JPS6098596A - メモリアクセス方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、電子計算機の半導体メモリアクセス方式に係
り、特に低消費電力のメモリアクセスを可能とするメモ
リアクセス方式に関する。

〔発明の背景〕

メモリセルのデータが出力されるデータ線の電位を予め
一定電位に設定した後にメモリアクセスする方式をプリ
チャージ方式という。第１図にこのプリチャージ方式を
用いるメモリ素子の内部回路の構成例を示す。同図にお
いて、まず端子Ｂにプリチャージ指示信号を入力すると
、プリチャージ用パルス発生回路１から、第１のパルス
が信号線２に送出される。これによりスイッチＳｌおよ
びスイッチＳ２がオン・オフして、データ線４が低電位
（本図ではＯＶ）にデータ線５が高電位（本図では５Ｖ
）に設定される。次にプリチャージ用パルス発生回路１
より第２のパルスが信号線３に送出される。この第２の
パルスにより、スイッチＳ５がオン・オフしてデータ線
４とデータ線５とを一瞬間短絡する。データ線４，５を
短絡するとデータ線５からデータ８４に電荷が放電され
、電圧は中和して所定の中間レベルとなる（本例ではデ
ータ線４，５の容量が等しいので２．５Ｖとなる）、、
シかる後に、端子Ａ群にアドレスを人力し、アドレスデ
コーダ８によりデコードして、該当するアドレス［９に
起動をかける。この起動によりスイッチ３３．スイッチ
Ｓ４が閉じ、データ線４．データ線５の電位がメモリセ
ル６の蓄積電荷量によって、所定電位より少し高い電位
あるいは所定電位より少し低い電位となる。この電位を
センスアンプ７によって感知して増幅し、メモリセル６
のデータ値を出力端子Ｃから出力する。

上記プリチャージ方式のメモリを使用するに当り、従来
は第３図のタイミングチャートに示すようにマイクロ命
令ＭＣによりメモリアクセスとは無関係に、　プリチャ
ージ指示信号Ｐｒを本体側から毎サイクル送り出してい
た。しかし、この従来方式では、　アドレス信号Ａｄに
よりデータ格納レジスタＤＲに対するメモリアクセスの
ない場合も。

各サイクルのプリチャージの際に電荷が移動して電力が
消費されるので、無駄な電力が消費されるという欠点が
あった。

（発明の目的〕 本発明は上述の点にかんがみてなされた・しので、メモ
リアクセス直前のみプリチャージを行い低消費電力のメ
モリアクセス方式を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明の要点は、プリチャージ方式のメモリにおいて、
命令の指示により、あるメモリをアクセスして、データ
を読み出す際に、命令のメモリアクセス指示からメモリ
アドレス送出までに、プリチャージ指示信号を生成して
メモリアクセス直前のみプリチャージを行うようにした
点にある。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。

第２図は本発明に係るメモリアクセス方式の−・実施例
で、特にマイクロ命令制御によるローカルメモリ読み出
しの際の制御信号およびデータの流れを示したブロック
図である。同図において、１０はコントロールメモリ、
１１はマイクロ命令制御論理回路、１２はワーク用のレ
ジスタメモリからなるローカルメモリである。ローカル
メモリ１２は、第１図のメモリ素子の内部回路と同じ構
成を有するメモリである。

いま、コントロールメモリｌＯからマイクロ命令を読み
出して、その指示によりローカルメモリ１２をアクセス
して、リードデータレジスタ１３に格納する場合を考え
る。ローカルメモリ１２のプリチャージ指示端子Ｂには
、コントロールメモリ１０から送出されるマイクロ命令
のオペレーションコードをデコード１４により解読し、
その結果、「リード」が判定／検出されるとプリチャー
ジ指示信号が与えられる。これにより、前記第１図の動
作で説明したように、プリチャージ用パルス発生回路ｌ
から、第１のパルス信号が送出され、データ線４が低電
位に、データ線５が高電位に設定される。次いで、プリ
チャージ用パルス発生回路１より第２のパルスが信号線
３に送出される。

この第２のパルスにより、データ線４とデータ線５が短
絡し１両データ線４，５が一定電位に設定される。つま
り、ローカルメモリ１２のプリチャージはメモリアクセ
ス時のみ行うようにする。そして、プリチャージ後、ア
ドレスレジスタ１５からローカルメモリ１２にアドレス
信号を送出してメモリをアクセスする。上記マイクロ命
令ＭＣ、デコーダ１４からのプリチャージ指示信号Ｐｒ
、アドレスレジスタ１５からのアドレス信号Ａｄのタイ
ミングチャートを第４図に示す。同図に明示するように
、　プリチャージ信号Ｐｒはマイクロ命令Ｍｅが発せら
れるサイクルのみ送出される。上記例では読み出しのみ
をとり上げたが、書き込みに関しては書き込み前にプリ
チャージの必要がない。

なお、上記実施例おいては、ワーク用のレジスタメモリ
からなるローカルメモリを例に説明したが、このような
メモリに限度されないことは当然である。

以上、上記実施例によれば、メモリアクセス直前のみプ
リチャージを行なうようにしたので、従来のように、メ
モリアクセスとは無関係にプリチャージ指示信号を毎サ
イクル送り出す方式と比較し、計算機のメモリのプリチ
ャージに要する消費電力が極めて少なくてすむ。さらに
、低電力消費に伴う発熱の低減により冷却装置の小型化
、冷却装置小型化に伴う騒音の低下等の効果も得られる
。

また、今後、計算機の小型化が進み、集積度の高いプリ
チャージ方式メモリの使用頻度が高まるにつれて、上記
実施例の効用が期待される。

〔発明の効果〕

以上説明したように１本発明に係るメモリアクセス方式
は、メモリアクセス直前にのみ指示信号を発してデータ
線の電位を所定値に設定するようにしたので、消費電力
が従来方式に比較し、少なくできるという優れた効果を
有する。

【図面の簡単な説明】

第１図はプリチャージ方式メモリ素子の内部回路の構成
を示すブロック図、第２図はマイクロ命令によるローカ
ルメモリ読み出しの際、制御信号・データの流れを示し
たブロック図、第３図は従来のメモリアクセス方式のタ
イミング図、第４図は本発明に係るメモリアクセス方式
のタイミング図である。 １・・・プリチャージ用パルス発生回路、２，３・・・
プリチャージ用パルス信号線、　４，５・・・データ線
、６・・メモリセル、　７・・・センスアンプ、８・・
・アドレスデコーダ、９・・・アドレス線、１０・・・
コントロールメモリ、１１・・・マイクロ命令制御論理
回路、１２・・・ローカルメモリ、１３・・・データレ
ジスター　１４・・・マイクロ命令デコーダ、１５・・
・ローカルメモリアドレスレジスタ５

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）メモリセルのデータが出力され−るデータ線の電
   位を予め一定電圧に設定し、しかる後にメモリアクセス
   を行うメモリアクセス方式おいて、メモリアクセスを起
   動する信号により、メモリアクセス直前に前記データ線
   の電位を一定電位に設定することを特徴とするメモリア
   クセス方式。