JPS61105507A - カラ−フイルタ−の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＣＣＤ　（チャージカップルドデバイス）Ｂ
ＢＤ　（バリッドブリゲートデバイス）　、　ＣＩＤ　
（チャージインジェクションデバイス）　、　ＢＡＳＩ
Ｓ　（ペースストアタイプイメージセンサ−）等のカラ
ー固体撮像素子、密着型イメージセンサ−およびカラー
ディスプレイ用等に用いられるカラーフィルターに関す
るものであり、特に気相堆積により形成した色素膜に保
護層を形成したカラーフィルターに関する。

〔従来の技術〕

従来、カラーフィルター等の微少着色パターンの製法に
おいて色素層を真空蒸着によって色素の蒸着薄膜で形成
する方法が提案されている（例えば特開昭５５−１４６
４０６号公報）。

この方法によれば色素そのもので着色層が形成でき染色
法における媒染層が不用なので極めて薄膜化され、かつ
非水工程によって色素層が形成できる。

また、こうした色素層をパターンニングする方法として
色素膜上にレジストパターンをつくり、これをマスクと
してプラズマあるいはイオンエツチング等のドライエツ
チングで色素パターンを形成する技術がある（特開昭５
８−３４９６１号公報など）。

しかしながら、この方法ではパターン状にされた色素層
上にレジストマスクが残存してしまう。

しかもこのマスクを色素層に何ら損傷を与えずに除去す
ることは工程上極めて困難なため結局レジストマスクが
色素層の上に積層された２層構成になる。

そしてこのレジストマスクの残存は、レジストと色素層
の界面での光量損失などで光学性能の低下をまね（ばか
りでなく耐熱性をはじめとして各種の物性の信頼性低下
につながりやすいという欠点を有している。

一方これに対して除去すべき部分の色素層の下部にレジ
ストマスク（以下アンダーマスクと呼ぶ）を設け、下部
のアンダーマスクを基板から除くことによってその上の
色素層をも同時に物理的に除去するいわゆるリバースエ
ツチング法（又はリフトオフ方法）によるパターンユン
グ法がある。この方法は後で溶解可能な物質を用いてア
ンダーマスクを形成後、その上に蒸着色素層を設け、し
かる後にアンダーマスクを溶解することによって所望の
パターン形成を行なうものである。リバースエツチング
法によればアンダーマスク自身が除去されることによっ
てパターンが形成されるので、マスクの残らない色素層
のみの簡単な構成となりドライエツチング法にみもれる
欠点は全て改善される。

以上の様なパターンニング工程によって複数色のカラー
フィルター着色層が形成された後、ゴミ。

キズといった欠陥を防ぎ、また各種環境条件から保護す
るため着色層上に保護膜を設けることが望ましい。

保護膜としては無機膜、例えばアルミナ、酸化チタン、
五酸化タンタル等の金属酸化物や窒化シリコン、二酸化
シリコン等のシリコン化合物が蒸着、スパッタリング、
グロー放電分解法等により形成され、もしくは有機膜１
例えばポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリ
コン樹脂、ガラスレジン、エポキシ樹脂、ポリパラキシ
レン樹脂がスピンコード、ディッピング、ロールコータ
−等の塗布法などにより形成されてきた。

これらの保護膜のうち無機膜は有機蒸着色素層フィルタ
ーと物性が大いに異なり（特に熱膨張係数）、クラック
、剥れ等の欠陥が発生し易いという欠点があった。

また有機膜の場合有機蒸着色素層フィルターとの物性は
非常に似ており無機膜に比べ色素層とのマツチングは良
好であるが、耐久性に優れる樹脂は無（外観的にはクラ
ックの発生、光学特性的には分光透過率の著しい変化が
生じるという欠点があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、上述の従来技術の欠点に鑑みてなされたもの
で、色素層とのマツチングに優れ且つ耐久性も優れた保
護膜をもって色素層を保護することにより、高耐久性の
カラーフィルターを提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の構成は、気相堆積により形成した色素層を有す
る力、ラーフィルターの製造方法において、色素層上に
プラズマ重合による保護層を形成することを特徴とする
カラーフィルターの製造方法である。

以下、本発明の方法の一例を図面に基づいて詳細に説明
する。第１図において所望の基板１にスピンナーを用（
・てレジストを回転塗布する。乾燥後適当な温度条件下
でプリベークする。ついでレジスト感度を有する光また
しｔ電子ビームで所定のパターン形状に露光し現像する
。

以上の工程によって第１図に示されるレジストパターン
２が基板１上に形成される。ついで第２図の如く、レジ
ストパターン上に色素層８を真空蒸着法によって形成す
る。

ついで色素層下のレジストパターンを除去するために、
色素層を溶解させず、また分光特性をそこなわずにレジ
ストパターンのみを溶解もしくは基板から剥離させる液
に浸漬する。

レジストマスクの除去によって同時に−その上にある色
素層が除去される訳であるが、これを補助するために、
浸漬時に超音波のエネルギーを加えることも有効である
。

このようにして、第３図の如く第１の色素パターン４が
形成される。さらに異なる色素パターンを同一基板上に
形成する場合には、パターンに応じてレジストマスクの
位置をずらし、上記の工程をくり返して行なえば良く、
第４図にはこのようにして得られた３種の色素パターン
４．５．６を基板上に形成した状態を示した。

ついでこの色素パターン上に第５図に示すごとくプラズ
マ重合による保護膜７を形成する。

プラズマ重合により形成する保護膜７は、ＣＨ４゜Ｃ２
Ｈ４、Ｃａ　Ｈｓ・Ｃ２Ｈ，、Ｃ，Ｈ４・（ＣＨ３）２
などの炭化水素類あるいはＳ！　（”Ｈ３）４　＋　Ｓ
　Ｌ　（０”２　Ｈ！ｌ　）４　＊　Ｓ　ｌ　（ＯＣ２
Ｈ５）２・（ＣＨ３）２　などのオルガノシランと称さ
れる化合物の一種以上のガス雰囲気中で放電させること
によって、基板上に堆積されて形成される。炭化水素類
ガスを用いた時には炭化水素重合体が堆積され、又オル
ガノシランガスを用いた時には炭素−シラン−水素重合
体が堆積される。この際、他の原料ガス例えばＳ　ｉＨ
４，Ｓ　１２Ｈ６，Ｓ　ｉ、Ｈ３，Ｓ　ｉ４Ｈ，。など
の水素化ケイ素類あるいはＳ　ｔＦ４９　Ｓ　１２Ｆ６
　＋　Ｓ　Ｉ　Ｃ１４＋　５ＩＢｒ４などのハロゲン化
ケイ素とを混合した混合ガスを用い、混合比その他の製
造条件を適当に制御することによって堆積層中に所望の
濃度の炭素原子を炭化水素類ガスとハロゲン化ケイ素と
の混合、または上記炭化水素類ガスをオルガノシランガ
スに置きかえて混合する場合がある。

例　ＣＨ４と８１−、Ｓｉ（ＣＨ３）４　とＳｉＨ４等
混合の効果としては堆積層中の炭素原子の濃度を上述す
る２種類のガスの混合比で変えることができ、膜の分光
透過率を変えることが可能になることである。

本発明で用いるプラズマ重合法は、前述のガス雰囲気中
で放電を生起させることにより色素層上に有機膜７の堆
積層を形成することができる。この際に用いる放電とし
ては、直流グロー放電法、高周波放電法、マイクロ波放
電法等の放電現象を利用することができる。

本発明の好ましい具体例ではグロー放電分解法を用いる
ことが適している。第６図にグロー放電分解法による製
造装置を示す。

図中の６０２のガスボンベには、色素パターンの形成さ
れた基板の上に炭化水素重合体の堆積層を形成するため
の原料ガスが密封されており、その−例として、例えば
６０２は、Ｃ２Ｈ４ガスボンベである。図示されていな
いがこれら以外に、必要に応じて所望のガス種のボンベ
を増設することが可能である。

これらのガスを反応室６０゛ｌに流入させるには、ガス
ボンベ６０２のパルプ６０３及びリークノくルプ６０４
が閉じられていることを確認し、また、流入バルブ６０
５′、流出パルプ６０６及び補助ノくルプ６０７が開か
れていることを確認して、先づメインバルブ６０８を開
いて反応室６０１及びガス配管内を排気する。次に真空
計６０９の読みが約５　Ｘ　１０　　ｔｏｒｒになった
時点で補助ノ（ルブ６０７及び流出パルプ６０６を閉じ
る。続いてガスボンベ６０２よりＣ２Ｈ４ガスをパルプ
６０３を開℃・て出口圧ゲージ６１０の圧を調整し、流
入）くルプ６０５を徐々に開いて、マスフローコントロ
ーラ６１１内に流入させる。引き続いて流出ノくルプ６
０６及び補助パルプ６０７を徐々に開いて夫々のガスを
反応室６０１に流入させる。このとき反応室内の圧力が
所望の値になるように真空計６０９の読みを見ながらメ
インバルブ６０８の開口を調整する。電源６１２を所望
の電力に設定して反応室６０１内にグロー放電を生起さ
せることにより色素パターンの形成された基板６１８の
上に炭化水素重合体の堆積層が形成される。

この様にして形成する保護膜は、５０Ａ〜２μ程度、好
ましくは１００Ｋ−１μ程度の膜厚で形成することが適
当である。上述の方法で形成された保護膜は従来よりこ
の種の目的で用いられていた真空蒸着法により得た無機
膜や塗布法により形成した有機膜より薄い膜厚で形成し
ても十分な耐久力をもつことができる。

また、本発明に用いる色素材料は、昇華あるいは蒸着可
能な染料あるいは顔料が用いられ、例えばフタロンアニ
ン系顔料、イソインドリノン系顔料、ポリサイクリック
系顔料、ナフトール系顔料。

インダスレン系染料、油溶性染料１分散系染料などが用
いられる。

また、レジストパターンの作成に用いるレジストとして
は、後に溶解可能であればネガ型、ポジ型を問わない。

しかしながら好ましくはポジ型レジストが良く、例えば
商品名を挙げると［ＦＰＭ　２１０　、　ＦＢＭ　１１
０゜ＦＢＭ１２０Ｊ　ｌ’イキン工業製）「Ａｚシリー
ズ：　１１１．１１９Ａ、１２０，３４０，１８５０Ｂ
、１８５０Ｊ、１３７０゜１３７５．１４５０．１４５
０Ｊ、１４７０．１４７５，１００．２４１５゜２４８
０ｊ（以上ンプレー製）　［Ｗａｙｃｏａｔ　ＨＰＲ−
２０４゜２０５．２０６．２０７，１１８２Ｊ　　「Ｗ
ａｙｃｏａｔＭＰＲＪ　（以上ハント製）　「Ｋｏｄａ
ｋ　Ｍｉｃｒｏ　Ｐｏ５ｉｔｉｖｅ　Ｒｅ５ｉｓｔ　Ｊ
（コダック製）　［ｌ５ｏｆｉｎｅ　Ｐｏ５ｉｔｉｖｅ
　Ｒｅ５ｉｓｔ　Ｊ（マイクロイメージテクノロジー製
）「ＰＣ１２９゜１２９ｓＦＪ（ポリクローム製）　［
０ＦＰＲ？？、７８゜８００Ｊ　　［０ＥＢＲ１０００
，１０１０，ｌｏｌ　Ｊ　　［０ＤＵＲ１０００゜１０
０１．１０１０．１０１３．１０１４Ｊ　（以上東京応
化製）ｒＥＢＲｌ　、　９Ｊ　（東し製）　「ＦＭＲＥ
ｌｏｏ　、Ｅｌｏｌ　Ｊ（富士薬品工業製）　「ＪＳＲ
Ｐｏ５ｉｔｉｖｅ　ｐＨｏｔｏｒｅｓｉｓｔＰＦＲ８０
０３Ｊ　　（日本合成ゴム製）　「５ｅｒｅｃｔｉｌｕ
ｘ　ＰＪ（メルク製）などが挙げられる。

本発明で用いられる基板は樹脂の塗布が可能であれば特
に限定されるものではない。具体的には以下、のものが
使用できる。例えばガラス板；光学用樹脂板；ゼラチン
；ポリビニルアルコール、ヒドロキンエテルセルロース
、ポリメチルメタクリレート、ポリエステル、ポリビニ
ルブチラール。

ポリアミドなどの樹脂フィルム。またパターン状の色素
層をカラーフィルターとして適用できる機材を基板とし
て一体に形成することも可能である。

その場合の基板の一例としては、ブラウン管表示面、撮
像管の受光面、　ＣＣＤ、ＢＢＤ、ＣＩＤ、ＢＡＳＩＳ
等の固体撮像素子が形成されたウェハー、薄膜半導体を
用いた密着型イメージセンサ−１液晶ダイスブレー面、
カラー電子写真用感光体等があげられる。

以下本発明を実施例に基づき、より具体的に説第１図〜
第５図に示す工程に従い、ガラス基板１上にスピンナー
塗布法により、ポジ型レジスト（商品名：　０ＦＰＲ８
００，東京応化製）を８００ＯＡの膜厚に塗布した。

９０℃８０分のプリベークを行なった後、紫外光にてマ
スク露光を行ない、０ＦＰＲ専用現像液に１分浸漬し、
同じく専用リンス液に１分浸漬してレジストマスク２を
形成した。次にレジストマスクの形成されたガラス基板
１と、ＭＯボートに詰めた銅フタロシアニンを真空器内
に設置し、真空度１０〜１０　　ｔｏｒｒにおいてＭｏ
ボートを４５０〜５５０℃に加熱し銅フタロンアニンの
蒸着を行なった。膜厚は４０００　Ａとした。しかる後
に０ＦＰＲ専用現像液中にて浸漬攪拌を行ない、レジス
トマスクを溶解しながら蒸着膜の不要部分を除去するこ
とにより青色色素パターン４を形成した。

続いてこのパターン状青色色素層の形成されたガラス基
板上に同様な工程で０ＦＰＲ８００を塗布し、露光、現
像し、次のパターン状緑色色素に相当するレジストマス
クを形成した。これを真空蒸着機に設置し、今度はｐｂ
ソフタンアニンを４５０〜５５０℃で蒸着し３０００　
Ａの膜を得た。

しかる後に現像液で浸漬攪拌し緑色色素パターン５を形
成した。さらに全く同様な工程により赤色色素としてイ
ルガジンレツドＢＰＴ　（商品名　テバガイギー製　Ｃ
Ｉ　ＮｃＬ７１１２７　　）を４００〜５００℃で約ａ
ｏｏｏ　Ｘ蒸着し、現像液処理により赤色色素パターン
６を得た。

次にこの色素層が形成されたガラス基板上に下記の成膜
条件で１３．５６ＭＨ２のグロー放電によりエチレンの
プラズマ重合膜７を形成した。モノマーとしてエチレン
を用い、圧力は１　ｔｏｒｒ　ｓ放電時間は１０分間、
モノマーガス流量は２０　ＳＣＣＭ　。

放電電力は５０Ｗで行なった。

この条件でエチレンのプラズマ重合膜を約１μｍの膜厚
で形成した。このようにして作成されたカラーフィルタ
ーはクラック、剥れ等の外観上の欠陥は無かった。また
このカラーフィルターの耐久性を調べる為に温度８５°
Ｃ９相対湿度８５％。

５００時間の耐久性テストを行なったが、クラック、剥
れ等の外観変化は無く、また分光特性の変化については
ピーク透過率変化が０〜２％未満。

ピーク波長変化が０〜Ｚ　ｎｍ未１８であった。

実施例２ 実施例１で作成したカラーフィルターを固体撮像素子（
たとえばＣｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｅｅ
　（ＣＣＤ）Ｂａｓｅ　５ｔｏｒｅ　Ｔｙｐｅ　Ｉｍａ
ｇｅ　５ｅｎｓｏｒ　（ＢＡＳＩＳ）　　など）が形成
されたウェーハ上に貼合わせた。

こうして作成されたカラー固体撮像素子は耐久性にすぐ
れ且つ良好な色再現性を有していた。

実施例８ 固体撮像素子（たとえばＣｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ
　Ｄｅｖｉｃｅ　（ＣＣＤ）、　Ｂａ５ｅ　５ｔｏｒｅ
　Ｔｙｐｅ　Ｉｍａｇｅ　５ｅｎｓｏｒ　（ＢＡＳＩＳ
）など）の形成されたウェーハ基板上に実施例１と同様
な工程でカラーフィルターを形成し、カラー固体撮像素
子を得た。

こうして作成されたカラー固体撮像素子は耐久性にすぐ
れ且つ良好な色再現性を有していた。

実施例４ 第７図は、本発明によるカラーフォトセンサ作製法の好
適な実施例を説明するための断面概略図であり、第８図
は本発明の製造方法により得られたカラー用フォトセン
サアレイの部分平面概略図である。また、第９図はＡ−
Ｂでの断面概略図である。

先ず、ガラス基板（コーニング社製”７０５９）８の上
にグロー放電法によってａ−８ｉ層からなる光導電層（
イントリンシック＠）９を設けた。即ち、Ｈ２で１０容
量チに稀釈されたＳｉＨ４をガス圧０、５０　Ｔｏｒｒ
　、　ＲＦ　（Ｒａｄｉｏ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　）パ
ワーＬＯＷ、基板温度２５０℃で２時間基板上に堆積さ
せることによって０．７μｍ厚の光導電層９を得た。同
様にグロー放電法によりｎ　層１０を設けた。即ち、Ｈ
２で１０容量チに稀釈されたＳｉｎ、　　とＨ２で１０
０　ｐｐｍに稀釈されたＰＨ８とを混合比に１０で混合
したガスを原料として用い、その他は先の光導電層９の
堆積条件と同様にして光導電層９に連続して０．１μｍ
厚のｎ　層１ｏを設けた。次に、電子ビーム蒸着法でＡ
Ｉ！　を０．３μ厚に堆積さｉて導電層１１を形成した
。続いて、光電変換部となる部分の導電層１１を除去し
た。即ち、ポジ型のマイクロポジット１３００−２７　
（商品名：　５ｈｌｐｌｅｙ　社製）フォトレジストを
用いて所望の形状にフォトレジストパターンを形成した
後、リン酸（８５容量チ水溶液）、硝酸（６０容量チ水
溶？ｒｊＬ）氷酢酸及び水を１６：１：２：１の容積比
で混合したエツチング液を用いて露出部（レジストパタ
ーンの設けられていない部分）の導電層１１を除去し、
共通電極１２及び個別電極１３を形成し九次に、光電変
換部となる部分のｎ　層１０を基板上から除去した。即
ち、上記マイクロポジット１３００−２７フオトレジス
トを剥離した後、平行平板型プラズマエツチング装置（
日電アネルパ社製Ｄｘ−４５１）を用いてプラズマエツ
チング法（別名リアクティブイオンエツチング法）でＲ
Ｆパワー１２０Ｗ、ガス圧０．ＩＴｏｒｒでＣＦ、ガス
によるドライエツチングを５分間行ない、露出部の＋ ｎ　層１０及び光導電層９の表面層の一部を基板上から
除去した。尚、本実施例では、エツチング装置のカソー
ド材料のインプランテーンヨンヲ防止するために、カソ
ード上にポリシリコンのスパッタ用ターゲット（８イン
チグ、純度９９．９９９％）を置き、その上に試料をの
せ、カソード材料のＳＵＳが露出する部分はドーナツ状
に切抜いたテフロンシートでカバーし、ＳＵＳ面が殆ど
プラズマにさらされない状態でエツチングを行なった。

その後、窒素を８１　／　ｍｉｎ流したオープン内で２
００℃、６０分の熱処理を行なった。こうして作製され
たフォトセンサアレーの表面に、色素層を形成するに先
立って以下の工程で保護層を形成した。

すなわちフォトセンサアレー上にグロー放電法によって
シリコンナイトライド層１４を形成した。

即ち、Ｈ２で１０容量チに稀釈されたＳｉＨ４と１００
％ＮＨ３をｌ：４の流量比で混合したガスを用い、その
他はａ−８ｉ層を形成する条件と同様にして０．５μ厚
のシリコンナイトライド（ａ−８ｉＮＨ）層１４を形成
した。

次に、この保護層１４を基板として実施例１と同様な工
程で青色色素パターン１５．緑色色素パターン１６．赤
色色素パターン１７を形成した。

次に、この色素層の形成されたフォトセンサーアレイ上
に七ツマ−としてキシレン、圧力が１ｔｏｒｒ　、放電
時間が２０分間、モノマーガス流量２０３ＣＣＭ　、放
電電力５０Ｗの成膜条件で１３．５６胚のグロー放電に
より厚さ１μｍのプラズマ重金膜の保護層１８を形成し
た。

このようにして作成したカラーフォトセンサアレイは耐
久性にすぐれ良好な色再現性を有していた。

実施例５ 実施例４の別の態様として第１０図、第１１図に示すよ
うに保護層１４を形成せずフォトセンササ−アレイ上に
直接色素層を形成した後、実施例４と同様な方法でプラ
ズマ重合膜よりなる保護層１８を形成した。

このようにして作成されたカラーフォトセンナ−アレイ
は耐久性にすぐれ良好な色再現性を有していた。

実施例６ 実施例１で作成したカラーフィルターを実施例４又は５
で作成したフォトセンサアレイ上に貼合せることにより
カラーフォトセンサーアレイを形成した。

このようにして作成したカラーフォトセンチアレイは耐
久性にすぐれ良好な色再現性を有していた。

実施例７ ガラス基板上に薄膜トランジスタアレイを形成し、画素
電極上に実施例１と全く同様な工程により色素パターン
と保護層を形成した。

次に、この基板と対向電極が形成された基板の間に液晶
を注入し、カラー用液晶表示素子を作成した。

尚、色素パターンとその上に形成する保護層は薄膜トラ
ンジスタの形成された基板だけでなく反対側の一面にＩ
ＴＯ電極を形成した基板上に画素電極に対応して形成す
ることも可能である。

このようにして形成されたカラー用液晶表示素子は耐久
性にすぐれ且つ色忠実度にすぐれたカラーディスプレイ
であった。

〔発明の効果〕

本発明による効果としては、プラズマ重合による保護層
は真空蒸着法により形成した無機膜に比べ膜歪み、クラ
ックの発生やピンホールの発生が無く、又塗布法により
形成された有機膜に比べ、樹脂中に含有する溶剤により
色素層が犯されることが無いため、フィルターの分光特
性の変化はほとんど無い。また、上記有機膜に比べ薄膜
で耐久性にすぐれており、混合ガスを適当に選択するこ
とにより種々の保護膜を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第５図は本発明の詳細な説明する為のカラーフ
ィルター作成工程を示す図、第６図はグロー放電法によ
る製造装置の模式図、第７図は本発明の詳細な説明する
為のカラーフォトセンサーアレイの作成工程を示す断面
図、第８図はカラーフォトセンサーアレイの平面図、第
９図はカラーフォトセンサーアレイのＡ−Ｂ断面図、第
１０図はカラーフォトセンサーアレイの別の態様を示す
平面図、第１１図はカラーフォトセンナ−アレイのＣ−
Ｄ断面図である。 １・・・・・・基板、　　　　２・・・・・・レジスト
マスク。 ３・・・・・・色素Ｉｉ　、　　　４．５．６・・・色
素パターン。 ７．１８・・・保護膜、　　８・・・・・・ガラス基板
。 ９・・・・・・光導電層、１０・・・・・・ｎ　層。 １１・・・・・・導電層、　　１２・・・・・・共通電
極。 １３・・・・・・個％１□電極　、　　　　１４・・・
・・・シリコンナイトライド層。 １５．１６．１７・・・・・・色素パターン。 ６０１・・・・・・反応室、　　　６０２・・・・・・
ガスボンベ。 ６０３・・・・・・パル７”、　　　６０４・・・・・
・リークパルプ。 ６０５・・・・・・流入パルプ、６０６・・・・・・流
出パルプ。 ６０７・・・・・・補助パルプ、６０８・・・・・・メ
インパルプ。 ６０９・・・・・・真空計、　　　６１０・・・・・・
出口圧ゲージ。 ６１１・・・・・・マスフローコントローラ。 ６１２・・・・・・電源。 ｂ 第　　８　　図 第　１０　　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　気相堆積により形成した色素層を有するカラーフィル
   ターの製造方法において、色素層上にプラズマ重合によ
   る保護層を形成することを特徴とするカラーフィルター
   の製造方法。