JPS611068A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS611068A JPS611068A JP59122493A JP12249384A JPS611068A JP S611068 A JPS611068 A JP S611068A JP 59122493 A JP59122493 A JP 59122493A JP 12249384 A JP12249384 A JP 12249384A JP S611068 A JPS611068 A JP S611068A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- light
- resin
- semiconductor device
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、光信号の授受によって機能する光半導体装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来、この種の装置として第１図に示すものが一般的で
あった。図において、１は光半導体素子、２は光半導体
素子１を固着収納したパッケージ基板、３は光半導体素
子１と外部リード４とを電気的に接続する金あるいはア
ルミの極細線、５は透光窓５１を有するキャップで、こ
れは低融点ガラス６によりパッケージ基板２に封止され
ている。 ゛従来の光半導体装置は以上のように構成
されているので、パッケージが高価になり、又生産性も
悪く、結果として半導体装置を高価なものにしてユーザ
に迷惑をかけていた。また通常、パンケージ基板及びキ
ャップはアルミナセラミックを用いて形成されており、
これが組立工程時に割れたり、欠けたりして発塵源にな
ることから、この塵が光半導体素子の表面に付着し、装
置を不良にすることがあった。
あった。図において、１は光半導体素子、２は光半導体
素子１を固着収納したパッケージ基板、３は光半導体素
子１と外部リード４とを電気的に接続する金あるいはア
ルミの極細線、５は透光窓５１を有するキャップで、こ
れは低融点ガラス６によりパッケージ基板２に封止され
ている。 ゛従来の光半導体装置は以上のように構成
されているので、パッケージが高価になり、又生産性も
悪く、結果として半導体装置を高価なものにしてユーザ
に迷惑をかけていた。また通常、パンケージ基板及びキ
ャップはアルミナセラミックを用いて形成されており、
これが組立工程時に割れたり、欠けたりして発塵源にな
ることから、この塵が光半導体素子の表面に付着し、装
置を不良にすることがあった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、光半導体素子を保護する外囲器を
、所定の光を透過する透明粒体が添加されたモールド樹
脂でもって形成することにより、生産性及び信頼性を向
上できる安価な光半導体装置を提供することを目的とし
ている。
めになされたもので、光半導体素子を保護する外囲器を
、所定の光を透過する透明粒体が添加されたモールド樹
脂でもって形成することにより、生産性及び信頼性を向
上できる安価な光半導体装置を提供することを目的とし
ている。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第２図は本発明の一実施例による光半導体装置を示す。
図において、１は外部からの光によって制御されあるい
は信号の授受を行なう光半導体素子、８は外部リード８
１及びダイパッド８２を有するリードフレームで、上記
ダイパッド８２には光半導体素子１が固着されている。
は信号の授受を行なう光半導体素子、８は外部リード８
１及びダイパッド８２を有するリードフレームで、上記
ダイパッド８２には光半導体素子１が固着されている。
３は光半導体素子１と外部リード８１とを電気的に接続
する金。
する金。
アルミ合金、銅等の布線、７は光半導体素子１を外囲封
止し、大気等からの汚染を防止する透明樹脂外囲部であ
る。
止し、大気等からの汚染を防止する透明樹脂外囲部であ
る。
ここでこの透明樹脂としてはエポキシ系の樹脂が用いら
れ、又該樹脂中には所定の波長域の光、例えば紫外線を
ほぼ１００％透過する透明な微小粒体７１が配合され、
これにより所定の波長域の光が所定量透過されるように
するとともに、信頼性の向上を図っている。この微小粒
体７１についてはガラスの微粉末や高純度５ｉ０２の微
粉末等、光半導体素子１の要求特性に応じて選択するの
が望ましい。またこの微小粒体７１としては光半導体素
子１を構成する基材とほぼ等しい熱膨張係数のものを用
いる必要がある。これは、微小粒体７１の添加によって
透明樹脂外囲部７の熱膨張係数を光半導体素子１の基材
のそれに近づけ、透明樹脂外囲部７におけるクラックの
発生を防止するためである。
れ、又該樹脂中には所定の波長域の光、例えば紫外線を
ほぼ１００％透過する透明な微小粒体７１が配合され、
これにより所定の波長域の光が所定量透過されるように
するとともに、信頼性の向上を図っている。この微小粒
体７１についてはガラスの微粉末や高純度５ｉ０２の微
粉末等、光半導体素子１の要求特性に応じて選択するの
が望ましい。またこの微小粒体７１としては光半導体素
子１を構成する基材とほぼ等しい熱膨張係数のものを用
いる必要がある。これは、微小粒体７１の添加によって
透明樹脂外囲部７の熱膨張係数を光半導体素子１の基材
のそれに近づけ、透明樹脂外囲部７におけるクラックの
発生を防止するためである。
また第３図は添加する微小粒体７１の添加量に対する紫
外線の透過率の関係ａ及び強度の関係すを示す。第３図
によれば、微小粒体７１の添加量としては樹脂の約１０
容量％〜約９０容量％が妥当である。１０容量％以下で
は、紫外線の透過率が極端に少なくなり、さらに信頼性
上の問題が生じるからであり、一方９０容量％以上では
、強度が著しく低下するのみで、それ以上の透過率の向
上は望めないからである。以上の如く微小粒体７１の添
加量は光半導体装置の要求性能を満足させるための適当
な範囲を有する。
外線の透過率の関係ａ及び強度の関係すを示す。第３図
によれば、微小粒体７１の添加量としては樹脂の約１０
容量％〜約９０容量％が妥当である。１０容量％以下で
は、紫外線の透過率が極端に少なくなり、さらに信頼性
上の問題が生じるからであり、一方９０容量％以上では
、強度が著しく低下するのみで、それ以上の透過率の向
上は望めないからである。以上の如く微小粒体７１の添
加量は光半導体装置の要求性能を満足させるための適当
な範囲を有する。
また微小粒体７１０粒径は大き過ぎると効果が十分でな
く、一方小さ過ぎると高価になり、取扱いも困難になっ
て実用性を欠く。本発明においては、上記容量の微小粒
体７１を添加することにより微小粒体７１の数と透明樹
脂の分子の数とがほぼ同数になるように、粒体径を０．
０１〜１’、ｃＩｍのものに限定した。これは微小粒体
７１の数と透明樹脂の分子数とをほぼ同数にすることに
より、透明樹脂がち密に成長し、これにより透明樹脂が
強度アンプするからである。なお、実用上は１０′ μ
ｍ程度の粒径でも満足し得る効果が得られる。
く、一方小さ過ぎると高価になり、取扱いも困難になっ
て実用性を欠く。本発明においては、上記容量の微小粒
体７１を添加することにより微小粒体７１の数と透明樹
脂の分子の数とがほぼ同数になるように、粒体径を０．
０１〜１’、ｃＩｍのものに限定した。これは微小粒体
７１の数と透明樹脂の分子数とをほぼ同数にすることに
より、透明樹脂がち密に成長し、これにより透明樹脂が
強度アンプするからである。なお、実用上は１０′ μ
ｍ程度の粒径でも満足し得る効果が得られる。
そしてこの透明粒体７１は樹脂外囲部７に対し、光半導
体素子の要求性能を満たすため例えば可視光のうちの所
定波長域の光のみをほぼ１００％透過するいわゆるフィ
ルタ機能を付与する場合に有効であり、また逆に例えば
紫外線、赤外線等、特定波長域の光を吸収するいわゆる
窓の作用を行な今わせる場合にも効果が認められる。こ
の場合には勿論透明粒体として特定波長域の光の透過を
吸収する材料の粒体を用いるようにすればよい。
体素子の要求性能を満たすため例えば可視光のうちの所
定波長域の光のみをほぼ１００％透過するいわゆるフィ
ルタ機能を付与する場合に有効であり、また逆に例えば
紫外線、赤外線等、特定波長域の光を吸収するいわゆる
窓の作用を行な今わせる場合にも効果が認められる。こ
の場合には勿論透明粒体として特定波長域の光の透過を
吸収する材料の粒体を用いるようにすればよい。
以上のような本実施例の装置では、光半導体素子を樹脂
封止するようにしたので、従来のような高価なパッケー
ジが不要となり、低コスト化を達成でき、又生産性を向
上できる。また樹脂外囲部が組立工程等において発塵源
になるということはなく、装置の信頼性を向上できる。
封止するようにしたので、従来のような高価なパッケー
ジが不要となり、低コスト化を達成でき、又生産性を向
上できる。また樹脂外囲部が組立工程等において発塵源
になるということはなく、装置の信頼性を向上できる。
また本装置では、封止樹脂中に透明粒体を添加して光の
透過量を確保しているので、光半導体素子の動作を保証
できる。また透明粒体の数を透明樹脂の分子数とほぼ同
数にしているので、透明樹脂をち密に成形でき、樹脂外
囲部の耐久性を保証できる。
透過量を確保しているので、光半導体素子の動作を保証
できる。また透明粒体の数を透明樹脂の分子数とほぼ同
数にしているので、透明樹脂をち密に成形でき、樹脂外
囲部の耐久性を保証できる。
なお、上記実施例では紫外線に対して動作する光半導体
装置について述べたが、本発明は適当な微小粒体を選択
することによって赤外線、可視光線あるいは紫外線から
赤外線までの波長域の光に対して動作する光半導体装置
にも適用できる。
装置について述べたが、本発明は適当な微小粒体を選択
することによって赤外線、可視光線あるいは紫外線から
赤外線までの波長域の光に対して動作する光半導体装置
にも適用できる。
さらに上記実施例では外部からの光によって制御されあ
るいは信号の授受を行なう光半導体素子について説明し
たが、この半導体素子は発光素子等信の光半導体素子で
あってもよく、同様の効果が得られる。
るいは信号の授受を行なう光半導体素子について説明し
たが、この半導体素子は発光素子等信の光半導体素子で
あってもよく、同様の効果が得られる。
以上のようにこの発明によれば、光半導体素子を透明粒
体が添加されたモールド樹脂によって外囲封止するよう
にしたので、生産性及び信頼性を向上でき、しかも低コ
スト化を達成できる効果がある。
体が添加されたモールド樹脂によって外囲封止するよう
にしたので、生産性及び信頼性を向上でき、しかも低コ
スト化を達成できる効果がある。
第１図は従来の光半導体装置の構成図、第２図は本発明
の一実施例による光半導体装置の構成図、第３図は上記
装置を説明するための微小粒体添加量に対する紫外線透
過率及び強度の関係を示す図である。 １・・・光半導体素子、７・・・樹脂、７１・・・透明
粒体。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の一実施例による光半導体装置の構成図、第３図は上記
装置を説明するための微小粒体添加量に対する紫外線透
過率及び強度の関係を示す図である。 １・・・光半導体素子、７・・・樹脂、７１・・・透明
粒体。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (5)
- （１）光半導体素子を透明樹脂でもって樹脂封止してな
る光半導体装置であって、上記光半導体素子を構成する
基材と熱膨張係数がほぼ等しく所定の波長領域の光を透
過あるいは吸収する透明粒体を、上記封止樹脂中に該樹
脂の１０〜９０容量％添加したことを特徴とする光半導
体装置。 - （２）上記光半導体素子は、外部からの光によって制御
されあるいは信号の授受を行なうものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光半導体装置。 - （３）上記透明粒体は、その粒径が１０μｍ〜０．０１
μｍであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光半導体装置。 - （４）上記透明粒体は、紫外線から赤外線までの波長領
域の光をほぼ１００％透過するものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の光半導体装
置。 - （５）上記透明粒体は、紫外線又は赤外線の波長領域の
光をほぼ１００％透過するものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項又は第２項記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122493A JPS611068A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122493A JPS611068A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS611068A true JPS611068A (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14837207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59122493A Pending JPS611068A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS611068A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02118959U (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-25 | ||
| JPH0485365A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-18 | Tatsumori:Kk | 透明樹脂組成物及び該樹脂組成物を用いた光半導体装置 |
| US5107327A (en) * | 1990-07-16 | 1992-04-21 | Nitto Denko Corporation | Photosemiconductor device and epoxy resin composition for use in molding photosemiconductor |
| JPH05312948A (ja) * | 1992-05-06 | 1993-11-26 | Sharp Corp | 測距センサ |
| WO2004059750A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Japan Science And Technology Agency | 発光素子装置、受光素子装置、光学装置、フッ化物結晶、フッ化物結晶の製造方法、およびルツボ |
| JP2007149905A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Sony Corp | 光電変換素子パッケージ及び光電変換素子パッケージの製造方法 |
| JP2013168510A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Seiko Instruments Inc | 光検出デバイス及び光検出デバイスの製造方法 |
| JP2016181683A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 光センサ装置及び光センサ装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5326119A (en) * | 1976-08-24 | 1978-03-10 | Victor Co Of Japan Ltd | Ribbon type electro-acoustic transducer |
| JPS57186376A (en) * | 1981-05-04 | 1982-11-16 | Licentia Gmbh | Light emitting semiconductor element |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP59122493A patent/JPS611068A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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| JP2007149905A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Sony Corp | 光電変換素子パッケージ及び光電変換素子パッケージの製造方法 |
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