JPS61102749A - 半導体ウエ−ハの試験方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハの試験方法Info
- Publication number
- JPS61102749A JPS61102749A JP59226377A JP22637784A JPS61102749A JP S61102749 A JPS61102749 A JP S61102749A JP 59226377 A JP59226377 A JP 59226377A JP 22637784 A JP22637784 A JP 22637784A JP S61102749 A JPS61102749 A JP S61102749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- marker
- defective
- needle
- elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上皇五几豆立
この発明は半導体ウェーハに形成された複数の半導体素
子の特性測定を順次に行い、この特性測定に併行して測
定結果が不良と判定された半導体素子にはその表面上に
マーカにて不良マークを付けるようにして半導体ウェー
ハを試験する方法で、特に前述不良マークを付ける方法
に関する。
子の特性測定を順次に行い、この特性測定に併行して測
定結果が不良と判定された半導体素子にはその表面上に
マーカにて不良マークを付けるようにして半導体ウェー
ハを試験する方法で、特に前述不良マークを付ける方法
に関する。
従来Ω韮玉
一般にＩＣ等の半導体素子は１枚の半導体ウェーハに数
百数十個と多数個が格子状配列でもって形成される。こ
の半導体素子は半導体ウェーハの状態で特性側°定が行
われてから、半導体ウェーハより個々に細分割され、良
品のみが選別されてペレソトマウント工程等へ送られる
。
百数十個と多数個が格子状配列でもって形成される。こ
の半導体素子は半導体ウェーハの状態で特性側°定が行
われてから、半導体ウェーハより個々に細分割され、良
品のみが選別されてペレソトマウント工程等へ送られる
。
半導体ウェーハにおける半導体素子の特性測定は半導体
ウェーハを間欠勤する可動テーブル上に固着し、可動テ
ーブルを間欠勤させて定位置に配置された特性測定用プ
ローブニードルに１つ１つの半導体素子の表面電極を順
次に当てて行われ、１つの半導体素子の特性測定結果が
不良と判定されるとこの半導体素子の表面に特性測定直
後に不良マークを付けることが一般に行われている。こ
のような不良マークは後で特性不良の半導体素子が目視
で選別できる程度の大きさのもので、不良マークを付け
るマーカは半導体素子の表面にインクを付着させるイン
クノズルのマーカ針を有するインクマーク方式のものと
、半導体素子の表面に引っ掻き傷を付けるマーカ針を有
するスクランチマータ方式のものに大別され、この環マ
ーカは１枚の半導体ウェーハに対し１つが配備されてい
る。
ウェーハを間欠勤する可動テーブル上に固着し、可動テ
ーブルを間欠勤させて定位置に配置された特性測定用プ
ローブニードルに１つ１つの半導体素子の表面電極を順
次に当てて行われ、１つの半導体素子の特性測定結果が
不良と判定されるとこの半導体素子の表面に特性測定直
後に不良マークを付けることが一般に行われている。こ
のような不良マークは後で特性不良の半導体素子が目視
で選別できる程度の大きさのもので、不良マークを付け
るマーカは半導体素子の表面にインクを付着させるイン
クノズルのマーカ針を有するインクマーク方式のものと
、半導体素子の表面に引っ掻き傷を付けるマーカ針を有
するスクランチマータ方式のものに大別され、この環マ
ーカは１枚の半導体ウェーハに対し１つが配備されてい
る。
例えば第５図及び第６図を参照して従来の半導体ウェー
ハ試験方法を説明すると、図面において（１）は半導体
ウェーハ（以下ウェーハと称する）、（２）（２）−は
ウェーハ（１）に形成された多数の半導体素子（以下素
子と称する）、（３）はウェーハ（１）を真空吸着等で
固着する水平な可動テーブルで、前後左右及び上下に間
欠勤する。（４）は可動テーブル（３）の上方定位置に
配置された例えばスクラ７−チマーク方式のマーカで、
先端に下向きに傾斜させたピアノ線等の硬質なマーカ劃
（５）を有する、このマーカ針（５）の先端近傍には１
つの素子（２）の特性測定用プローブニードル（図示せ
ず）が固定配置され、このプローブニードルに可動テー
ブル（３）の間欠勤にてウェーハ（１）における素子（
２）（２Ｌ−の１つ１つが順次に接触して特性測定が行
われる。そして、不良素子に対してのみマーカ（４）が
作動してマーカ針（５）が軸方向に定ストローク前進し
てその先端で不良素子の表面を引っ掻いて第７図に示す
ような傷による不良マーク（６）を付けるとマーカ針（
５）は元の位置に後退する。このようなマーカ（４）は
そのマーカ針（５）の傾斜角に応じて素子（２）の表面
に形成される不良マーク（６）の大きさが変わるので、
不良マーク（６）が目視で分かる程度の大きさになるよ
うにマーカ針（５）の傾斜角を調整して可動テーブル（
３）の上方定位置に配置される。
ハ試験方法を説明すると、図面において（１）は半導体
ウェーハ（以下ウェーハと称する）、（２）（２）−は
ウェーハ（１）に形成された多数の半導体素子（以下素
子と称する）、（３）はウェーハ（１）を真空吸着等で
固着する水平な可動テーブルで、前後左右及び上下に間
欠勤する。（４）は可動テーブル（３）の上方定位置に
配置された例えばスクラ７−チマーク方式のマーカで、
先端に下向きに傾斜させたピアノ線等の硬質なマーカ劃
（５）を有する、このマーカ針（５）の先端近傍には１
つの素子（２）の特性測定用プローブニードル（図示せ
ず）が固定配置され、このプローブニードルに可動テー
ブル（３）の間欠勤にてウェーハ（１）における素子（
２）（２Ｌ−の１つ１つが順次に接触して特性測定が行
われる。そして、不良素子に対してのみマーカ（４）が
作動してマーカ針（５）が軸方向に定ストローク前進し
てその先端で不良素子の表面を引っ掻いて第７図に示す
ような傷による不良マーク（６）を付けるとマーカ針（
５）は元の位置に後退する。このようなマーカ（４）は
そのマーカ針（５）の傾斜角に応じて素子（２）の表面
に形成される不良マーク（６）の大きさが変わるので、
不良マーク（６）が目視で分かる程度の大きさになるよ
うにマーカ針（５）の傾斜角を調整して可動テーブル（
３）の上方定位置に配置される。
（シ゛ る口
ところで、ウェーハ（１）における素子（２）（２）−
ｍ−の特性不良品はウェーハ（１）の周辺部に集中して
、ウェーハ（１）の周辺部の素子（２）（２）−・に対
してマーキングする率が自ずと高くなる一般的傾向があ
る。またウェーハ（１）に対するマーカ（４）の取付角
は特性測定前に調整して固定され、全ての不良素子に対
しマーカ針（５）は決まった方向から傷を付ける動作を
なす、ここでウェーハ（１）の各素子（２）（２）−の
内、第８図に示すようにマーカ針（５）の傾斜方向にあ
る！＆端の素子（２ａ）とその１８０°反対の最端の素
子（２ｂ）を考えると、この２つの素子（２ａ） （
２ｂ）は共に不良品でマーキングされる確率が高い。マ
ーカ針（５）の傾斜方向の素子（２ａ）に対するマーキ
ングはマーカ針（５）が素子（２ａ）をウェーハ（１）
の中央からウェーハ外の方向で引掻いて行うので後述問
題は無いが、１８０°反対の素子（２ｂ）に対するマー
キングはマーカ針（５）がウェーハ（１）の外からウェ
ーハ内の方向で引掻いて行われるので、マーカ針（５）
の先端が素子（２ａ）のエツジに衝突し、この衝突の機
械的シラ７りで素子（２ａ）の近傍またはウェーハ（１
）全体にクランクが入って近くの良品素子を不良品にす
ることがあった。このような問題は上記素子（２ｂ）だ
けに限らず、ウェーハ（１）の周辺部の上記素子（２ｂ
）の在る約半分の周辺素子に対しても同様に生じていた
。また上述問題は第９図に示すようにウェーハ（１″）
の外周エツジをテーパ状に面取りしたものに特に多発し
て、半導体素子製造の歩留まりを悪くする要因になって
いた。
ｍ−の特性不良品はウェーハ（１）の周辺部に集中して
、ウェーハ（１）の周辺部の素子（２）（２）−・に対
してマーキングする率が自ずと高くなる一般的傾向があ
る。またウェーハ（１）に対するマーカ（４）の取付角
は特性測定前に調整して固定され、全ての不良素子に対
しマーカ針（５）は決まった方向から傷を付ける動作を
なす、ここでウェーハ（１）の各素子（２）（２）−の
内、第８図に示すようにマーカ針（５）の傾斜方向にあ
る！＆端の素子（２ａ）とその１８０°反対の最端の素
子（２ｂ）を考えると、この２つの素子（２ａ） （
２ｂ）は共に不良品でマーキングされる確率が高い。マ
ーカ針（５）の傾斜方向の素子（２ａ）に対するマーキ
ングはマーカ針（５）が素子（２ａ）をウェーハ（１）
の中央からウェーハ外の方向で引掻いて行うので後述問
題は無いが、１８０°反対の素子（２ｂ）に対するマー
キングはマーカ針（５）がウェーハ（１）の外からウェ
ーハ内の方向で引掻いて行われるので、マーカ針（５）
の先端が素子（２ａ）のエツジに衝突し、この衝突の機
械的シラ７りで素子（２ａ）の近傍またはウェーハ（１
）全体にクランクが入って近くの良品素子を不良品にす
ることがあった。このような問題は上記素子（２ｂ）だ
けに限らず、ウェーハ（１）の周辺部の上記素子（２ｂ
）の在る約半分の周辺素子に対しても同様に生じていた
。また上述問題は第９図に示すようにウェーハ（１″）
の外周エツジをテーパ状に面取りしたものに特に多発し
て、半導体素子製造の歩留まりを悪くする要因になって
いた。
ｌ、＋ ｒ ゛ た の本発明の上記
問題点を解決する技術的手段は特性測定されるウェーハ
に対し不良素子に不良マークを付けるマーカを複数個そ
の各々のマーカ針の傾斜方向を相違させて配備し、ウェ
ーハにおける特性測定される素子の位置に対応させて複
数のマーカを選択的に使用するようにしたことである。
問題点を解決する技術的手段は特性測定されるウェーハ
に対し不良素子に不良マークを付けるマーカを複数個そ
の各々のマーカ針の傾斜方向を相違させて配備し、ウェ
ーハにおける特性測定される素子の位置に対応させて複
数のマーカを選択的に使用するようにしたことである。
詐朋
上記手段のように１枚のウェーハに対しマーカを複数個
配備することにより、ウェーハ周辺の不良素子に対する
マーキングはウェーハ外Ｅエツジに衝突が予想される傾
斜角のマーカ針を持つマーカを外し、ウェーハ外周エツ
ジに最も衝突が予測されない（頃斜角のマーカ針を持つ
１つの選択されたマーカで行うことができ、これにより
マーキング時におけるウェーハのクラック発生が防止で
きる。
配備することにより、ウェーハ周辺の不良素子に対する
マーキングはウェーハ外Ｅエツジに衝突が予想される傾
斜角のマーカ針を持つマーカを外し、ウェーハ外周エツ
ジに最も衝突が予測されない（頃斜角のマーカ針を持つ
１つの選択されたマーカで行うことができ、これにより
マーキング時におけるウェーハのクラック発生が防止で
きる。
爽嵐皿
本発明方法の一実施装置例を第１図乃至第４図に基づき
以下説明すると、第５図及び第６図と同一のものには同
一参照符号を付して説明は省略する。相違点は可動テー
ブル（３）の上方定位置の測定ポジションに複数、例え
ば２つのマーカ（７）（８）をその各マーカ針（９）（
１０）の傾斜方向を相違させて配備したことのみである
。マーカ（７）（８）はインクマーク方式、スクラッチ
マーク方式のいずれであってもよく、以下スクラッチマ
ーク方式のもので説明を続行する。
以下説明すると、第５図及び第６図と同一のものには同
一参照符号を付して説明は省略する。相違点は可動テー
ブル（３）の上方定位置の測定ポジションに複数、例え
ば２つのマーカ（７）（８）をその各マーカ針（９）（
１０）の傾斜方向を相違させて配備したことのみである
。マーカ（７）（８）はインクマーク方式、スクラッチ
マーク方式のいずれであってもよく、以下スクラッチマ
ーク方式のもので説明を続行する。
各マーカ（７）（８）は逆ハ字状に取付けられ、ウェー
ハ（１）に対する各マーカ針（９）（１０）の傾斜角は
不良素子に目視判読できる不良マーク（傷）を形成でき
る所定値に調整される。いま図面の左側のマーカ（７）
を左マーカ、右側のマーカ（８）を右マーカと称すると
、左マーカ（７）はウェーハ（１）の右半分の素子（２
）（２）・−・の特性測定時にのみ選択使用され、右マ
ーカ（８）はウェーハ（１）の左半分の素子（２）（２
）・・−・の特性測定時にのみ選択使用される。
ハ（１）に対する各マーカ針（９）（１０）の傾斜角は
不良素子に目視判読できる不良マーク（傷）を形成でき
る所定値に調整される。いま図面の左側のマーカ（７）
を左マーカ、右側のマーカ（８）を右マーカと称すると
、左マーカ（７）はウェーハ（１）の右半分の素子（２
）（２）・−・の特性測定時にのみ選択使用され、右マ
ーカ（８）はウェーハ（１）の左半分の素子（２）（２
）・・−・の特性測定時にのみ選択使用される。
例えばウェーハ（１）の右半分の素子（２）（２）・・
−の特性測定を従来同様にして順次に行い、仮にウェー
ハ（１）の右端の素子（２ｂ）が不良品と判定されると
第３図に示すように左マーカ（７）のみが作動してその
マーカ針（９）で素子（２ｂ）の表面に引播き傷を付け
る。このマーキングはマーカ針（９）が素子（２ｂ）の
表面をウェーハ中央から外に向は引掻くのでマーカ針（
９）の先端がウェーハ外周エツジに衝突する心配が皆無
となり、ウェーハ（１）にクランクが入る心配が無くな
る。
−の特性測定を従来同様にして順次に行い、仮にウェー
ハ（１）の右端の素子（２ｂ）が不良品と判定されると
第３図に示すように左マーカ（７）のみが作動してその
マーカ針（９）で素子（２ｂ）の表面に引播き傷を付け
る。このマーキングはマーカ針（９）が素子（２ｂ）の
表面をウェーハ中央から外に向は引掻くのでマーカ針（
９）の先端がウェーハ外周エツジに衝突する心配が皆無
となり、ウェーハ（１）にクランクが入る心配が無くな
る。
またウェーハ（１）の左半分の素子（２）（２）・・の
特性測定時に不良素子が在ると、この不良素子のマーキ
ングは右マーカ（８）のみにて行う０例えば第４図に示
すようにウェーハ（１）の左端の素子（２ａ）が不良品
と判定されると、右マーカ（８）のマーカ針（１０）で
不良素子（２ａ）の表面に引掻き傷を付ける。この場合
もマーカ針（１０）の先端がウェーハ外周エツジに当た
る心配が無くウェーハ（１）は安全である。
特性測定時に不良素子が在ると、この不良素子のマーキ
ングは右マーカ（８）のみにて行う０例えば第４図に示
すようにウェーハ（１）の左端の素子（２ａ）が不良品
と判定されると、右マーカ（８）のマーカ針（１０）で
不良素子（２ａ）の表面に引掻き傷を付ける。この場合
もマーカ針（１０）の先端がウェーハ外周エツジに当た
る心配が無くウェーハ（１）は安全である。
なお、各マーカ（７）（８）はハ字状に配置してもよい
。
。
五皿二立１
本発明によればウェーハに形成された素子の不良品の表
面に不良マークを形成する際に、マーカのマーカ針がウ
ェーハ外周エツジに衝突するといった不都合がマーカの
選択使用で解消され、従ってマーキング時にウェーハに
クランクが入って良品素子が不良品になる心配が無くな
り、半導体素子製造の歩留まり自重が図れる。
面に不良マークを形成する際に、マーカのマーカ針がウ
ェーハ外周エツジに衝突するといった不都合がマーカの
選択使用で解消され、従ってマーキング時にウェーハに
クランクが入って良品素子が不良品になる心配が無くな
り、半導体素子製造の歩留まり自重が図れる。
第１図及び第２図は本発明方法の一実施装置例を示す概
略平面図及び正面図、第３図及び第４図は第１図の装置
の各動作時での拡大正面図である。第５図及び第６図は
従来の半導体ウェーハ試験方法による試験装置の概略平
面図及び正面図、第７図は不良マークを有する半導体素
子平面図、第８図及び第９図は第５図の装置のマーキン
グ動作を説明するための各拡大正面図である。 （１） （１’Ｌ−−−・半導体ウェーハ、 （２
） （２ａ）（２ｂ）・−・・半導体素子、（６）・
・−不良マーク、（７） （８）・・・マーカ、（９
） （１０）−マーカ針。 ３１図 富２図 １３台 軍４９ ＄５図 亨６図 Δ 県り図
略平面図及び正面図、第３図及び第４図は第１図の装置
の各動作時での拡大正面図である。第５図及び第６図は
従来の半導体ウェーハ試験方法による試験装置の概略平
面図及び正面図、第７図は不良マークを有する半導体素
子平面図、第８図及び第９図は第５図の装置のマーキン
グ動作を説明するための各拡大正面図である。 （１） （１’Ｌ−−−・半導体ウェーハ、 （２
） （２ａ）（２ｂ）・−・・半導体素子、（６）・
・−不良マーク、（７） （８）・・・マーカ、（９
） （１０）−マーカ針。 ３１図 富２図 １３台 軍４９ ＄５図 亨６図 Δ 県り図
Claims (1)
- （１）半導体ウェーハに複数個形成された半導体素子の
特性を順次に測定するに際し、特性測定結果が不良の半
導体素子の表面にマーカ針にて不良マークを付けるマー
カを１枚の半導体ウェーハに対し複数個その各々のマー
カ針の傾斜方向を相違させて配備し、特性測定される半
導体素子の半導体ウェーハにおける位置に対応させて複
数のマーカを選択的に使用するようにしたことを特徴と
する半導体ウェーハの試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59226377A JPS61102749A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 半導体ウエ−ハの試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59226377A JPS61102749A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 半導体ウエ−ハの試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102749A true JPS61102749A (ja) | 1986-05-21 |
Family
ID=16844171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59226377A Pending JPS61102749A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 半導体ウエ−ハの試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102749A (ja) |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59226377A patent/JPS61102749A/ja active Pending
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