JPS63170933A - ウエ−ハプロ−バ - Google Patents

ウエ−ハプロ−バ

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JPS63170933A
JPS63170933A JP273487A JP273487A JPS63170933A JP S63170933 A JPS63170933 A JP S63170933A JP 273487 A JP273487 A JP 273487A JP 273487 A JP273487 A JP 273487A JP S63170933 A JPS63170933 A JP S63170933A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
wafer
stage
contact
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP273487A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshimi Yasuda
安田 利美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP273487A priority Critical patent/JPS63170933A/ja
Publication of JPS63170933A publication Critical patent/JPS63170933A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェーハ上に形成された集積回路素子
(以下、チップという)の検査を、ウェーハ状態で行な
うウエーハプローバに関する。
〔従来の技術〕
ウェーハチェックは、1個あるいは複数個のチップの電
極(以下、パッドという)に探針プローブを接触させて
、この探針プローブを介してICテスタからバイアスΦ
信号を供給し特性チェックを行ないチップの良・不良の
判定を行なうものである。上記のブロービング探作を繰
返して、ウエーノ1上の全チップを検査する。通常、探
針プローブの材質はタングステン鋼であり、パッドの材
質はアルミニウムが主体であるため、パッドの材質より
探針プローブの材質が硬いので、探針プローブがブロー
ビングのときにパッドにくい込む。そのためパッドは傷
つけられ、わずかながらアルミニウムが削られごみが発
生し探針プローブに付着する。ブロービングの回数が多
いと、ごみの付着量が大きく表9、パッドとの電気的接
触状態が悪くなって、検査ミスの原因になる。そこで、
探針プローブに付着したごみを取除くため、普通、探針
プローブの先端を研磨する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記研磨は自動化されている。例えばウェーハf:載せ
たステージの周辺に研磨用のセラミック部材を搭載し、
設定さnた条件、例えばウエ−バ一枚ごと、あるいは1
000チツプごとなどのブロービング後に、セラミック
部材を探針プローブの直下へ移動し、上下運動すること
によって、探針プローブに繰返し押し当てて行なう。
従来のプローバでは、上記自動研磨だけが行なわれ、探
針プローブの先端のごみの除去が、完全になされパッド
との接触抵抗がチップの測定上影響がないか否かを検査
する手段はなかった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のプローバは、上記問題点を解決するためになさ
れたもので、探針プローブの先端を研磨部材に接触させ
研磨する手段と、前記の研磨された探針プローブを導電
部材に接触させ接触抵抗を測定する手段とを有するもの
である。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例につき、図面を参照して説明する
。第1図は第1実施例の平面図、第2図・第3図はその
断面図でプロービング状態のときと、研磨◆接触抵抗測
定(接触導通試験)の状態のときにそれぞれ対応する。
ウエーノ・4はステージlに真空吸引によシ吸着てれて
おシ、ステージlは縦横方向およびこれに対する垂直方
向とステージ10円周接線方向に回転する運動を自在に
行うことができる。それぞれの運動は駆動系13にて駆
動され、制御部11によって制御される。
研磨部材2と2N−型部材3はスンージ1に固定されて
いるものの、ステージlの縦横運動平面に対して垂直方
向に独立に運動できるように々っている。この運動は駆
動系12にて駆動され、制御部11によって制御式れる
。′lifiM部材2および導電部材3はウェーハ4を
プロービングしている最中は、第2図のように、それぞ
れの上面はステージlのウェーハチャック面よりも下に
位置している。研磨部材2にはセラミック系の材料を用
い、導電部材3には表面にアルミニウム蒸着を施した基
板を用いる。導電部材3はそれを取シ付けている部材か
らは電気的に絶縁されている。また研磨部材2.導電部
材3す駆動した場合は第3図のように元の位置より上昇
し、その上面はウェーハ4の表面の位置と同じになる。
一連の動作のため、先ず制御部11にあらかじめ制御指
示を与える。すなわちウェーハを1枚測定終了した時点
で、探針プローブ6の研磨を行い、研磨終了後その接触
導通試験を行い、接触導通試験の結果が良好ならば次の
ウェーハの測定に移り、接触導通試験の結果が不良なら
ば停止するといつ指示である。またプローバとともに稼
動させるテスタ14には、第4図の信号伝達経路図に示
すように、ブローパより接触導通試験開始を表す信号を
受信したら、導通試験用の試験プログラムを準備し、実
行するようにあらかじめ指示を与えておく。
プローバにウェーハキャリアなどによりウェーハが装着
されると、プローバは1枚目のウェーハをウェーハキャ
リアから取り出し、ステージl上に供給し、真空吸着す
る。ウェーハの直径、厚さなどのデータを採集したあと
、ウェーハアライメントを行い、チップに探針プローブ
6t−接触させ測定を開始する。実際の測定手順として
は、第4図に示すように制御部11からテスタプローバ
制御信号路nを介してテスタ14ヘチツプの測定開始を
要求する信号(テストスタート信号)を送り、テスタ1
4は測定系信号路21を介して探針プローブ6に試験信
号を送シチツプを測定する。測定結果に応じて良品信号
(バス信号)、不良品信号(フェイル信号)を制御部1
1に送り、続いて測定が終了したことを表す信号(テス
トエンド信号)を送る。これで1つのチップの測定の終
了である。制御部11はテストエンド信号を受けるとス
テージ1を駆動し、次のチップへ探針プローブ6を接触
させ、テストスタート信号をデスタ14へ送る。以下こ
の繰シ返しである。
ウェーハ上の全チップの測定が終了すると、第3図に示
すように探針プローブ6の直下に研磨部材2が位置する
↓うにステージ1を駆動系13により駆動し、さらに駆
動系12により研磨部材2を上昇させる。そして駆動系
13によりステージ1を上昇させると探針プローブ6と
研磨部材2が接触し探針プローブ6が研磨される。
探針プローブ6の研磨が終了すると、探針プローブ6の
直下に導4部材3が位置するようにステージlを駆動系
13により駆動し、さらに駆動系12によシ導電部材3
を上昇させる。そして駆動系13によりステージ1を上
昇させると探針プローブ6と導電部材2が接触する。
この状態で第4図に示すように制御部11はテスタ14
へ導通試験制御信号路るを介して導通試験開始を要求す
る信号(プローブテストスタート信号)を送る。テスタ
14はプローブテストスタート信号を受けて測定系信号
路21に導通試験信号を送夛探針プローブ6の導通状態
を測定する。測定結果に応じて良品信号(プローブテス
トパス信号)、不良品信号(プローブテストフェイル信
号)を制御部11に送り、続いて導通試験が終了したこ
とを表す信号(プローブテストエンド信号)を送る。接
触抵抗は、との導通試験による導通状態の測定でわかる
。
ここで制御部1工は、プローブテストパス信号を受けて
いたならば、ステージ1のウェーハはウェーハキャリア
へ収納嘔れ、2枚目のウェーハがステージlに装着され
、以下、前記の動作を繰シ返す。制御部11がプローブ
テストフェイル信号を受けていたならば、ブローμは動
作を停止する。
次に第2笑施例につき、第5図を参照して説明する。第
5図は、動作の概略を説明するための模式的なブローμ
平面図である。
ステージ101はブローμのブロービング平面内を自在
に運動する。121はステージ101のウェーハ供給位
置、122はステージ101のウェーハ収納位置ヲ表わ
している。
111.112 ハウエーハ104の移動流れを示して
おシ、ウェーハキャリア131からステージ101ある
いはステージ101からウェーハキャリア132へはベ
ルトによるウェーハの搬送が行なわれる。
研磨部材102と導電部材103はそれぞれ独立してお
り、その形状はほぼウェーハと同じである。研磨部材1
02は搬送路113で、導電部材103は搬送路114
でステージ101へそれぞれ供給され、作業終了後はそ
れぞれ元の位置へもどるようになっている。
以下第5図における動作を説明する。ブローμへの指示
条件は第1実施例の場合と同じである。ブローμにウェ
ーハキャリアによりウェーハが装Nてれると、ブローμ
は1枚目のウェーハをウェーハキャリア131から取シ
出し、搬送路111を通ってステージ101へ供給する
。り工−ハの直径、厚さなどのデータを採集した後、ウ
ェーハアライメントを行い、チップに探針プローブ6(
図示していない)を接触させ測定をH始する。テスタ1
4とブローμとの信号通信、チップを測定時のステージ
101の動作も第1実施例の場合と同じである。全チッ
プの測定が終了すると、ウェーハは搬送路112 ’i
通って、ウェーハキャリア132に収納される。
次に、研磨部材102は搬送路113ヲ通ってステージ
101へ供給石れ真空吸着される。ステージ101は探
針プローブ6の直下に移動し、ステージ101を上昇さ
せ研磨部材102を探針プローブに接触させ研磨を行う
。研磨が終了すると、研磨部材102は搬送路113を
通って元の位置へもどされる。続いて導電部材103は
搬送路114を通ってステージ101へ供給され真空吸
着される。ステージ101は探針プローブ6の直下に移
動し、ステージ101を上昇させ導電部材103を探針
プローブ6に接触させ、導通試験を行う。
導通試験の実行要領は第1実施例の場合と同じである。
導通試験が終了すると導電部材103は搬送路114を
通って元の位置へもどされる。
導通試験の結果が良好ならば2枚目のウェーハがステー
ジ101へ搬送路111を通って供給される。以下前記
と同様に繰り返えされる。また、導通試験が不良の場合
は測定が中断される。
以上説明したように本発明は、探針プローブの研Mを行
った直後に探針プローブの導通試験を行ない接触抵抗を
測定し、探針プローブの研磨が確実に実施逼れているこ
とを検査することにより良質のブロービングを実現でき
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例のウェーハステージの平面
図、第2図はチップのプロービングを行おうとする状態
を示した断面図、第3図は探針プローブを研磨あるいは
導通試験を行おうとする状態を示した断面図、第4図は
テスタとプローバの信号路を表わす図、および第5図は
本発明の第2実施例の平面図である。 1・・・ステージ、    2・・・研磨部材、3・・
・導電部材、    4・・・ウェーハ、5・・・プロ
ーブガード、6・・・探針プローブ、11・・・制御部
、12 、13・・・駆動系、14・・・テスタ、21
・・・測定系信号路、n・・・テスタ・プローバ制御信
号路、お・・・導通試験制御信号路、 101・・・ステージ、102・・・研磨部材、103
・・・導電部材、104・・・ウェーハ、111・・・
ウェーハ供給時の搬送路、112・・・ウェーハ収納時
の搬送路、113・・・研磨部材の搬送路、 114・・・導電部材の搬送路、 121・・・ウェーハの供給位置、 122・・・ウェーハの収納位置、 131・・・ウェーハ供給キャリア、 132・・・ウェーハ収納キャリア。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェーハ上に形成した各チップの電気的特性のチ
    ェックを行なうプローバにおいて、探針プローブの先端
    を研磨部材に接触させ研磨する手段と、前記の研磨され
    た探針プローブを導電部材に接触させ接触抵抗を測定す
    る手段とを有することを特徴とするウエーハプローバ。
JP273487A 1987-01-08 1987-01-08 ウエ−ハプロ−バ Pending JPS63170933A (ja)

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JP273487A JPS63170933A (ja) 1987-01-08 1987-01-08 ウエ−ハプロ−バ

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ID=11537555

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JP273487A Pending JPS63170933A (ja) 1987-01-08 1987-01-08 ウエ−ハプロ−バ

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