JPS6099341A - 光変換機能材料 - Google Patents
光変換機能材料Info
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- JPS6099341A JPS6099341A JP58206313A JP20631383A JPS6099341A JP S6099341 A JPS6099341 A JP S6099341A JP 58206313 A JP58206313 A JP 58206313A JP 20631383 A JP20631383 A JP 20631383A JP S6099341 A JPS6099341 A JP S6099341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- light
- phototransducing
- functional material
- sintered body
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/36—Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
新しい水素製造法として、半導体を粉末状あるいは電極
に用いて水等を光分解する方法が提唱され、近るト人陽
エネルギーを利用して化学エネルギーに変換する神々の
方法が試みられている。その代表的な例として°1’:
L02が良く知られている。これを板状にして光電池を
造るかまたは粉末を水溶液に懸濁させて光照射すると水
の光分解が起こることが発見されて以来、多数の半導体
について、結晶、す°ム結体めるいは粉末で調べられて
いる。しかしながら効率の良い材料は、溶液中で溶は易
く、高価でかつ長期間の使用に耐えない欠点がある。
に用いて水等を光分解する方法が提唱され、近るト人陽
エネルギーを利用して化学エネルギーに変換する神々の
方法が試みられている。その代表的な例として°1’:
L02が良く知られている。これを板状にして光電池を
造るかまたは粉末を水溶液に懸濁させて光照射すると水
の光分解が起こることが発見されて以来、多数の半導体
について、結晶、す°ム結体めるいは粉末で調べられて
いる。しかしながら効率の良い材料は、溶液中で溶は易
く、高価でかつ長期間の使用に耐えない欠点がある。
安価で溶液中で安定な酸化物は、一般に品抵抗でかつ物
性上の制約により、一般的に短波長(グ00n772以
下)の光吸収であるため、太陽ヌベク)/しのエネルギ
ー分布に照合した場合、光のエネルギー分布の低い波長
領域で仕事をしなければならないので効率が悪い。
性上の制約により、一般的に短波長(グ00n772以
下)の光吸収であるため、太陽ヌベク)/しのエネルギ
ー分布に照合した場合、光のエネルギー分布の低い波長
領域で仕事をしなければならないので効率が悪い。
本発明は、上述した欠点を克服する目的で、光変換機能
を有する導電性の酸化物粉体および焼結体を開発し、こ
れが光による水の分解機能、光起電力発生機能等々の機
能を有することを確π11.シ、それらの機能の活用の
可能性を実証しだものである。
を有する導電性の酸化物粉体および焼結体を開発し、こ
れが光による水の分解機能、光起電力発生機能等々の機
能を有することを確π11.シ、それらの機能の活用の
可能性を実証しだものである。
本発明の素利け、α−f!’e20+ ’k EEL体
しして、これに1°1、Sr1の少なくとも一つ全固溶
させてrl型の半導性を付与した粉体である。この粉体
の焼結体の焼結度、X線回折による結晶構造の確認、抵
抗測定、組成分析、光の吸収端、光の応答性および光電
池の特性等について調べた結果、光変換機能利本1とし
であるいは表面抵抗の変化が大きいのでガスセンサー、
光センサーのJ=J料にも使えることが明らかにされた
。また粉末については、平均わ’t、r径が約0. /
/778以下の微粒子であることを測定した。この粉
末にPt、Ni、、GO’41の水素や酸素に対する過
電圧の小さい元素を添加して得られる粉体を水溶液中に
+g燭させて光照a=1すると光励起によって粒子の表
面エネルギーが変わり、光触媒の機能を発現させること
ができた。例えば、水とメタノールの等量の混合溶液中
にこれらの微粉末を懸濁させて光照ルjすると著しく微
細な気泡が発生し、メタノールが水素と炭酸ガスに分解
する触媒作用があることを確認とだ。
しして、これに1°1、Sr1の少なくとも一つ全固溶
させてrl型の半導性を付与した粉体である。この粉体
の焼結体の焼結度、X線回折による結晶構造の確認、抵
抗測定、組成分析、光の吸収端、光の応答性および光電
池の特性等について調べた結果、光変換機能利本1とし
であるいは表面抵抗の変化が大きいのでガスセンサー、
光センサーのJ=J料にも使えることが明らかにされた
。また粉末については、平均わ’t、r径が約0. /
/778以下の微粒子であることを測定した。この粉
末にPt、Ni、、GO’41の水素や酸素に対する過
電圧の小さい元素を添加して得られる粉体を水溶液中に
+g燭させて光照a=1すると光励起によって粒子の表
面エネルギーが変わり、光触媒の機能を発現させること
ができた。例えば、水とメタノールの等量の混合溶液中
にこれらの微粉末を懸濁させて光照ルjすると著しく微
細な気泡が発生し、メタノールが水素と炭酸ガスに分解
する触媒作用があることを確認とだ。
本発明の内容を、a −Fe、、03(!; mo工%
Sr+Oz)を代表的な例としてとりあげ、実施例/
〜3で具体的に述べる。
Sr+Oz)を代表的な例としてとりあげ、実施例/
〜3で具体的に述べる。
実施例/ 光応答性と光電池の特性
Pt、 l O,3M H2SO41a −Fe2O3
ノ光電池を造り、飽和カロメル′亀池を電解質液中に挿
入して、作用’tlf m fあるn型ty) a F
e20a (−!;%5n02 )半導体焼結電極との
間の光起電力および対極のI−’tとα−Fe203’
hとの間の起電力を暗時と光照射時(soowキセノン
ランプ)で測定した。作用極のα−10203表面はな
ftt器で研磨し、その表面に何もコーティングせずに
光照射した。反対側の表面にはメッキ用マスク剤を塗イ
」シた。光起電力効果によって生ずる発生電圧の波形と
大きさおよび応答性を図/に示した。試料表面の状態に
より波形と大きさは同一試料でも異るが、最大0乙■の
電圧が発生した。光電池の出力を図2に示す。光電池の
光変換効率はフィルファクターを05とすると約057
%になる。
ノ光電池を造り、飽和カロメル′亀池を電解質液中に挿
入して、作用’tlf m fあるn型ty) a F
e20a (−!;%5n02 )半導体焼結電極との
間の光起電力および対極のI−’tとα−Fe203’
hとの間の起電力を暗時と光照射時(soowキセノン
ランプ)で測定した。作用極のα−10203表面はな
ftt器で研磨し、その表面に何もコーティングせずに
光照射した。反対側の表面にはメッキ用マスク剤を塗イ
」シた。光起電力効果によって生ずる発生電圧の波形と
大きさおよび応答性を図/に示した。試料表面の状態に
より波形と大きさは同一試料でも異るが、最大0乙■の
電圧が発生した。光電池の出力を図2に示す。光電池の
光変換効率はフィルファクターを05とすると約057
%になる。
なお、5riO2、工To 、 Si3N4等の光吸収
係数の大きい薄膜を表面にコーティングすることによっ
て、変換効率をあげることができる。
係数の大きい薄膜を表面にコーティングすることによっ
て、変換効率をあげることができる。
なお、a −Fe2O3(!i%5nOz )は、図/
のように光に対する応答性は焼結体にしては極めて良く
、波長<t4to〜! OOnmの光を良く吸収する。
のように光に対する応答性は焼結体にしては極めて良く
、波長<t4to〜! OOnmの光を良く吸収する。
光)起による抵抗変化が著しく大きく、光強度丼600
0ルタスのとき/ g Y kAJ (パルりの抵抗)
、/20000/vクスのと@/ZりにΩであり、光強
度と抵抗値の灰化をノJりす度合をr=(土0(’:J
:?A−上ogJ(++ )/ (土oB IJA−土
03Lu)の関係からめると約Ogであり、市販の光セ
ンサーに用いられているAA I+に匹敵する。R1,
およびL(Bは光強度IJAおよび1ullに対応する
抵抗値である。これらの諸事実は、光センサーの利料に
なりうることを示唆する。
0ルタスのとき/ g Y kAJ (パルりの抵抗)
、/20000/vクスのと@/ZりにΩであり、光強
度と抵抗値の灰化をノJりす度合をr=(土0(’:J
:?A−上ogJ(++ )/ (土oB IJA−土
03Lu)の関係からめると約Ogであり、市販の光セ
ンサーに用いられているAA I+に匹敵する。R1,
およびL(Bは光強度IJAおよび1ullに対応する
抵抗値である。これらの諸事実は、光センサーの利料に
なりうることを示唆する。
実施例2 光触媒作用
蒸留水70ωとメタノ−1v / OCCの混合溶液中
<’8器23cr−メスシリンダー)に約100ダのr
x −Ji’e203− 5 rlloi%SnO□−
/ Omo1%PtO2の粉末を懸濁させ、暫らく放置
して気泡(空気)が無くなってから、5′oowのキセ
ノンランプを使って光照射した。光照射してから数分後
、拡大鏡を使わないと見えないほどの徽細な気泡が著し
く発生し、11(1射を中止するとこの気泡は観察され
なくを なった。この操作1回繰返えし行ない同様の現象に起こ
ることを確認した。これは、励起状能り坊ズ。
<’8器23cr−メスシリンダー)に約100ダのr
x −Ji’e203− 5 rlloi%SnO□−
/ Omo1%PtO2の粉末を懸濁させ、暫らく放置
して気泡(空気)が無くなってから、5′oowのキセ
ノンランプを使って光照射した。光照射してから数分後
、拡大鏡を使わないと見えないほどの徽細な気泡が著し
く発生し、11(1射を中止するとこの気泡は観察され
なくを なった。この操作1回繰返えし行ない同様の現象に起こ
ることを確認した。これは、励起状能り坊ズ。
CLi2Ok(−1−H20→CC);+−+−3H□
の反応が起こり、1■2とCO2に光分解されたためで
、CO2の発生はBLLC土2を検欧中に添加して溶液
が白濁することで4ifl舌認した。
の反応が起こり、1■2とCO2に光分解されたためで
、CO2の発生はBLLC土2を検欧中に添加して溶液
が白濁することで4ifl舌認した。
実施例3 ガスセンサーの試験
7300°Cで7時間焼結させて造ったα−Fe2e5
−3%5rlO2の焼結体(0,3x O6X 、2o
nの長方体、比抵抗02Ω・cm )の両端に白金リー
ドを白金ペーストで取(=1け、ガスの出入1−1ヲ備
えた図3に示したテレックス反応管(3CInφy、3
0cm)中に固定して、ニクロム電気炉により試11’
lヲ300〜41o o ”cに加熱した。検温はPt
−P訃E?h熱電対によった。検出セルと測定回路を図
3(A)及び図3 (JJ)に示した。
−3%5rlO2の焼結体(0,3x O6X 、2o
nの長方体、比抵抗02Ω・cm )の両端に白金リー
ドを白金ペーストで取(=1け、ガスの出入1−1ヲ備
えた図3に示したテレックス反応管(3CInφy、3
0cm)中に固定して、ニクロム電気炉により試11’
lヲ300〜41o o ”cに加熱した。検温はPt
−P訃E?h熱電対によった。検出セルと測定回路を図
3(A)及び図3 (JJ)に示した。
焼結体素子の表面に吸着している非検出ガス成分を脱着
するため、素子を300°Cに加熱し反応管中に置床ガ
スを流した。しかる後、アルゴンガス中に混合した初期
濃度既知の検出ガノー酸化伏累、ソ°ロパンkpm当な
濃度にアルゴンガスで希釈度範囲で化!:吸1ifのノ
ド動について調べた。検出ガスに用いたへ工′中のCo
、Ar中のCl43Cf12CH3のガスa3浅(円1
111)は北用式ガメ4つミ知冊と検知管でめた3、2
(・2子抵わL比(J:< / J、−1t+ )とガ
ス濃度との関係勿300 にの場合について図りに示し
た。Goおよび(汁、(用。CI+、、ともそれぞれお
おむね500〜/ 500田川lの濃度;作曲で直線関
係i 7jスした。ここで用いたa−丁’e203−
j’%5n02のような電気体i+阜良変化を利用する
表面制御またはバルク制御型のn j(:]の酸化物゛
1へ導体は可燃性ガスを一般に良く吸II“するので、
例証したガスの他に02H2、C21−i4.112も
検出できる。
するため、素子を300°Cに加熱し反応管中に置床ガ
スを流した。しかる後、アルゴンガス中に混合した初期
濃度既知の検出ガノー酸化伏累、ソ°ロパンkpm当な
濃度にアルゴンガスで希釈度範囲で化!:吸1ifのノ
ド動について調べた。検出ガスに用いたへ工′中のCo
、Ar中のCl43Cf12CH3のガスa3浅(円1
111)は北用式ガメ4つミ知冊と検知管でめた3、2
(・2子抵わL比(J:< / J、−1t+ )とガ
ス濃度との関係勿300 にの場合について図りに示し
た。Goおよび(汁、(用。CI+、、ともそれぞれお
おむね500〜/ 500田川lの濃度;作曲で直線関
係i 7jスした。ここで用いたa−丁’e203−
j’%5n02のような電気体i+阜良変化を利用する
表面制御またはバルク制御型のn j(:]の酸化物゛
1へ導体は可燃性ガスを一般に良く吸II“するので、
例証したガスの他に02H2、C21−i4.112も
検出できる。
実施例/〜2で述べたように焼結性の良い導電1ど1酸
化物゛1′導体(酸化鉄−3rt02またはT:h02
)あるいt、1、粉体(L、光変換機能を有するが、こ
とにα−II’ (120X+はバンドギヘ1ツブエネ
ルギ−であり、明視光の3 3 0 nytx以下の波
長を吸収することがLi lflgであるので自然光を
利用する場合、太陽Jー子ルギー分イ11と1!ζ(合
すると非常にイ〕利な条jlil’l”x +!111
えている。しかも1請焼A(青)Wで抵1元が小さいの
でゞ ため高い導電率を保有しているlf,利用によるエネル
ギー損失が小さい上に、他の利用と比べる利用にも使え
ることも判った。
化物゛1′導体(酸化鉄−3rt02またはT:h02
)あるいt、1、粉体(L、光変換機能を有するが、こ
とにα−II’ (120X+はバンドギヘ1ツブエネ
ルギ−であり、明視光の3 3 0 nytx以下の波
長を吸収することがLi lflgであるので自然光を
利用する場合、太陽Jー子ルギー分イ11と1!ζ(合
すると非常にイ〕利な条jlil’l”x +!111
えている。しかも1請焼A(青)Wで抵1元が小さいの
でゞ ため高い導電率を保有しているlf,利用によるエネル
ギー損失が小さい上に、他の利用と比べる利用にも使え
ることも判った。
第1図は光照射したときの光起電力効果による同一試料
における発生電圧の波形、第2図はα〜F’e203j
rrlQ]−%SrI02を光電極に用いた光電池の
電池出力、第3図(A)は検出セIし、第3図(J3)
は測定回路、第り図はa − Fe,、O.、 − 3
mo1%S n 02をセンサー素子に用いたときの
ガス濃度と素子抵抗比( Ro : 3 0 0°Cに
おける素子抵抗、19:ガス雰囲気中の素子の抵抗)と
の関係。 図中、Aは熱電対、j3は白金リード線、Cは試料台、
Dはガス人口、Eは電池、ト)′はガス出1」、丁゛ハ
コツク、Gはパイレックス管、Sldセンサー素子、■
はアンメーター、■はボッ叫メーター、Pは白金ペース
ト、Rは抵抗である。 第2図 第3図 第q目 05θθ1000 1500 17(AJ J (PP
Pn) 手続補正書(方式) %式% 2 発1男の名イ)1% 酸化鉄系粉体および焼結体ケ光変換機能拐として利用す
る方法 3 補i1:、をする者 中性との関係 特、/1出願人 グ (11定代理人 、乙 補正の対象 図 面 Z 補止の内容
における発生電圧の波形、第2図はα〜F’e203j
rrlQ]−%SrI02を光電極に用いた光電池の
電池出力、第3図(A)は検出セIし、第3図(J3)
は測定回路、第り図はa − Fe,、O.、 − 3
mo1%S n 02をセンサー素子に用いたときの
ガス濃度と素子抵抗比( Ro : 3 0 0°Cに
おける素子抵抗、19:ガス雰囲気中の素子の抵抗)と
の関係。 図中、Aは熱電対、j3は白金リード線、Cは試料台、
Dはガス人口、Eは電池、ト)′はガス出1」、丁゛ハ
コツク、Gはパイレックス管、Sldセンサー素子、■
はアンメーター、■はボッ叫メーター、Pは白金ペース
ト、Rは抵抗である。 第2図 第3図 第q目 05θθ1000 1500 17(AJ J (PP
Pn) 手続補正書(方式) %式% 2 発1男の名イ)1% 酸化鉄系粉体および焼結体ケ光変換機能拐として利用す
る方法 3 補i1:、をする者 中性との関係 特、/1出願人 グ (11定代理人 、乙 補正の対象 図 面 Z 補止の内容
Claims (1)
- α−F’e203 f:14) JAにして、これにT
1またはSnの少なくとも一種を固溶させて半導性を付
与した粉体か焼結体を、光変換機能材ならびに素子(光
センサー、ガスセンサー)もしく は触[(m体、光触
媒)に利用する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206313A JPS6099341A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 光変換機能材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58206313A JPS6099341A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 光変換機能材料 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2127781A Division JPH03186348A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | 光触媒 |
| JP2127780A Division JPH0320659A (ja) | 1990-05-17 | 1990-05-17 | ガスセンサー素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6099341A true JPS6099341A (ja) | 1985-06-03 |
| JPH0346421B2 JPH0346421B2 (ja) | 1991-07-16 |
Family
ID=16521228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58206313A Granted JPS6099341A (ja) | 1983-11-02 | 1983-11-02 | 光変換機能材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6099341A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5529154A (en) * | 1993-12-06 | 1996-06-25 | Showa Corporation | Valve structure for damper |
| JP2008057685A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Hitachi Ltd | 油圧緩衝器 |
-
1983
- 1983-11-02 JP JP58206313A patent/JPS6099341A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5529154A (en) * | 1993-12-06 | 1996-06-25 | Showa Corporation | Valve structure for damper |
| JP2008057685A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Hitachi Ltd | 油圧緩衝器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0346421B2 (ja) | 1991-07-16 |
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