JPS611049A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS611049A JPS611049A JP59119764A JP11976484A JPS611049A JP S611049 A JPS611049 A JP S611049A JP 59119764 A JP59119764 A JP 59119764A JP 11976484 A JP11976484 A JP 11976484A JP S611049 A JPS611049 A JP S611049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- image sensor
- etched
- metal film
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新規な固体撮像素子の製造方法に関する。より
詳しくは配線用ないしは遮光用の金属膜の表面に形成さ
れた反射防止膜の窓開部への庇状の突出部がダストとな
るのを未然に防止し、信頼度の高い固体撮像素子を得る
ことのできる新規な固体撮像素子の製造方法を提供しよ
うとするものである。
詳しくは配線用ないしは遮光用の金属膜の表面に形成さ
れた反射防止膜の窓開部への庇状の突出部がダストとな
るのを未然に防止し、信頼度の高い固体撮像素子を得る
ことのできる新規な固体撮像素子の製造方法を提供しよ
うとするものである。
背景技術とその問題点
第２図は固体撮像素子の構造を大まかに示すものである
。同図において、ａは半導体基板で、その表面部に光セ
ンサｂ及び垂直転送レジスタＣその他必要な各種領域（
図示しない）が形成され、その半導体基板ａの表面上に
遮光膜ｅが埋設された透明な絶縁膜ｄが形成されている
。遮光膜ｅは光センサｂ以外の領域、特に垂直転送レジ
スタＣに光が入射するのを防止するために形成されるも
のであり、アルミニウム等の金属からなる。又、半導体
基板の表面上には図示はしないがアルミニウム等からな
る配線膜も形成される。ところで。
。同図において、ａは半導体基板で、その表面部に光セ
ンサｂ及び垂直転送レジスタＣその他必要な各種領域（
図示しない）が形成され、その半導体基板ａの表面上に
遮光膜ｅが埋設された透明な絶縁膜ｄが形成されている
。遮光膜ｅは光センサｂ以外の領域、特に垂直転送レジ
スタＣに光が入射するのを防止するために形成されるも
のであり、アルミニウム等の金属からなる。又、半導体
基板の表面上には図示はしないがアルミニウム等からな
る配線膜も形成される。ところで。
配線用ないしは遮光用の金属膜（例えばアルミニウム膜
）は反射率が高いためそこに入射°された光のほとんど
が反射され、そして反射された光が例えば透明な絶縁膜
ｄ等にて内面反射され、光センサｂに入射されてしまう
という現象が生じる。このように配線用ないしは遮光用
の金属膜に入射された光が反射の繰返しによって光セン
サｂに入射されるとノイズが発生し、画質が低下する。
）は反射率が高いためそこに入射°された光のほとんど
が反射され、そして反射された光が例えば透明な絶縁膜
ｄ等にて内面反射され、光センサｂに入射されてしまう
という現象が生じる。このように配線用ないしは遮光用
の金属膜に入射された光が反射の繰返しによって光セン
サｂに入射されるとノイズが発生し、画質が低下する。
そこで、配線用ないしは遮光用の金属膜表面の反射率を
低くするため各種の試みが為されている。そのうちの一
つとして金属膜表面にＣｒ２Ｏ３等の金属酸化物からな
る反射防止膜を形成する試みがある。第３図（Ａ）乃至
（Ｄ）は反射防止膜が表面上に形成された配線用ないし
は遮光用の金属膜を形成する方法を工程順に示すもので
あり、この図に従ってその方法を具体的に説明する。
低くするため各種の試みが為されている。そのうちの一
つとして金属膜表面にＣｒ２Ｏ３等の金属酸化物からな
る反射防止膜を形成する試みがある。第３図（Ａ）乃至
（Ｄ）は反射防止膜が表面上に形成された配線用ないし
は遮光用の金属膜を形成する方法を工程順に示すもので
あり、この図に従ってその方法を具体的に説明する。
（Ａ）同図（Ａ）に示すように、撮像素子が形成された
半導体基板１表面にアルミニウムＡｔからなる遮光用（
あるいは配線用）金属膜（膜厚約４０００人）２を前面
的に形成し、該金属膜２表面上にＣｒ ２’０３からな
る反射防止膜（膜厚５００〜１００ＯＡ）３を形成する
。
半導体基板１表面にアルミニウムＡｔからなる遮光用（
あるいは配線用）金属膜（膜厚約４０００人）２を前面
的に形成し、該金属膜２表面上にＣｒ ２’０３からな
る反射防止膜（膜厚５００〜１００ＯＡ）３を形成する
。
尚、半導体基板１表面部に形成された撮像素子の各領域
は図示を省略する。
は図示を省略する。
（Ｂ）次に、同図（Ｂ）に示すように、反射防止ＢＩＪ
３の表面上に所定のパターンを有するレジスト膜４を形
成する。このレジスト膜４は光センサと対応する位置に
窓開部５が存在するようなパターンを有、する。
３の表面上に所定のパターンを有するレジスト膜４を形
成する。このレジスト膜４は光センサと対応する位置に
窓開部５が存在するようなパターンを有、する。
（Ｃ）次にレジストｎり４をマスクとしてＣｒ２Ｏ３か
らなる反射防止膜をエツチングする。該エツチングはエ
ツチング液として例えば硝酸第２セリウムアンモニウム
溶液を用い、該エツチング液に半導体基板１を浸漬する
ことにより行う。
らなる反射防止膜をエツチングする。該エツチングはエ
ツチング液として例えば硝酸第２セリウムアンモニウム
溶液を用い、該エツチング液に半導体基板１を浸漬する
ことにより行う。
その後、レジスト膜４をマスクとしてアルミニウムＡｔ
からなる金属膜２をエツチングする。該エツチングはエ
ツチング液として例えばリン酸等り を用い、該エツチング液に半導体基板ｌを浸漬すること
により行う。同図（Ｃ）はそのエツチングの終了後の状
態を示す。
からなる金属膜２をエツチングする。該エツチングはエ
ツチング液として例えばリン酸等り を用い、該エツチング液に半導体基板ｌを浸漬すること
により行う。同図（Ｃ）はそのエツチングの終了後の状
態を示す。
（Ｄ）その後、同図（Ｄ）に示すように不要なレジスト
膜４を除去する。
膜４を除去する。
ところで、このような方法によれば、反射防止膜３から
なる窓開部５への庇状の突出部６が形成されてしまう。
なる窓開部５への庇状の突出部６が形成されてしまう。
これはアルミニウムからなる金属膜２に対するエツチン
グによってＣｒ２Ｏ３も僅かながらエツチングされてし
まうことに起因する。そして、この庇状の突出部６はレ
ジスト膜４の剥離工程あるいはその後の各工程において
折れてダスト６′になり、不良発生の原因となる惧れが
あった。
グによってＣｒ２Ｏ３も僅かながらエツチングされてし
まうことに起因する。そして、この庇状の突出部６はレ
ジスト膜４の剥離工程あるいはその後の各工程において
折れてダスト６′になり、不良発生の原因となる惧れが
あった。
発明の目的
しかして１本発明は、配線用ないしは遮光用の金属膜の
表面に形成された反射防止膜の窓開部への庇状の突出部
がダストとなるのを未然に防止し、信頼度の高い固体撮
像素子を得ることのできる新規な固体撮像素子の製造方
法を提供しようとするものである。
表面に形成された反射防止膜の窓開部への庇状の突出部
がダストとなるのを未然に防止し、信頼度の高い固体撮
像素子を得ることのできる新規な固体撮像素子の製造方
法を提供しようとするものである。
発明の概要
上記目的を達成するため本発明固体撮像素子の製造方法
は、撮像素子が形成された半導体基板表面上に配線用な
いしは遮光用の金属膜を全面的に形成した後該金属膜表
面上に反射防止膜を全面的に形成し、次いで、該反射防
止膜の表面上に選択的にレジストＭを形成し、該レジス
ト膜をマスクとして反射防止膜をエツチングし、次いで
該エツチングの後に残存する反射防止膜をマスクとして
前記金属膜をエツチングし、その後半導体基板を前記反
射防止膜に対するエツチング液に浸漬することにより前
記金属膜に対するエツチングにより生じたところの各窓
開部への反射防止膜からなる庇状の突出部を除去するこ
とを特徴とするものである。
は、撮像素子が形成された半導体基板表面上に配線用な
いしは遮光用の金属膜を全面的に形成した後該金属膜表
面上に反射防止膜を全面的に形成し、次いで、該反射防
止膜の表面上に選択的にレジストＭを形成し、該レジス
ト膜をマスクとして反射防止膜をエツチングし、次いで
該エツチングの後に残存する反射防止膜をマスクとして
前記金属膜をエツチングし、その後半導体基板を前記反
射防止膜に対するエツチング液に浸漬することにより前
記金属膜に対するエツチングにより生じたところの各窓
開部への反射防止膜からなる庇状の突出部を除去するこ
とを特徴とするものである。
実施例
以下に、本発明固体撮像素子の製造方法を添附図面に示
した実施例に従って詳細に説明する。
した実施例に従って詳細に説明する。
第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明固体撮像素子の製造方
法の実施の一例を工程順に示す断面図である。
法の実施の一例を工程順に示す断面図である。
（Ａ）同図（Ａ）に示すように、撮像素子が形成された
半導体基板１表面にアルミニウムＡ１からなる遮光用（
あるいは配線用）金属膜（膜厚的４００ＯＡ）２を全面
的に形成し、該金属膜２表面上にＣｒ ２０３からなる
反射防止膜（膜厚５００〜１０００人）３を形成する。
半導体基板１表面にアルミニウムＡ１からなる遮光用（
あるいは配線用）金属膜（膜厚的４００ＯＡ）２を全面
的に形成し、該金属膜２表面上にＣｒ ２０３からなる
反射防止膜（膜厚５００〜１０００人）３を形成する。
尚、半導体基板１表面部に形成された撮像素子の各領域
は図示を省略する。
は図示を省略する。
（Ｂ）次に、同図（Ｂ）に示すように、反射防止膜３の
表面上に所定のパターンを看するレジスト膜４を形成す
る。このレジスト膜４は光センサと対応する位置に窓開
部５が存在するようなパターンを有する。
表面上に所定のパターンを看するレジスト膜４を形成す
る。このレジスト膜４は光センサと対応する位置に窓開
部５が存在するようなパターンを有する。
（Ｃ）次にレジスト膜４をマスクとしてＣｒ２Ｏ３から
なる反射防止膜をエツチングする。該エツチングはエツ
チング液として例えば硝酸第２セリウムアンモニウム溶
液を用い、該エツチング液に半導体基板ｌを浸漬するこ
とにより行う。
なる反射防止膜をエツチングする。該エツチングはエツ
チング液として例えば硝酸第２セリウムアンモニウム溶
液を用い、該エツチング液に半導体基板ｌを浸漬するこ
とにより行う。
その後、レジスト膜４をマスクとしてアルミニウムＡｔ
からなる金属膜２をエツチングする。該エツチングはエ
ツチング液として例えばリン酸等を用い、該エツチング
液に半導体基板１を浸漬することにより行う。同図（Ｃ
）はそのエツチングの終了後の状態を示す。すると、前
述のとおり、反射防止膜の窓開部５へ庇状に突出する突
出部６が形成されてしまう。
からなる金属膜２をエツチングする。該エツチングはエ
ツチング液として例えばリン酸等を用い、該エツチング
液に半導体基板１を浸漬することにより行う。同図（Ｃ
）はそのエツチングの終了後の状態を示す。すると、前
述のとおり、反射防止膜の窓開部５へ庇状に突出する突
出部６が形成されてしまう。
（Ｄ）次に、第１図（Ｃ）に示す状態の半導体基 。
板１をＣｒ２Ｏ３のエツチング液である硝酸第２セリウ
ムアンモニウム溶液に浸漬して突出部６をエツチング除
去する。第１図ＣＤ）はその突出部６のエツチング除去
後における状ＩＥを示す。
ムアンモニウム溶液に浸漬して突出部６をエツチング除
去する。第１図ＣＤ）はその突出部６のエツチング除去
後における状ＩＥを示す。
（Ｅ）その後、レジスト膜４を除去する。
このような第１図（Ａ）乃至（Ｅ）に示す固体撮像素子
の製造方法によれば、表面に反射防止膜３が形成された
金属膜２に対するエツチングが終了すると、そのエツチ
ングの際に生じた窓開部５へ庇状に突出する反射防止膜
３の突出部６をそれを形成するＣｒ２Ｏ３に対するエツ
チング液により除去するので、その後のレジスト膜４を
剥離する工程その他の工程で突出部６が折れてダストと
なるという惧れがなくなる。従って、固体撮像素子の信
頼度が高くなる。
の製造方法によれば、表面に反射防止膜３が形成された
金属膜２に対するエツチングが終了すると、そのエツチ
ングの際に生じた窓開部５へ庇状に突出する反射防止膜
３の突出部６をそれを形成するＣｒ２Ｏ３に対するエツ
チング液により除去するので、その後のレジスト膜４を
剥離する工程その他の工程で突出部６が折れてダストと
なるという惧れがなくなる。従って、固体撮像素子の信
頼度が高くなる。
発明の効果
以上に述べたように、本発明固体撮像素子の製造方法は
、撮像素子が形成された半導体基板表面上に配線用ない
しは遮光用の金属膜を全面的に形成した後該金属膜表面
上に反射防止膜を全面的に形成し、次いで、該反射防止
膜の表面上に選択的にレジスト膜を形成し、該レジスト
膜をマスクとして反射防止膜をエツチングし、次いで該
エツチングの後に存する反射防止膜をマスクとして前記
金属膜をエツチングし、その後半導体基板を前記反射防
止膜に対するエツチング液に浸漬することにより前記金
属膜に対するエツチングにより生じたところの各窓開部
への反射防止膜からなる庇状の突出部を除去することを
特徴とするものである。
、撮像素子が形成された半導体基板表面上に配線用ない
しは遮光用の金属膜を全面的に形成した後該金属膜表面
上に反射防止膜を全面的に形成し、次いで、該反射防止
膜の表面上に選択的にレジスト膜を形成し、該レジスト
膜をマスクとして反射防止膜をエツチングし、次いで該
エツチングの後に存する反射防止膜をマスクとして前記
金属膜をエツチングし、その後半導体基板を前記反射防
止膜に対するエツチング液に浸漬することにより前記金
属膜に対するエツチングにより生じたところの各窓開部
への反射防止膜からなる庇状の突出部を除去することを
特徴とするものである。
従って、本発明によれば、各窓開部への反射防止膜から
なる庇状の突出部が除去されるので、その突出部が折れ
てダストとなる惧れがなくなる。
なる庇状の突出部が除去されるので、その突出部が折れ
てダストとなる惧れがなくなる。
依って、固体撮像素子の信頼度を高め、又、歩留りを向
上することができる。
上することができる。
第１図（Ａ）乃至（Ｅ）は本発明固体撮像素子の製造方
法の実施の一例を工程順に示す断面図、第２図は固体撮
像素子の構造を大まかに示す断面図、第３図（Ａ）乃至
（Ｄ）は従来試みられた金属膜及び反射防止膜の形成方
法を工程順に示す断面図である。 符号の説明 ｌｅｅ・半導体基板、 ２・・・金属膜、３・φφ反
射防止膜、 ４・・Φレジスト膜、５ｅφ・窓開部、
６・・・突出部 第１図 ＣＡ＞ ＣＢ＞ （Ｃ） 第１図 （Ｄ） （Ｅ） ら 第２図
法の実施の一例を工程順に示す断面図、第２図は固体撮
像素子の構造を大まかに示す断面図、第３図（Ａ）乃至
（Ｄ）は従来試みられた金属膜及び反射防止膜の形成方
法を工程順に示す断面図である。 符号の説明 ｌｅｅ・半導体基板、 ２・・・金属膜、３・φφ反
射防止膜、 ４・・Φレジスト膜、５ｅφ・窓開部、
６・・・突出部 第１図 ＣＡ＞ ＣＢ＞ （Ｃ） 第１図 （Ｄ） （Ｅ） ら 第２図
Claims (1)
- （１）撮像素子が形成された半導体基板表面上に配線用
ないしは遮光用の金属膜を全面的に形成した後該金属膜
表面上に反射防止膜を全面的に形成し、次いで、該反射
防止膜の表面上に選択的にレジスト膜を形成し、該レジ
スト膜をマスクとして反射防止膜をエッチングし、次い
で該エッチングの後に残存する反射防止膜をマスクとし
て前記金属膜をエッチングし、その後半導体基板を前記
反射防止膜に対するエッチング液に浸漬することにより
前記金属膜に対するエッチングにより生じたところの各
窓開部への反射防止膜からなる庇状の突出部を除去する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119764A JPS611049A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119764A JPS611049A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS611049A true JPS611049A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14769600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119764A Pending JPS611049A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS611049A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006301101A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Fujifilm Electronic Materials Co Ltd | 遮光・反射防止積層膜及びその形成方法、並びにそれを有する固体撮像素子及びその製造方法 |
| JPWO2006046502A1 (ja) * | 2004-10-27 | 2008-05-22 | 株式会社ニコン | 光学素子の製造方法、光学素子、ニッポウディスク、コンフォーカル光学系、及び３次元測定装置 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59119764A patent/JPS611049A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006046502A1 (ja) * | 2004-10-27 | 2008-05-22 | 株式会社ニコン | 光学素子の製造方法、光学素子、ニッポウディスク、コンフォーカル光学系、及び３次元測定装置 |
| JP2006301101A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Fujifilm Electronic Materials Co Ltd | 遮光・反射防止積層膜及びその形成方法、並びにそれを有する固体撮像素子及びその製造方法 |
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