JPS6098685A - ＨｇＣｄＴｅよりなる光伝導検出器の不動化方法 - Google Patents
ＨｇＣｄＴｅよりなる光伝導検出器の不動化方法Info
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- JPS6098685A JPS6098685A JP59212748A JP21274884A JPS6098685A JP S6098685 A JPS6098685 A JP S6098685A JP 59212748 A JP59212748 A JP 59212748A JP 21274884 A JP21274884 A JP 21274884A JP S6098685 A JPS6098685 A JP S6098685A
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- detector
- oxide layer
- layer
- photoconductive detector
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F71/1253—The active layers comprising only Group II-VI materials, e.g. CdS, ZnS or CdTe comprising at least three elements, e.g. HgCdTe
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/69—Inorganic materials
- H10P14/692—Inorganic materials composed of oxides, glassy oxides or oxide-based glasses
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- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野１
本発明はＨｇＣｄ組体に対するＣｄの割合に依存するス
ペクトル領域での赤外線輻射を検出するために使用する
特に）（ｇ Ｃｄ Ｔｅよりなる光伝導検出器の不動化
方法に関する。 ［従来の技術Ｊ 上述のＨｇＣｄ組体中のＣｄの割合を３０％に近付ける
と、検出帯域は３〜５μ
ペクトル領域での赤外線輻射を検出するために使用する
特に）（ｇ Ｃｄ Ｔｅよりなる光伝導検出器の不動化
方法に関する。 ［従来の技術Ｊ 上述のＨｇＣｄ組体中のＣｄの割合を３０％に近付ける
と、検出帯域は３〜５μ
【０となり、Ｃｄの割合を２０
％に近付けると検出（１′を域は８〜１２μＩ１１とな
る。 検出器の汚染を回避するために、光伝導検出器のは表面
は不動化処理されている。 導電体表面上に例えば硫化亜鉛または酸化珪素のような
化合物の屑を沈着させることによる不動化方法は既知で
ある。しかし、−に述の不動化方法を用いると、検出器
は非常によ＜ （：、？ ＊ｔ’ｉできるものではなく
、検出器の性能、実質的には検出器の感度及び検出性は
、特に検出ｉ！：（が７０℃以−りの温度下に存在する
場合には遅かれ早かれ劣化する。 さて、光伝導検出器の感度及び検出性はキャリヤーの有
効か命に依存し、キャリヤーの有効寿命自体は入射線に
より促進されたキ、トリャーの表面再結合速度に逆比例
する。 孔の拡散距離が検出器の向かい合った２！２面間の厚さ
より顕著に長い場合には、キャリヤーの再結合はこれら
２表面で促進される。 従って、可能な限り遅くなければならないこの表面再結
合速度は表面電位に依存し、従って、該表面電位は検出
器を信頼性のあるものにするために安定にａｔ持しなけ
ればならない。 ［発明が解決しようとする問題、α］ 米国特許第３，９７７．０１８号は光伝導検出器内部の
荷電密度よりも大きい表面荷電密度により、該検出器の
２側面での表面再結合を最少とし、かつ安定化する方法
を提唱している。この方法は例えば１１型の物質の表面
上に陽電荷密度の不動化層を形成し、それによって該表
面」二にＩ】十型の屑を造ることからなる。この層に含
まれる双極子は該物質の内側に設置された陽電荷により
配向しており、孔によって構成される少数キャリヤー物
質なダ１除し、従って、該少数キャリヤー物質の再結合
は減少し、一方キャリャーの有効が命は延長される。 より詳細には、上述の特許は電気化学的方法、特に電解
質中での該物質の陽極酸化により検出器の少なくとも１
表面上に安定な酸化物（ｎａｔｉｖｅｏｘｉｄｅ）の層
を予め形成させることを提唱している。 上述の特許による方法は高温度下で長時間安定なか命を
もつ不動化した赤外線光伝導検出器の製造を可能にする
ものであったとしても、なお幾つかの欠、−γが存在す
る。 先ず、該方法が電気化学的なものであるためにその実施
が相対的に複雑となる。第２に、該特許の方法は各々の
タイプの検出器材料に対応して特定の実施態様で実施し
なければならない。最後に、この方法により得られた検
出器の特定の性質は特に検出器の検出性の面でまだ全体
的に満足のいくものではない。 従って、本発明の目的は」二連の特許による方法の欠点
を克服することを意図するものである。 Ｅ問題７ヴを解決するための手段Ｊ 本発明は光伝導検出器のウェハーの少なくとも１表面上
に成分材料の酸化物層を形成し、次に該層を成長させる
ことからなる光伝導検出器の不動化方法において、前記
安定な酸化物層を純化学的酸化、１、ｙにＨＢＣｄＴｅ
検出器の場合には７エリシアン化カリウム［Ｋ ＊Ｆ
ｅ（ＣＮ ）＝Ｊ及び塩基性媒体、好ましくは水酸化ナ
トリウム（Ｋ Ｏ１１）の水溶液中にウェハーを浸漬す
ることによるＴｅの酸化により形成することを特徴とす
る光伝導検出器の不動化方法に関する。 本発明方法の好適な実施態様においては例えば硫化亜鉛
の誘電性層のような既知のタイプの補充不動化層を前記
安定な酸化物層の上に形成さぜる。 安定な酸化物ＷＩ（第１不動化層）を得るための方法は
非常に簡単である。特にＨｇＣｄＴｃ物質の場合には、
テルルをＦ ｅ（ＣＮ ）＝３−イオンで酸化し、Ｔｅ
Ｏ２を形成する。 本発明方法をより容易に理解するために、更に図面に従
って本発明を説明する。 第１図は本発明に従って不動化した検出器の内部表面を
もつ検出器を示す図である。 ｆｊＳ２図は第１図の検出器の内部表面を支持体に固定
した検出器を示す図である。 第３図は第２図の検出器ウェハーを薄くした検出器を示
す図である。 第４図はｆ：ｔＳ３閃の検出器の外表面に電気接点をも
つ検出器を示す図である。 第５図は第４図の検出器の不動化した外表面をもつ検出
器を示す図である。 ［作用］ さて、図に関して述べると、１１ｇＣｄＴｅよりなるウ
ェハー１は不動化した赤外線光伝導検出器を造るための
ものである。ウェハー１の伝導性はこの場合、１１型で
ある。 ウェハーの向がい合った２表面２及び３の表面２（内側
ｆ５１表面）を最初にｉ１Ｍ整する１このウェハーから
後述するようにテルルの安定な酸化物（ｎｎ口ｖｅ ｏ
ｘｉｄｅ）（Ｔ ｅｏ ２）の屑を造り、次にこのノＩ
４を成ｒｉ、させる１゜この目的を達成するために、表
面２を最初に研摩する。次にウェハー１を臭素−メタノ
ール溶液へ浸漬し、この表面２を化学的に浸食し、それ
によって予め形成され、がっＴｅＯ２層の均一な成長に
有害な酸化物の痕跡鼠をも除去する；次に該ウェハーを
洗浄及び乾燥する。 表面２を調整した後すぐにウェハー１をに、Ｆｅ（ＣＮ
）６及びＫ ＯＨの水溶液にウェハーの少なくとも表面
２が含浸するように浸漬し、先ず１’ ｅ Ｏ２層を形
成し、該’１’ｅ０２Ｍｉの形成はエスヵ（ＥＳＣＡ）
分析法、すなわち化学分析に適応される電子分光学によ
って行い、次にウェハーの表面２が溶液の浴に浸漬され
る期間の関数としてこのＴｅＯ□層を成長させる。 ＫｓＦｅ（ＣＮ）６及びＫＯＨの溶解は純水中へ水１１
当たりＫ ＊ Ｆ ｅ（ＣＮ ）−０，０７５−０，７
５モルの濃度及び水１１当たりＫＯＨｏ、０６〜０．６
モルの濃度で好都合に行うことができる。この点で水酸
化カリウム以外の塩基性媒体がまた適当であることを記
憶されたい。 勿論、酸化速度は保持される溶液の濃度に依存し、酸化
物層の厚さ等はＦ ｅ（ＣＮ ）ｓ３−のテルルへ作用
する期間に依存する。酸化物層１３が厚くなると、該酸
化物層の酸化速度は顕著に遅くなる。 酸化溶液の温度を２３℃に維持した時に下記の成長の相
対速度の上述の値は酸化による成長の速度の減少現象を
明確に説明するものである。従って、酸化物層１３は最
初の５分間に４００Δ増加するが、しかし、最後の４０
分間には７００Δしが増加しない。 酸化物層１３が所望の厚さ、本発明方法においては１０
００〜１５００Ａｉこ達した場合、すなわち酸化浴に浸
漬してから約１５〜３０分間を経過した後に、ウェハー
１を酸化浴から取り出し、水洗及び乾燥をした後、３０
００〜５０００Δの厚さの硫化亜鉛の補充不動化層４を
減圧下での蒸着により酸化ｅ層１３の上に沈着させる。 上述のようにして検出器（ウェハー）の表面２（第１表
面）を不動化する。 ウェハー１に２屑の不動化層（補充不動化ＷＩ４及び酸
化物Ｍ１３）をもつつ、エバー１が上述のようにして得
られ、補充不動化Ｊｆｆ１４の外側表面６を石英あるい
はす７Ｔイヤよりなる支持体５上に接着剤７（好ましく
はエポキシ系接着剤）を用いて固？する。 表面（内側表面）２に向かい合ったウェハー１の表面（
外側第２表面）３を研摩し、ＨｇＣｄＴｅウェハー１の
厚さを約１０〜１５μＩ１１まで薄くする。 次にウェハー１を前述のような臭素−メタノール溶液に
浸漬し、最後に研摩した表面８を上述と同じ目的のため
に化学的に浸食させる；浸漬したウェハー１を洗浄及び
乾燥する。 次に２個の電気接点９．１０をウェハー１の表面８の２
つのｍ端部付近に当業者が既知である条件下、金属屑例
えばクロム−會の屑を減圧下で蒸着することにより沈着
させた。 次に電気後７α９．１０の間に第１不動化屑１１を前述
のようにＫ ３ Ｆ ｅ（ＣＮ ）６及びＫＯＨの水溶
液中で形成し、最後に上述の補充不動化層４と同柿な補
充不動化層１２を第１不φＪＪ化１１４１１の上に造る
。 上述の方法は実施が特に簡単であり、いかなるタイプの
検出器の不動化にも使用できる。 上述のようにして得られた不動化した検出器は優秀な１
、ｙ性をもち、更に８０℃ぐらいの高温度下で・も安定
である。波長λｐ＝４．５μＩＩＩ、温度−７８℃（１
９５°Ｋ）で検出器の検出性Ｉ）は１０ ” ｕ＋−’
ｃｍＨ” であった・勿論、ウェハー１の向かい合った
２表面２．３のうちの１表面のみを不動化するとすれば
、不動化する表面は外側の表面（３，８）である。これ
とは異なって、ウェハーのインでの而を同程度に不動化
することが好都合であり、ウェハーの決まった表面を不
動化するためにウェハーを酸化浴に浸漬する時のような
特別な配慮を講じる必要はない。
％に近付けると検出（１′を域は８〜１２μＩ１１とな
る。 検出器の汚染を回避するために、光伝導検出器のは表面
は不動化処理されている。 導電体表面上に例えば硫化亜鉛または酸化珪素のような
化合物の屑を沈着させることによる不動化方法は既知で
ある。しかし、−に述の不動化方法を用いると、検出器
は非常によ＜ （：、？ ＊ｔ’ｉできるものではなく
、検出器の性能、実質的には検出器の感度及び検出性は
、特に検出ｉ！：（が７０℃以−りの温度下に存在する
場合には遅かれ早かれ劣化する。 さて、光伝導検出器の感度及び検出性はキャリヤーの有
効か命に依存し、キャリヤーの有効寿命自体は入射線に
より促進されたキ、トリャーの表面再結合速度に逆比例
する。 孔の拡散距離が検出器の向かい合った２！２面間の厚さ
より顕著に長い場合には、キャリヤーの再結合はこれら
２表面で促進される。 従って、可能な限り遅くなければならないこの表面再結
合速度は表面電位に依存し、従って、該表面電位は検出
器を信頼性のあるものにするために安定にａｔ持しなけ
ればならない。 ［発明が解決しようとする問題、α］ 米国特許第３，９７７．０１８号は光伝導検出器内部の
荷電密度よりも大きい表面荷電密度により、該検出器の
２側面での表面再結合を最少とし、かつ安定化する方法
を提唱している。この方法は例えば１１型の物質の表面
上に陽電荷密度の不動化層を形成し、それによって該表
面」二にＩ】十型の屑を造ることからなる。この層に含
まれる双極子は該物質の内側に設置された陽電荷により
配向しており、孔によって構成される少数キャリヤー物
質なダ１除し、従って、該少数キャリヤー物質の再結合
は減少し、一方キャリャーの有効が命は延長される。 より詳細には、上述の特許は電気化学的方法、特に電解
質中での該物質の陽極酸化により検出器の少なくとも１
表面上に安定な酸化物（ｎａｔｉｖｅｏｘｉｄｅ）の層
を予め形成させることを提唱している。 上述の特許による方法は高温度下で長時間安定なか命を
もつ不動化した赤外線光伝導検出器の製造を可能にする
ものであったとしても、なお幾つかの欠、−γが存在す
る。 先ず、該方法が電気化学的なものであるためにその実施
が相対的に複雑となる。第２に、該特許の方法は各々の
タイプの検出器材料に対応して特定の実施態様で実施し
なければならない。最後に、この方法により得られた検
出器の特定の性質は特に検出器の検出性の面でまだ全体
的に満足のいくものではない。 従って、本発明の目的は」二連の特許による方法の欠点
を克服することを意図するものである。 Ｅ問題７ヴを解決するための手段Ｊ 本発明は光伝導検出器のウェハーの少なくとも１表面上
に成分材料の酸化物層を形成し、次に該層を成長させる
ことからなる光伝導検出器の不動化方法において、前記
安定な酸化物層を純化学的酸化、１、ｙにＨＢＣｄＴｅ
検出器の場合には７エリシアン化カリウム［Ｋ ＊Ｆ
ｅ（ＣＮ ）＝Ｊ及び塩基性媒体、好ましくは水酸化ナ
トリウム（Ｋ Ｏ１１）の水溶液中にウェハーを浸漬す
ることによるＴｅの酸化により形成することを特徴とす
る光伝導検出器の不動化方法に関する。 本発明方法の好適な実施態様においては例えば硫化亜鉛
の誘電性層のような既知のタイプの補充不動化層を前記
安定な酸化物層の上に形成さぜる。 安定な酸化物ＷＩ（第１不動化層）を得るための方法は
非常に簡単である。特にＨｇＣｄＴｃ物質の場合には、
テルルをＦ ｅ（ＣＮ ）＝３−イオンで酸化し、Ｔｅ
Ｏ２を形成する。 本発明方法をより容易に理解するために、更に図面に従
って本発明を説明する。 第１図は本発明に従って不動化した検出器の内部表面を
もつ検出器を示す図である。 ｆｊＳ２図は第１図の検出器の内部表面を支持体に固定
した検出器を示す図である。 第３図は第２図の検出器ウェハーを薄くした検出器を示
す図である。 第４図はｆ：ｔＳ３閃の検出器の外表面に電気接点をも
つ検出器を示す図である。 第５図は第４図の検出器の不動化した外表面をもつ検出
器を示す図である。 ［作用］ さて、図に関して述べると、１１ｇＣｄＴｅよりなるウ
ェハー１は不動化した赤外線光伝導検出器を造るための
ものである。ウェハー１の伝導性はこの場合、１１型で
ある。 ウェハーの向がい合った２表面２及び３の表面２（内側
ｆ５１表面）を最初にｉ１Ｍ整する１このウェハーから
後述するようにテルルの安定な酸化物（ｎｎ口ｖｅ ｏ
ｘｉｄｅ）（Ｔ ｅｏ ２）の屑を造り、次にこのノＩ
４を成ｒｉ、させる１゜この目的を達成するために、表
面２を最初に研摩する。次にウェハー１を臭素−メタノ
ール溶液へ浸漬し、この表面２を化学的に浸食し、それ
によって予め形成され、がっＴｅＯ２層の均一な成長に
有害な酸化物の痕跡鼠をも除去する；次に該ウェハーを
洗浄及び乾燥する。 表面２を調整した後すぐにウェハー１をに、Ｆｅ（ＣＮ
）６及びＫ ＯＨの水溶液にウェハーの少なくとも表面
２が含浸するように浸漬し、先ず１’ ｅ Ｏ２層を形
成し、該’１’ｅ０２Ｍｉの形成はエスヵ（ＥＳＣＡ）
分析法、すなわち化学分析に適応される電子分光学によ
って行い、次にウェハーの表面２が溶液の浴に浸漬され
る期間の関数としてこのＴｅＯ□層を成長させる。 ＫｓＦｅ（ＣＮ）６及びＫＯＨの溶解は純水中へ水１１
当たりＫ ＊ Ｆ ｅ（ＣＮ ）−０，０７５−０，７
５モルの濃度及び水１１当たりＫＯＨｏ、０６〜０．６
モルの濃度で好都合に行うことができる。この点で水酸
化カリウム以外の塩基性媒体がまた適当であることを記
憶されたい。 勿論、酸化速度は保持される溶液の濃度に依存し、酸化
物層の厚さ等はＦ ｅ（ＣＮ ）ｓ３−のテルルへ作用
する期間に依存する。酸化物層１３が厚くなると、該酸
化物層の酸化速度は顕著に遅くなる。 酸化溶液の温度を２３℃に維持した時に下記の成長の相
対速度の上述の値は酸化による成長の速度の減少現象を
明確に説明するものである。従って、酸化物層１３は最
初の５分間に４００Δ増加するが、しかし、最後の４０
分間には７００Δしが増加しない。 酸化物層１３が所望の厚さ、本発明方法においては１０
００〜１５００Ａｉこ達した場合、すなわち酸化浴に浸
漬してから約１５〜３０分間を経過した後に、ウェハー
１を酸化浴から取り出し、水洗及び乾燥をした後、３０
００〜５０００Δの厚さの硫化亜鉛の補充不動化層４を
減圧下での蒸着により酸化ｅ層１３の上に沈着させる。 上述のようにして検出器（ウェハー）の表面２（第１表
面）を不動化する。 ウェハー１に２屑の不動化層（補充不動化ＷＩ４及び酸
化物Ｍ１３）をもつつ、エバー１が上述のようにして得
られ、補充不動化Ｊｆｆ１４の外側表面６を石英あるい
はす７Ｔイヤよりなる支持体５上に接着剤７（好ましく
はエポキシ系接着剤）を用いて固？する。 表面（内側表面）２に向かい合ったウェハー１の表面（
外側第２表面）３を研摩し、ＨｇＣｄＴｅウェハー１の
厚さを約１０〜１５μＩ１１まで薄くする。 次にウェハー１を前述のような臭素−メタノール溶液に
浸漬し、最後に研摩した表面８を上述と同じ目的のため
に化学的に浸食させる；浸漬したウェハー１を洗浄及び
乾燥する。 次に２個の電気接点９．１０をウェハー１の表面８の２
つのｍ端部付近に当業者が既知である条件下、金属屑例
えばクロム−會の屑を減圧下で蒸着することにより沈着
させた。 次に電気後７α９．１０の間に第１不動化屑１１を前述
のようにＫ ３ Ｆ ｅ（ＣＮ ）６及びＫＯＨの水溶
液中で形成し、最後に上述の補充不動化層４と同柿な補
充不動化層１２を第１不φＪＪ化１１４１１の上に造る
。 上述の方法は実施が特に簡単であり、いかなるタイプの
検出器の不動化にも使用できる。 上述のようにして得られた不動化した検出器は優秀な１
、ｙ性をもち、更に８０℃ぐらいの高温度下で・も安定
である。波長λｐ＝４．５μＩＩＩ、温度−７８℃（１
９５°Ｋ）で検出器の検出性Ｉ）は１０ ” ｕ＋−’
ｃｍＨ” であった・勿論、ウェハー１の向かい合った
２表面２．３のうちの１表面のみを不動化するとすれば
、不動化する表面は外側の表面（３，８）である。これ
とは異なって、ウェハーのインでの而を同程度に不動化
することが好都合であり、ウェハーの決まった表面を不
動化するためにウェハーを酸化浴に浸漬する時のような
特別な配慮を講じる必要はない。
ｔｉＳ１図は本発明に従って不動化した検出器の内部表
面をもつ検出器を示す図である。、ｆ５２図は第１図の
検出器の内部表面を支持体に固定した検出器を示す図で
ある。第３図は第２図の検出器ウェハーを薄くシた検出
器を示す図である。第４図は第３図の検出器の外表面に
電気接点なもつ検出器を示す図である。第５図は第４図
の検出器の不動化した外表面をもつ検出器を示す図であ
る。図中：１・・・ウェハー、２・・・表面（１５１表
面）、３・・・表面（外側第２表面）、４・・・補充不
動化層、５・・・支持体、６・・・表面（外側表面）、
７・・・接着剤、８・・・表面（外側表面）、９・・・
電気接点、１０・・・電気接点、１１・・・第１不動化
層、１２・・・補充不動化層、１３・・・酸化物層。
面をもつ検出器を示す図である。、ｆ５２図は第１図の
検出器の内部表面を支持体に固定した検出器を示す図で
ある。第３図は第２図の検出器ウェハーを薄くシた検出
器を示す図である。第４図は第３図の検出器の外表面に
電気接点なもつ検出器を示す図である。第５図は第４図
の検出器の不動化した外表面をもつ検出器を示す図であ
る。図中：１・・・ウェハー、２・・・表面（１５１表
面）、３・・・表面（外側第２表面）、４・・・補充不
動化層、５・・・支持体、６・・・表面（外側表面）、
７・・・接着剤、８・・・表面（外側表面）、９・・・
電気接点、１０・・・電気接点、１１・・・第１不動化
層、１２・・・補充不動化層、１３・・・酸化物層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光伝導検出器のウェハーの少なくとも１表面上に安
定な酸化物層を形成し、次に該酸化物層を成長させるこ
とからなる光伝導検出器の不動化方法において、前記酸
化物層を純化″′を的酸化により形成することを特徴と
する光伝導検出器の不動化方法。 ２、補充不動化層を安定な酸化物Ｊ１４の」−に形成す
る特許請求の範囲第１項記載の方法、。 ３、ウェハーを水性不動化溶液に浸）！ｔし、不動化酸
化物層すな第２ち安定な酸化物層を形成する特許請求の
範［１１１第１項記載の方法。 ４、水性不動化溶液かに、Ｆｅ（ＣＮ）６及び塩基性媒
体の溶液である特許請求の範囲第３項記載の方法。 ５、ウェハーを２３℃の水性不動化？８液中に１５〜３
０分間浸漬する特許請求の範囲第４項記載の方法 ６、＠ｉ充不動化層がＺｎＳの屑である特許請求の範囲
第２項記載の方法。 ７、不動化酸化物層がウェハーの向かい合った２つの表
面のそれぞれに形成される特許請求の範囲＠１項記載の
方法。 ８、ウェハーの材料の伝導性がｎ型である特許請求の範
囲ｆｉＳｉ項記戦の方法。 ９、ウェハーの構成材料がＨｇＣｄ Ｔｅである特許請
求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8316261A FR2553580B1 (fr) | 1983-10-13 | 1983-10-13 | Procede de passivation de detecteurs photoconducteurs hg cd te |
| FR8316261 | 1983-10-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6098685A true JPS6098685A (ja) | 1985-06-01 |
Family
ID=9293074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59212748A Pending JPS6098685A (ja) | 1983-10-13 | 1984-10-12 | ＨｇＣｄＴｅよりなる光伝導検出器の不動化方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4624715A (ja) |
| JP (1) | JPS6098685A (ja) |
| FR (1) | FR2553580B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01321639A (ja) * | 1988-06-22 | 1989-12-27 | Fujitsu Ltd | 陽極酸化膜の形成方法 |
| JP2000343880A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Shachihata Inc | 筆記具及びペン芯ホルダー離脱方法 |
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| KR100422294B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2004-03-12 | 한국과학기술연구원 | Ｃｄ/Ｈｇ 분위기에서 열처리에 의한 ＨｇＣｄＴｅ 접합다이오드의 패시배이션 방법 |
Citations (1)
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| JPS5220765A (en) * | 1975-08-11 | 1977-02-16 | Fujitsu Ltd | Three-way semi-conductor surface treatment |
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1983
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1984
- 1984-10-04 US US06/657,585 patent/US4624715A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-10-12 JP JP59212748A patent/JPS6098685A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2553580B1 (fr) | 1986-09-12 |
| US4624715A (en) | 1986-11-25 |
| FR2553580A1 (fr) | 1985-04-19 |
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