JPS6099558U - ３−５族化合物半導体装置 - Google Patents

３−５族化合物半導体装置

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JPS6099558U
JPS6099558U JP15270284U JP15270284U JPS6099558U JP S6099558 U JPS6099558 U JP S6099558U JP 15270284 U JP15270284 U JP 15270284U JP 15270284 U JP15270284 U JP 15270284U JP S6099558 U JPS6099558 U JP S6099558U
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JP
Japan
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electrode layer
compound semiconductor
semiconductor device
group
alloy
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Application number
JP15270284U
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English (en)
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勝己 辻井
浅井　吉伸
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来装置を示す断面図、第２図は本発明の実施
例を示す断面図である。 ９：Ｐ型ＣａＰ半導体層、１１：第１電極層、１２：第
２電極層、１３：第３電極層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 液相エピタキシャル成長によって形成されたＰ型層を備
    えた■−Ｖ族化合物半導体チップと、該Ｐ型成長層上に
    直ちに形成された〜とＺｎとの合金から成る第１電極層
    と、該第１電極層上に形成されたＴｉ、　Ｍｏ、　Ｗ、
    　またはＴｉ、　Ｍｏ、　Ｗと他の金属との合金等の高
    融点金属からなる第２電極層と、該第２電極層上に形成
    されて表面電極となるＮ電極層とを備えたことを特徴と
    する■−■族化合物半導体装置。
JP15270284U 1984-10-08 1984-10-08 ３−５族化合物半導体装置 Pending JPS6099558U (ja)

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