JPS6097624A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6097624A JPS6097624A JP58205169A JP20516983A JPS6097624A JP S6097624 A JPS6097624 A JP S6097624A JP 58205169 A JP58205169 A JP 58205169A JP 20516983 A JP20516983 A JP 20516983A JP S6097624 A JPS6097624 A JP S6097624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultraviolet rays
- semiconductor substrate
- substrate
- irregular
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、凹凸の大きな半導体基板上に微細なレジスト
パターンを寸法精度良く形成するための有機レジスト膜
処理工程を含む半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
パターンを寸法精度良く形成するための有機レジスト膜
処理工程を含む半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
凹凸の大きな半導体基板上に微細なレジストパターンを
形成するため、従来は、有機層を回転塗布し、下地の凹
凸を平坦化した後、低温形成可能な無機材料を形成し、
その後、通常の光リソグラフィ一工程によりパターン形
成を行う方法が、いわゆる、多層構造レジストシステム
と称して、しばしば、用いられている。ところが、かか
る多層構造レジストシステムにおいては、半導体基板上
の凹凸部からの乱反射を防止する目的で、下層有機層に
、紫外線吸収用の染料を混入する方法が良く用いられる
が、熱的安定性の高い染料がなく、又、その光吸収率も
７０％程度であり、例えば、アルミニウム等の高反射率
を有する基板では同アルミニウム面で反射する光により
、露光が乱れるという問題があった。
形成するため、従来は、有機層を回転塗布し、下地の凹
凸を平坦化した後、低温形成可能な無機材料を形成し、
その後、通常の光リソグラフィ一工程によりパターン形
成を行う方法が、いわゆる、多層構造レジストシステム
と称して、しばしば、用いられている。ところが、かか
る多層構造レジストシステムにおいては、半導体基板上
の凹凸部からの乱反射を防止する目的で、下層有機層に
、紫外線吸収用の染料を混入する方法が良く用いられる
が、熱的安定性の高い染料がなく、又、その光吸収率も
７０％程度であり、例えば、アルミニウム等の高反射率
を有する基板では同アルミニウム面で反射する光により
、露光が乱れるという問題があった。
発明の目的・
本発明は、上記の問題点の解決を図ったものであり、紫
外線の吸収率を９０％以上の下層有機層を形成する方法
を提供することにより、半導体基板上の凹凸部からの乱
反射を防止し、高精度の微細パターン形成を可能にする
ものである。
外線の吸収率を９０％以上の下層有機層を形成する方法
を提供することにより、半導体基板上の凹凸部からの乱
反射を防止し、高精度の微細パターン形成を可能にする
ものである。
発明の構成
本発明は、要約するに、半導体基板上の凹凸面に、有機
高分子ホトレジスト膜、例えば、フェノールノボラック
樹脂系のホトレジストを回転塗布で上面平坦な塗膜を形
成したのち、２５０°Ｃ以上の熱処理を行なう工程をそ
なえたもので、これによりレジスト膜を一部タール化し
、紫外線の吸収率を９０％以上となし、通常のホトリン
グラフイ一工程を行うことで、微細パターン形成が容易
で実行される。
高分子ホトレジスト膜、例えば、フェノールノボラック
樹脂系のホトレジストを回転塗布で上面平坦な塗膜を形
成したのち、２５０°Ｃ以上の熱処理を行なう工程をそ
なえたもので、これによりレジスト膜を一部タール化し
、紫外線の吸収率を９０％以上となし、通常のホトリン
グラフイ一工程を行うことで、微細パターン形成が容易
で実行される。
実施例の説明
本発明による多層構造レジストシステムの下層有機層形
成方法を実施例をもって以下に説明する。
成方法を実施例をもって以下に説明する。
まず、第１図の断面図に示すように５凹凸のある半導体
基板１上に、フェノールノボラック樹脂系のホトレジス
ト膜２を約２，６μｍの厚さになるよう回転塗布する。
基板１上に、フェノールノボラック樹脂系のホトレジス
ト膜２を約２，６μｍの厚さになるよう回転塗布する。
その後、ベルト式の赤外線加熱炉で２７５°Ｃ５分間加
熱処理する。
熱処理する。
第２図に加熱処理温度と、ホトレジストの紫外線透過率
の関係を示す。紫外線の波長は、縮小投影露光装置（ス
テッパー）で一般に使用されるｇ−線（４３６ｎｍ）に
よるものを示している。第２図から２７５°Ｃの熱処理
で、紫外線は９ｏ％以上吸収されることがわかる。（２
５ｏ″Ｃでも８゜％前後の紫外線は吸収されている。）
このように２７５°Ｃで加熱処理されたフェノールノボ
ラック樹脂系のホトレジストを多層構造レジストシステ
ムの下層有機層として使用することで、下地基板が、ア
ルミニウム等の高反射膜であっても凹凸部での乱反射の
影響はほとんどなく、上層レジストへの紫外線によるパ
ターン転写を非常に精度良く行なうことが可能になる。
の関係を示す。紫外線の波長は、縮小投影露光装置（ス
テッパー）で一般に使用されるｇ−線（４３６ｎｍ）に
よるものを示している。第２図から２７５°Ｃの熱処理
で、紫外線は９ｏ％以上吸収されることがわかる。（２
５ｏ″Ｃでも８゜％前後の紫外線は吸収されている。）
このように２７５°Ｃで加熱処理されたフェノールノボ
ラック樹脂系のホトレジストを多層構造レジストシステ
ムの下層有機層として使用することで、下地基板が、ア
ルミニウム等の高反射膜であっても凹凸部での乱反射の
影響はほとんどなく、上層レジストへの紫外線によるパ
ターン転写を非常に精度良く行なうことが可能になる。
なお、経験によれば、第２図からもわかるように５熱処
理温度が２５０°Ｃでも、紫外線吸収率は８ｏ％以上に
なり、この程度の紫外線吸収率のものであると、十分に
実用的作用がある。
理温度が２５０°Ｃでも、紫外線吸収率は８ｏ％以上に
なり、この程度の紫外線吸収率のものであると、十分に
実用的作用がある。
発明の効果
本発明によると、多層構造レジストシステムの下層有機
層に有機高分子ホトレジスト膜、例えば、フェノールノ
ボラック樹脂系のホトレジストを用い２５０°Ｃ以上の
熱処理を行うことで、下層有機層に特別な染料等を添加
することなく、半導体基板上の凹凸部からの乱反射の影
響を防止することが可能となり、したがって、本発明は
、安定した多層構造レジストシステムとして実用できる
。
層に有機高分子ホトレジスト膜、例えば、フェノールノ
ボラック樹脂系のホトレジストを用い２５０°Ｃ以上の
熱処理を行うことで、下層有機層に特別な染料等を添加
することなく、半導体基板上の凹凸部からの乱反射の影
響を防止することが可能となり、したがって、本発明は
、安定した多層構造レジストシステムとして実用できる
。
第１図は凹凸のある半導体基板上に、フェノールノボラ
ック樹脂系のホトレジストを回転塗布し、下地の平坦化
を行った状態を示す断面図、第２図は、フェノールノボ
ラック樹脂系ホトレジストに熱処理を加えた時の紫外線
（ｇ−線）の透過率を示した特性図である。 １・・・・・・凹凸のある半導体基板、２・・・・・・
フェノールノボラック樹脂系ホトレジスト膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 耐２図
ック樹脂系のホトレジストを回転塗布し、下地の平坦化
を行った状態を示す断面図、第２図は、フェノールノボ
ラック樹脂系ホトレジストに熱処理を加えた時の紫外線
（ｇ−線）の透過率を示した特性図である。 １・・・・・・凹凸のある半導体基板、２・・・・・・
フェノールノボラック樹脂系ホトレジスト膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 耐２図
Claims (2)
- （１）半導体基板上の凹凸面に、有機高分子ホトレジス
ト膜を回転塗布で上面平坦な塗膜を形成したのち、２５
０″Ｃ以上の熱処理を加えることを＄ 特徴とする半導体装置製造方法。 - （２） 有機高分子ホトレジスト膜が、フェノールノボ
ラック樹脂系のホトレジストであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載の半導体装１癲造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205169A JPS6097624A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205169A JPS6097624A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097624A true JPS6097624A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16502560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205169A Pending JPS6097624A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097624A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639539A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-15 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Pattern forming method |
| JPS57143826A (en) * | 1981-02-28 | 1982-09-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Formation of resist pattern on gapped semiconductor substrate |
| JPS57191636A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP58205169A patent/JPS6097624A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5639539A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-15 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Pattern forming method |
| JPS57143826A (en) * | 1981-02-28 | 1982-09-06 | Dainippon Printing Co Ltd | Formation of resist pattern on gapped semiconductor substrate |
| JPS57191636A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
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