JPS61103306A - 基準電流発生回路 - Google Patents
基準電流発生回路Info
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- JPS61103306A JPS61103306A JP59225215A JP22521584A JPS61103306A JP S61103306 A JPS61103306 A JP S61103306A JP 59225215 A JP59225215 A JP 59225215A JP 22521584 A JP22521584 A JP 22521584A JP S61103306 A JPS61103306 A JP S61103306A
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- JP
- Japan
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- transistor
- circuit
- current
- emitter
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- QHGVXILFMXYDRS-UHFFFAOYSA-N pyraclofos Chemical compound C1=C(OP(=O)(OCC)SCCC)C=NN1C1=CC=C(Cl)C=C1 QHGVXILFMXYDRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000015278 beef Nutrition 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は回路内の三筒点間の電位差に比例した1:流を
発生する基準電流発生回路に関するものである。
発生する基準電流発生回路に関するものである。
(従来の技術)
従来、回路内の三筒点間の電位差に比例した基準電流出
力を得る場合、第3図の回路図に示す様な差動増幅器と
PNP)ランジスタを組み合わせた回路とを用いていた
。図において% Qt〜Q3はトランジスタ、R1,几
3は抵抗、C8は定電流源、11、 I2が入力端子、
01が出力端子を示している。この従来の回路の動作に
ついて説明を加える。
力を得る場合、第3図の回路図に示す様な差動増幅器と
PNP)ランジスタを組み合わせた回路とを用いていた
。図において% Qt〜Q3はトランジスタ、R1,几
3は抵抗、C8は定電流源、11、 I2が入力端子、
01が出力端子を示している。この従来の回路の動作に
ついて説明を加える。
同図で、トランジスタQl及びトランジスタQ2のコレ
クタ電流を各々IC1,IC2とし、動作点付近のベー
スコレクタ相互コンダクタンスを9mとしTh VBI
Iをトランジスタのペースエミッタ間11E王とすると
1次式が得られる。
クタ電流を各々IC1,IC2とし、動作点付近のベー
スコレクタ相互コンダクタンスを9mとしTh VBI
Iをトランジスタのペースエミッタ間11E王とすると
1次式が得られる。
Ic1=11iI+mVas+1. Icz=、!i
’mVamz m++°(1)一方、入力端+11
の電位をVl、入力端+12の電位を72% トランジ
スタQlとトランジスタQ2との共通エミッタ部電位を
■8 とし% 工CTを定電流源C8の電流とすると
次のように表される。
’mVamz m++°(1)一方、入力端+11
の電位をVl、入力端+12の電位を72% トランジ
スタQlとトランジスタQ2との共通エミッタ部電位を
■8 とし% 工CTを定電流源C8の電流とすると
次のように表される。
VBII ”vt VIl、 VB[12” vz
VI!”°°8°(2)工。1+IC2:I。、
・・・・・・(3)これら11)
〜(3)式からVB[11、Vagz ’k 消去シs
整理すると次式が得られる。
VI!”°°8°(2)工。1+IC2:I。、
・・・・・・(3)これら11)
〜(3)式からVB[11、Vagz ’k 消去シs
整理すると次式が得られる。
1(1=1(Ict+gm(V+−Vz))
””(4)また、トランジスタQ3のペースエミッタ順
方向電圧を■rとすると、このトランジスタQ3のコレ
クタ電流、即ち出力電流工◎は次のようになる。
””(4)また、トランジスタQ3のペースエミッタ順
方向電圧を■rとすると、このトランジスタQ3のコレ
クタ電流、即ち出力電流工◎は次のようになる。
Io :(ICI Rt VF ) / Rs
””(5)’″’ c酌(4)、
+5)カエシ、第3.。。工よ、。
””(5)’″’ c酌(4)、
+5)カエシ、第3.。。工よ、。
電流出力Inは次式のようになる。
すなわち、出力電流1.は二人力端子間電圧(■1−V
2)に比例した電流出力となる。ここで(6)式を見る
と、出力電流値は節点電位差(MI V2)と、特に
半導体集積回路では精度を高くできる抵抗比f4J17
几3との他に、相互コンダクタンスJ1゜定電流源電流
値IC?+ペースエミッタ順方向電圧■F等の温度や動
作点、使用電源電圧更に素子の製造条件などによシ変動
する要素を多く含み、使用上、製造上のばらつきに対し
て出力電流Ioの安定度が高くない事が容易にわかる。
2)に比例した電流出力となる。ここで(6)式を見る
と、出力電流値は節点電位差(MI V2)と、特に
半導体集積回路では精度を高くできる抵抗比f4J17
几3との他に、相互コンダクタンスJ1゜定電流源電流
値IC?+ペースエミッタ順方向電圧■F等の温度や動
作点、使用電源電圧更に素子の製造条件などによシ変動
する要素を多く含み、使用上、製造上のばらつきに対し
て出力電流Ioの安定度が高くない事が容易にわかる。
又、一般に、差動増幅器の定電流源C8を駆動する為に
、専用の駆動電圧源を必要とするから。
、専用の駆動電圧源を必要とするから。
回路構成も比較的複雑になる欠点もあった。更に、NP
NとPNPの二種類のトランジスタを要する点も、特に
半導体集積回路に於いては製造工程を複雑化するという
欠点もある。
NとPNPの二種類のトランジスタを要する点も、特に
半導体集積回路に於いては製造工程を複雑化するという
欠点もある。
(発明0目的)
1本発明の目的は、このような欠点を除き、構
成が簡単で、安定度が高く1節点間型位差の比例出力を
得られる基準電流発生回路を提供することにある。
1本発明の目的は、このような欠点を除き、構
成が簡単で、安定度が高く1節点間型位差の比例出力を
得られる基準電流発生回路を提供することにある。
(発明の構成)
本発明の基準電流発生回路の構成は、互にコレクタを上
位電圧源に接続しそれぞれのペースを第1および第2の
入力端子と接続した第1および第2のトランジスタと、
この第1のトランジスタのエミッタに接続された第1の
抵抗と、この第1の抵抗の他端と下位電源との間に順方
向に接続されたダイオードと、このダイオードの抵抗と
の接続点をペースに前記下位電源をエミッタに接続した
第3のトランジスタと、この第3のトランジスタのコレ
クタと前記第2のトランジスタのエミッタとの間に接続
された第2の抵拡と、前記第3のトランジスタのコレク
タとペースが接続されエミッタが第3の抵抗を介して前
記下位電源と接続された第4のトランジスタとを含み、
前記第1および第2の入力端子の間の電位差に比例した
電流が前記第4のトランジスタのコレクタ電流として得
られることを特徴とする。
位電圧源に接続しそれぞれのペースを第1および第2の
入力端子と接続した第1および第2のトランジスタと、
この第1のトランジスタのエミッタに接続された第1の
抵抗と、この第1の抵抗の他端と下位電源との間に順方
向に接続されたダイオードと、このダイオードの抵抗と
の接続点をペースに前記下位電源をエミッタに接続した
第3のトランジスタと、この第3のトランジスタのコレ
クタと前記第2のトランジスタのエミッタとの間に接続
された第2の抵拡と、前記第3のトランジスタのコレク
タとペースが接続されエミッタが第3の抵抗を介して前
記下位電源と接続された第4のトランジスタとを含み、
前記第1および第2の入力端子の間の電位差に比例した
電流が前記第4のトランジスタのコレクタ電流として得
られることを特徴とする。
(実施例)
次に本発明を図面によシ詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図で、NPNトランジ
スタを用いた回路を示している。本実施例は、従来の構
成に対し差動増幅器のエミッタ側から出力をとるように
して、トランジスタQ4゜ダイオードDlおよび抵抗比
2が付加されたものである。ダイオードDlの順方向電
圧及びトランジスタQl−Q4のペースエミッタ順方向
電圧をV2とし、第一の入力端+11と下側電圧源VB
Iとの電位差をvl、第二の入力端+12と下側電圧源
V1mとの電位差を■2とすると、抵抗R1を流れる電
流工a1は次のようになる。
スタを用いた回路を示している。本実施例は、従来の構
成に対し差動増幅器のエミッタ側から出力をとるように
して、トランジスタQ4゜ダイオードDlおよび抵抗比
2が付加されたものである。ダイオードDlの順方向電
圧及びトランジスタQl−Q4のペースエミッタ順方向
電圧をV2とし、第一の入力端+11と下側電圧源VB
Iとの電位差をvl、第二の入力端+12と下側電圧源
V1mとの電位差を■2とすると、抵抗R1を流れる電
流工a1は次のようになる。
IR1= (Vl−2VF ) / R1”−(7)一
方、ダイオードD1とトランジスタQ4とは、所謂カレ
ントミラー回路を構成するから、ダイオードDlを流れ
る電流IR,と、トランジスタQ4のコレクタ電流(す
なわち、抵抗比2を流れる電流1島2)とはほぼ等しい
。
方、ダイオードD1とトランジスタQ4とは、所謂カレ
ントミラー回路を構成するから、ダイオードDlを流れ
る電流IR,と、トランジスタQ4のコレクタ電流(す
なわち、抵抗比2を流れる電流1島2)とはほぼ等しい
。
■、□2IB、 ゛山−+8
3これら+7)、 (8)式より、トランジスタQ4の
コレフタと、下側電圧源との電位差vcは次のようにな
る。
3これら+7)、 (8)式より、トランジスタQ4の
コレフタと、下側電圧源との電位差vcは次のようにな
る。
V(=V2−Vy −R2@IR2
、Vz−V、−几2・(Vl 2 VF ) /R1
この式でkLl=aZとすれば次のようKなる。
この式でkLl=aZとすれば次のようKなる。
Vc:;Vz v、 Vt + 2 v。
= Vz−V1+ Vy ・・・・
・・(9)一方、トランジスタQ3のコレクタ電流、即
ち出力電流Ioは次のようになる。
・・(9)一方、トランジスタQ3のコレクタ電流、即
ち出力電流Ioは次のようになる。
Io= (Vc −VF ) /R3・・・・・・叫こ
れら+9)、 (11式から次式が得られる。
れら+9)、 (11式から次式が得られる。
Io=(Vz −Vt +Vy −VF ) / Ra
=(Vz−vl)/R3・・・・・・収υこのように本
実施例の基準電流発生回路は、トランジスタQ1〜Q4
のベースエミッタ順方向電圧vr及びダイオードD1の
順方向電圧が総て等しi)、 <、抵抗比
几1/几2が1という条件下で、R9式に示す様に、二
人力端子間電圧(Vz−Vl)に完全に比例した基準電
流を得る事ができる。
=(Vz−vl)/R3・・・・・・収υこのように本
実施例の基準電流発生回路は、トランジスタQ1〜Q4
のベースエミッタ順方向電圧vr及びダイオードD1の
順方向電圧が総て等しi)、 <、抵抗比
几1/几2が1という条件下で、R9式に示す様に、二
人力端子間電圧(Vz−Vl)に完全に比例した基準電
流を得る事ができる。
(発明の効果)
本発明によれば、前述のμυ式に示した様に、出力電流
Ioが二点間電位差と、抵抗のみの単純な形で与、tら
れるため、トランジスタの動作点や使用電圧等の使用条
件に左右されず、広い条件下で安定した基準電流の発生
が可能である。また、回路全体が一種類のトランジスタ
で構成され、かつ定電流源の様な駆動回路を要するもの
がないため回路構成が単純罠なっている。さらに、この
回路の特性は、特に半導体集積回路で達成容易なトラン
ジスタ間のペースエミッタ電圧の一致、抵抗比精度の確
保のみで得られるため、設計が容易でかり動作が確実で
あるという特徴がある。
Ioが二点間電位差と、抵抗のみの単純な形で与、tら
れるため、トランジスタの動作点や使用電圧等の使用条
件に左右されず、広い条件下で安定した基準電流の発生
が可能である。また、回路全体が一種類のトランジスタ
で構成され、かつ定電流源の様な駆動回路を要するもの
がないため回路構成が単純罠なっている。さらに、この
回路の特性は、特に半導体集積回路で達成容易なトラン
ジスタ間のペースエミッタ電圧の一致、抵抗比精度の確
保のみで得られるため、設計が容易でかり動作が確実で
あるという特徴がある。
(具体例)
第2図は本実施例の基準電流発生回路を、電流切換型論
理回路のレベルシフト回路に適用した一例の回路図であ
る。この回路は、トランジスタQs、Qgの差動増幅回
路とトランジスタQ1の出 1力回路とか
らなる回路に、本考案の基準電流発生回路を付加したも
ので、入力側差動回路QS、 Q6の論理中心電圧VB
Iと異なる電圧VB2の回路との間を接続する場合に、
送信側ゲートの出力を、当該論理中心電圧差だけシフト
して、従来の様に回路群間にレベル変換用のゲートを挿
入する事なく。
理回路のレベルシフト回路に適用した一例の回路図であ
る。この回路は、トランジスタQs、Qgの差動増幅回
路とトランジスタQ1の出 1力回路とか
らなる回路に、本考案の基準電流発生回路を付加したも
ので、入力側差動回路QS、 Q6の論理中心電圧VB
Iと異なる電圧VB2の回路との間を接続する場合に、
送信側ゲートの出力を、当該論理中心電圧差だけシフト
して、従来の様に回路群間にレベル変換用のゲートを挿
入する事なく。
直結できる様にするための回路である。この回路を用い
た場合、レベル変換用ゲートによる伝搬遅延時間や消費
電力の大幅な増加を生じない利点を有する。
た場合、レベル変換用ゲートによる伝搬遅延時間や消費
電力の大幅な増加を生じない利点を有する。
この回路の出力端子OTの論理中心レベルは。
基準電流源がない場合のレベル、即ち差動回路(Qs、
Qs )側の中心値■乳lより、電圧1.R3だけ低
下する。この時基準電圧源の二人力端子11゜工2に入
力回路側及び出力回路側の論理中心電圧VRI、 V
i2t−それぞれ入力すれば、前記住υ式によて、R4
=几3とすれば、そのシフト電圧1.几3は。
Qs )側の中心値■乳lより、電圧1.R3だけ低
下する。この時基準電圧源の二人力端子11゜工2に入
力回路側及び出力回路側の論理中心電圧VRI、 V
i2t−それぞれ入力すれば、前記住υ式によて、R4
=几3とすれば、そのシフト電圧1.几3は。
二回路詳の中心電圧の差(Vl2 Vat )と完全
に一致する。即ち、中心電圧VRIなる入力回路側に属
する当該ゲート出力を、中心電圧VR2なる出力回路側
に属するゲートの出力と完全に一致させる事が出来1両
群を直接々続できる事になる。
に一致する。即ち、中心電圧VRIなる入力回路側に属
する当該ゲート出力を、中心電圧VR2なる出力回路側
に属するゲートの出力と完全に一致させる事が出来1両
群を直接々続できる事になる。
この回路において、レベルシフト電圧は、電圧V&1.
V、、以外には抵抗比EL4/几3の精度のみで決
まるから、使用条件等に左右される事なく、常に安定し
たレベルシフトが可能である。
V、、以外には抵抗比EL4/几3の精度のみで決
まるから、使用条件等に左右される事なく、常に安定し
たレベルシフトが可能である。
(発明のまとめ)
以上の様に、本発明による基準電流発生回路は、二部点
間の電位差に完全に比例する出力電流を、簡単な構成で
、使用条件、素子特性のノくラツキに対しても安定かつ
確実に得る事ができ、特に素子間相^精度を容易に高く
できる半導体集積回路に於いて有用である。
間の電位差に完全に比例する出力電流を、簡単な構成で
、使用条件、素子特性のノくラツキに対しても安定かつ
確実に得る事ができ、特に素子間相^精度を容易に高く
できる半導体集積回路に於いて有用である。
尚、実施例の説明では、NPNトランジスタによる回路
例を用いたが、PNP)ランジスタを用いても同様の動
作、効果を有することは明らかである。
例を用いたが、PNP)ランジスタを用いても同様の動
作、効果を有することは明らかである。
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は鮮1図の
実施例をレベルシフト回路に適用した応用例の回路図、
第3図は従来の電位差比例出力を有する基準電流源の一
例の回路図である。図において Q l−Q ?・・・・・・トランジスタ、几l〜几5
・・・・・・抵抗。 C8・・・・・・定電流源、VCC・・・・・・上側電
圧源、 Vll・・・・・・下側電圧源、Dl・・・・
・・ダイオードS Xo、 X、。 1、・・・・・・入力端子、OT・・・・・・出力端子
、VRl。 VB2・・・・・・論理中心電圧、 である。 早11) 牛3回 $ 2 m
実施例をレベルシフト回路に適用した応用例の回路図、
第3図は従来の電位差比例出力を有する基準電流源の一
例の回路図である。図において Q l−Q ?・・・・・・トランジスタ、几l〜几5
・・・・・・抵抗。 C8・・・・・・定電流源、VCC・・・・・・上側電
圧源、 Vll・・・・・・下側電圧源、Dl・・・・
・・ダイオードS Xo、 X、。 1、・・・・・・入力端子、OT・・・・・・出力端子
、VRl。 VB2・・・・・・論理中心電圧、 である。 早11) 牛3回 $ 2 m
Claims (1)
- 互にコレクタを上位電圧源に接続しそれぞれのベースを
第1および第2の入力端子と接続した第1および第2の
トランジスタと、この第1のトランジスタのエミッタに
接続された第1の抵抗と、この第1の抵抗の他端と下位
電源との間に順方向に接続されたダイオードと、このダ
イオードの抵抗との接続点をベースに前記下位電源をエ
ミッタに接続した第3のトランジスタと、この第3のト
ランジスタのコレクタと前記第2のトランジスタのエミ
ッタとの間に接続された第2の抵抗と、前記第3のトラ
ンジスタのコレクタとベースが接続されエミッタが第3
の抵抗を介して前記下位電源と接続された第4のトラン
ジスタとを含み、前記第1および第2の入力端子の間の
電位差に比例した電流が前記第4のトランジスタのコレ
クタ電流として得られることを特徴とする基準電流発生
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59225215A JPS61103306A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 基準電流発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59225215A JPS61103306A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 基準電流発生回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61103306A true JPS61103306A (ja) | 1986-05-21 |
Family
ID=16825786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59225215A Pending JPS61103306A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 基準電流発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61103306A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50102234A (ja) * | 1974-01-10 | 1975-08-13 | ||
| JPS54114986A (en) * | 1978-02-14 | 1979-09-07 | Motorola Inc | Differential singleeended converter circuit using reverse transistor |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP59225215A patent/JPS61103306A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50102234A (ja) * | 1974-01-10 | 1975-08-13 | ||
| JPS54114986A (en) * | 1978-02-14 | 1979-09-07 | Motorola Inc | Differential singleeended converter circuit using reverse transistor |
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