JPS61105506A - カラ−フイルタ−の製造方法 - Google Patents
カラ−フイルタ−の製造方法Info
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- JPS61105506A JPS61105506A JP59226661A JP22666184A JPS61105506A JP S61105506 A JPS61105506 A JP S61105506A JP 59226661 A JP59226661 A JP 59226661A JP 22666184 A JP22666184 A JP 22666184A JP S61105506 A JPS61105506 A JP S61105506A
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- JP
- Japan
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- dye
- color
- substrate
- resin
- color filter
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、CC口(チャージカップルドデバイス)。
880(バリー7ドブリケードデバイス)、eta(チ
ャージインジェクションデバイス) 、BASIS(ベ
ースストアタイプイメージセンサ−)等のカラ一固体撮
像素子、密着型イメージセンサ−およびカラーディスプ
レイ用等に用いられるカラーフィルターの製造方法に関
する。
ャージインジェクションデバイス) 、BASIS(ベ
ースストアタイプイメージセンサ−)等のカラ一固体撮
像素子、密着型イメージセンサ−およびカラーディスプ
レイ用等に用いられるカラーフィルターの製造方法に関
する。
従来、この種の素子に用いられるカラーフィルターとし
ては、干渉フィルター又は染色フィルターが知られてい
る。
ては、干渉フィルター又は染色フィルターが知られてい
る。
干渉フィルターは多層構成で所定の分光特性に合わせた
膜設針をなす上で使用する材料(屈折4)によって決ま
る膜厚のal整やその膜をm層で保持するなどの製造上
の問題が多い、特に微細なパターンニングに際してはこ
れらの制御が困難な場合が多い、また、コストが高いと
いう欠点を有していた。
膜設針をなす上で使用する材料(屈折4)によって決ま
る膜厚のal整やその膜をm層で保持するなどの製造上
の問題が多い、特に微細なパターンニングに際してはこ
れらの制御が困難な場合が多い、また、コストが高いと
いう欠点を有していた。
一方、染色フィルターは1例えば透明基板上にゼラチン
、カゼイン、グリユーあるいはポリビニルアルコールな
どの天然または合成高分子物質からなる媒染層を設け、
その媒染層を所定のパターンに合わせて着色する方法が
知られている。
、カゼイン、グリユーあるいはポリビニルアルコールな
どの天然または合成高分子物質からなる媒染層を設け、
その媒染層を所定のパターンに合わせて着色する方法が
知られている。
着色する方法としては適当な染料を溶解した染色浴中に
浸漬処理する染色法が挙げられる。
浸漬処理する染色法が挙げられる。
この方法によると使用可能な染料が非常に多く、フィル
ターとして要求される分光特性をどのようにも対応でき
るという利点を有しているが。
ターとして要求される分光特性をどのようにも対応でき
るという利点を有しているが。
染色工程が染料を溶解した染色浴中に浸漬するというコ
ントロールの難しい湿式1程を採用しており、しかも所
定のパターン通りに各色を染め分ける工程において、各
色の染色工程毎にホトレジストによる耐染マスクの作成
および剥離の工程を必要とするために歩留りが低く、廉
価なカラーフィルターを製造するには適切な方法とはい
えない、さらにフィルターとしての性能においてもパタ
ーンニング境界部での色の゛にじみ〜、“ボケ、などの
混色が生じるので高精度が要求される分野の使用には適
したものではない。
ントロールの難しい湿式1程を採用しており、しかも所
定のパターン通りに各色を染め分ける工程において、各
色の染色工程毎にホトレジストによる耐染マスクの作成
および剥離の工程を必要とするために歩留りが低く、廉
価なカラーフィルターを製造するには適切な方法とはい
えない、さらにフィルターとしての性能においてもパタ
ーンニング境界部での色の゛にじみ〜、“ボケ、などの
混色が生じるので高精度が要求される分野の使用には適
したものではない。
本発明は上述の従来技術の有する欠点のない新規の製造
方法を提供するもので、本誌により高精度で分光特性が
優れ、かつ経済価値の大きいカラーフィルターの製造が
可能になった。
方法を提供するもので、本誌により高精度で分光特性が
優れ、かつ経済価値の大きいカラーフィルターの製造が
可能になった。
〔問題点を解決するための手段・作用〕すなわち本発明
は、(1)基板上にレジストマスクを形成する工程、(
2)レジストマスクが形成された基板上に色素材料を分
散させた透明樹脂を塗布する工程および(3)該透明樹
脂が塗布されたレジストマスクを除去する工程とを有す
ることを特徴とするカラーフィルターの製造方法である
。
は、(1)基板上にレジストマスクを形成する工程、(
2)レジストマスクが形成された基板上に色素材料を分
散させた透明樹脂を塗布する工程および(3)該透明樹
脂が塗布されたレジストマスクを除去する工程とを有す
ることを特徴とするカラーフィルターの製造方法である
。
以下本発明によるカラーフィルターの製造方法につき、
図面に基づいて説明するが、代表的な態様は第1図から
第4により示される。
図面に基づいて説明するが、代表的な態様は第1図から
第4により示される。
まず第1図に示すように、ガラス、樹脂等からなる基板
1上に、レジストを塗布し、所望のノくターンを有する
フォトマスクを介して露光し、現像液によって現像し、
所望のパターン形状のレジスト樹脂パターンを得る1以
上の工程によって第1図に示されるレジストマスク2が
基板l上に形成される。
1上に、レジストを塗布し、所望のノくターンを有する
フォトマスクを介して露光し、現像液によって現像し、
所望のパターン形状のレジスト樹脂パターンを得る1以
上の工程によって第1図に示されるレジストマスク2が
基板l上に形成される。
ついで第2図のごとく、レジストマスクが形成された基
板上に色素材料を分散させた透明樹脂を塗布する工程に
より、色素M3が形成される。
板上に色素材料を分散させた透明樹脂を塗布する工程に
より、色素M3が形成される。
ついで色素層を溶解させず、また色素層の分光特性を変
化させることなくレジストマスクのみを溶解もしくは基
板から剥離させることの可能な液に浸漬することにより
、レジストマスクを基板から除去する1以上の工程によ
り、レジストマスクの除去によって同時にレジストマス
ク上の色素層は何ら直接的作用を受けることなく、物理
的に除去され、w43図のごとく色素パターン4が形成
される。
化させることなくレジストマスクのみを溶解もしくは基
板から剥離させることの可能な液に浸漬することにより
、レジストマスクを基板から除去する1以上の工程によ
り、レジストマスクの除去によって同時にレジストマス
ク上の色素層は何ら直接的作用を受けることなく、物理
的に除去され、w43図のごとく色素パターン4が形成
される。
さらに異なる色素パターンを同一基板上に形成する場合
には、パターンに応じてレジストマスクの位置をずらし
、上記の3つの工程を繰り返して行なえばよく、第4図
にはこのようにして得られた3種の色素パターン4,5
.6を基板上に形成したカラーフィルターの断面図を示
した。
には、パターンに応じてレジストマスクの位置をずらし
、上記の3つの工程を繰り返して行なえばよく、第4図
にはこのようにして得られた3種の色素パターン4,5
.6を基板上に形成したカラーフィルターの断面図を示
した。
また各色素パターンの形成に先立ち、透明樹脂からなる
中間層を形成することも可能である。
中間層を形成することも可能である。
本発明に用いる基板は、レジストの塗布が可能であれば
その使用目的により種々のものが使用でき特に限定され
るものではない、具体的には以下のものが使用できる。
その使用目的により種々のものが使用でき特に限定され
るものではない、具体的には以下のものが使用できる。
例えばガラス:光学用樹脂板:ゼラチン:ポリビニルア
ルコール、ヒドロキシエチルセル、ロース、ポリメチル
メタクリレート、イリエステル、ポリビニルブチラール
、ポリアミドなどの樹脂フィルム、またパターン状の色
素層をカラーフィルターとして適用できる材料を基板と
して一体に形成することも可能である。その場合の基板
の一例としては、ブラウン管表示面、撮像管の受光面、
CCO,BBO,CID、BAJIS等の固体撮像素子
が形成されたウェハー、薄膜半導体を用いた密着型イメ
ージセンサ−1液晶ディスプレー面、カラー電子写真用
感光体等があげられる。
ルコール、ヒドロキシエチルセル、ロース、ポリメチル
メタクリレート、イリエステル、ポリビニルブチラール
、ポリアミドなどの樹脂フィルム、またパターン状の色
素層をカラーフィルターとして適用できる材料を基板と
して一体に形成することも可能である。その場合の基板
の一例としては、ブラウン管表示面、撮像管の受光面、
CCO,BBO,CID、BAJIS等の固体撮像素子
が形成されたウェハー、薄膜半導体を用いた密着型イメ
ージセンサ−1液晶ディスプレー面、カラー電子写真用
感光体等があげられる。
本発明に用いるレジストとしては、後に溶解あるいは基
板から剥離することが可能であれば、ネガ型、ポジ型を
問わず各種レジストを使用することができる。
板から剥離することが可能であれば、ネガ型、ポジ型を
問わず各種レジストを使用することができる。
その主なもの(商品名)を挙げるとポジ型レジストとし
ては Azシリーズ: l11.119A、 120,340
.1350B、1350J。
ては Azシリーズ: l11.119A、 120,340
.1350B、1350J。
1370、1375.1450.1450J、147G
。
。
Kodak Micro Po5itive Re5i
st (:lダック91)PC129,1295F
(ポリクローム製)OFPR??、78.800 0EBR1GG0. 1010. 1030EBRI、
+1 (JI[し1) FIREloo、 EIOI (富士薬品工業l11)
JSRPo5itive Pbotoresrst P
FR3003(日本合成ゴム製) Selectilux p (メルク製)また、ネガ型
レジストとしては、 011R−111,83,85,870DOR−100
,120,1101ROEBR1000SR,TPS
(以上東京応化製)11aycoat −HNR,H
NR999,NegativeHR,fC。
st (:lダック91)PC129,1295F
(ポリクローム製)OFPR??、78.800 0EBR1GG0. 1010. 1030EBRI、
+1 (JI[し1) FIREloo、 EIOI (富士薬品工業l11)
JSRPo5itive Pbotoresrst P
FR3003(日本合成ゴム製) Selectilux p (メルク製)また、ネガ型
レジストとしては、 011R−111,83,85,870DOR−100
,120,1101ROEBR1000SR,TPS
(以上東京応化製)11aycoat −HNR,H
NR999,NegativeHR,fC。
Type31C、SC,VHR(以上ハント製)Nic
roregist 732.747.752 (以上
Kodak製)JSRC11?シリーズ(日本合成ゴム
製)SelectiluiN C)kり製)などが挙
げられる。
roregist 732.747.752 (以上
Kodak製)JSRC11?シリーズ(日本合成ゴム
製)SelectiluiN C)kり製)などが挙
げられる。
これらレジストは基板から除去する際エステル類、芳香
族類、ハロゲン化炭化水、#類、アルコール類、エーテ
ル類等に浸漬させるが、浸漬時に超音波のエネルギーを
加えることも有効である。
族類、ハロゲン化炭化水、#類、アルコール類、エーテ
ル類等に浸漬させるが、浸漬時に超音波のエネルギーを
加えることも有効である。
本発明に用いる色素としては、無機および有機着色剤の
単体又はこれらの混合物等種々のものが適宜選択されて
用いられる。
単体又はこれらの混合物等種々のものが適宜選択されて
用いられる。
例えば
(1)アゾ系着色剤
(a)アセトアセチックアニリド系
(b)ピラゾリンアゾ系
(C)ナフトール類の千ノ7ゾ系
(2)アンスラキノン系着色剤
(3ン インジゴイド系着色剤
(()キナクリドン系着色剤
(5)インインドリノン系着色剤
(6)インダスロン系着色剤
(7)ジオキサジン系着色剤
(8)インダスレン系着色剤
(9)トリフェニルメタン系着色剤
(lO)ニトロソ系着色剤
(11)フタロシアニン系顔料
(12)分散性染料
(13)塩基性染料
(14)油溶性染料
(15)酸性染料
(18)建染染料
が挙げられる。
上記色素材料のうち、顔料を主成分として使用すれば、
耐光性のすぐれたカラーフィルターを作成することかで
さる。
耐光性のすぐれたカラーフィルターを作成することかで
さる。
色素を分散させる透明樹脂としては、各種透明樹脂を用
いる事ができ、たとえば、アクリル系樹脂、不飽和ポリ
ウレタン、ポリエステル、増化ビニリデン、塩化ビニル
、rhmビニル、ポリビニルアルコール、ポリスチレン
、ポリカーボネート。
いる事ができ、たとえば、アクリル系樹脂、不飽和ポリ
ウレタン、ポリエステル、増化ビニリデン、塩化ビニル
、rhmビニル、ポリビニルアルコール、ポリスチレン
、ポリカーボネート。
アミノアルキッド、ポリエーテル、エポキシなどのポリ
マーまたはこれらのコポリマー例えばh酸ビニル−メタ
クリル系、ス′チレンーブタジエン系などのものを挙げ
ることができる。その他に天然ポリマー物質、例えばゼ
ラチン、カゼイン、グリユーなどのタンパク質、ニトロ
セルロース、7セチルセルロースなどのセルロース誘導
体も好ましい透明樹脂として用いることができる。
マーまたはこれらのコポリマー例えばh酸ビニル−メタ
クリル系、ス′チレンーブタジエン系などのものを挙げ
ることができる。その他に天然ポリマー物質、例えばゼ
ラチン、カゼイン、グリユーなどのタンパク質、ニトロ
セルロース、7セチルセルロースなどのセルロース誘導
体も好ましい透明樹脂として用いることができる。
上述の色素を透明樹脂に分散する方法としては、慣用の
分散方法、例えば樹脂と色素とをボールミルなどの混合
機によって混和分散させる方法を採用すればよい。
分散方法、例えば樹脂と色素とをボールミルなどの混合
機によって混和分散させる方法を採用すればよい。
以下本発明を実施例に基づき、より具体的に説明する。
実施例1
未発明の方法により、赤、青、緑からなる3色カラーフ
ィルターを作成した。6素材料を分散させた透明樹脂を
jI+!1する材料として透明樹脂は溶剤可溶型ウレタ
ン樹脂(CRISVON 3454 :大日本インキ製
)を用いた。また色素は赤色色素としてペリレンテトラ
カルボン酸誘導体系着色剤ノボパームレッドBL(ヘキ
スト社!II)、緑色色素としてフタロシアニン系顔料
の鉛フタロシアニンおよび青色色素としてフタロシアニ
ン系顔料のメタルフリーフタロシアニンをそれぞれ使用
した。
ィルターを作成した。6素材料を分散させた透明樹脂を
jI+!1する材料として透明樹脂は溶剤可溶型ウレタ
ン樹脂(CRISVON 3454 :大日本インキ製
)を用いた。また色素は赤色色素としてペリレンテトラ
カルボン酸誘導体系着色剤ノボパームレッドBL(ヘキ
スト社!II)、緑色色素としてフタロシアニン系顔料
の鉛フタロシアニンおよび青色色素としてフタロシアニ
ン系顔料のメタルフリーフタロシアニンをそれぞれ使用
した。
上記透明樹脂10ccと前記赤色色素1mgをステンレ
ス袈のボールミルにて充分(約2時間)混和して赤色樹
脂を調製した。同様にして緑色樹脂および青色樹脂をa
ll!した。
ス袈のボールミルにて充分(約2時間)混和して赤色樹
脂を調製した。同様にして緑色樹脂および青色樹脂をa
ll!した。
si〜第4図に示した工程に従い、まずガラス基板l上
にポジ型レジスト(商品名:セレクティラフクスP、メ
ルクII)をスピンナーを用いて1.2−の暦Hに塗布
し、 110℃30分のプレベークを行なった後、所定
のパータンマスクを用いてこれを露光し、 Ssl@c
tiplast P4 (商品名二メルク1)によっ
て現像して所定の形状を有する第1図に示すようなレジ
ストマスク2を作成した。
にポジ型レジスト(商品名:セレクティラフクスP、メ
ルクII)をスピンナーを用いて1.2−の暦Hに塗布
し、 110℃30分のプレベークを行なった後、所定
のパータンマスクを用いてこれを露光し、 Ssl@c
tiplast P4 (商品名二メルク1)によっ
て現像して所定の形状を有する第1図に示すようなレジ
ストマスク2を作成した。
このようにしてレジストマスクの作成されたガラス基板
上に前記赤色樹脂をスピンナーを使って、その厚みが0
.8μの一様な被膜となる様に塗布した。その後120
℃30分間のベークを行ない。
上に前記赤色樹脂をスピンナーを使って、その厚みが0
.8μの一様な被膜となる様に塗布した。その後120
℃30分間のベークを行ない。
被1lI3を充分硬化させた。
次にこのレジストマスク2と赤色樹脂が形成されている
基板1をア七トンに3分間浸漬撹拌しレジストマスク2
と共に該マスク上に形成した赤色樹脂3を基板から除去
し、第3図のような赤色色素パターン4を形成した。
基板1をア七トンに3分間浸漬撹拌しレジストマスク2
と共に該マスク上に形成した赤色樹脂3を基板から除去
し、第3図のような赤色色素パターン4を形成した。
次いで同様の工程を青色色素パターン5及び緑色色素パ
ターン6と繰り返す事により第4図に示す様な赤、青、
緑からなる3色のカラーフィルターを作成した。
ターン6と繰り返す事により第4図に示す様な赤、青、
緑からなる3色のカラーフィルターを作成した。
こうして作成した本発明によるカラーフィルターは、従
来のものと比較して高精度性が要求される分野での使用
に充分満足できるものであった。また1色素に顔料を用
いているために耐光性にすぐれフェードメータテストに
おいて500時間照射後もピーク透過率5%以内、ピー
ク波長シフト5■以内と極くわずかの変化しか認められ
なかった。
来のものと比較して高精度性が要求される分野での使用
に充分満足できるものであった。また1色素に顔料を用
いているために耐光性にすぐれフェードメータテストに
おいて500時間照射後もピーク透過率5%以内、ピー
ク波長シフト5■以内と極くわずかの変化しか認められ
なかった。
実施例2
実施例1で作成したカラーフィルターを固体撮像素子(
たとえばCharge Coupled Devic@
(CCD)。
たとえばCharge Coupled Devic@
(CCD)。
Bags 5tor@Type Isag@5enso
r(BASIS)など)が形成されたウェハー上に貼り
合わせた。
r(BASIS)など)が形成されたウェハー上に貼り
合わせた。
こうして作成されたカラー固体撮像素子は良好な色再現
性を有していた。
性を有していた。
実施例3
カラーフィルターの作成工程は実施例1と同じで、基板
として固体撮像素子(たとえばCharge(:oup
led Devic@(にCD)、Ba5e 5t
ore Type ImageSensor(81
919)など)の形成されたウェハーを用い、その表面
上に直接カラーフィルターを作成し、カラー固体撮像素
子を得た。
として固体撮像素子(たとえばCharge(:oup
led Devic@(にCD)、Ba5e 5t
ore Type ImageSensor(81
919)など)の形成されたウェハーを用い、その表面
上に直接カラーフィルターを作成し、カラー固体撮像素
子を得た。
こうして作成されたカラー固体撮像素子は良好な色素再
現性を有していた。
現性を有していた。
実施例4
第5図は本発明によるカラーフォトセンサ作製法の好適
な実施例を説明するための断面概略図であり、第6図は
本発明作製法により得られたカラー用フォトセンサアレ
イの部分平面概略図である。
な実施例を説明するための断面概略図であり、第6図は
本発明作製法により得られたカラー用フォトセンサアレ
イの部分平面概略図である。
先ず、ガラス基板(コーニング社製#7.059) 7
の上にグロー放電法によってa−9+&Fからなる光導
電層(イントリンシック層)8を設けた。即ち、H2で
10容量%に希釈されたSi4をガス圧0.50Tor
r、 RF(Radio Frequency)パワー
tOW、基板温度250℃で2時間堆積させることによ
って0.7e厚の光導電層8を得た。同様にグロー放電
法によりn◆暦9を設けた。即ち、H2で10容量%に
希釈された5i)14およびH2で100pp−に希釈
されたPH,とを混合比1 : 10で混合したガスを
原料として用い、その他は光導電層8の堆積条件と同様
にして光導電層8に連続して0.1−厚のn+暦9を設
けた0次に、電子ビーム蒸着法でMを0.3終厚に堆積
させて導?lt暦lGを形成した。続いて、光電変換部
となる部分の導電13toを除去した。即ち。
の上にグロー放電法によってa−9+&Fからなる光導
電層(イントリンシック層)8を設けた。即ち、H2で
10容量%に希釈されたSi4をガス圧0.50Tor
r、 RF(Radio Frequency)パワー
tOW、基板温度250℃で2時間堆積させることによ
って0.7e厚の光導電層8を得た。同様にグロー放電
法によりn◆暦9を設けた。即ち、H2で10容量%に
希釈された5i)14およびH2で100pp−に希釈
されたPH,とを混合比1 : 10で混合したガスを
原料として用い、その他は光導電層8の堆積条件と同様
にして光導電層8に連続して0.1−厚のn+暦9を設
けた0次に、電子ビーム蒸着法でMを0.3終厚に堆積
させて導?lt暦lGを形成した。続いて、光電変換部
となる部分の導電13toを除去した。即ち。
ポジ型のマイクロポジ型) +300−27(商品名=
Shipley社製)フォトレジストを用いて所望の形
状にフォトレジストパターンを形成した後。
Shipley社製)フォトレジストを用いて所望の形
状にフォトレジストパターンを形成した後。
リノm(85容騨%水溶液)、硝酸(SO容景%水溶液
)、氷酢酸及び水を18:1:2:1の容桔比で混合し
たエツチング液を用いて露出部の導電Ml。
)、氷酢酸及び水を18:1:2:1の容桔比で混合し
たエツチング液を用いて露出部の導電Ml。
を除去し、共通電極11及び個別電極12を形成した6
次に、光電変換部となる部分のn十暦9を除去した。即
ち、上記マイクロポジット130G−27フオトレジス
トを剥離した後、平行平板型プラズマエツチング装置!
(日型アネルバ社製口EM−451)を用いてプラズマ
エツチング法(別名リアクティブイオンエツチング法)
でRFパワー 120W 、 ガス圧0.1Torrで
CFaガスによるドライエツチングを5分間行ない、露
出部のn◆暦9及び光導電層8の表面層の一部を除去し
た。尚、本実施例では、エツチング装置のカソード材料
のインブランチ−ジオンを防止するために、カソード上
にポリシリコンのスパッタ用ターゲット(8インチφ、
純度E19.999%)を21き、その上に試料をのせ
、カソード材料のSUSが露出する部分はドーナツ状に
切抜いたテフロンシートでカバーし、SO5面が殆どプ
ラズマにさらされない状態でエツチングを行なった。そ
の後、窒素を377w1n流したオーブン内で200℃
、80分の熱処理を行なった。
次に、光電変換部となる部分のn十暦9を除去した。即
ち、上記マイクロポジット130G−27フオトレジス
トを剥離した後、平行平板型プラズマエツチング装置!
(日型アネルバ社製口EM−451)を用いてプラズマ
エツチング法(別名リアクティブイオンエツチング法)
でRFパワー 120W 、 ガス圧0.1Torrで
CFaガスによるドライエツチングを5分間行ない、露
出部のn◆暦9及び光導電層8の表面層の一部を除去し
た。尚、本実施例では、エツチング装置のカソード材料
のインブランチ−ジオンを防止するために、カソード上
にポリシリコンのスパッタ用ターゲット(8インチφ、
純度E19.999%)を21き、その上に試料をのせ
、カソード材料のSUSが露出する部分はドーナツ状に
切抜いたテフロンシートでカバーし、SO5面が殆どプ
ラズマにさらされない状態でエツチングを行なった。そ
の後、窒素を377w1n流したオーブン内で200℃
、80分の熱処理を行なった。
こうして作成されたフォトセンサアレイの表面に、色素
層を形成するに先立って以下の工程で保護層を形成した
。
層を形成するに先立って以下の工程で保護層を形成した
。
フォトセンサアレイ上にグロー放電法によってンリコン
ナイトライド暦13を形成した。即ち、H2で10容量
%に希釈された5i)14および100%N)I、をl
:4の流量比で混合したガス用い、その他はa−5i層
を形成する条件と同様にして0.5 膜厚のシリコンナ
イトライド(a−9iNH)W+13を形成した。
ナイトライド暦13を形成した。即ち、H2で10容量
%に希釈された5i)14および100%N)I、をl
:4の流量比で混合したガス用い、その他はa−5i層
を形成する条件と同様にして0.5 膜厚のシリコンナ
イトライド(a−9iNH)W+13を形成した。
次に、透明樹脂として溶剤可溶型アクリル樹脂(商品名
:ダイアナール5E5377 、三菱化成!りを用いた
。また色素は赤色色素としてアンスラキノン系着色剤パ
リオゲンレッドL 3870HD (バスフ社!%)、
緑色色素として鉛フタロシアニンおよび青色色素として
メタルフリーフタロシアニンをそれぞれ使用した。
:ダイアナール5E5377 、三菱化成!りを用いた
。また色素は赤色色素としてアンスラキノン系着色剤パ
リオゲンレッドL 3870HD (バスフ社!%)、
緑色色素として鉛フタロシアニンおよび青色色素として
メタルフリーフタロシアニンをそれぞれ使用した。
I;記感光性樹脂10ccと前記赤色色素lugをステ
ンレス製のボールミルにて充分(約21111f)[和
して赤色樹脂を調製した。同様にして緑色樹脂と青色樹
脂をjlilた。
ンレス製のボールミルにて充分(約21111f)[和
して赤色樹脂を調製した。同様にして緑色樹脂と青色樹
脂をjlilた。
次いでこの保護層13上にスピンナー塗布法により、ポ
ジ型レジスト(商品名: 5electilux P、
メルク製)を、 1.2−の膜厚に塗布した。110℃
30分のプレベークを行ない5electiplast
P4 (商品名:メルク、製)に1分浸漬し、レジ
ストマスクを形成した0次にレジストマスクの形成され
たフォトセンサアレイ上に赤色樹脂をスピンナーを使っ
て、その厚みが0.8−の一様な被膜となる様に塗布し
た。その後120℃30分冊のベークを行ない、被膜を
充分硬化させた。
ジ型レジスト(商品名: 5electilux P、
メルク製)を、 1.2−の膜厚に塗布した。110℃
30分のプレベークを行ない5electiplast
P4 (商品名:メルク、製)に1分浸漬し、レジ
ストマスクを形成した0次にレジストマスクの形成され
たフォトセンサアレイ上に赤色樹脂をスピンナーを使っ
て、その厚みが0.8−の一様な被膜となる様に塗布し
た。その後120℃30分冊のベークを行ない、被膜を
充分硬化させた。
次にこのレジストマクスと赤色樹脂が形成されているフ
ォトセンサアレイをア七トンに3分間浸漬撹拌しレジス
トマスクと共にMブスク上に形成した赤色樹脂を7tト
センサアレイ上から除去し赤色色素パターン14を形成
した。
ォトセンサアレイをア七トンに3分間浸漬撹拌しレジス
トマスクと共にMブスク上に形成した赤色樹脂を7tト
センサアレイ上から除去し赤色色素パターン14を形成
した。
次いで同様の工程を青色色素パターン15及び緑色色素
パターンiBと繰り返す事により、鼻、青、緑からなる
3色のカラーフィルターを形成した。
パターンiBと繰り返す事により、鼻、青、緑からなる
3色のカラーフィルターを形成した。
また他の方法として第7.8図に示すように保護層13
を必要とせずフォトセンサアレイ上に直接カラーフィル
ターを形成する享も可能である。
を必要とせずフォトセンサアレイ上に直接カラーフィル
ターを形成する享も可能である。
実施例5
実施例1で作成したカラーフィルターを実施例4で作成
したフォトセンサアレイ上に貼り合せることによりカラ
ーフォトセンサアレイを形成した。
したフォトセンサアレイ上に貼り合せることによりカラ
ーフォトセンサアレイを形成した。
実施例4,5で作成されたカラーフォトセンサアレイは
何れも良好な色再現性を有していた。
何れも良好な色再現性を有していた。
実施例6
第9図は本発明の方法により薄膜トランジスタアレイ上
にカラーフィルターを作製する好適な実施例を説明する
ための断面概略図である。
にカラーフィルターを作製する好適な実施例を説明する
ための断面概略図である。
先ス、ガラス基板(コーニング社製#?059) 7の
上に+oooA厚の170画素電極17をフォトリソ工
程により所望のパターンに形成した。
上に+oooA厚の170画素電極17をフォトリソ工
程により所望のパターンに形成した。
次に、Mを100OA厚に真空蒸着しフォトリソ工程に
より所望のパターンのゲート電極18を形成した。
より所望のパターンのゲート電極18を形成した。
次に感光性ポリイミド25をIGOOA厚に塗布し、露
光・現像処理によりドレイン電極19とのコンタクトを
する為のスルーホールを形成した。
光・現像処理によりドレイン電極19とのコンタクトを
する為のスルーホールを形成した。
次にH2で希釈されたS+Haを真空中でグロー放電法
によって堆積させることにより、a−5iF!tからな
る200QA厚の光導電層20(イントリンシック層=
i層)を形成した後、その土に同様な工程により10G
OA厚のn◆P21を形成した。その後ドライエツチン
グ法により所望の形状にエツチングした。
によって堆積させることにより、a−5iF!tからな
る200QA厚の光導電層20(イントリンシック層=
i層)を形成した後、その土に同様な工程により10G
OA厚のn◆P21を形成した。その後ドライエツチン
グ法により所望の形状にエツチングした。
次にAl l IGOOA厚に真空蒸着しフォトリソ工
程により所望のパターンのソース′尼極22及びドレイ
ン電極19を形成した。
程により所望のパターンのソース′尼極22及びドレイ
ン電極19を形成した。
この薄膜トランジスタの形成された画素電極上に、赤色
色素としてペリレンテトラカルボン酸誘導体系ペリレン
ドマルーンR[1434(バイエル製)を用いたほかは
実施例1と同様の方法により色素パターン23を形成し
た。
色素としてペリレンテトラカルボン酸誘導体系ペリレン
ドマルーンR[1434(バイエル製)を用いたほかは
実施例1と同様の方法により色素パターン23を形成し
た。
次に実施例1と全く同様に青色色素パターン、緑色色素
パターンを形成し、赤、H1緑よりなる3色のカラーフ
ィルターを形成した。
パターンを形成し、赤、H1緑よりなる3色のカラーフ
ィルターを形成した。
次に配向機能を付与した絶縁膜(ポリイミド樹脂)を全
面に120OA厚に塗布し250℃1時間の加熱硬化を
行なった。
面に120OA厚に塗布し250℃1時間の加熱硬化を
行なった。
次に別のガラス基板(コーニング社y a 7o59)
の上に一面にtooo7(r↑0′rr、極を形成した
後、配向機能を付与した絶縁膜(ポリイミド樹脂)を全
面に1200A厚に塗布、硬化した基板と第9図のカラ
ーフィルターを形成した薄膜トランジスタアレイの間に
液晶を注入し、カラー用液晶表示素子を作製した。
の上に一面にtooo7(r↑0′rr、極を形成した
後、配向機能を付与した絶縁膜(ポリイミド樹脂)を全
面に1200A厚に塗布、硬化した基板と第9図のカラ
ーフィルターを形成した薄膜トランジスタアレイの間に
液晶を注入し、カラー用液晶表示素子を作製した。
尚、色素パータンは@咬トランジスタの形成された基板
だけでなく反対側の一面にITO電極形成した基板上に
画素電極に対応して形成することも可能である。
だけでなく反対側の一面にITO電極形成した基板上に
画素電極に対応して形成することも可能である。
このようにして形成されたカラー用液晶表示素子は色忠
実度にすぐれたカラーディスプレーであった。
実度にすぐれたカラーディスプレーであった。
本発明の方法による効果としては、第1にレジストマス
ク上の色素を分散させた透明樹脂を選択的に除去するこ
とにより色素パターンを形成するために高精度のパター
ン加工ができること、第2に従来の染色法によって形成
されたカラーフィルターに比較して色のにじみやボケ、
さらには混色などの好ましくない現像を惹き起こさない
こと。
ク上の色素を分散させた透明樹脂を選択的に除去するこ
とにより色素パターンを形成するために高精度のパター
ン加工ができること、第2に従来の染色法によって形成
されたカラーフィルターに比較して色のにじみやボケ、
さらには混色などの好ましくない現像を惹き起こさない
こと。
第3に染色法で用いる様な染色浴を使用する工程が不要
であるので、公害防止上有効なものであること、第4に
製造法が簡便なものであるため、製品の歩留りを向上さ
せることができ、コストの低減をはかることができるこ
と、さらに顔料を主成分とする色素を用いることにより
耐光性にすぐれた製品を得ることができる等の諸点を挙
げることができる。
であるので、公害防止上有効なものであること、第4に
製造法が簡便なものであるため、製品の歩留りを向上さ
せることができ、コストの低減をはかることができるこ
と、さらに顔料を主成分とする色素を用いることにより
耐光性にすぐれた製品を得ることができる等の諸点を挙
げることができる。
第1〜第4図は本発明の詳細な説明するためのカラーフ
ィルターの作成工程を示す図、第5図は本発明の方法に
よるカラーフォトセンサアレイの作成工程を示す断面図
、wSB図はカラーフォトセンサアレイの平面図、第7
図はカラーフォトセンサアレイの別の態様を示す平面図
、第8図は同断面図、第9図は本発明の方法による薄膜
トランジスタアレイの作成工程を示す断面図である。 l・・・基板 2・・・レジストマスク 3・・・色素を分散させた樹脂 4.5.6・・・色素パターン 7・・・ガラス基板 8・・・光導電層9・・・n
+層 10・・・導電層11・・・共通電極
12・・・個別電極13・・・シリコンナイトラ
イド層 +4.15.18・・・色素パターン 17・・・画素電極 18・・・ゲート電極19
・・・ドレイン電極 20・・・1層21・・・n
+層22・・・ソース電極23・・・色素パターン 24.25・・・絶縁膜 第5図
ィルターの作成工程を示す図、第5図は本発明の方法に
よるカラーフォトセンサアレイの作成工程を示す断面図
、wSB図はカラーフォトセンサアレイの平面図、第7
図はカラーフォトセンサアレイの別の態様を示す平面図
、第8図は同断面図、第9図は本発明の方法による薄膜
トランジスタアレイの作成工程を示す断面図である。 l・・・基板 2・・・レジストマスク 3・・・色素を分散させた樹脂 4.5.6・・・色素パターン 7・・・ガラス基板 8・・・光導電層9・・・n
+層 10・・・導電層11・・・共通電極
12・・・個別電極13・・・シリコンナイトラ
イド層 +4.15.18・・・色素パターン 17・・・画素電極 18・・・ゲート電極19
・・・ドレイン電極 20・・・1層21・・・n
+層22・・・ソース電極23・・・色素パターン 24.25・・・絶縁膜 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に所望の形状の着色層が形成されたカラーフ
ィルターの製造方法において、 (1)基板上にレジストマスクを形成する工程(2)レ
ジストマスクが形成された基板上に、色素材料を分散さ
せた透明樹脂を塗布する工程および (3)該透明樹脂が塗布されたレジストマスクを除去す
る工程とを有することを特徴とするカラーフィルターの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59226661A JPS61105506A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | カラ−フイルタ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59226661A JPS61105506A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | カラ−フイルタ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105506A true JPS61105506A (ja) | 1986-05-23 |
Family
ID=16848672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59226661A Pending JPS61105506A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | カラ−フイルタ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61105506A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6394670A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| US7359306B2 (en) | 2003-03-18 | 2008-04-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Holographic recording medium |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP59226661A patent/JPS61105506A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6394670A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-04-25 | Fujitsu Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| US7359306B2 (en) | 2003-03-18 | 2008-04-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Holographic recording medium |
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