JPS6097648A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6097648A JPS6097648A JP58204680A JP20468083A JPS6097648A JP S6097648 A JPS6097648 A JP S6097648A JP 58204680 A JP58204680 A JP 58204680A JP 20468083 A JP20468083 A JP 20468083A JP S6097648 A JPS6097648 A JP S6097648A
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- Japan
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- resin
- resin composition
- semiconductor device
- epoxy
- phenoxy
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高温高擺下においても、信頼性の高い動作が
可能な半導体装置に関する。
可能な半導体装置に関する。
従来、樹脂封止型の半導体装置は、セラミックス封止型
の半導体装置に比べて、高温高湿状態（６５〜８５Ｇ、
９５％相対湿度中、１２１ Ｃ。
の半導体装置に比べて、高温高湿状態（６５〜８５Ｇ、
９５％相対湿度中、１２１ Ｃ。
２気圧過飽和水蒸気中）での動作信頼性の点で劣ってい
た。
た。
樹脂封止型の半導体装置では、樹脂とリード線との隙間
、あるいは樹脂と半導体素子との界面に隙間が生じ、そ
の間隙を通じて外部から水分が浸入し、素子上のＡｔ配
線、ポンディングベッド部などが、腐食し断線し易いた
めである。
、あるいは樹脂と半導体素子との界面に隙間が生じ、そ
の間隙を通じて外部から水分が浸入し、素子上のＡｔ配
線、ポンディングベッド部などが、腐食し断線し易いた
めである。
そこで、この対策として素子表面のカップリング剤処理
によシ、樹脂との接着性を高める方法や、カンプリング
剤を配合した樹脂組成物で封止する方法などが提案され
ている。
によシ、樹脂との接着性を高める方法や、カンプリング
剤を配合した樹脂組成物で封止する方法などが提案され
ている。
しかし、これらの方法によっても、樹脂封止型半導体装
置の耐湿特性の充分な向上を達成するには至っていない
。
置の耐湿特性の充分な向上を達成するには至っていない
。
また、メモリ用Ｌｆ９Ｉなどに於いては、高密度高集積
度化のすう勢が著しく、１セルの電荷容量が益々小さく
なってきた。このために、パンケージ材料（例えば、封
止用樹脂組成物中のフィシ）に微量含まれているウラン
、トリウムから発生するα線エネルギによシ、セル中の
電荷容量の調節動作に不良を生ずる（ンフトエラー）問
題がある。
度化のすう勢が著しく、１セルの電荷容量が益々小さく
なってきた。このために、パンケージ材料（例えば、封
止用樹脂組成物中のフィシ）に微量含まれているウラン
、トリウムから発生するα線エネルギによシ、セル中の
電荷容量の調節動作に不良を生ずる（ンフトエラー）問
題がある。
この対策としては、半導体素子及びリード線と、封止材
料との間に高純度のα線遮蔽材（例えばポリイミドなど
）を設けることが行なわれている。
料との間に高純度のα線遮蔽材（例えばポリイミドなど
）を設けることが行なわれている。
しかし、α線遮蔽材は、半導体素子との密着性、接着性
に劣９、先に述べたＡｔ配線の腐食防止の点で必ずしも
効果を上げるに至っていない。
に劣９、先に述べたＡｔ配線の腐食防止の点で必ずしも
効果を上げるに至っていない。
本発明は、半導体素子及びリード線上に、少なくともフ
ェノキシ樹脂を含む樹脂組成物、又は少なくともフェノ
キシ樹脂とへテロ環ポリマを含む樹脂組成物を被覆して
なる半導体装置、並びに、該被覆された半導体装置を、
さらに無機質充填材を含む樹脂組成物で封止してなる半
導体装置である。
ェノキシ樹脂を含む樹脂組成物、又は少なくともフェノ
キシ樹脂とへテロ環ポリマを含む樹脂組成物を被覆して
なる半導体装置、並びに、該被覆された半導体装置を、
さらに無機質充填材を含む樹脂組成物で封止してなる半
導体装置である。
本発明者等は、前に述べた従来の半導体装置の種々の問
題点を解決する為に、種々検討を重ねた結果、半導体素
子及びリード線上に、少なくともフェノキシ樹脂を含む
樹脂組成物を被覆し、ついで無機質充填材を含む樹脂組
成物で封止することによシ、高温・高湿状態に長時間放
置した後も、信頼性の高い動作が可能な樹脂封止型半導
体装置を得ることが出来ることを見出し、本発明をなす
に至った。
題点を解決する為に、種々検討を重ねた結果、半導体素
子及びリード線上に、少なくともフェノキシ樹脂を含む
樹脂組成物を被覆し、ついで無機質充填材を含む樹脂組
成物で封止することによシ、高温・高湿状態に長時間放
置した後も、信頼性の高い動作が可能な樹脂封止型半導
体装置を得ることが出来ることを見出し、本発明をなす
に至った。
本発明において用いうる、フェノキシ樹脂としては、例
えばＥｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ
本１Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ’、［’ｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ＋Ｖｏｌｕｍｅ、 ｉｏ、ｐａｇｅ１１１〜１２
２．６るいは、Ｌｅｅ Ｓｔｏｆｆｅｇ Ｎｅｖｉｌｌ
ｅ著；新しい耐熱性高分子（東京化学同人） ｐａｇｅ
１７〜６３、（１９７１）に記載されている樹脂を指し
、代表的なものとしては、式 で表わされる樹脂があげられる。商業的に入手出来るフ
ェノキシ樹脂としては、Ｃ１ｂａ ｐｒｏｄｕｃｔｓＣ
Ｏｌ、＋７）Ａｒａｌｄｉｔｅ ４８８ｇ−３２、Ａｒ
ａｌｄｉｔｅ ４８８Ｎ−４０、Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｌ
）ｉｄｅ ｐｌａｓｔｉｃｓ Ｃｏ、、のｐｍ ＰＫＨ
Ａ、ＰＫＨＣＸＰＡＨＪ、 ＰＫＨＳシリーズ、ＰＲＤ
Ａシリーズ、ｐｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｇｏ、のり、
Ｅ、ＦＬ ６８６ＭＫ４０、ＤＥＲ６８４、ＭＩ（４０
、Ｊｏｎｅｓ−Ｄａｌ）ｎｅｙ Ｃｏ、、のＥｐｉ−Ｒ
ｅｚ ２２８７ 、Ｓｈｅ Ｉ Ｉ Ｃｈｏｍｔｉｃａ
Ｉ Ｃｏ、のＥｐｏｎｏｌ ５３−Ｔ７−３２、Ｅｐｏ
ｎｏＪ５３−４０ＸＥｐｏｎｏｌ ５５ Ｉ／−３２，
Ｅｐｏｎｏ１５５−Ｂ−４０などがある。
えばＥｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ
本１Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ’、［’ｅｃｈｎｏｌ
ｏｇｙ＋Ｖｏｌｕｍｅ、 ｉｏ、ｐａｇｅ１１１〜１２
２．６るいは、Ｌｅｅ Ｓｔｏｆｆｅｇ Ｎｅｖｉｌｌ
ｅ著；新しい耐熱性高分子（東京化学同人） ｐａｇｅ
１７〜６３、（１９７１）に記載されている樹脂を指し
、代表的なものとしては、式 で表わされる樹脂があげられる。商業的に入手出来るフ
ェノキシ樹脂としては、Ｃ１ｂａ ｐｒｏｄｕｃｔｓＣ
Ｏｌ、＋７）Ａｒａｌｄｉｔｅ ４８８ｇ−３２、Ａｒ
ａｌｄｉｔｅ ４８８Ｎ−４０、Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｌ
）ｉｄｅ ｐｌａｓｔｉｃｓ Ｃｏ、、のｐｍ ＰＫＨ
Ａ、ＰＫＨＣＸＰＡＨＪ、 ＰＫＨＳシリーズ、ＰＲＤ
Ａシリーズ、ｐｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｇｏ、のり、
Ｅ、ＦＬ ６８６ＭＫ４０、ＤＥＲ６８４、ＭＩ（４０
、Ｊｏｎｅｓ−Ｄａｌ）ｎｅｙ Ｃｏ、、のＥｐｉ−Ｒ
ｅｚ ２２８７ 、Ｓｈｅ Ｉ Ｉ Ｃｈｏｍｔｉｃａ
Ｉ Ｃｏ、のＥｐｏｎｏｌ ５３−Ｔ７−３２、Ｅｐｏ
ｎｏＪ５３−４０ＸＥｐｏｎｏｌ ５５ Ｉ／−３２，
Ｅｐｏｎｏ１５５−Ｂ−４０などがある。
また、本発明において用いうる。ペテロ環ポリマとして
は、ポリイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリベンズ
チアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリピラゾール、
ポリキノキサリン、ポリチアゾール、ポリテトラアゾピ
レン、ポリ−４−フェニル−１，２，４−）ＩＪアゾー
ル、ポリキナゾリンジオン、ポリベンゾオキザジソジオ
ンなどがある。また、上記へテロ環ポリマの骨格中に、
アミド結合、エステル結合、エーテル結合、スルフィド
結合、スルホン結合、ウレタン結合、シロキサン結合な
どを含むことも出来る。
は、ポリイミド、ポリベンズイミダゾール、ポリベンズ
チアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリピラゾール、
ポリキノキサリン、ポリチアゾール、ポリテトラアゾピ
レン、ポリ−４−フェニル−１，２，４−）ＩＪアゾー
ル、ポリキナゾリンジオン、ポリベンゾオキザジソジオ
ンなどがある。また、上記へテロ環ポリマの骨格中に、
アミド結合、エステル結合、エーテル結合、スルフィド
結合、スルホン結合、ウレタン結合、シロキサン結合な
どを含むことも出来る。
上記のへテロ環ポリマの中でも、特に閉環状態で溶媒へ
の溶解性の大きなポリマ、例えば付加型ポリイミドなど
は、半導体素子上への被覆処理時に、反応（例えば脱水
縮合反応）に伴なう副生物が殆んどなく、素子表面への
応力が少なくなることから、Ａｔ配線の腐食を抑制する
上で好ましい。
の溶解性の大きなポリマ、例えば付加型ポリイミドなど
は、半導体素子上への被覆処理時に、反応（例えば脱水
縮合反応）に伴なう副生物が殆んどなく、素子表面への
応力が少なくなることから、Ａｔ配線の腐食を抑制する
上で好ましい。
また、本発明において用いうる、カップリング剤として
は、エボキシシ２ン、アミノシラン、メルカプトシラン
、フルオロシラン、ビニルシランなど公知のシラン系カ
ンプリング剤、アルミニウム、チタン、ジルコニウムな
どの金属アルコキナイドあるいはキレート系の公知のカ
ンプリング剤、などがある。
は、エボキシシ２ン、アミノシラン、メルカプトシラン
、フルオロシラン、ビニルシランなど公知のシラン系カ
ンプリング剤、アルミニウム、チタン、ジルコニウムな
どの金属アルコキナイドあるいはキレート系の公知のカ
ンプリング剤、などがある。
本発明において用いることが出来る封止用樹脂組成物と
しては、例えば、エボキク樹脂、フェノール樹脂、メラ
ミン樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、付加型ポリイミド樹
脂、シリコーン樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、
フッ素樹脂、ポリフエニレンスルフイド、ポリアミド、
ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリプロ
ピレンなどがある。
しては、例えば、エボキク樹脂、フェノール樹脂、メラ
ミン樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、付加型ポリイミド樹
脂、シリコーン樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、
フッ素樹脂、ポリフエニレンスルフイド、ポリアミド、
ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリプロ
ピレンなどがある。
これらの中でも、エポキシ樹脂組成物は封止用樹脂組成
物として有用である。
物として有用である。
エホキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡのジグ
リシジルエーテル、ブタジエンジエポキサイド、３．４
−エポキシシクロヘキシルメチル−（３，４−エポキシ
）シクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキ
サンジオキシ）”、４゜４′−ジ（１，２−エポキシエ
チル）ジフェニルエーテル、４．４’−（１，２−エポ
キシエチル）ビフェニル、２．２−ビス（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）プロパン、レゾルシンのグリシジ
ルエーテル、フロログルシンのジグリシジルエーテル、
メチルフロログルシンのジグリシジルエーテル、ビス−
（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、２−（
３，４−エポキシ）シクロヘキサン−５，５−スピロ（
３，４−エポキシ）−シクロヘキサン−ｍ −ジオキサ
ン、ビｘ−（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキ
シル）アジベ−）、Ｎ＋ Ｎ’−ｍ−フｘ＝ｖンビス（
４，５−エポキシ−１，２−シクロヘキサン）ジカルボ
キシイミドなどの２官能のエポキシ化合物、パラアミノ
フェノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリ
シジルエーテル、１．３．５−）す（１，２−エポキシ
エチル）ベンゼン、２１２’１４．４′−テトラグリシ
ドキシベンゾフェノン、テトラグリシドキシテトラフェ
ニルエタン、フェノールホルムアルデヒドノボランクの
ポリグリシジルエーテル、グリセリンのトリグリシジル
エーテル、トリメチロールプロパンのトリグリシジルエ
ーテルなど３官能以上のエポキシ化合物が用いられる。
リシジルエーテル、ブタジエンジエポキサイド、３．４
−エポキシシクロヘキシルメチル−（３，４−エポキシ
）シクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキ
サンジオキシ）”、４゜４′−ジ（１，２−エポキシエ
チル）ジフェニルエーテル、４．４’−（１，２−エポ
キシエチル）ビフェニル、２．２−ビス（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）プロパン、レゾルシンのグリシジ
ルエーテル、フロログルシンのジグリシジルエーテル、
メチルフロログルシンのジグリシジルエーテル、ビス−
（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、２−（
３，４−エポキシ）シクロヘキサン−５，５−スピロ（
３，４−エポキシ）−シクロヘキサン−ｍ −ジオキサ
ン、ビｘ−（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキ
シル）アジベ−）、Ｎ＋ Ｎ’−ｍ−フｘ＝ｖンビス（
４，５−エポキシ−１，２−シクロヘキサン）ジカルボ
キシイミドなどの２官能のエポキシ化合物、パラアミノ
フェノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリ
シジルエーテル、１．３．５−）す（１，２−エポキシ
エチル）ベンゼン、２１２’１４．４′−テトラグリシ
ドキシベンゾフェノン、テトラグリシドキシテトラフェ
ニルエタン、フェノールホルムアルデヒドノボランクの
ポリグリシジルエーテル、グリセリンのトリグリシジル
エーテル、トリメチロールプロパンのトリグリシジルエ
ーテルなど３官能以上のエポキシ化合物が用いられる。
その硬化剤としては、各種のフェノール系化合物とアル
デヒド系化合物とを、酸性もしくは塩基性触媒の存在に
おいて、付加縮合反応させることによシ生成される樹脂
類が使用され、特にフェノール、クレゾールなどとホル
ムアルデヒドとを用いて、酸性触媒反応によって合成さ
れるノボラック樹脂が有用である。
デヒド系化合物とを、酸性もしくは塩基性触媒の存在に
おいて、付加縮合反応させることによシ生成される樹脂
類が使用され、特にフェノール、クレゾールなどとホル
ムアルデヒドとを用いて、酸性触媒反応によって合成さ
れるノボラック樹脂が有用である。
さらに、エポキシ樹脂組成物の硬化反応を促進する目的
で各種の触媒を添加することができ、この触媒としては
、例えばトリエタノールアミン、テトラメチルブタンジ
アミン、テトラメチルペンタンジアミン、テトラメチル
ヘキサンジアミン、トリエチレンジアミン及びジメチル
アニリン等の第３級アミン、ジメチルアミンエタノール
及びジメチルアミノペンタノール等のオキシアルキルア
ミンならびにトリス（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル及びメチルモルホリン等のアミン類を適用することが
できる。
で各種の触媒を添加することができ、この触媒としては
、例えばトリエタノールアミン、テトラメチルブタンジ
アミン、テトラメチルペンタンジアミン、テトラメチル
ヘキサンジアミン、トリエチレンジアミン及びジメチル
アニリン等の第３級アミン、ジメチルアミンエタノール
及びジメチルアミノペンタノール等のオキシアルキルア
ミンならびにトリス（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル及びメチルモルホリン等のアミン類を適用することが
できる。
又、同じ目的で、触媒として、例えばセチルトリメチル
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルラド２デシルアンモニウムクロライド
、ペンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンそニウムブロマイド、ベ
ンジルジメチルステアリ≠ルアンモニウムブロマイド、
ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベン
ジルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等（
第４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、
２−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール
、２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾ
ール、２−メチル−４−メチルイミダゾール、１−ブチ
ルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾー
ル、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シア
ノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアンエチル
−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアンエチル−２
−フェニルイミダゾール、１−アジン−２−メチルイミ
ダゾール及び１−アジン−２−ウンデシルイミダゾール
等のイミダゾール化合物あるいは又、トリフェニルホス
フィンテトラフェニルポレート、トリエチルアミンテト
ラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェ
ニルボレート、ピリジンテトラフェニルボレート２−エ
チル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート
及び２−エチル−１，４−ジメチルイミダゾールテトラ
フェニルボレート等のナト２フエニルボロン塩等が有用
である。
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルラド２デシルアンモニウムクロライド
、ペンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンそニウムブロマイド、ベ
ンジルジメチルステアリ≠ルアンモニウムブロマイド、
ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベン
ジルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等（
第４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、
２−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール
、２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾ
ール、２−メチル−４−メチルイミダゾール、１−ブチ
ルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾー
ル、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シア
ノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアンエチル
−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアンエチル−２
−フェニルイミダゾール、１−アジン−２−メチルイミ
ダゾール及び１−アジン−２−ウンデシルイミダゾール
等のイミダゾール化合物あるいは又、トリフェニルホス
フィンテトラフェニルポレート、トリエチルアミンテト
ラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェ
ニルボレート、ピリジンテトラフェニルボレート２−エ
チル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート
及び２−エチル−１，４−ジメチルイミダゾールテトラ
フェニルボレート等のナト２フエニルボロン塩等が有用
である。
上記の触媒はその２種以上を併用することもでき、その
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ）１００に対して、重
量比で、０．０１〜ｚＯの範囲で用いればよい。
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ）１００に対して、重
量比で、０．０１〜ｚＯの範囲で用いればよい。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途、１
吏用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム、シリカ、ア
ルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミ
ニウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、メル
ク、マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や
短繊維状充填剤、脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エ
ポキシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及ヒアル
キルチタネート系化合物等のカンプリング剤、そしてさ
らに、アンチモンやリンの化合物及びノ・ロゲン含有化
合物のような難燃剤を加えることができる。
吏用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム、シリカ、ア
ルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミ
ニウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、メル
ク、マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や
短繊維状充填剤、脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エ
ポキシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及ヒアル
キルチタネート系化合物等のカンプリング剤、そしてさ
らに、アンチモンやリンの化合物及びノ・ロゲン含有化
合物のような難燃剤を加えることができる。
本発明の一樹脂組成物は、上記した成分をロール、ニー
ター、コニーター、−＊ｉはへ／シェルミキサー等を用
いて加熱（約７０〜８０Ｃ）混練することによって調製
される。また、成分化合物が固体である場合には、微粉
化した後混合するトライブレンド法によって配合するこ
ともできる。得られた組成物は約１５０〜２００Ｃの温
度で短時間に硬化できる。
ター、コニーター、−＊ｉはへ／シェルミキサー等を用
いて加熱（約７０〜８０Ｃ）混練することによって調製
される。また、成分化合物が固体である場合には、微粉
化した後混合するトライブレンド法によって配合するこ
ともできる。得られた組成物は約１５０〜２００Ｃの温
度で短時間に硬化できる。
実施例１〜４
５００ｍｔの三角フラスコ中に、ｚｓｏｍｚのＮ−メチ
ルヒロリドンを採シ、フェノキシ樹脂ＰＫＨＨ（ユニオ
ン・カーバイド社製）を第１表に記した所定配合量を加
え、加熱攪拌して溶解し、４種類のフェノキシ樹脂溶液
を作成した。
ルヒロリドンを採シ、フェノキシ樹脂ＰＫＨＨ（ユニオ
ン・カーバイド社製）を第１表に記した所定配合量を加
え、加熱攪拌して溶解し、４種類のフェノキシ樹脂溶液
を作成した。
次いで、これらのそれぞれの溶液に、付加型ポリイミド
としてケルイミドに６０１（ローン・ブーラン社製、ビ
スマレイミド・アミン付加物）おるいはアルミニウムキ
レートカップリング剤ＡＬＣＨ−ＴＲ，（用研ファイン
ケミカル社製・）をそれぞれ別個に所定量添加して溶解
させ被覆用組成物を得る。
としてケルイミドに６０１（ローン・ブーラン社製、ビ
スマレイミド・アミン付加物）おるいはアルミニウムキ
レートカップリング剤ＡＬＣＨ−ＴＲ，（用研ファイン
ケミカル社製・）をそれぞれ別個に所定量添加して溶解
させ被覆用組成物を得る。
次いで、６４にピットＤ−ＲＡＭメモリ用ＬＳＩ（１６
ピン）の素子及びリード線（ワイヤボンディングを含む
）上に、上記被覆用組成物の溶液を滴下した。その後、
１００Ｃで１時間、２００Ｃで１時間、２５０Ｃで３０
分加熱を続け、素子上に３０〜６０μｍの厚さの被覆膜
を得た。
ピン）の素子及びリード線（ワイヤボンディングを含む
）上に、上記被覆用組成物の溶液を滴下した。その後、
１００Ｃで１時間、２００Ｃで１時間、２５０Ｃで３０
分加熱を続け、素子上に３０〜６０μｍの厚さの被覆膜
を得た。
次いで、少なくともフェノキシ樹脂を含６組成物で被覆
された上記メモリ用ＬＳＩ素子は、下記のエポキシ樹脂
組成物で、トランスファ成形（１８０Ｃ１７ＣＩ Ｋ９
／ ａｎ” 、１．５分成形）によシ封止され、樹脂封
止型半導体装置を得た。それぞれ１００ケのＬＳＩにつ
いて耐湿信頼性を評価した。
された上記メモリ用ＬＳＩ素子は、下記のエポキシ樹脂
組成物で、トランスファ成形（１８０Ｃ１７ＣＩ Ｋ９
／ ａｎ” 、１．５分成形）によシ封止され、樹脂封
止型半導体装置を得た。それぞれ１００ケのＬＳＩにつ
いて耐湿信頼性を評価した。
結果を第１表に記した。なお、比較の為にフェノキシ樹
脂を含まない樹脂組成物を用いたものも比較例として表
１に記載した。
脂を含まない樹脂組成物を用いたものも比較例として表
１に記載した。
一封土用エボキシ樹脂組成物の作成−
エポキシ樹脂として、ＥＣＮ１２７３ （チバ社製、エ
ポキシ当量、２２５）１００重量部、硬化剤として１（
Ｐ−６０７Ｎ（ノボラック型フェノール樹脂、日立化成
社製）５５重量部、触媒として、トリフェニルホスフィ
ン２重量部、難燃化材として、赤リン３．７重量部、カ
ンプリング剤として、エポキシシランＫＢＭ３０３（信
越化学社製）、フィンとして、溶融石英ガラス粉、４０
０重量部、疎水性シリカＮ１ｐｓｉｌ Ｓ Ｓ −３Ｏ
Ｓ （日本シリカニ業社製）７０重量部、ｌ！ｌＩｌ型
剤として、ステアリン酸５重量部、着色剤として、カー
ボンブランク２重量部を配合した。次いで、７０〜８５
Ｃの２本ロールで７分間加熱混練した後、冷却し、粗粉
砕して、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を作成した。
ポキシ当量、２２５）１００重量部、硬化剤として１（
Ｐ−６０７Ｎ（ノボラック型フェノール樹脂、日立化成
社製）５５重量部、触媒として、トリフェニルホスフィ
ン２重量部、難燃化材として、赤リン３．７重量部、カ
ンプリング剤として、エポキシシランＫＢＭ３０３（信
越化学社製）、フィンとして、溶融石英ガラス粉、４０
０重量部、疎水性シリカＮ１ｐｓｉｌ Ｓ Ｓ −３Ｏ
Ｓ （日本シリカニ業社製）７０重量部、ｌ！ｌＩｌ型
剤として、ステアリン酸５重量部、着色剤として、カー
ボンブランク２重量部を配合した。次いで、７０〜８５
Ｃの２本ロールで７分間加熱混練した後、冷却し、粗粉
砕して、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を作成した。
実施例５．６
２ケのｓｏｏｍｚの三角フラスコ中に、それぞれ別個に
１２５ｍ／、のＮ−メチルピロリドンヲ採シ、これにＰ
ＫＨＨＩＯ重量部を加え、加熱攪拌してフェノキシ樹脂
溶液を作成した。
１２５ｍ／、のＮ−メチルピロリドンヲ採シ、これにＰ
ＫＨＨＩＯ重量部を加え、加熱攪拌してフェノキシ樹脂
溶液を作成した。
これらの溶液に、ポリイミド・イソインドロキナリシン
ジオン（日立化成社製、ＰＩＱ）の１５重量％Ｎ−メチ
ルビ日リドン溶液、イミドシリコーンの１５重量％Ｎ−
メチルピロリドン溶液をそれぞれ１３５ｍｔ添加して、
２種類の被覆用組成を得た。
ジオン（日立化成社製、ＰＩＱ）の１５重量％Ｎ−メチ
ルビ日リドン溶液、イミドシリコーンの１５重量％Ｎ−
メチルピロリドン溶液をそれぞれ１３５ｍｔ添加して、
２種類の被覆用組成を得た。
以下、実施例１と同様にして、樹脂封止型のメモリ用Ｌ
ＳＩ （６４にピントＤ−ＲＡＭ）それぞれ１００ケを
得た。これらについては、実施例１と同様の方法で耐湿
信頼性を評価した。なお、比較の為ＰＫＨＨを含まなり
樹脂溶液を用いて、同様に樹脂封止型のメモリＬＳＩを
作成し、同様の方法で評価した。結果を第２表に記した
。
ＳＩ （６４にピントＤ−ＲＡＭ）それぞれ１００ケを
得た。これらについては、実施例１と同様の方法で耐湿
信頼性を評価した。なお、比較の為ＰＫＨＨを含まなり
樹脂溶液を用いて、同様に樹脂封止型のメモリＬＳＩを
作成し、同様の方法で評価した。結果を第２表に記した
。
第２表
実施例７，８
２ケの５００ｍｔのフラスコ中に、それぞれ別個に１２
５ｍｔ（ＤＮ−メチルピロリドンを採シ、これにＰＫＨ
ＨＩＯ重量部を加え、加熱攪拌してフェノキシ樹脂溶液
を作成した。
５ｍｔ（ＤＮ−メチルピロリドンを採シ、これにＰＫＨ
ＨＩＯ重量部を加え、加熱攪拌してフェノキシ樹脂溶液
を作成した。
これらの溶液に、ポリイミド前駆体（ビフェニルテトラ
カルボン酸とｐ−フェニレンジアミンとからなるポリア
ミック酸重合体）を、３重量部と３０重量部をそれぞれ
別個に加えた。ポリイミド前連体ｔｌ−３０重量部加え
た系には、更ＫＮ−メチルピロリドンを１４０ｍｔ添加
した。
カルボン酸とｐ−フェニレンジアミンとからなるポリア
ミック酸重合体）を、３重量部と３０重量部をそれぞれ
別個に加えた。ポリイミド前連体ｔｌ−３０重量部加え
た系には、更ＫＮ−メチルピロリドンを１４０ｍｔ添加
した。
以下、被覆膜形成の処理条件が１００Ｃ，１時間＋２０
０Ｃ，１時間＋３００Ｃ，１時間と異なる他は、実施例
１と同様にして、樹脂封止型メモリ用ＬＳＩ （６４に
ビットＤ−ＲＡＭ）それぞれ１００ケを得た。これらに
ついては、実施ＦＪＩと同様の方法で耐湿信頼性を評価
した。その結果を第３表に記した。
０Ｃ，１時間＋３００Ｃ，１時間と異なる他は、実施例
１と同様にして、樹脂封止型メモリ用ＬＳＩ （６４に
ビットＤ−ＲＡＭ）それぞれ１００ケを得た。これらに
ついては、実施ＦＪＩと同様の方法で耐湿信頼性を評価
した。その結果を第３表に記した。
第 ３ 表
〔発明の効果〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子及びリード線上に、少なくともフェノキ
シ樹脂を含む樹脂組成物を被覆してなる半導体装置。 ２、半導体素子及びリード線上に、少なくともフェノキ
シ樹脂とへテロ環ポリマを含む樹脂組成物を被覆してな
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３、ペテロ項ポリマが、付加型ポリイミドである特許請
求の範囲第２項記載の半導体装置。 ４、半導体素子及びリード線上に、少なくともフェノキ
シ樹脂とへテロ環ポリマ及びカンプリング剤を含む樹脂
組成物を被覆してなる特許請求の範囲第１項記載の半導
体装置。 ５、半導体素子及びリード線上に、少なくともフェノキ
シ樹脂を含む樹脂組成物を被覆し、ついで無機質充填材
を含む樹脂組成物で封止してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204680A JPS6097648A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204680A JPS6097648A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097648A true JPS6097648A (ja) | 1985-05-31 |
| JPH0348660B2 JPH0348660B2 (ja) | 1991-07-25 |
Family
ID=16494520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58204680A Granted JPS6097648A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097648A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143056A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Manufacture of wiring structure for electronic circuit |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58204680A patent/JPS6097648A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143056A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Manufacture of wiring structure for electronic circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0348660B2 (ja) | 1991-07-25 |
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