JPS6097655A - ボンデイング用ワイヤ - Google Patents
ボンデイング用ワイヤInfo
- Publication number
- JPS6097655A JPS6097655A JP58204802A JP20480283A JPS6097655A JP S6097655 A JPS6097655 A JP S6097655A JP 58204802 A JP58204802 A JP 58204802A JP 20480283 A JP20480283 A JP 20480283A JP S6097655 A JPS6097655 A JP S6097655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- bonding
- ball
- melted
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07511—Treating the bonding area before connecting, e.g. by applying flux or cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/521—Structures or relative sizes of bond wires
- H10W72/522—Multilayered bond wires, e.g. having a coating concentric around a core
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/555—Materials of bond wires of outermost layers of multilayered bond wires, e.g. material of a coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、ボンディング技術、特に、電気的な接続に使
用されるボンディング用ワイヤに関し、たとえば、半導
体装置の電気的接続に利用して有効な技術に関する。
用されるボンディング用ワイヤに関し、たとえば、半導
体装置の電気的接続に利用して有効な技術に関する。
[背景技術]
半導体装置において、ペレットに形成された集積回路の
電極と、外部へのリードとを電気的に接続する場合、ア
ルミニウム(AI)からなるボンディング用ワイヤを使
用することが劣えられる。
電極と、外部へのリードとを電気的に接続する場合、ア
ルミニウム(AI)からなるボンディング用ワイヤを使
用することが劣えられる。
しかし、かかるボンディング用ワイヤにおいては、その
表面に酸化アルミニウム(A1203)が形成され、か
つ、このAl2O5の融点カベきわめて高いため、ネイ
ルポーJしを作り出す場合、ボールの形状が不通正にな
る等ボール成形性力((氏子するという問題点があるこ
とが、本発明者Gこよって明らかにされた。
表面に酸化アルミニウム(A1203)が形成され、か
つ、このAl2O5の融点カベきわめて高いため、ネイ
ルポーJしを作り出す場合、ボールの形状が不通正にな
る等ボール成形性力((氏子するという問題点があるこ
とが、本発明者Gこよって明らかにされた。
[発明の目的]
本発明の目的は、適正なボールを作り出すことができる
ボンディング技術を提供することにある。
ボンディング技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面力1ら明らめ・になるであ
ろう。
明細書の記述および添付図面力1ら明らめ・になるであ
ろう。
[発明の概要]
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ワイヤの表面に酸化防止保護膜を被着するこ
とにより、ワイヤの表面に酸化4カく形成されることを
防止し、溶融性の低下を抑制して良好なボール成形性を
確保するようにしたものである。
とにより、ワイヤの表面に酸化4カく形成されることを
防止し、溶融性の低下を抑制して良好なボール成形性を
確保するようにしたものである。
[実施例]
第1図は本発明の一実施例であるボンディング用ワイヤ
を示す一部切断拡大正面図、第2図および第3図はその
作用を説明するための各一部切断拡大正面図である。
を示す一部切断拡大正面図、第2図および第3図はその
作用を説明するための各一部切断拡大正面図である。
本実施例において、このボンディング用ワイヤ1はA’
1からなるA1ワイヤ2を備えており、Alワイヤ2
0表面には、AIの酸化を防止するために、ニッケル(
Ni)またはその合金からなる保護膜3が被着されてい
る。酸化防止保護膜3は、AIワイヤ2の表面にAl2
O3が形成されていない状態で、Ni等をメッキや蒸着
等の適当な手段により全体的にできるだけ均一に被着さ
れる。
1からなるA1ワイヤ2を備えており、Alワイヤ2
0表面には、AIの酸化を防止するために、ニッケル(
Ni)またはその合金からなる保護膜3が被着されてい
る。酸化防止保護膜3は、AIワイヤ2の表面にAl2
O3が形成されていない状態で、Ni等をメッキや蒸着
等の適当な手段により全体的にできるだけ均一に被着さ
れる。
次に作用を説明する。
前記構成にかかるボンディング用ワイヤ1を用いてワイ
ヤボンディングを実施する際、このワイヤ1の先端部を
電気トーチ等により加熱溶融させると、第2図に示され
るように、ワイヤ1の先端にはボール4が溶融体の表面
張力によって形成される。このとき、AIワイヤ2の表
面にはNi保護FI3が被着され、AI2.03膜の形
成が防止されているので、先端部表面層は初期加熱によ
りただちに溶融し、熱ないしは溶融の内部への迅速な伝
播を促す。これにより、AIワイヤ2の先端部は高い溶
融状態になるため、表面張力が効果的に作用し、真珠に
近いボールが成形されることになる。
ヤボンディングを実施する際、このワイヤ1の先端部を
電気トーチ等により加熱溶融させると、第2図に示され
るように、ワイヤ1の先端にはボール4が溶融体の表面
張力によって形成される。このとき、AIワイヤ2の表
面にはNi保護FI3が被着され、AI2.03膜の形
成が防止されているので、先端部表面層は初期加熱によ
りただちに溶融し、熱ないしは溶融の内部への迅速な伝
播を促す。これにより、AIワイヤ2の先端部は高い溶
融状態になるため、表面張力が効果的に作用し、真珠に
近いボールが成形されることになる。
これに対し、Al2O3膜が形成されたAIワイヤでは
、Al2O3膜は耐火性であるため、電気トーチの初期
加熱によって十分に溶融せず、熱ないしは溶融の内部へ
の伝播が阻害される。これにより、十分な溶融状態が作
り出されず、表面張力が有効に作用されないため、ボー
ルが真球にならずに不適正な形状に成形されてしまう。
、Al2O3膜は耐火性であるため、電気トーチの初期
加熱によって十分に溶融せず、熱ないしは溶融の内部へ
の伝播が阻害される。これにより、十分な溶融状態が作
り出されず、表面張力が有効に作用されないため、ボー
ルが真球にならずに不適正な形状に成形されてしまう。
前述のようにして、はぼ真球形状のボール4が形成され
ると、第3図に示されるように、半導体装置におけるペ
レット5の電極上のポンディングパッド6にボール4を
溶着させた場合、ボール4がそのバッド6全体によ(な
じんで良好な接合性が得られ、またワイヤ1の方向が常
に一定に維持される等々によりボンダビイリティが向上
されることになる。
ると、第3図に示されるように、半導体装置におけるペ
レット5の電極上のポンディングパッド6にボール4を
溶着させた場合、ボール4がそのバッド6全体によ(な
じんで良好な接合性が得られ、またワイヤ1の方向が常
に一定に維持される等々によりボンダビイリティが向上
されることになる。
続いて、第3図に示されるように、リード7のボンディ
ングバンド8上にワイヤ1の他端部がボンディングされ
る場合、ワイヤ1のボンディング部に超音波エネルギが
加えられることによりワイヤ1とパッド8との接合が行
われる。
ングバンド8上にワイヤ1の他端部がボンディングされ
る場合、ワイヤ1のボンディング部に超音波エネルギが
加えられることによりワイヤ1とパッド8との接合が行
われる。
このとき、ワイヤ10表面にNi保護膜3が形成されて
いるので、きわめて良好なボンディング状態が作り出さ
れる。すなわち、ポンディングパッド8はAIやNi層
により形成されている場合が多く、ワイヤ1の表面のN
i保護膜3はこれらによくなじむので、接合性がきわめ
て良くなる。
いるので、きわめて良好なボンディング状態が作り出さ
れる。すなわち、ポンディングパッド8はAIやNi層
により形成されている場合が多く、ワイヤ1の表面のN
i保護膜3はこれらによくなじむので、接合性がきわめ
て良くなる。
また、Ni保護膜3が形成されていない場合、Al2O
3膜が形成され、このAl2O3膜は接合性を阻害する
ため、接合性が低下するが、Ni保護膜3で表面が被覆
されていると、このAt2o3N!itは形成されない
ので、接合性の低下は未然に防止される。
3膜が形成され、このAl2O3膜は接合性を阻害する
ため、接合性が低下するが、Ni保護膜3で表面が被覆
されていると、このAt2o3N!itは形成されない
ので、接合性の低下は未然に防止される。
[効果コ
(1)0表面に酸化を防止する保護膜を被着することに
より、良好なボールを成形させることができるため、ポ
ンダビリティを向上させることができ、歩留りが向上で
きる。
より、良好なボールを成形させることができるため、ポ
ンダビリティを向上させることができ、歩留りが向上で
きる。
(2)、保護膜をNiで形成することにより、相手方バ
ンドによくなじませることができるため、接1合性を一
層高めることができる。
ンドによくなじませることができるため、接1合性を一
層高めることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、酸化防止保護膜はNiまたはその合金で形成
するに限らず、パラジウム(Pd)、亜鉛(Zn)、銅
(Cu)やこれらの合金等を使用することができる。
するに限らず、パラジウム(Pd)、亜鉛(Zn)、銅
(Cu)やこれらの合金等を使用することができる。
[利用分野]
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置に使用さ
れるボンディング技術に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、たとえば、電子機
器に使用されるポンディング技術にも適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置に使用さ
れるボンディング技術に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではなく、たとえば、電子機
器に使用されるポンディング技術にも適用できる。
第1図は本発明の一実施例を示す一部切断拡大正面図、
第2図および第3図はその作用を説明するための各一部
切断拡大i面図である。 1・・・ボンディ−ング用ワイヤ、2・・・AIワイヤ
、3・・・酸、化防止保護膜、4・・・ボール、5・・
・ペレット、6,8・・・ポンディングパッド、7・・
・リード。
切断拡大i面図である。 1・・・ボンディ−ング用ワイヤ、2・・・AIワイヤ
、3・・・酸、化防止保護膜、4・・・ボール、5・・
・ペレット、6,8・・・ポンディングパッド、7・・
・リード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、表面に酸化を防止する保護膜が被着されていること
を特徴とするボンディング用ワイヤ。 2、保護膜がニッケルまたはその合金により構成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のボン
ディング用ワイヤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204802A JPS6097655A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ボンデイング用ワイヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58204802A JPS6097655A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ボンデイング用ワイヤ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097655A true JPS6097655A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16496602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58204802A Pending JPS6097655A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | ボンデイング用ワイヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097655A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204620A (ja) * | 1987-02-11 | 1988-08-24 | バウマー エレクトリク アクチエンゲゼルシャフト | ハイブリッド厚膜回路におけるボンデイングワイヤとコンタクト領域との間の接続形成方法 |
| EP0792517A4 (en) * | 1994-11-15 | 1998-06-24 | Formfactor Inc | ELECTRICAL CONTACT STRUCTURE MADE OF FLEXIBLE WIRE |
| US6336269B1 (en) * | 1993-11-16 | 2002-01-08 | Benjamin N. Eldridge | Method of fabricating an interconnection element |
| US6727579B1 (en) | 1994-11-16 | 2004-04-27 | Formfactor, Inc. | Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures |
| US6778406B2 (en) | 1993-11-16 | 2004-08-17 | Formfactor, Inc. | Resilient contact structures for interconnecting electronic devices |
| JP2014082368A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Nippon Micrometal Corp | ボンディングワイヤ |
| JP2020174156A (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2021521650A (ja) * | 2018-01-15 | 2021-08-26 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 半導体デバイスのワイヤボールボンディング |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58204802A patent/JPS6097655A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63204620A (ja) * | 1987-02-11 | 1988-08-24 | バウマー エレクトリク アクチエンゲゼルシャフト | ハイブリッド厚膜回路におけるボンデイングワイヤとコンタクト領域との間の接続形成方法 |
| US6336269B1 (en) * | 1993-11-16 | 2002-01-08 | Benjamin N. Eldridge | Method of fabricating an interconnection element |
| US6778406B2 (en) | 1993-11-16 | 2004-08-17 | Formfactor, Inc. | Resilient contact structures for interconnecting electronic devices |
| US6835898B2 (en) | 1993-11-16 | 2004-12-28 | Formfactor, Inc. | Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures |
| EP0792517A4 (en) * | 1994-11-15 | 1998-06-24 | Formfactor Inc | ELECTRICAL CONTACT STRUCTURE MADE OF FLEXIBLE WIRE |
| US6727579B1 (en) | 1994-11-16 | 2004-04-27 | Formfactor, Inc. | Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures |
| JP2014082368A (ja) * | 2012-10-17 | 2014-05-08 | Nippon Micrometal Corp | ボンディングワイヤ |
| JP2021521650A (ja) * | 2018-01-15 | 2021-08-26 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 半導体デバイスのワイヤボールボンディング |
| JP2020174156A (ja) * | 2019-04-12 | 2020-10-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| DE102020204406B4 (de) * | 2019-04-12 | 2025-08-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI233684B (en) | Electronic device | |
| US6164523A (en) | Electronic component and method of manufacture | |
| CN100421861C (zh) | 焊料 | |
| JP3736452B2 (ja) | はんだ箔 | |
| EP0435009B1 (en) | Semiconductor package connecting method and semiconductor package connecting wires | |
| US5982629A (en) | Silicon semiconductor device,electrode structure therefor, and circuit board mounted therewith | |
| JPS60257160A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2009060101A (ja) | 電子機器 | |
| US20160035690A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device | |
| WO2006075459A1 (ja) | はんだペースト、及び電子装置 | |
| JP2002261105A (ja) | 電子機器 | |
| JP2000031204A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JP7168008B2 (ja) | はんだ接合部 | |
| TW200304209A (en) | Semiconductor package having oxidation-free copper wire | |
| JPS6097655A (ja) | ボンデイング用ワイヤ | |
| KR910000154B1 (ko) | 반도체장치와 그 재법 및 그것에 사용되는 본딩와이어 | |
| TWI228309B (en) | Semiconductor device | |
| JP2737953B2 (ja) | 金バンプ用金合金細線 | |
| KR100432325B1 (ko) | 전극형성방법 및 그에 이용되는 범프 전극 피형성체 | |
| JPH01110741A (ja) | 複合ボンディングワイヤ | |
| JP2004247742A (ja) | 電子機器 | |
| JPH0831848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60134444A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JP2008147307A (ja) | 回路基板およびこれを用いた半導体モジュール | |
| JPH11135533A (ja) | 電極構造、該電極を備えたシリコン半導体素子、その製造方法及び該素子を実装した回路基板並びにその製造方法 |