JPS611059A - Ｍｉｓダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
Ｍｉｓダイオ−ドの製造方法Info
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- JPS611059A JPS611059A JP59122500A JP12250084A JPS611059A JP S611059 A JPS611059 A JP S611059A JP 59122500 A JP59122500 A JP 59122500A JP 12250084 A JP12250084 A JP 12250084A JP S611059 A JPS611059 A JP S611059A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野、〕
この発Ｆ！Ａは、絶縁性有機高分子層が、窒素および硫
黄原子の内の少なくとも一種を含む異節環ポリマーを蒸
着して形成されたものであるＭＩＳダイオードの製造方
法に関するものである。
黄原子の内の少なくとも一種を含む異節環ポリマーを蒸
着して形成されたものであるＭＩＳダイオードの製造方
法に関するものである。
第１図は一般的なＭＩＳダイオードの断面図で、（１）
、（６）はリード線、（２）は電極となる金属層、（３
）は絶縁層、（４）は半導体層、（５）は電極となる導
電層であり、金属−絶縁物一半導体（ＭＩＳ ）の順に
構成されたもので、従来より第２図に示す５ｉ−８１０
２−金属構造のもの、即ちＭＯＳダイオードが実用化さ
れている。図において、（７） ｔｒｉ ５ｉｏ２層、
（８）はＳｉ層である。以前よシＳｉＯ’２−８ｉ構造
に帰因する劣化が起ると言われていたが、現在ではこの
問題の解明が進み、理想に近いＭＯ８構造が作られるよ
うになり、実用性も高まってきている。
、（６）はリード線、（２）は電極となる金属層、（３
）は絶縁層、（４）は半導体層、（５）は電極となる導
電層であり、金属−絶縁物一半導体（ＭＩＳ ）の順に
構成されたもので、従来より第２図に示す５ｉ−８１０
２−金属構造のもの、即ちＭＯＳダイオードが実用化さ
れている。図において、（７） ｔｒｉ ５ｉｏ２層、
（８）はＳｉ層である。以前よシＳｉＯ’２−８ｉ構造
に帰因する劣化が起ると言われていたが、現在ではこの
問題の解明が進み、理想に近いＭＯ８構造が作られるよ
うになり、実用性も高まってきている。
これ等の製法としては、Ｓｉの気相成長の方法に酸素、
又は酸素を含むＣＯ２，Ｈ２Ｏなどのガスを導入しＳｉ
上に５ｉ０２を成長させる方法、およびＳｉＨ４と０２
を反応させて５１０２を製膜する方法などがある。
又は酸素を含むＣＯ２，Ｈ２Ｏなどのガスを導入しＳｉ
上に５ｉ０２を成長させる方法、およびＳｉＨ４と０２
を反応させて５１０２を製膜する方法などがある。
最近になって三十尾らによって下記刊行物に示されるよ
うに、有機ＭＩＳダイオードも作られる様になったが、
これ等は、有機半導体の上にポリエチレン（ＰＥ）やス
テアリン酸を蒸着法などにより２０〜１００Ｘ程度の層
に堆積し、その上に金属電極をつけたものである（刊行
物、即ち、高分子論文集、第４１巻、第１８３頁、１９
８４年４月発行）。また無機半導体の上に上記の方法で
有機高分子層を設けたＭＩＳダイオードも知られている
。
うに、有機ＭＩＳダイオードも作られる様になったが、
これ等は、有機半導体の上にポリエチレン（ＰＥ）やス
テアリン酸を蒸着法などにより２０〜１００Ｘ程度の層
に堆積し、その上に金属電極をつけたものである（刊行
物、即ち、高分子論文集、第４１巻、第１８３頁、１９
８４年４月発行）。また無機半導体の上に上記の方法で
有機高分子層を設けたＭＩＳダイオードも知られている
。
しかし、従来の蒸着法によるＰＫやステアリン酸層の堆
積は、均一な膜が出来ない、ピンホールが出来易い、膜
厚のコントロールが錐しい、膜が熱に弱く電極を蒸着す
る際やふれやすい、耐久性に欠けるなどＭＩＳダイオー
ドの絶縁層の堆積法としては実用的ではない。又、５ｉ
０２を用いた場合はコストが高く、装置が高価格になる
という欠点があった。
積は、均一な膜が出来ない、ピンホールが出来易い、膜
厚のコントロールが錐しい、膜が熱に弱く電極を蒸着す
る際やふれやすい、耐久性に欠けるなどＭＩＳダイオー
ドの絶縁層の堆積法としては実用的ではない。又、５ｉ
０２を用いた場合はコストが高く、装置が高価格になる
という欠点があった。
この発明は、上記従来のものの欠点を除去するためにな
されたもので、電極となる導電層、半導体層、異節環ポ
リマーを蒸着して形成された絶縁性有機高分子層および
電極となる金属層を積層することにより、容易に、高性
能で、性能が安定しており、しかも耐久性に優れたＭＩ
Ｓダイオードの製造方法を提供することを目的とするも
のである。
されたもので、電極となる導電層、半導体層、異節環ポ
リマーを蒸着して形成された絶縁性有機高分子層および
電極となる金属層を積層することにより、容易に、高性
能で、性能が安定しており、しかも耐久性に優れたＭＩ
Ｓダイオードの製造方法を提供することを目的とするも
のである。
この発明に係わる電極となる導電層に用いる導電材料と
しては、一般的に電極に用いる、例えば金および白金等
の金属およびカーボン等があり、単独及び各種基板と共
に用いる。
しては、一般的に電極に用いる、例えば金および白金等
の金属およびカーボン等があり、単独及び各種基板と共
に用いる。
この発明に係わる半導体層に用いる半導体としては、例
えば８１等の無機半導体および例えばπ−共役系高分子
等の有機半導体がある。ここにおいて、π−共役系高分
子としては例えばピロール、５Ｎ−置換ピロールの共重
合体、ピロールのホモポリマー、Ｎ−置換ピロールのホ
モポリマー、ポリチェニレン、ポリアニリン、ポリフラ
ン、ポリアズレン、ポリビニルピリジン、およびポリチ
オフェン、などの内の少なくとも一種が好ましく用いら
れる。
えば８１等の無機半導体および例えばπ−共役系高分子
等の有機半導体がある。ここにおいて、π−共役系高分
子としては例えばピロール、５Ｎ−置換ピロールの共重
合体、ピロールのホモポリマー、Ｎ−置換ピロールのホ
モポリマー、ポリチェニレン、ポリアニリン、ポリフラ
ン、ポリアズレン、ポリビニルピリジン、およびポリチ
オフェン、などの内の少なくとも一種が好ましく用いら
れる。
例えば、上記π−共役系高分子の半導体層を電極となる
導電層に設けるには、上記π−共役系高分子に相当する
モノマーおよび支持電解質を有機溶媒に溶かし反応溶液
とし、上記導電層を作用電極とし、例えば白金などの対
極との間に電流を通じて電解重合法により作用電極上に
所望のπ−共役系高分子層を析出させ、析出したπ−共
役系高分子層をよく洗滌した後、窒素雰囲気中で乾燥す
るという方法を用いる。この場合、析出したπ−共役系
高分子層は反応時に支持電解質のアニオンがドーピング
されＰ型半導体となる。一方、このＰ型半導体を脱ドー
プし、さらにカチオンをドープすること忙より、ｎ型半
導体とすることができる。ここで、有機溶媒としては、
支持電解質および上記七ツマ−を溶解させるものならよ
く、例えばアセトニトリル、ニトロメンセ°ン、ニトロ
メタン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ） 、
ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジクロロメタン、
テトラヒドロ７ラン、エチルアルコールおよびメチルア
ルコール等の極性溶媒が単独又は２種以上の混合溶媒と
して用いられる。支持電解質としては酸化電位および還
元電位が高く、電解重合にそれ自身が酸化又は還元反応
を受けず、かつ溶媒中に溶解させることによって溶液に
電導性を付与することのできる物質であり、例えば、過
塩素酸テトラアルキルアンモニウム塩、テトラアルキル
アンモニウム、テトラフルオロボレート塩、テトラアル
キルアンモニウム、ヘキサフルオロホスフェート塩、テ
トラアルキルアンモニウム、パラトルエンスルホネート
塩および水酸化ナトリウム等が用いられるが、勿論２種
以上を併用しても構わない。
導電層に設けるには、上記π−共役系高分子に相当する
モノマーおよび支持電解質を有機溶媒に溶かし反応溶液
とし、上記導電層を作用電極とし、例えば白金などの対
極との間に電流を通じて電解重合法により作用電極上に
所望のπ−共役系高分子層を析出させ、析出したπ−共
役系高分子層をよく洗滌した後、窒素雰囲気中で乾燥す
るという方法を用いる。この場合、析出したπ−共役系
高分子層は反応時に支持電解質のアニオンがドーピング
されＰ型半導体となる。一方、このＰ型半導体を脱ドー
プし、さらにカチオンをドープすること忙より、ｎ型半
導体とすることができる。ここで、有機溶媒としては、
支持電解質および上記七ツマ−を溶解させるものならよ
く、例えばアセトニトリル、ニトロメンセ°ン、ニトロ
メタン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ） 、
ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジクロロメタン、
テトラヒドロ７ラン、エチルアルコールおよびメチルア
ルコール等の極性溶媒が単独又は２種以上の混合溶媒と
して用いられる。支持電解質としては酸化電位および還
元電位が高く、電解重合にそれ自身が酸化又は還元反応
を受けず、かつ溶媒中に溶解させることによって溶液に
電導性を付与することのできる物質であり、例えば、過
塩素酸テトラアルキルアンモニウム塩、テトラアルキル
アンモニウム、テトラフルオロボレート塩、テトラアル
キルアンモニウム、ヘキサフルオロホスフェート塩、テ
トラアルキルアンモニウム、パラトルエンスルホネート
塩および水酸化ナトリウム等が用いられるが、勿論２種
以上を併用しても構わない。
この発明に係わる絶縁性有機高分子層に用いる異部壌ポ
リマーとしては、分子構造内にチアジアゾール環、チア
ゾロベンズチアゾール環、トリアゾール環、オキサゾー
ル環およびオキサジアゾール環の内の少なくとも一種を
含む有機高分子化合物が用いられ、例えば、ポリＰ−７
エコンー１゜３．４−オキサジアゾール、ポリｍ−フエ
ニレン−１，３，４−オキサジアゾール、ポリＰ−フェ
ニレンー１．３．４−チアジアゾール、ポリｍ−フエニ
レン−１，３，４−チアジアゾール、ポリ−１，３，４
−チアゾール−２，５−イレンビニレン−１，４−フェ
ニレンビニレンポリ−１，３，４−ジアゾール−２，５
−イレンビニレン−１，４−フェニレンビニレン、ポリ
チアゾロ［４，５−ｆ〕ペンスチアゾール−２，６−イ
レンピニレンー１．４−７二二レンビニレン、ポリ−３
，５−Ｐ−フエニレン−４−フェニル−１，２，４−ト
リアゾール、ポリペンゾイミ１ノベンゾチアゾール、ポ
リ−２，６−ジアニリツペンゾビスチアゾール、ピロメ
リックジアンヒドライドおよび２゜５−ジアミノ−１，
３，４−チアジアゾールから合成されるポリイミド、ポ
リＰ−フェニレンオキサゾール並びにポリｍ−７二二レ
ンオキサゾールの内の少なくとも一種があり、これらは
、加熱蒸着法、高周波スパッタリング法、イオンブレー
ティング法、電子ビーム法およびイオンクラスクービー
ム法の内のいずれかの蒸着法による蒸着膜として用いら
れる。
リマーとしては、分子構造内にチアジアゾール環、チア
ゾロベンズチアゾール環、トリアゾール環、オキサゾー
ル環およびオキサジアゾール環の内の少なくとも一種を
含む有機高分子化合物が用いられ、例えば、ポリＰ−７
エコンー１゜３．４−オキサジアゾール、ポリｍ−フエ
ニレン−１，３，４−オキサジアゾール、ポリＰ−フェ
ニレンー１．３．４−チアジアゾール、ポリｍ−フエニ
レン−１，３，４−チアジアゾール、ポリ−１，３，４
−チアゾール−２，５−イレンビニレン−１，４−フェ
ニレンビニレンポリ−１，３，４−ジアゾール−２，５
−イレンビニレン−１，４−フェニレンビニレン、ポリ
チアゾロ［４，５−ｆ〕ペンスチアゾール−２，６−イ
レンピニレンー１．４−７二二レンビニレン、ポリ−３
，５−Ｐ−フエニレン−４−フェニル−１，２，４−ト
リアゾール、ポリペンゾイミ１ノベンゾチアゾール、ポ
リ−２，６−ジアニリツペンゾビスチアゾール、ピロメ
リックジアンヒドライドおよび２゜５−ジアミノ−１，
３，４−チアジアゾールから合成されるポリイミド、ポ
リＰ−フェニレンオキサゾール並びにポリｍ−７二二レ
ンオキサゾールの内の少なくとも一種があり、これらは
、加熱蒸着法、高周波スパッタリング法、イオンブレー
ティング法、電子ビーム法およびイオンクラスクービー
ム法の内のいずれかの蒸着法による蒸着膜として用いら
れる。
この発明に係わる電極となる金端層の金属としては、半
導体層がＰ型の場合は、例えばインジクム（工ｎＬガリ
クム（Ｇａ入インジクムーガリウム合金、アルミニクム
（Ａ／ ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）およびグルマニ
クム（Ｇｅ ）などの仕事関数の小さい金属が、ｎ型の
場合には、例えば金（Ａｕ）、白金（ｐｔ）および銅（
Ｃｕ）などの仕事関数の大きい金属が用いられ、蒸着、
スパッタリング、ＣＶＤ成長およびメンキなどの方法で
被着させる。
導体層がＰ型の場合は、例えばインジクム（工ｎＬガリ
クム（Ｇａ入インジクムーガリウム合金、アルミニクム
（Ａ／ ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）およびグルマニ
クム（Ｇｅ ）などの仕事関数の小さい金属が、ｎ型の
場合には、例えば金（Ａｕ）、白金（ｐｔ）および銅（
Ｃｕ）などの仕事関数の大きい金属が用いられ、蒸着、
スパッタリング、ＣＶＤ成長およびメンキなどの方法で
被着させる。
なお、この発明により得られたＭＩＳダイオードの電気
特性は蒸着時に用いる材料に大きく依存する。発明者等
は上記様々の異Ｗ５＃１ポリマーの蒸着膜について検討
した結果、ポリＰ−フェニレンー１．３．４−オキサジ
アゾールの蒸着膜を用いたものが絶縁性有機高分子層と
して特に有効であることを見出した。上記蒸着膜を用い
たこの発明の一夫施例によるＭＩＳダイオードは、逆方
向電圧印加時の電流が小さく、整流比が他の異部壌ポリ
マーの蒸着膜を用いたものに比べて著るしく優れており
、しかもその耐久性も実用に耐えうるものである。
特性は蒸着時に用いる材料に大きく依存する。発明者等
は上記様々の異Ｗ５＃１ポリマーの蒸着膜について検討
した結果、ポリＰ−フェニレンー１．３．４−オキサジ
アゾールの蒸着膜を用いたものが絶縁性有機高分子層と
して特に有効であることを見出した。上記蒸着膜を用い
たこの発明の一夫施例によるＭＩＳダイオードは、逆方
向電圧印加時の電流が小さく、整流比が他の異部壌ポリ
マーの蒸着膜を用いたものに比べて著るしく優れており
、しかもその耐久性も実用に耐えうるものである。
以下、この発明の実施例について具体的に説明するが、
この発明は、これらに限定されるものではない。
この発明は、これらに限定されるものではない。
実施例１
３、５ ａｍ Ｘ ７ ｃＩＲのガラス基板上に真空蒸
着法によって厚さ１ｏｏｏＡのクロム層を設け、更にこ
の上に金（ＡＵ ）層をｚｏｏｏＸの厚さに真空蒸着法
によって設けたものを作用電極とした（有効作用電極面
積は２備×３．５σ）。
着法によって厚さ１ｏｏｏＡのクロム層を設け、更にこ
の上に金（ＡＵ ）層をｚｏｏｏＸの厚さに真空蒸着法
によって設けたものを作用電極とした（有効作用電極面
積は２備×３．５σ）。
１００ｍ１のアセトニトリル中にＮ−メチルピロール（
ｏ、ｓｇ）、テトラエチルアンモニクムバークロレイ）
（０，７ｇ） を溶解させた液を反応溶液とした。
ｏ、ｓｇ）、テトラエチルアンモニクムバークロレイ）
（０，７ｇ） を溶解させた液を反応溶液とした。
対極として白金（ｐｔ庵極を、参照電極として５ＣＥ（
飽和カロメル電極）を使用し、反応溶液中に作用電極と
共に浸し、窒累ガス雰囲気下で作用電極を陽極として対
極との間に一定電流（０，１５ｍＡ）を９０分間流し、
作用電極上にπ−共役系高分子層を約４ｏｏｏＸの厚さ
に析出させ、アセトニトリルで洗浄後、窒素ガス雰囲気
下で乾燥し、π−共役系高分子試料（Ｉ）を得た。
飽和カロメル電極）を使用し、反応溶液中に作用電極と
共に浸し、窒累ガス雰囲気下で作用電極を陽極として対
極との間に一定電流（０，１５ｍＡ）を９０分間流し、
作用電極上にπ−共役系高分子層を約４ｏｏｏＸの厚さ
に析出させ、アセトニトリルで洗浄後、窒素ガス雰囲気
下で乾燥し、π−共役系高分子試料（Ｉ）を得た。
次に、π−共役系高分子試料（１，）の上に、絶縁性有
機高分子層としてポリｍ−フエニレン−１゜３．４−オ
キサジアゾール層をｌＯＸの厚さに真空加熱蒸着法によ
り設けた。この際の蒸着条件は、圧力１．ＯＸｌ ０
’ Ｔｏｒｒ 、加熱温度３５０℃、ポリＰ−フェニレ
ンー１，３．４−オキサジアゾールの仕込み量０、Ｉｇ
、π−共役系高分子試料（Ｉ）と加熱源との距離１０（
！ＩＩ＋１蒸着時間１０秒間である。このようにしてπ
−共役系高分子試料（ロ）を得る。
機高分子層としてポリｍ−フエニレン−１゜３．４−オ
キサジアゾール層をｌＯＸの厚さに真空加熱蒸着法によ
り設けた。この際の蒸着条件は、圧力１．ＯＸｌ ０
’ Ｔｏｒｒ 、加熱温度３５０℃、ポリＰ−フェニレ
ンー１，３．４−オキサジアゾールの仕込み量０、Ｉｇ
、π−共役系高分子試料（Ｉ）と加熱源との距離１０（
！ＩＩ＋１蒸着時間１０秒間である。このようにしてπ
−共役系高分子試料（ロ）を得る。
さらに、π−共役系高分子試料（ＩＩ）の上に真空、蒸
着法によりインジウム（Ｉｎ）層を約３ｏｏｏ１の厚さ
で設けることにより得られたＭＩＳダイオードをＭＩＳ
ダイオード試料（Ｉ）とする。
着法によりインジウム（Ｉｎ）層を約３ｏｏｏ１の厚さ
で設けることにより得られたＭＩＳダイオードをＭＩＳ
ダイオード試料（Ｉ）とする。
実施例２
実施例１で得られたπ−共役系高分子試料（Ｉ）を用い
て、この上に、蒸着時間を１５秒問とする他は実施例１
と同様にして、絶縁性有機高分子層を１５Ｘの厚さで設
けたものをπ−共役系高分子試料（ＩＩＩ）とする。
て、この上に、蒸着時間を１５秒問とする他は実施例１
と同様にして、絶縁性有機高分子層を１５Ｘの厚さで設
けたものをπ−共役系高分子試料（ＩＩＩ）とする。
さらにπ−共役系高分子試料（ｍ）の上に工ｎ層を約３
ｏｏｏ！の厚さで設けることによって得られたＭＩＳダ
イオードをＭＩＳダイオード試料（２）とする。
ｏｏｏ！の厚さで設けることによって得られたＭＩＳダ
イオードをＭＩＳダイオード試料（２）とする。
実施例３
実施例１で得られたπ−共役系高分子試料ＣＩ）を用い
て、この上に、蒸着時間を２０秒間とする他は実施例１
と同様にして、絶縁性有機高分子層を２０Ｘの厚さで設
けたものをπ−共役系高分子試料（ｆｆ）とする。さら
にπ−共役系高分子試料（酌の上にＩｎ層を約ａｏｏｏ
！の厚さで設けることＫよって得られたＭＩＳダイオー
ドをＭＩＳダイオード試料（３）とする。
て、この上に、蒸着時間を２０秒間とする他は実施例１
と同様にして、絶縁性有機高分子層を２０Ｘの厚さで設
けたものをπ−共役系高分子試料（ｆｆ）とする。さら
にπ−共役系高分子試料（酌の上にＩｎ層を約ａｏｏｏ
！の厚さで設けることＫよって得られたＭＩＳダイオー
ドをＭＩＳダイオード試料（３）とする。
実施例４
実施例１で得られた作用電極の上に、実施例１と同様に
、絶縁性有機高分子層をｘｏＸの厚さで設けたものを絶
縁性有機高分子試料（Ｉ）とする。
、絶縁性有機高分子層をｘｏＸの厚さで設けたものを絶
縁性有機高分子試料（Ｉ）とする。
次に絶縁性有機高分子試料（Ｉ）をプラズマＣＶＤ装置
の中に入れ、１０’−” Ｉ’ｏｒｒまで減圧する。
の中に入れ、１０’−” Ｉ’ｏｒｒまで減圧する。
装置内の絶縁性有機高分子試料（Ｉ）を３００℃まで加
熱し、そこに４８．５％ホスフィンを含むホスフインー
モノシラジ混合ガスを４０ ｃｉ ／ ｍｉｎ ａ Ｌ
、さらに全体の圧力が０．４Ｔｏｒｒになる様に水素力
。
熱し、そこに４８．５％ホスフィンを含むホスフインー
モノシラジ混合ガスを４０ ｃｉ ／ ｍｉｎ ａ Ｌ
、さらに全体の圧力が０．４Ｔｏｒｒになる様に水素力
。
スを流す。気圧が安定したら２ Ｔｏｒｒまで気圧を上
げ、２５Ｗで５分間１３．５６ＭＨｚのプラズマを発生
させ、絶縁性有機高分子試料（Ｉ）の上Ｋｎ型のアモル
ファスシリコン層を設けることによって絶縁性有機高分
子試料（ロ）を得る。さらに絶縁性有機高分子試料（ｎ
）の上にＩｎ層を約３ｏｏｏＸの厚さで設ける事によっ
て得られたＭＩＳダイオードをＭＩＳダイオード試料（
ｆｆ）とする。
げ、２５Ｗで５分間１３．５６ＭＨｚのプラズマを発生
させ、絶縁性有機高分子試料（Ｉ）の上Ｋｎ型のアモル
ファスシリコン層を設けることによって絶縁性有機高分
子試料（ロ）を得る。さらに絶縁性有機高分子試料（ｎ
）の上にＩｎ層を約３ｏｏｏＸの厚さで設ける事によっ
て得られたＭＩＳダイオードをＭＩＳダイオード試料（
ｆｆ）とする。
比較例１
実施例１で得られたπ−共役系高分子試料（Ｉ）の上に
Ｉｎ層を約ａｏｏｏＸの厚さで設けることによって得ら
れた有機ショットキー・ダイオードを比較試料（Ｉ）と
する。
Ｉｎ層を約ａｏｏｏＸの厚さで設けることによって得ら
れた有機ショットキー・ダイオードを比較試料（Ｉ）と
する。
比較例２
実施例１で得られたπ−共役系高分子試料（Ｉ）の上に
ポリエチレン（ｐａ）層を真空加熱蒸着法を用いて１０
Ｘの厚さになる様に設けた。この際の蒸着条件は、圧力
１．ＯＸｌ ０ ’ Ｔｏｒｒ、加熱温度２５０℃、Ｐ
Ｅの仕込み量０．０５ｇ、π−共役系高分子試料（Ｉ）
と加熱源との距離７ひ、蒸着時間５秒である。この様に
して得られた試料をπ−共役系高分子試料（Ｖ）とする
。
ポリエチレン（ｐａ）層を真空加熱蒸着法を用いて１０
Ｘの厚さになる様に設けた。この際の蒸着条件は、圧力
１．ＯＸｌ ０ ’ Ｔｏｒｒ、加熱温度２５０℃、Ｐ
Ｅの仕込み量０．０５ｇ、π−共役系高分子試料（Ｉ）
と加熱源との距離７ひ、蒸着時間５秒である。この様に
して得られた試料をπ−共役系高分子試料（Ｖ）とする
。
さらに、π−共役系高分子試料（Ｖ）の上にＩｎ層を約
３０００１の厚さで設けることによって得られたＭＩＳ
ダイオードを比較試料（２）とする。
３０００１の厚さで設けることによって得られたＭＩＳ
ダイオードを比較試料（２）とする。
第３図にＭＩＳダイオード試料（１）ないし試料（３）
の第４図にＭＩＳダイオード試料（４）の、第５図に比
較試料（１）の第６図に比較試料（２）の断面図を示す
。
の第４図にＭＩＳダイオード試料（４）の、第５図に比
較試料（１）の第６図に比較試料（２）の断面図を示す
。
図において（９）、（１３） 、（１６） 、（２２）
はリード線、（１０）、 （２０） はＩｎ電極、（
１１） 、（１９）はＰ−フエニレン−１，３，４−オ
キサジアゾール蒸着膜、（１２）はポリＮ−メチルピロ
ール膜、（１４） 、（１７）はＡｕ電極（１５） 、
（２１）はガラス基板、（１８）はｎ型シリコン層、（
２３）はＰＥ蒸着膜である。
はリード線、（１０）、 （２０） はＩｎ電極、（
１１） 、（１９）はＰ−フエニレン−１，３，４−オ
キサジアゾール蒸着膜、（１２）はポリＮ−メチルピロ
ール膜、（１４） 、（１７）はＡｕ電極（１５） 、
（２１）はガラス基板、（１８）はｎ型シリコン層、（
２３）はＰＥ蒸着膜である。
第７図はＭＩＳダイオード試料（１）ないし試料（４）
ならびに比較試料（１）および比較試料（２）の電圧（
Ｖ）による電流（Ｉ）の変化を示すＩ−Ｖ特性図である
。
ならびに比較試料（１）および比較試料（２）の電圧（
Ｖ）による電流（Ｉ）の変化を示すＩ−Ｖ特性図である
。
図中、（２４） 、（２５）は比較試料（１）および比
較試料（２）の特性、（２６）〜（２９〕は各々ＭＩＳ
ダイオード試料（１）〜試料（４）の特性である。なお
、正電圧側が順方向負電圧側が逆方向である。これによ
ると、この発明の実施例によシ得られたＭＩＳダイオー
ドは、良好な整流特性が観測され、しかも絶縁層の層厚
に依存する特異的変化が見られ、製造時の層厚制御によ
り所望の特性のＭＩＳダイオードを得ることができるこ
とが解る。
較試料（２）の特性、（２６）〜（２９〕は各々ＭＩＳ
ダイオード試料（１）〜試料（４）の特性である。なお
、正電圧側が順方向負電圧側が逆方向である。これによ
ると、この発明の実施例によシ得られたＭＩＳダイオー
ドは、良好な整流特性が観測され、しかも絶縁層の層厚
に依存する特異的変化が見られ、製造時の層厚制御によ
り所望の特性のＭＩＳダイオードを得ることができるこ
とが解る。
また耐久性の面でも比較試料（１）及び比較試料（２）
は製造後−週間程経過すると整流性が悪くなるが、この
発明により得られたＭＩＳダイオードは１力月経過して
も特性の変化は見られなかった。
は製造後−週間程経過すると整流性が悪くなるが、この
発明により得られたＭＩＳダイオードは１力月経過して
も特性の変化は見られなかった。
なお、上記実施例では、絶縁性有機高分子層に用いる異
節環ポリマーとして、分子構造内に、オキサジアゾール
環を含むものを用いた場合についてのべたが、分子構造
内に、チアジアゾール環、チアゾロベンズチアゾール環
、トリアゾール環およびオキサゾール環の内の少なくと
も一種を含むものも同様の効果を示す。
節環ポリマーとして、分子構造内に、オキサジアゾール
環を含むものを用いた場合についてのべたが、分子構造
内に、チアジアゾール環、チアゾロベンズチアゾール環
、トリアゾール環およびオキサゾール環の内の少なくと
も一種を含むものも同様の効果を示す。
以上説明したとおり、この発明は、電極となる導電層、
半導体層、異節環ポリマーを蒸着して形成された絶縁性
有機高分子層および電極となる金属層を積層することに
より、容易に、高性能で、性能が安定しており、しかも
耐久性に優れたＭＩＳダイオードの製造方法を得ること
ができる。なお、この発明では上記絶縁性有機高分子層
の層厚制御も容易であり、例えば光センサーおよび光電
変換素子など種々の電子部品の製造に有用である。
半導体層、異節環ポリマーを蒸着して形成された絶縁性
有機高分子層および電極となる金属層を積層することに
より、容易に、高性能で、性能が安定しており、しかも
耐久性に優れたＭＩＳダイオードの製造方法を得ること
ができる。なお、この発明では上記絶縁性有機高分子層
の層厚制御も容易であり、例えば光センサーおよび光電
変換素子など種々の電子部品の製造に有用である。
第１図は一般的なＭＩＳダイオードの断面図、第２図は
従来のＭＯＳダイオードの断面図、第３図及び第４図は
それぞれこの発明の実施例によるＭＩＳダイオードの断
面図、第５図は一般的な有機ショットキーダイオードの
断面図、第６図は従来の一般的な有機ＭＩＳダイオード
の断面図である。第７図はこの発明の実施例のＭＩＳダ
イオード、一般的な有機ショットキーダイオード、およ
び従来の一般的な有機ＭＩＳダイオードを比較するため
の電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性図である。 図において、（１）＋ （６）はリード線、（２）は電
極となる金属層、（３）は絶縁層、（４）は半導体層、
（５）は電極となる導電層、（７）は５ｉ０２層、（８
）はＳｉ層、（９）。 （１３）はリード線、（１０）は工ｎ層、（１１）はポ
リＰ−フェニレンー１．３．４−オキサジアゾール蒸着
膜、（１２）はポリＮ−メチルビロール膜、（１４）
＃−１Ａｕ電極、（１５）はガラス基板、（１６） 、
（２２）はリード線、（１７）はＡｕ電極、（１８）
はｎ型シリコン層、（１９）はゾ ポリｐ−フエニレン−１，３，４−オキサシアブール蒸
着膜、（２０）はＩｎ電極、（２１）はガラス基板、（
２３）はＰＥ蒸着膜、（２４） 、 （２５）は各々比
較試料（１）および比較試料（２〕の特性、（２５）
、 （２６） 、 （２７） 、 （２８）は各々この
発明の実施例によるＭＩＳダイオード試料（１）〜（４
）の特性である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
従来のＭＯＳダイオードの断面図、第３図及び第４図は
それぞれこの発明の実施例によるＭＩＳダイオードの断
面図、第５図は一般的な有機ショットキーダイオードの
断面図、第６図は従来の一般的な有機ＭＩＳダイオード
の断面図である。第７図はこの発明の実施例のＭＩＳダ
イオード、一般的な有機ショットキーダイオード、およ
び従来の一般的な有機ＭＩＳダイオードを比較するため
の電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性図である。 図において、（１）＋ （６）はリード線、（２）は電
極となる金属層、（３）は絶縁層、（４）は半導体層、
（５）は電極となる導電層、（７）は５ｉ０２層、（８
）はＳｉ層、（９）。 （１３）はリード線、（１０）は工ｎ層、（１１）はポ
リＰ−フェニレンー１．３．４−オキサジアゾール蒸着
膜、（１２）はポリＮ−メチルビロール膜、（１４）
＃−１Ａｕ電極、（１５）はガラス基板、（１６） 、
（２２）はリード線、（１７）はＡｕ電極、（１８）
はｎ型シリコン層、（１９）はゾ ポリｐ−フエニレン−１，３，４−オキサシアブール蒸
着膜、（２０）はＩｎ電極、（２１）はガラス基板、（
２３）はＰＥ蒸着膜、（２４） 、 （２５）は各々比
較試料（１）および比較試料（２〕の特性、（２５）
、 （２６） 、 （２７） 、 （２８）は各々この
発明の実施例によるＭＩＳダイオード試料（１）〜（４
）の特性である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）電極となる導電層、半導体層、絶縁性有機高分子
層および電極となる金属層を積層したＭＩＳダイオード
において、上記絶縁性有機高分子層は、異節環ポリマー
を蒸着して形成されたものであることを特徴とするＭＩ
Ｓダイオードの製造方法。 - （２）異節環ポリマーが、分子構造内にチアジアゾール
環、チアゾロベンズチアゾール環、トリアゾール環、オ
キサゾール環およびオキサジアゾール環の内の少なくと
も一種を含む有機高分子化合物であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のＭＩＳダイオードの製造方
法。 - （３）蒸着は、加熱蒸着法、高周波スパッタリング、イ
オンブレーティング法、電子ビーム法およびイオンクラ
スタービーム法の内のいずれかにより行なわれることを
特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載のＭＩ
Ｓダイオードの製造方法。 - （４）異節環ポリマーが、ポリＰ−フエニレン−１、３
、４−オキサジアゾールである特許請求の範囲第２項記
載のＭＩＳダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122500A JPS611059A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | Ｍｉｓダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122500A JPS611059A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | Ｍｉｓダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS611059A true JPS611059A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14837378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59122500A Pending JPS611059A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | Ｍｉｓダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS611059A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5069407A (en) * | 1990-11-02 | 1991-12-03 | Williams Andy C | Mounting bracket for communication related devices |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP59122500A patent/JPS611059A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5069407A (en) * | 1990-11-02 | 1991-12-03 | Williams Andy C | Mounting bracket for communication related devices |
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