JPS6024077A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6024077A
JPS6024077A JP58131498A JP13149883A JPS6024077A JP S6024077 A JPS6024077 A JP S6024077A JP 58131498 A JP58131498 A JP 58131498A JP 13149883 A JP13149883 A JP 13149883A JP S6024077 A JPS6024077 A JP S6024077A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensor
substrate
resin
optical sensor
semiconductor film
Prior art date
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Pending
Application number
JP58131498A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Iwamatsu
誠一 岩松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP58131498A priority Critical patent/JPS6024077A/ja
Publication of JPS6024077A publication Critical patent/JPS6024077A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/50—Encapsulations or containers

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光センサー装置の構造に関する。
従来、光センサー装置は、第１図に断面図を示す如く、
セラミック基板１上に半導体光センサ−３を貼付け、リ
ード線２と結線して組立て、ガラス窓５の付いた金属キ
ャップ４で封止するのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、セラミック基板や窓付
キャップが高価であるという欠点がある本発明はかかる
従来技術の欠点をなくシ、安価で小型の光センサーの構
造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、透
明基板表面に形成された半導体光センサー装置に於て、
光入力が透明基板の裏面から行なわれ、且つ、透明基板
表面に形成された半導体膜による光センサー装置が樹脂
封止されて成ることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第２図は本発明の一実施例を示す半導体光センサー装置
の断面図である。サファイヤ基板１の表面には半導体膜
からなる光センサ−２が形成され、リード線３により導
電路が設けられ、エポキシ等の樹脂４により光入射窓部
を少なくとも除いて封止されて成る。この場合、サファ
イヤ基板１の裏面は光入射窓として用いられる。本発明
はサファイヤ基板を用いた光センサーであるか石英基板
　′あるいはガラス基板であっても良い。
本発明の如く、光センサー基板を透明となし、該基板を
光入射窓とし、光センサー部を樹脂封止することにより
安価で且つ小型の半導体光センサー装置が作成できる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術による半導体光センサー装置の断面図
、第２図は本発明による半導体光センサー装置の一実施
例を示す断面図である。 １・・・・・・セラミック基板 ２・・・・・・リード線 ３・・・・・・半導体光センサ−・チップ４・・・・・
・キャップ ５・・・・・・窓 １・・・・・・透明基板 ２・・・・・・半導体膜光センサー部 ６・・・・・・リード線 ４・・・・・・プラスティック 箋　１１り ろ ％２　図 ｋｖ′

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 透明基板表面に形成された半導体光センサー装置に於て
    、光入力が透明基板の裏面から行なわれ、且つ、透明基
    板表面に形成された半導体膜による光センサー装置が樹
    脂封止されて成ることを特徴とする半導体装置。
JP58131498A 1983-07-19 1983-07-19 半導体装置 Pending JPS6024077A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61172355U (ja) * 1985-04-12 1986-10-25
WO2025105175A1 (ja) 2023-11-17 2025-05-22 株式会社C&A 処理装置および方法
KR20260004457A (ko) 2023-05-01 2026-01-08 시엔드에이 코퍼레이션 제조 장치, 결정 성장 방법, 및 합금 부재

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5840870A (ja) * 1981-09-03 1983-03-09 Sanyo Electric Co Ltd 受光装置の製造方法

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