイアOR回路97へと接続されている。ゲート102
の第2の入力はクロック端子98に接続されている。モ
ジュール96の全ゆる段階が零を含むときは、端子10
0での信号は0である。もし、端子98でクロツクパル
スが低下し、予備横列を再度必要とするならば、打消さ
れたORゲート102の出力は上昇する。これは未熟信
号であって、テストを終了奉萎≠は、最高度の洗練をも
ってする。ポストテストデータ処理をもってしても修理
し得ない多くの欠陥を有する。従ってそのセルのテスト
においてはそのような絶望的状況に特に気をつけ、仮に
修理指示が不能ということが明らかとなったときにはテ
ストを中止する。こういうことは、バッファーによって
検知された欠陥の数が、冗長横列及び冗長縦列の数によ
って修理され得る最大限の数を越えるときに生起する。
例えば、仮に冗長横列と縦列の二つとも当初修理可能状
態にあるとするならば、装置は、横列/縦列キャッチバ
ッファーポインターが8となったとき及びその後、更に
もう1つの記載さるべき欠陥が検知されたとき本装置の
テストに失敗するであろう。テスト不成功との信号なし
にバッファーポインターの最大深さが式TFt=N(s
n、+sc)で決定される。式中。
態にあるとするならば、装置は、横列/縦列キャッチバ
ッファーポインターが8となったとき及びその後、更に
もう1つの記載さるべき欠陥が検知されたとき本装置の
テストに失敗するであろう。テスト不成功との信号なし
にバッファーポインターの最大深さが式TFt=N(s
n、+sc)で決定される。式中。
TE−バッファーで検知された欠陥の数N −冗長横列
の初期可能数又は冗長縦列の初期可能数。どちらか大き
い方。
の初期可能数又は冗長縦列の初期可能数。どちらか大き
い方。
SR=冗長横列の初期可能数
SO=冗長縦列の初期可能数
実施例において、この不成功信号は横列/縦列ポインタ
ー40と関連した。第7図に示した打消されたORゲー
ト105によって出される。バッファー内のアドレス数
が8のとき、ポインター40の最終段階には8カウント
の信号が含まれ、引続きORゲート107に生じる信号
がバッファー内にデーターを書き込めとの指令とともに
、ゲート105に不成功信号を発信させる。
ー40と関連した。第7図に示した打消されたORゲー
ト105によって出される。バッファー内のアドレス数
が8のとき、ポインター40の最終段階には8カウント
の信号が含まれ、引続きORゲート107に生じる信号
がバッファー内にデーターを書き込めとの指令とともに
、ゲート105に不成功信号を発信させる。
本装置のテストの終了時に欠陥セルの全てが自動割り当
てを受けない場合には、実際のタイムテストのアルゴリ
ズムは完全な修理指示を発したことにはならない。自動
割り当て後、欠陥横列レジスター28は、修理に役立つ
スペア縦列の数よりも多くの欠陥を有する横列のアドレ
スを保有している。若し実際のテスト時間中に本装置は
修理不能との決定的証拠がない場合。
てを受けない場合には、実際のタイムテストのアルゴリ
ズムは完全な修理指示を発したことにはならない。自動
割り当て後、欠陥横列レジスター28は、修理に役立つ
スペア縦列の数よりも多くの欠陥を有する横列のアドレ
スを保有している。若し実際のテスト時間中に本装置は
修理不能との決定的証拠がない場合。
テストデータのポストテスト処理が要請される。
若し、全ての欠陥セルが自動割り当てによって処理済で
あれば、ポストデータ処理は不要である。
あれば、ポストデータ処理は不要である。
欠陥横列レジスタ28及び欠陥縦列レジスタ50(及び
予備カウンタ52,54)の内容に関する情報は、実時
間試験後、外部バスを通じてパターン発生器45に入れ
られる。捕獲回路26の状態に関する情報がパターン発
生器に戻されると、欠陥横列レジスタのそれぞれの位置
に対応する記憶段は中止状態を表わすビットを含む。
予備カウンタ52,54)の内容に関する情報は、実時
間試験後、外部バスを通じてパターン発生器45に入れ
られる。捕獲回路26の状態に関する情報がパターン発
生器に戻されると、欠陥横列レジスタのそれぞれの位置
に対応する記憶段は中止状態を表わすビットを含む。
アレイのすべての中止状態ビットが1であれば。
それはそのアレイが、修理不能のためり、UT試験を中
止せざるを得なかった原因であるということを表わす。
止せざるを得なかった原因であるということを表わす。
このことは品質管理分析にあたり役立つものである。
横列キャッチバッファー32の内容に関する情報は外部
バス51を通じてパターン発生器45に入れられる。
バス51を通じてパターン発生器45に入れられる。
横列キャッチバッファーのそれぞれのアドレス位置は、
対応する縦列キャッチバッファーのアドレス位置と状態
ビットを共有する。もしく横列キャッチバッファーに記
憶された)横列座標か(縦列キャッチバッファーに記憶
された)対応する縦列座標のいずれかが自動割り当てに
関与すると、その共通の状態ビットはゼロに設定される
。これによりパターン発生器45は。
対応する縦列キャッチバッファーのアドレス位置と状態
ビットを共有する。もしく横列キャッチバッファーに記
憶された)横列座標か(縦列キャッチバッファーに記憶
された)対応する縦列座標のいずれかが自動割り当てに
関与すると、その共通の状態ビットはゼロに設定される
。これによりパターン発生器45は。
DUTが修理命令を完全に明示するためポスト試験デー
タ処理を必要とするか否か実時間試験のおわりに素早く
決定することができる。
タ処理を必要とするか否か実時間試験のおわりに素早く
決定することができる。
ポスト試験データ処理のために必要とされる時間は、一
般に行われているビット・マツピング(bit map
ping)のような従来の技術を用いた場合に較べてか
なり短い。それというのも、多くのアレイ中の欠陥セル
位置のいくらかは実時間に処理され、その結果ポスト試
験データ処理時にはずっと少ない位置が処理すべきもの
として残ることとなるからである。
般に行われているビット・マツピング(bit map
ping)のような従来の技術を用いた場合に較べてか
なり短い。それというのも、多くのアレイ中の欠陥セル
位置のいくらかは実時間に処理され、その結果ポスト試
験データ処理時にはずっと少ない位置が処理すべきもの
として残ることとなるからである。
高速度冗長プロセッサーと関連づけられた補助ボタ3r
生器45(第8図)はX下限、X上限、Y下限及びX上
限レジスタと呼ばれる限界レジスタを含む。パターン発
生器45が、アレイのX及びY下限に等しいかあるいは
より大きい、またそのアレイのX及びX上限に等しいか
あるいはより小さいアドレスを出力すると、対応する捕
獲回路26は障害データを実時間試験中に捕獲すること
ができる。限界レジスタ値(瓜実時間試験開始前に外部
バス51を通じてパターン発生器45に入れることがで
きる。
生器45(第8図)はX下限、X上限、Y下限及びX上
限レジスタと呼ばれる限界レジスタを含む。パターン発
生器45が、アレイのX及びY下限に等しいかあるいは
より大きい、またそのアレイのX及びX上限に等しいか
あるいはより小さいアドレスを出力すると、対応する捕
獲回路26は障害データを実時間試験中に捕獲すること
ができる。限界レジスタ値(瓜実時間試験開始前に外部
バス51を通じてパターン発生器45に入れることがで
きる。
キャッチ・バッファー及び欠陥レジスタに入力すべく意
図されたアドレスデータは、導線42 、44を通じて
、第8図にブロック「遅延」として示したアドレス遅延
レジスタ46からこれらに入る。アドレス遅延レジスタ
は、アドレスデータ発生器48(第8図)により出力さ
れるアドレスの転送を、少なくともそのアドレスのセル
の試験の結果障害があるか否か決定するまで遅らせる。
図されたアドレスデータは、導線42 、44を通じて
、第8図にブロック「遅延」として示したアドレス遅延
レジスタ46からこれらに入る。アドレス遅延レジスタ
は、アドレスデータ発生器48(第8図)により出力さ
れるアドレスの転送を、少なくともそのアドレスのセル
の試験の結果障害があるか否か決定するまで遅らせる。
アドレスデータ発生器48は。
アレイのすべてのセルが試験されるまで、試験すべきア
レイの第1のセル、第2のセル、その他のセルのアドレ
スを示す、プログラム可能な回路である。
レイの第1のセル、第2のセル、その他のセルのアドレ
スを示す、プログラム可能な回路である。
パターン発生器は、高速度冗長プロセッサーと通信する
ために使用される1セツトの命令を形成するため、アド
レスパイプラインの最少有意5ビツトと共に「割り当て
指令」と呼ばれる包括的な復号を用いる。このセットは
以下の命令を含む。
ために使用される1セツトの命令を形成するため、アド
レスパイプラインの最少有意5ビツトと共に「割り当て
指令」と呼ばれる包括的な復号を用いる。このセットは
以下の命令を含む。
読み取りのみ命令:X下限、X上限、Y下限。
X上限、Xキャッチバッファーデータ、X欠陥レジスタ
データ、Yキャッチバッファーデータ。
データ、Yキャッチバッファーデータ。
Y破損レジスタデータ、予備横列カウンタ、予備縦列カ
ウンタ。
ウンタ。
指令命令:X値を割り当てよ、Y値を割り当てよ、状態
を感知せよ、ポイントをゼロにせよ。
を感知せよ、ポイントをゼロにせよ。
アレイを元に戻せ、1を割り当てよ。
同時試験可能化命令ニアレイ0を可能化せよ。
アレイ1を可能化せよ、・・・・・・アレイ15を可能
化せよ。
化せよ。
同時試験が完了するとパターン発生器45は。
回路26のような捕獲回路のキャッチバッファー、欠陥
素子レジスタ及びスペア素子カウンタレジスタを読み取
る。そしてパターン発生器は。
素子レジスタ及びスペア素子カウンタレジスタを読み取
る。そしてパターン発生器は。
アレイがポスト試験データ処理を必要とするか否かさし
示すために状態感知指命を使用する。
示すために状態感知指命を使用する。
状態信号が0であるとき、それは−回路のキャッチバッ
ファー位置のすべてが自動割り当てに関与し、そのアレ
イに関してはさらにデータ処理する必要がないことを示
す。パターン発生器は、現在のところ可能化されたアレ
イのための手続が完了したこととなるので次の記憶位置
に進む。
ファー位置のすべてが自動割り当てに関与し、そのアレ
イに関してはさらにデータ処理する必要がないことを示
す。パターン発生器は、現在のところ可能化されたアレ
イのための手続が完了したこととなるので次の記憶位置
に進む。
状態が1でic)るとき、それはアレイがポストテスト
データ処理を必要とすることを示し、プログラムは、そ
れを実行するため飛越しフィールドにより明示された位
置にまで飛越す。このように1条件付き分岐を必要とす
るパターン発生器指令フィールドの唯一の指令は状態感
知指◆である。割り当て指令17 (a)はNOP型の
命令のように行動する。すなわち、状態を感知した結果
がポストテストデータ処理をめない限り次番号のアレイ
を試験するため前進する。
データ処理を必要とすることを示し、プログラムは、そ
れを実行するため飛越しフィールドにより明示された位
置にまで飛越す。このように1条件付き分岐を必要とす
るパターン発生器指令フィールドの唯一の指令は状態感
知指◆である。割り当て指令17 (a)はNOP型の
命令のように行動する。すなわち、状態を感知した結果
がポストテストデータ処理をめない限り次番号のアレイ
を試験するため前進する。
「X値を割り当てよ」という指令は欠陥横列レジスタ中
に横列アドレスを書き込むのに使用される。この指令は
、パターン発生器により。
に横列アドレスを書き込むのに使用される。この指令は
、パターン発生器により。
ポストテストデータ処理アルゴリズムを処理している時
に発生させられ、欠陥横列が検知される。対応する「Y
値を割り当てよ」との指令は欠陥縦列レジスタに関して
使用される。
に発生させられ、欠陥横列が検知される。対応する「Y
値を割り当てよ」との指令は欠陥縦列レジスタに関して
使用される。
複数のアレイを同時に試験することが可能だとはいえ、
パターン発生器と通信している時には、 −1娼アレイ
可能化指令により選ばれた。
パターン発生器と通信している時には、 −1娼アレイ
可能化指令により選ばれた。
ただ一つのアレイの捕獲回路が可能化される。
このことは、限界レジスタにより制御されるところの欠
陥座標の捕獲に影響することはない。
陥座標の捕獲に影響することはない。
アレイ0から15の可能化指命は、「割り当てられたX
」あるいは「割り当てられたY」指令が実行されている
時にオーバーライドされ、共有が可能化される。
」あるいは「割り当てられたY」指令が実行されている
時にオーバーライドされ、共有が可能化される。
捕獲回路26がアドレスをアドレス遅延レジスタ46か
らそのレジスタのいずれかに受入れるようにするために
は以下の条件が満たされなければならない。
らそのレジスタのいずれかに受入れるようにするために
は以下の条件が満たされなければならない。
1、 アドレス遅延レジスタ46によシ提供される欠陥
アドレスは、特別な捕獲回路26のために確立されたス
タート及びストップ位相限界の間に位置しなければなら
ない。
アドレスは、特別な捕獲回路26のために確立されたス
タート及びストップ位相限界の間に位置しなければなら
ない。
2、DUTはこのアドレスで試験をするとすぐに欠陥を
現わさなければならない。また、捕獲回路は欠陥セルに
のみ関連するものである。
現わさなければならない。また、捕獲回路は欠陥セルに
のみ関連するものである。
五 アドレスデータ発生器48は、DUT中に欠陥のあ
ることを示す信号が現われた時には読み取シサイクルを
行なっていなければならない。
ることを示す信号が現われた時には読み取シサイクルを
行なっていなければならない。
プレイごとに2つの冗長横列と2つの冗長縦列とを有す
るDUTアレイに関して、本発明装置の作動例を以下に
記す。処理されるこの特定の本装置は、第5図に示す欠
陥ノくターンをつくり出す。
るDUTアレイに関して、本発明装置の作動例を以下に
記す。処理されるこの特定の本装置は、第5図に示す欠
陥ノくターンをつくり出す。
欠陥レジスタ2B、50及びキャッチノくツファーレジ
スタ52.54を元に復する。横列及び縦列予備カウン
タ52.54に2の数を負荷する。
スタ52.54を元に復する。横列及び縦列予備カウン
タ52.54に2の数を負荷する。
横列の構成要素はX座標であシ、縦列の構成要素はY座
標である。プレイの走査方向は重要ではない。テストパ
ターンをX=0、Y=0のアドレスのところから開始し
、次に単位段階ずつその最大アレイアドレスに至る増分
X1次に1だけの増分Y1そして再度0からその最大限
に至る増分X1その他へと進もう。
標である。プレイの走査方向は重要ではない。テストパ
ターンをX=0、Y=0のアドレスのところから開始し
、次に単位段階ずつその最大アレイアドレスに至る増分
X1次に1だけの増分Y1そして再度0からその最大限
に至る増分X1その他へと進もう。
最初に出合う欠陥セルアドレスはX=3、Y=0である
。これらの座標が遅延レジスタ46から欠陥横列レジス
タ2B、30及びキャッチバッファーレジスタ32.3
4に提供される時には、これらの座標が上記レジスタの
いかなる位置の内容とも一致しないことが分るだろう。
。これらの座標が遅延レジスタ46から欠陥横列レジス
タ2B、30及びキャッチバッファーレジスタ32.3
4に提供される時には、これらの座標が上記レジスタの
いかなる位置の内容とも一致しないことが分るだろう。
それというのも、すべての位置は1という明瞭な値を含
むからである。X=5は横列キャッチバッファー62の
第1の位置に書き込まれ、Y=0は縦列キャッチバッフ
ァー34に書き込まれる。
むからである。X=5は横列キャッチバッファー62の
第1の位置に書き込まれ、Y=0は縦列キャッチバッフ
ァー34に書き込まれる。
横列/縦列指示回路40の共通の指針はそれから横列及
び縦列キャッチバッファーの次の位置を可能化するため
に一段階移される。
び縦列キャッチバッファーの次の位置を可能化するため
に一段階移される。
最初の欠陥セルの座標は欠陥レジスタ28.30に書き
込まれない。なぜなら、座標X=Sも座標Y=0もどち
らも欠陥セルにより、相対する冗長素子の残りの数以上
に提供されていないからである。残余の相対する冗長素
子の数を以下相対絶対値と呼ぶ。横列キャッチバッファ
ー52の相対絶対値は予備縦列カウンタ52の内容であ
るが、それは本実施例においてはまだ初期の値である。
込まれない。なぜなら、座標X=Sも座標Y=0もどち
らも欠陥セルにより、相対する冗長素子の残りの数以上
に提供されていないからである。残余の相対する冗長素
子の数を以下相対絶対値と呼ぶ。横列キャッチバッファ
ー52の相対絶対値は予備縦列カウンタ52の内容であ
るが、それは本実施例においてはまだ初期の値である。
最初の欠陥セル106は第3図に示されている。
アドレスデータ発生器4Bは、連続的にアドレスを発生
させることにより、第6図の縦列Y=0を上から下に沿
ってセルからセルへと試験を進める。
させることにより、第6図の縦列Y=0を上から下に沿
ってセルからセルへと試験を進める。
テストパターンの過程で次に出合う欠陥セル108は、
座標X=s、Y=0を有する0もしどちらかの相対絶対
値が越されれば、X及びY座標の両方ともORゲート8
6.88及び90の作用により妨害されて、それぞれの
キャッチバッファーに書き込まれないこととなる。この
ことは、どちらの相対絶対値も越されていないのでまだ
本実施例においては現われない。X=5は横列キャッチ
バッファー52に書き込まれ、Y=0は縦列キャッチバ
ッファー34に書き込まれる。
座標X=s、Y=0を有する0もしどちらかの相対絶対
値が越されれば、X及びY座標の両方ともORゲート8
6.88及び90の作用により妨害されて、それぞれの
キャッチバッファーに書き込まれないこととなる。この
ことは、どちらの相対絶対値も越されていないのでまだ
本実施例においては現われない。X=5は横列キャッチ
バッファー52に書き込まれ、Y=0は縦列キャッチバ
ッファー34に書き込まれる。
横列/縦列キャッチバッファー指示器40は第3の位置
に進められる。
に進められる。
次の欠陥セルはX=5、Y=1のところで発見される。
相対修理及び絶対値は越されないので、X=5は横列キ
ャッチバッファーに、Y=1は縦列キャッチバッファー
に書き込まれ、横列/縦列指示器は1段階進められる。
ャッチバッファーに、Y=1は縦列キャッチバッファー
に書き込まれ、横列/縦列指示器は1段階進められる。
次の欠陥アドレスはX=5、Y=1である。
これらの座標もまたそれぞれのキャッチバッファーに書
き込まれ、バッファー指示器は再度進められる。
き込まれ、バッファー指示器は再度進められる。
次の欠陥セルは、テストパターンが座標X=6、¥=2
のところまで進んだ時に発見される(第6図のセル11
0)。X=5は、横列比較増幅器66により、その相対
絶対値よりも多くの障害を有すると認められる。なぜな
ら、配位された5はすでに横列キャッチバッファー32
の2の位置にあり、利用できるのは2の残余冗長縦列の
みであるからである。横列比較増幅器66の伸反転出カ
フ8は高く、そのため自動割り当てが現われる。端末1
12のところの書き込み可能化信号(第2図)は高くな
り、ORゲート92は、座標X=Sを導線42から欠陥
横列レジスタ28に入れる下方進行パルスを出力する。
のところまで進んだ時に発見される(第6図のセル11
0)。X=5は、横列比較増幅器66により、その相対
絶対値よりも多くの障害を有すると認められる。なぜな
ら、配位された5はすでに横列キャッチバッファー32
の2の位置にあり、利用できるのは2の残余冗長縦列の
みであるからである。横列比較増幅器66の伸反転出カ
フ8は高く、そのため自動割り当てが現われる。端末1
12のところの書き込み可能化信号(第2図)は高くな
り、ORゲート92は、座標X=Sを導線42から欠陥
横列レジスタ28に入れる下方進行パルスを出力する。
自動割り当ての間中、キャッチバッファー32.34は
両方とも、ORゲート860作用により、座標X=S及
びY=2を受け入れることを禁じられる。その相対座標
としてX=3を有するすべての縦列キャッチバッファー
位置は、第4図の遮蔽論理回路により未来比較から遮蔽
される。横列キャッチバッファー状態回路の設定の仕方
を説明しなければならない。
両方とも、ORゲート860作用により、座標X=S及
びY=2を受け入れることを禁じられる。その相対座標
としてX=3を有するすべての縦列キャッチバッファー
位置は、第4図の遮蔽論理回路により未来比較から遮蔽
される。横列キャッチバッファー状態回路の設定の仕方
を説明しなければならない。
第7図に示す回路は、欠陥横列レジスタ28及び欠陥横
列指示器56と対応する参照番号を有するが、欠陥縦列
レジスタ3o及び欠陥縦列指示器58のためには、また
、横列キャッチバッファー32、縦列キャッチバッファ
ー54、及び横列及び縦列指示器40のためには同一の
回路が用いられる。桁送りレジスタポイント56(第7
図)の出力QO1Q1 、Q2、Q3のうちの有効な出
力は、第7図において当該出力の下に引かれたそれぞれ
の論理回路の1グループをしてデータを移送することを
可能ならしめる。それぞれの前記グループは、欠陥横列
レジスタ28の12ビット記憶位置を含むが、これは交
替横列が自動割り当てされるところの元の欠陥横列のX
座標を記憶するために利用できるものである。
列指示器56と対応する参照番号を有するが、欠陥縦列
レジスタ3o及び欠陥縦列指示器58のためには、また
、横列キャッチバッファー32、縦列キャッチバッファ
ー54、及び横列及び縦列指示器40のためには同一の
回路が用いられる。桁送りレジスタポイント56(第7
図)の出力QO1Q1 、Q2、Q3のうちの有効な出
力は、第7図において当該出力の下に引かれたそれぞれ
の論理回路の1グループをしてデータを移送することを
可能ならしめる。それぞれの前記グループは、欠陥横列
レジスタ28の12ビット記憶位置を含むが、これは交
替横列が自動割り当てされるところの元の欠陥横列のX
座標を記憶するために利用できるものである。
線830反転出力MO1M1、M2、M3は欠陥横列レ
ジスタ28の比較出力であシ、これは横列インバータ8
4(第2図)の否定ワイアード Rに接続されている。
ジスタ28の比較出力であシ、これは横列インバータ8
4(第2図)の否定ワイアード Rに接続されている。
第7図の線図が横列キャッチバッファー62を表わす場
合には、反転出力MO,Ml、M2、M3は横列キャッ
チバッファーの比較出方であり、それは横列キャッチバ
ッファー状態レジスタ55(第2及び第4図)に、また
横列キャッチバッファーディジタル−アナログ変換器5
6(第2及び第5図)に接続されている。比較出力83
のうちの特定の比較出力MOは、導線42のところで欠
陥横列レジスタ28に提供される、アドレスのX座標が
、欠陥横列レジスタ28の第1位置に記憶されるX座標
と調和するか否かに関し指示を与える。同様に、その他
のそれぞれの比較出力Ml等も、提供された新しいデー
タ(横列数)が欠陥横列レジスタ28の第2、第5等の
位置に記憶された横列データと調和するか否汐指示する
。
合には、反転出力MO,Ml、M2、M3は横列キャッ
チバッファーの比較出方であり、それは横列キャッチバ
ッファー状態レジスタ55(第2及び第4図)に、また
横列キャッチバッファーディジタル−アナログ変換器5
6(第2及び第5図)に接続されている。比較出力83
のうちの特定の比較出力MOは、導線42のところで欠
陥横列レジスタ28に提供される、アドレスのX座標が
、欠陥横列レジスタ28の第1位置に記憶されるX座標
と調和するか否かに関し指示を与える。同様に、その他
のそれぞれの比較出力Ml等も、提供された新しいデー
タ(横列数)が欠陥横列レジスタ28の第2、第5等の
位置に記憶された横列データと調和するか否汐指示する
。
第3図の実施例について続けると、予備横列カウンタ5
4は2から1に減じられる。縦列キャッチバッファー3
4はその結果として、カウント比較のため1の相対絶対
値を有する。欠陥横列指示器56は1段階前進する。
4は2から1に減じられる。縦列キャッチバッファー3
4はその結果として、カウント比較のため1の相対絶対
値を有する。欠陥横列指示器56は1段階前進する。
次の欠陥はX=5、Y=2のところで探知される(第5
図、セル114)。)(=5は、元の横列X=5の欠陥
数が相対絶対値を越えるので欠陥横列レジスタ28中に
自動割シ当てされる。
図、セル114)。)(=5は、元の横列X=5の欠陥
数が相対絶対値を越えるので欠陥横列レジスタ28中に
自動割シ当てされる。
キャッチバッファー32.34は両方とも新しい欠陥ア
ドレスを記憶することを禁じられる。予備横列カウンタ
54は1から0に減じられる。
ドレスを記憶することを禁じられる。予備横列カウンタ
54は1から0に減じられる。
横列自動割シ当てを追加的に行おうとしても予備横列カ
ウンタ54から中止信号が発せられることとなる。その
相対座標としてX=5を有する嵯撚キャッチバッファー
30のすべての位置は未来比較から遮蔽される。
ウンタ54から中止信号が発せられることとなる。その
相対座標としてX=5を有する嵯撚キャッチバッファー
30のすべての位置は未来比較から遮蔽される。
次に欠陥は座標X=5、Y=3のところで出会う。X=
3はすでに欠陥横列レジスタ28中にあるだめ、横列イ
ンバータ84は高い出力を有し、キャッチバッファー5
2.54のいずれも及び欠陥レジスタ28.30のいず
れも新しい欠陥座標を受け入れることを禁じられる。い
かなる座標も、すでに自動割シ当てされたものであると
認められた場合には、すべての指示器36.38.40
及び書き込みストローブは抑制される(例えば、横列/
縦列指示器40上のクロック端末及び横列キャッチバッ
ファー52の反転WS端末)。
3はすでに欠陥横列レジスタ28中にあるだめ、横列イ
ンバータ84は高い出力を有し、キャッチバッファー5
2.54のいずれも及び欠陥レジスタ28.30のいず
れも新しい欠陥座標を受け入れることを禁じられる。い
かなる座標も、すでに自動割シ当てされたものであると
認められた場合には、すべての指示器36.38.40
及び書き込みストローブは抑制される(例えば、横列/
縦列指示器40上のクロック端末及び横列キャッチバッ
ファー52の反転WS端末)。
座標X=5、Y−5は次の欠陥の位置を与える。ここで
もまた、冗長横列がすでに元の欠陥横列X=5と交替す
るため自動割シ当てされているので、横列インバータ8
4の出力は高い。
もまた、冗長横列がすでに元の欠陥横列X=5と交替す
るため自動割シ当てされているので、横列インバータ8
4の出力は高い。
両方のキャッチバッファー及び両方の欠陥レジスタとも
新しいアドレスを受け入れることを禁じられる。
新しいアドレスを受け入れることを禁じられる。
次の欠陥セルの座標はX:0、Y:4である。
予備横列カウンタ54は0を含むので、縦列キャッチバ
ッファーの相対絶対値は0である。座標Y=4は欠陥縦
列レジスタ30の第1位置に自動割り当てされる。キャ
ッチバッファーは両方とも抑制され、予備縦列カウンタ
52ii2から1に減じられる。次の7つの欠陥アドレ
スはすべて、自動割シ当てされたばかりのY=4を含む
ので、キャッチバッファー及び欠陥レジスタはアドレス
を受け入れることを禁じられる。
ッファーの相対絶対値は0である。座標Y=4は欠陥縦
列レジスタ30の第1位置に自動割り当てされる。キャ
ッチバッファーは両方とも抑制され、予備縦列カウンタ
52ii2から1に減じられる。次の7つの欠陥アドレ
スはすべて、自動割シ当てされたばかりのY=4を含む
ので、キャッチバッファー及び欠陥レジスタはアドレス
を受け入れることを禁じられる。
それから2つの欠陥が現われるが、すでに自動割シ当て
された横列を含むので記録されない。
された横列を含むので記録されない。
次の欠陥はX==0、Y==6のところに現われる。冗
長縦列が欠陥縦列Y=6を修理するため自動割り当てさ
れる。それというのも、その相対絶対値が0だからであ
る。予備縦列カウンタ52は1から0に減じる。第5図
の実施例における残余の欠陥セルのすべては、すでに自
動割シ当てされた横列又は縦列上のものであるので、こ
れらのセルのアドレスは記憶されない。
長縦列が欠陥縦列Y=6を修理するため自動割り当てさ
れる。それというのも、その相対絶対値が0だからであ
る。予備縦列カウンタ52は1から0に減じる。第5図
の実施例における残余の欠陥セルのすべては、すでに自
動割シ当てされた横列又は縦列上のものであるので、こ
れらのセルのアドレスは記憶されない。
実時間試験の終了時の捕獲アレイ26の内容は以下のと
おシである。
おシである。
欠陥横列レジスタ
LOG、 1 :X=3
LOG、2:X=5
欠陥縦列レジスタ
LOC,1:Y=4
LOC,2:Y=6
横列キャッチバッファー
LOG、 1 :X=3
LOG 、 2 :X=5
LOo 、5 :X=5
LOC,4:X=5
縦列キャッチバッファー
LOC、1: Y=Q。
LOC,2:Y=0゜
LOG、3:Y=1゜
LOC,4:Y=1゜
予備横列カウンタ=0
予備縦列カウンタ=0
つ印は未来比較から遮蔽されたことを示すが、これらの
相対座標社自動割シ当てされたからである。
相対座標社自動割シ当てされたからである。
パターン発生器45は、DUTアレイ上を試験が進行す
るルートを発生させるのみでなく、実時間試験の間に本
装置によシ作られ、捕獲回路26のレジスタに記憶され
た部分的なあるいは完全な照合修理命令を、実時間試験
の終了と同時に受けるものでもある。これらの修理命令
は上に列記したような照合されたデータからなる。
るルートを発生させるのみでなく、実時間試験の間に本
装置によシ作られ、捕獲回路26のレジスタに記憶され
た部分的なあるいは完全な照合修理命令を、実時間試験
の終了と同時に受けるものでもある。これらの修理命令
は上に列記したような照合されたデータからなる。
第3図の実施例を続けると、パターン発生器45は従っ
て捕獲回路26のレジスタの内容を読み取る用意をする
が、しかしそうする前に中間処置を行う。パターン発生
器45は、導線42.44のところの遅延レジスタ入力
をすべての1に押しやり、模擬自動割り当てを行う。こ
のことによりキャッチバッファー32.34の両方のす
べての未占有の位置は、もしあったとしても、状態ワー
ドに影響することができなくなる。すべて1の割り当て
は欠陥レジスタ28.30にも、また予備カウンタ52
.54にも影響を与えない。
て捕獲回路26のレジスタの内容を読み取る用意をする
が、しかしそうする前に中間処置を行う。パターン発生
器45は、導線42.44のところの遅延レジスタ入力
をすべての1に押しやり、模擬自動割り当てを行う。こ
のことによりキャッチバッファー32.34の両方のす
べての未占有の位置は、もしあったとしても、状態ワー
ドに影響することができなくなる。すべて1の割り当て
は欠陥レジスタ28.30にも、また予備カウンタ52
.54にも影響を与えない。
パターン発生器45が横列及び縦列キャッチバッファー
の状態を読み取ると、本実施例においては、パターン発
生器45は、キャッチバッファーのすべての占有された
位置番号が欠陥セルの座標を含むという状態指示を受け
る。上記欠陥セルの座標のうちの少なくとも1つは自動
割り当てされている。この状態指示はパターン発生器に
第5図のプレイがポスト試験データ処理を必要としてい
ないということを教える。この実施例におけるDUTの
欠陥パターンはこのようにテストパターンが実施されて
いる時に実時間に完全に処理される。状態指示は第4図
の状態論理回路からマツチ(rratch )信号とし
て与えられる。
の状態を読み取ると、本実施例においては、パターン発
生器45は、キャッチバッファーのすべての占有された
位置番号が欠陥セルの座標を含むという状態指示を受け
る。上記欠陥セルの座標のうちの少なくとも1つは自動
割り当てされている。この状態指示はパターン発生器に
第5図のプレイがポスト試験データ処理を必要としてい
ないということを教える。この実施例におけるDUTの
欠陥パターンはこのようにテストパターンが実施されて
いる時に実時間に完全に処理される。状態指示は第4図
の状態論理回路からマツチ(rratch )信号とし
て与えられる。
自動割り当てされていない座標を含む欠陥パターンはマ
ツチされない状態をもたらす結果となるだろう(第4図
)0パタ一ン発生器45はそのポスト試験データ処理ル
ーチンに分岐し、残った利用可能な修理素子が、キャッ
チバッファー及び欠陥レジスタの内容に基づき、どれか
都合のよい割り当てアルゴリズムを利用して割り当てら
れることとなるだろう。ポスト試験データ処理割り当て
アルゴリズムはこの発明の一部ではないが、上に列記し
た照合された形の試験データの提供はその一部である。
ツチされない状態をもたらす結果となるだろう(第4図
)0パタ一ン発生器45はそのポスト試験データ処理ル
ーチンに分岐し、残った利用可能な修理素子が、キャッ
チバッファー及び欠陥レジスタの内容に基づき、どれか
都合のよい割り当てアルゴリズムを利用して割り当てら
れることとなるだろう。ポスト試験データ処理割り当て
アルゴリズムはこの発明の一部ではないが、上に列記し
た照合された形の試験データの提供はその一部である。
自動割り当てを起こさないという障害パターンの最悪の
ケースとしては、例えば、欠陥セルが一つの7レイの対
角線に配置された障害パターンがある。そのような障害
パターンは、割り当てを完了するため、パターン発生器
による数マイクロセカンドのポスト試験データ処理を必
要とするかもしれない。この発明の好ましい実施態様と
共に用いられたパターン発生器は25MH2で作動が可
能なものである。もちろん、DUTはポスト試験データ
処理の間に修理が不可であることが分るかもしれない。
ケースとしては、例えば、欠陥セルが一つの7レイの対
角線に配置された障害パターンがある。そのような障害
パターンは、割り当てを完了するため、パターン発生器
による数マイクロセカンドのポスト試験データ処理を必
要とするかもしれない。この発明の好ましい実施態様と
共に用いられたパターン発生器は25MH2で作動が可
能なものである。もちろん、DUTはポスト試験データ
処理の間に修理が不可であることが分るかもしれない。
修理することができ、かつその修理が一方向のみ、すな
わち冗長横列のみ又は冗長予備縦列のみの冗長素子によ
って行うことができるDUTは、常に実時間試験の間に
解決され、ポスト試験データ処理を必要としない。
わち冗長横列のみ又は冗長予備縦列のみの冗長素子によ
って行うことができるDUTは、常に実時間試験の間に
解決され、ポスト試験データ処理を必要としない。
アレイの欠陥横列(又は縦列)を取り替えるだめの冗長
横列(又は縦列)の自動割り当ては、障害を有するその
アレイと横列(又は縦列)を共有している他のすべての
プレイの欠陥横列(又は縦列)レジスタにもまた書き込
まれる。
横列(又は縦列)の自動割り当ては、障害を有するその
アレイと横列(又は縦列)を共有している他のすべての
プレイの欠陥横列(又は縦列)レジスタにもまた書き込
まれる。
典型的なポスト試験データ処理プログラムはまず第1に
、捕獲回路の状態を感知する段階を含むが、これはその
プレイがポスト試験データ7fl ′xH1’A /L
+ l −rs J −rl WF+ +−5’t 」
−+e−ニー J−MI & −1−I Lめである。
、捕獲回路の状態を感知する段階を含むが、これはその
プレイがポスト試験データ7fl ′xH1’A /L
+ l −rs J −rl WF+ +−5’t 」
−+e−ニー J−MI & −1−I Lめである。
もし必要とするなら、座標の未処理の値はX及びYキャ
ッチバッファー52.54からスクラッチパッドメモリ
50の第1と第2のバンクにそれぞれ読み取られる。次
に第1バンクを探索して反復、すなわち、まだ利用でき
る冗長縦列数より頻繁なX座標の現われがないか捜す。
ッチバッファー52.54からスクラッチパッドメモリ
50の第1と第2のバンクにそれぞれ読み取られる。次
に第1バンクを探索して反復、すなわち、まだ利用でき
る冗長縦列数より頻繁なX座標の現われがないか捜す。
もしそのような過度に反復された座標が存在するなら、
横列の割り当てがその修理のために行われる。
横列の割り当てがその修理のために行われる。
第2バンクを次に探索して、まだ利用できる冗長横列数
よりも多くの回数現われるY座標がないか捜す。もしそ
のようなY座標が発見されたら、冗長縦列が対応する欠
陥セルの修理のため割り当てられる。
よりも多くの回数現われるY座標がないか捜す。もしそ
のようなY座標が発見されたら、冗長縦列が対応する欠
陥セルの修理のため割り当てられる。
それぞれの上記探索及び割り当て決定の後、X及びYキ
ャッチバッファーからの残りの未処理座標はスクラッチ
パッドメモリの第1と第2のバンクに入れられる。もし
そのような反復が現われなければ、データを試験して、
残っている過誤の総数が残っている冗長横列及び冗長縦
列の合計よりも小さいのか否か、又は残っている冗長縦
列の数がゼロなのか、若しくは残っている冗長横列の数
がゼロなのかを確かめる。もしその結果がイエスである
ならば、横列又は縦列は、残っている欠陥の総数がゼロ
になるまで容易に座標に割り当てられる。もし前記の試
験の結果がノーであるならば、試みの割り当てが行われ
る。
ャッチバッファーからの残りの未処理座標はスクラッチ
パッドメモリの第1と第2のバンクに入れられる。もし
そのような反復が現われなければ、データを試験して、
残っている過誤の総数が残っている冗長横列及び冗長縦
列の合計よりも小さいのか否か、又は残っている冗長縦
列の数がゼロなのか、若しくは残っている冗長横列の数
がゼロなのかを確かめる。もしその結果がイエスである
ならば、横列又は縦列は、残っている欠陥の総数がゼロ
になるまで容易に座標に割り当てられる。もし前記の試
験の結果がノーであるならば、試みの割り当てが行われ
る。
ポスト試験データ処理プログラムはこの方法で、あるい
は様々な他の方法で、DUTが修理不能と分るか、又は
その修理のだめの冗長横列及び縦列による完全な割り当
て方法が実施されるまで続けることができる。
は様々な他の方法で、DUTが修理不能と分るか、又は
その修理のだめの冗長横列及び縦列による完全な割り当
て方法が実施されるまで続けることができる。
第1A図は、DUT上における4つの記憶セルアレイの
配置を示し、この4つのプレイのそれぞれには2つの記
憶セル冗長縦列と2つの記憶セル冗長横列とが関連づけ
られている。 第1B図は、上の2つのアレイが4つの冗長縦列を共有
し、下の2つのアレイが他の4つの冗長縦列を共有する
、4つのアレイを有するDUTを示す。 第1C図及び第1D図は他に考えられる多くのDUT配
列のうちの若干を示すが、第1D図はアレイのバイト幅
配置である。 第2図は本発明装置の捕獲回路と呼ばれる部分の主要構
成要素を包含する簡略化された論理ブロック図である。 第3図は試験下の一つの記憶セルアレイを示すが、それ
と共に、欠陥であると表示され、アレイを修理するだめ
冗長横列及び縦列と取り替えられるべきいくつかのセル
の横列及び縦列を示す。 第4図は、第2図において「横列キャッチバッファー状
態」というブロックで表われたアレイ状態論理回路と、
自動割り当て比較遮蔽論理回路の簡略化されたブロック
図である。 第5図は、高速度ディジタル−アナログ変換器及び、第
2図にブロックとしてのみ表わされたアナログサマー回
路の概略論理図である。 第6図は、第2図に予備縦列及び予備横列カウンタとし
て現われる、予備カウンタ及び中止論理回路を論理図の
形で示したものである。 第7図は、欠陥レジスタ及びキャツチノ(ツファーに包
含される論理回路を、第2図で示したよりも詳細に示し
たものである。 第8図は、高速度冗長プロセッサと共に作動するアドレ
スデータ発生器及びその他の構成要素を含むパターン発
生器の簡略化されたブロック図である。これらの構成要
素と高速度冗長プロセッサとの関係は簡略化された形で
示しである。 図中、 10A、1073.10C,101)、16A、16B
、16C,16I)〜アレイ0 12A、12B、12C,12D、18A〜冗長縦列1
4A、1413.14C,14D、20A、20B、2
0C,20D〜冗長横列 26B〜横列 2fl−30〜々陥査梁レジスター 52.54〜キヤツチバツフアー 42〜アドレス 55〜横列キャッチバッファーステータス回路57〜縦
列キャッチバッファーステータス回路特許出願人 イー
トンコーボレーシ目ン図面のi7I店(内71:に変更
なし)FIG、IC 手系完七吟正書 昭和58年11月211 特許庁長官 殿 ′槙 1、事件の表示 1]l(和59年特許願第21033
3号2、発明の名称 アレイ装置のテスト並びに修理方
法及びその装置 3、補正する者 事件どの関係 特許出願人 名称 イートン コーポレーション 4、代 Jψ 人 住所 東京都千代111名神田駿河台lの6(ほか1名
) 5、補正命令のIJ付 「自 発」 6、補jにの対象 図 面
配置を示し、この4つのプレイのそれぞれには2つの記
憶セル冗長縦列と2つの記憶セル冗長横列とが関連づけ
られている。 第1B図は、上の2つのアレイが4つの冗長縦列を共有
し、下の2つのアレイが他の4つの冗長縦列を共有する
、4つのアレイを有するDUTを示す。 第1C図及び第1D図は他に考えられる多くのDUT配
列のうちの若干を示すが、第1D図はアレイのバイト幅
配置である。 第2図は本発明装置の捕獲回路と呼ばれる部分の主要構
成要素を包含する簡略化された論理ブロック図である。 第3図は試験下の一つの記憶セルアレイを示すが、それ
と共に、欠陥であると表示され、アレイを修理するだめ
冗長横列及び縦列と取り替えられるべきいくつかのセル
の横列及び縦列を示す。 第4図は、第2図において「横列キャッチバッファー状
態」というブロックで表われたアレイ状態論理回路と、
自動割り当て比較遮蔽論理回路の簡略化されたブロック
図である。 第5図は、高速度ディジタル−アナログ変換器及び、第
2図にブロックとしてのみ表わされたアナログサマー回
路の概略論理図である。 第6図は、第2図に予備縦列及び予備横列カウンタとし
て現われる、予備カウンタ及び中止論理回路を論理図の
形で示したものである。 第7図は、欠陥レジスタ及びキャツチノ(ツファーに包
含される論理回路を、第2図で示したよりも詳細に示し
たものである。 第8図は、高速度冗長プロセッサと共に作動するアドレ
スデータ発生器及びその他の構成要素を含むパターン発
生器の簡略化されたブロック図である。これらの構成要
素と高速度冗長プロセッサとの関係は簡略化された形で
示しである。 図中、 10A、1073.10C,101)、16A、16B
、16C,16I)〜アレイ0 12A、12B、12C,12D、18A〜冗長縦列1
4A、1413.14C,14D、20A、20B、2
0C,20D〜冗長横列 26B〜横列 2fl−30〜々陥査梁レジスター 52.54〜キヤツチバツフアー 42〜アドレス 55〜横列キャッチバッファーステータス回路57〜縦
列キャッチバッファーステータス回路特許出願人 イー
トンコーボレーシ目ン図面のi7I店(内71:に変更
なし)FIG、IC 手系完七吟正書 昭和58年11月211 特許庁長官 殿 ′槙 1、事件の表示 1]l(和59年特許願第21033
3号2、発明の名称 アレイ装置のテスト並びに修理方
法及びその装置 3、補正する者 事件どの関係 特許出願人 名称 イートン コーポレーション 4、代 Jψ 人 住所 東京都千代111名神田駿河台lの6(ほか1名
) 5、補正命令のIJ付 「自 発」 6、補jにの対象 図 面
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 主アレイとスペア素子とを有する修理可能なアレ
イ装置の、テスト並びにその欠陥と修理の同時指定を行
う方法において、 a)その装置の欠陥のアドレスを特定し。 b)そのアドレスを予め特定した欠陥アドレスと比較し
。 C)その比較に応じてテストと同時に、その欠陥にスペ
ア素子の割り当てを選択的に指定する 工程とを含むことを特徴とするアレイ装置のテスト並び
に修理方法。 2、 上記アドレスの特定が主アレイと関連する横列座
標と縦列座標の特定することで、上記比較が、それぞれ
の共通座標を特定するために複数の横列座標と複数の縦
列座標を比較することで、上記選択的指定が上記共通座
標を合計し、その共通座標の総数を表わす第1の信号を
発生し、その信号を前記共通座標と対向する座標を表わ
す第2の信号に比較し、かつ予め指定した態様で第1の
信号が第2の信号と関連づけられたとき前記共通座標の
交換のためにスペア素子を割り当てることで、それぞれ
行われることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
方法。 五 前記対向座標が、共通縦列座標に対して未割り当て
のスペア横列素子を表わし、かつ共通横列座標に対して
未割り当てのスペア縦列素子を表わすことを特徴とする
特許請求の範囲第2項記載の方法。 4 複数の横列並びに縦列座標の比較が、それらの座標
をキャッチバッファー(52,14)と欠陥素子レジス
ター(28,1)へ通知し、その座標が予めスペア素子
を割り当てられていないときキャッチバッファー(32
,34)にその座標を貯蔵し、その座標が予めスペア素
子を割り当てられているとき欠陥レジスター(2s、3
o)へその座標を貯蔵し、その座標がスペア素子を割り
当てられたとき、その座標を貯蔵から遮蔽し、かつキャ
ッチバッファー(32j4)内の座標と関連させてスペ
ア素子を割り当てるようステータスビットに指示するこ
とによって行われることを特徴とする特許請求の範囲第
2項記載の方法。 5、 前記比較と指定が割り当て不能のスペア素子の割
り当てであるときに、アレイ装置のテストの中止と拒絶
が、第1の信号をスペア素子不能の第2の信号と比較し
たときに中止が起ることを特徴とする特許請求の範囲第
2項記載の方法。 & 横列と縦列に配されたセルのテスト時に。 横列と縦列に配した冗長のセルをアレイの欠陥セルの修
理用に割り当てる装置において。 欠陥セルの場所を示すデータを受けかつ貯蔵する装置(
32,34)と、 そのデータを受けて、修理を要する欠陥パターンが形成
されたとき、冗長素子の縦列及び横列のどちらか一方を
割り当てるべきかへ検知する装置(66)と、修理用の
冗長素子を割り当てる装置(28,30)とを更に備え
たことを特徴とする冗長素子割り当て装置。 2 冗長素子のもう一方のタイプが好ましいことを検知
する装置(52、54)と。 その冗長素子を修理用に割り当てる装置(28,50)
とを備えたことを特徴とする特許請求の範囲第6項記載
の装置。 & 割り当て可能以上の冗長素子の必要を検知したとき
、アレイの修理の不可能を表示する装置(52,54,
105)を備えたことを特徴とする特許請求の範囲第6
項記載の装置。 9 キャッチバッファーの受けたデータが式TFi=N
(SR+SO)、式中:S几=冗長横列の全数。 SO−冗長縦列の全数、N=SR及びSOのうちより大
きな数、で表わされる数TBより欠陥数が大きいとき、
修理の不可能を表示する装置(52,54)を備えたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の装置。 10、前記データを受けて貯蔵する装置が、横列と縦列
で示す欠陥場所の貯蔵データに、冗長素子の割り当て前
に欠陥横列及び縦列を検知して、作用する横列キャッチ
バッファー(32)及び縦列キャッチバッファー(34
)と、それぞれ横列及び縦列の冗長素子の自動割り当て
を示す貯蔵データに作用する欠陥横列レジスター(28
)及び欠陥縦列レジスター(30)とを更に備え1割り
当て装置により、横列及び縦列の、夫々の対向より以上
にそれらの欠陥アドレスを検知したとき、冗長素子が割
り当てられ欠陥素子レジスター(2B、 !10)に貯
蔵されることを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の
装置。 11、前記検知装置が、横列キャッチバッファーステー
タス回路(55)と縦列キャッチバッファーステータス
回路(57)を含む、上記アレイの横列と縦列の自動割
り当て比較遮蔽用の横列。 縦列アレイステータス論理回路装置(55,57)を含
み、その論理回路装置(55,57)が対向して関連す
る縦列アドレスを複数の貯蔵から遮蔽しかつ対向して関
連する縦列アドレスを含む横列の自動割り当てに際しレ
ジスター(64)を比較するのに作用するとともに、対
向して関連する横列アドレスを含む縦列の自動割り当て
に際し対向して関連する横列アドレスを複数の貯蔵から
遮蔽するのに作用することを特徴とする特許請求の範囲
第6項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US539511 | 1983-10-06 | ||
| US06/539,511 US4586178A (en) | 1983-10-06 | 1983-10-06 | High speed redundancy processor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097453A true JPS6097453A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=24151534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59210333A Pending JPS6097453A (ja) | 1983-10-06 | 1984-10-06 | アレイ装置のテスト並びに修理方法及びその装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4586178A (ja) |
| EP (1) | EP0140595A2 (ja) |
| JP (1) | JPS6097453A (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0198935A1 (de) * | 1985-04-23 | 1986-10-29 | Deutsche ITT Industries GmbH | Elektrisch umprogrammierbarer Halbleiterspeicher mit Redundanz |
| US4722084A (en) * | 1985-10-02 | 1988-01-26 | Itt Corporation | Array reconfiguration apparatus and methods particularly adapted for use with very large scale integrated circuits |
| US4783782A (en) * | 1985-12-12 | 1988-11-08 | Alcatel U.S.A. Corporation | Manufacturing test data storage apparatus for dynamically reconfigurable cellular array processor chip |
| US4733393A (en) * | 1985-12-12 | 1988-03-22 | Itt Corporation | Test method and apparatus for cellular array processor chip |
| US4751656A (en) * | 1986-03-10 | 1988-06-14 | International Business Machines Corporation | Method for choosing replacement lines in a two dimensionally redundant array |
| JPH01109599A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Nec Corp | 書込み・消去可能な半導体記憶装置 |
| US6212089B1 (en) * | 1996-03-19 | 2001-04-03 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device and defect remedying method thereof |
| EP0424612A3 (en) * | 1989-08-30 | 1992-03-11 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for real time data error capture and compression for redundancy analysis of a memory |
| JP2842923B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1999-01-06 | 株式会社アドバンテスト | 半導体メモリ試験装置 |
| US6026505A (en) * | 1991-10-16 | 2000-02-15 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for real time two dimensional redundancy allocation |
| EP0632380A1 (en) * | 1993-06-30 | 1995-01-04 | International Business Machines Corporation | A circuit allowing a two-pass fuse blow to memory chips combining abist and redundancy capabilities |
| US5396619A (en) * | 1993-07-26 | 1995-03-07 | International Business Machines Corporation | System and method for testing and remapping base memory for memory diagnostics |
| US5754556A (en) * | 1996-07-18 | 1998-05-19 | Teradyne, Inc. | Semiconductor memory tester with hardware accelerators |
| DE19647159A1 (de) * | 1996-11-14 | 1998-06-04 | Siemens Ag | Verfahren zum Testen eines in Zellenfelder unterteilten Speicherchips im laufenden Betrieb eines Rechners unter Einhaltung von Echtzeitbedingungen |
| US6073258A (en) * | 1998-02-27 | 2000-06-06 | International Business Machines Corporation | Method and device for performing two dimensional redundancy calculations on embedded memories avoiding fail data collection |
| US6167541A (en) | 1998-03-24 | 2000-12-26 | Micron Technology, Inc. | Method for detecting or preparing intercell defects in more than one array of a memory device |
| US6185709B1 (en) * | 1998-06-30 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Device for indicating the fixability of a logic circuit |
| DE19838861A1 (de) | 1998-08-26 | 2000-03-02 | Siemens Ag | Verfahren zur Reparatur von defekten Speicherzellen eines integrierten Speichers |
| DE19901206C2 (de) * | 1999-01-14 | 2003-02-06 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Reparatur von defekten Speicherzellen eines integrierten Halbleiterspeichers |
| US6442724B1 (en) * | 1999-04-02 | 2002-08-27 | Teradyne, Inc. | Failure capture apparatus and method for automatic test equipment |
| US6567950B1 (en) | 1999-04-30 | 2003-05-20 | International Business Machines Corporation | Dynamically replacing a failed chip |
| TW473728B (en) * | 1999-07-22 | 2002-01-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | A method for testing a memory array and a memory-based device so testable with a fault response signalizing mode for when finding predetermined correspondence between fault patterns signalizing one such fault pattern only in the form of a compressed resp |
| JP2001312897A (ja) | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Nec Corp | メモリ試験装置及び試験方法 |
| US6332198B1 (en) * | 2000-05-20 | 2001-12-18 | Equipe Communications Corporation | Network device for supporting multiple redundancy schemes |
| US6910155B2 (en) * | 2001-06-25 | 2005-06-21 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for chip testing |
| US7246268B2 (en) * | 2002-01-16 | 2007-07-17 | Sandisk Corporation | Method and apparatus for dynamic degradation detection |
| KR101277479B1 (ko) * | 2010-08-31 | 2013-06-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
| CN115580722B (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-10 | 浙江瑞测科技有限公司 | 一种多工位并行影像测试的冗余投切方法 |
| CN116149892A (zh) * | 2023-01-12 | 2023-05-23 | 超聚变数字技术有限公司 | 内存修复方法、装置和计算设备 |
| CN119007787B (zh) * | 2023-05-19 | 2025-10-24 | 兆易创新科技集团股份有限公司 | 存储装置的修复方法及存储装置的修复系统 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3999051A (en) * | 1974-07-05 | 1976-12-21 | Sperry Rand Corporation | Error logging in semiconductor storage units |
| US3917933A (en) * | 1974-12-17 | 1975-11-04 | Sperry Rand Corp | Error logging in LSI memory storage units using FIFO memory of LSI shift registers |
| US4051354A (en) * | 1975-07-03 | 1977-09-27 | Texas Instruments Incorporated | Fault-tolerant cell addressable array |
| US4047163A (en) * | 1975-07-03 | 1977-09-06 | Texas Instruments Incorporated | Fault-tolerant cell addressable array |
| US4155121A (en) * | 1978-06-30 | 1979-05-15 | International Business Machines Corporation | Redundant charge-coupled device and method |
| US4471442A (en) * | 1980-07-31 | 1984-09-11 | Colt Industries Operating Corp. | Modular electronic measuring and printing unit |
| US4389715A (en) * | 1980-10-06 | 1983-06-21 | Inmos Corporation | Redundancy scheme for a dynamic RAM |
| US4460997A (en) * | 1981-07-15 | 1984-07-17 | Pacific Western Systems Inc. | Memory tester having memory repair analysis capability |
| US4430727A (en) * | 1981-11-10 | 1984-02-07 | International Business Machines Corp. | Storage element reconfiguration |
| US4493075A (en) * | 1982-05-17 | 1985-01-08 | National Semiconductor Corporation | Self repairing bulk memory |
-
1983
- 1983-10-06 US US06/539,511 patent/US4586178A/en not_active Expired - Fee Related
-
1984
- 1984-10-03 EP EP84306740A patent/EP0140595A2/en not_active Withdrawn
- 1984-10-06 JP JP59210333A patent/JPS6097453A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0140595A2 (en) | 1985-05-08 |
| US4586178A (en) | 1986-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6097453A (ja) | アレイ装置のテスト並びに修理方法及びその装置 | |
| US4639915A (en) | High speed redundancy processor | |
| JP2777276B2 (ja) | 冗長回路付メモリicの試験装置 | |
| KR100413918B1 (ko) | 메모리시험기를사용하여메모리칩을고속으로수선하는방법 | |
| US5317573A (en) | Apparatus and method for real time data error capture and compression redundancy analysis | |
| US5410687A (en) | Analyzing device for saving semiconductor memory failures | |
| KR100319512B1 (ko) | 반도체메모리시험장치의불량해석메모리및그기억방법 | |
| US6535993B1 (en) | Testing apparatus for semiconductor memory device | |
| CN109313596A (zh) | 共享错误检测和校正存储器 | |
| US20120257467A1 (en) | Memory repair analysis apparatus, memory repair analysis method, and test apparatus | |
| JPS6095309A (ja) | プリント配線基板を検査する方法および装置 | |
| JPH04177700A (ja) | メモリ不良解析装置 | |
| US7188274B2 (en) | Memory repair analysis method and circuit | |
| KR100297709B1 (ko) | 다수개의메모리뱅크를구비하는반도체메모리장치의테스트방법및반도체메모리테스트장비 | |
| US6711705B1 (en) | Method of analyzing a relief of failure cell in a memory and memory testing apparatus having a failure relief analyzer using the method | |
| US6829736B1 (en) | Method of testing a memory | |
| US6675336B1 (en) | Distributed test architecture for multiport RAMs or other circuitry | |
| US3644899A (en) | Method for determining partial memory chip categories | |
| US3758759A (en) | Apparatus for determining partial memory chip categories | |
| US20020035718A1 (en) | Semiconductor device trimming method, semiconductor device trimming apparatus, and method for creating semiconductor device trimming table | |
| JPH02202037A (ja) | ウェハスケール集積回路装置の要素回路間配線方法 | |
| KR100336156B1 (ko) | 카운터검사방법및장치와시리얼억세스메모리 | |
| JPH10148658A (ja) | メモリ試験装置 | |
| JP2824283B2 (ja) | 半導体メモリ試験装置 | |
| JPH08184645A (ja) | 半導体集積回路及びそのテスト方法 |