JPS61107779A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61107779A JPS61107779A JP59228007A JP22800784A JPS61107779A JP S61107779 A JPS61107779 A JP S61107779A JP 59228007 A JP59228007 A JP 59228007A JP 22800784 A JP22800784 A JP 22800784A JP S61107779 A JPS61107779 A JP S61107779A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- laser device
- optical
- laser element
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光通信、光情報処理に用いることができる半導
体レーザ装置に関するものである。
体レーザ装置に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
近年、半導体レーザ装置は光通信、光デイスクメモリや
レーザプリンタの光源として、小型、高効率、高信頼の
ため脚光を浴びている。
レーザプリンタの光源として、小型、高効率、高信頼の
ため脚光を浴びている。
またスペクトルが単一モードで発振する半導体レーザは
、レーザ光のコヒーレンスが非常に良いため、ホログラ
フィメモリや、光ヘテロゲイン通信の光源として今後の
応用が大いに期待されている。
、レーザ光のコヒーレンスが非常に良いため、ホログラ
フィメモリや、光ヘテロゲイン通信の光源として今後の
応用が大いに期待されている。
第１図は従来の半導体装置のパッケージ内の構造を示す
ものである。同図において、１はレーザ光を放射する半
導体レーザ素子である。２は透光性の窓で、パッケージ
内を気密にする。３は半導体レーザ素子１の熱を放散す
るヒートシンク、４は光出力をモニタするためのホード
ダイオードであり、５は外部と接続するリード線、６は
キヤ。
ものである。同図において、１はレーザ光を放射する半
導体レーザ素子である。２は透光性の窓で、パッケージ
内を気密にする。３は半導体レーザ素子１の熱を放散す
るヒートシンク、４は光出力をモニタするためのホード
ダイオードであり、５は外部と接続するリード線、６は
キヤ。
プ、７はステムである。
半導体レーザ素子１は、その共振器の両端面からレーザ
光が放射されるので、片方は窓２を通して外部に放射さ
せ、他の端面から放射されるレーザ光はホトダイオード
４で光電変換し、光出力モニタ信号をリード線５から出
力している。
光が放射されるので、片方は窓２を通して外部に放射さ
せ、他の端面から放射されるレーザ光はホトダイオード
４で光電変換し、光出力モニタ信号をリード線５から出
力している。
しかし、上記のような構成では、半導体レーザ素子１か
ら出射したレーザ光が外部で反射して、窓を通して戻っ
てくると、再び半導体レーザ素子１内に入射してしまう
。レーザ発振器内にレーザ光が戻ると、レーザ発振が不
安定になり、縦モードのホッピングに伴なう強度雑音が
発生するので、半導体レーザを光通信や光ディスクに用
いるときには、極力半導体レーザ内に戻り光が入らない
ようにしないと、光通信では伝送品質を劣化させたり、
ディスクメモリでは誤シ率の増大を招くという欠点を有
していた。
ら出射したレーザ光が外部で反射して、窓を通して戻っ
てくると、再び半導体レーザ素子１内に入射してしまう
。レーザ発振器内にレーザ光が戻ると、レーザ発振が不
安定になり、縦モードのホッピングに伴なう強度雑音が
発生するので、半導体レーザを光通信や光ディスクに用
いるときには、極力半導体レーザ内に戻り光が入らない
ようにしないと、光通信では伝送品質を劣化させたり、
ディスクメモリでは誤シ率の増大を招くという欠点を有
していた。
（発明の目的）
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、半導体レーザ・
ぐッケージ内に戻り光が入射しても、レーザ素子に入ら
ないようにし、レーザ発振の不安定に伴なう強度雑音や
周波数雑音の発生を抑えることのできる半導体レーザ装
置を提供することである。
ぐッケージ内に戻り光が入射しても、レーザ素子に入ら
ないようにし、レーザ発振の不安定に伴なう強度雑音や
周波数雑音の発生を抑えることのできる半導体レーザ装
置を提供することである。
（発明の構成）
本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ・ぐッケー
ジ内の半導体レーザ素子と、レーザ光線を外部に取シ出
す透光窓との間に光アイソレータを有し、外部で反対さ
れたレーザ光が、再び半導体レーザ素子内に戻ることが
阻止されるものである。
ジ内の半導体レーザ素子と、レーザ光線を外部に取シ出
す透光窓との間に光アイソレータを有し、外部で反対さ
れたレーザ光が、再び半導体レーザ素子内に戻ることが
阻止されるものである。
また、前記光アイソレータが、４分の１波長板と偏光ビ
ームスプリッタ、またはファラディ回転子と偏光子およ
び検光子からなるものである。
ームスプリッタ、またはファラディ回転子と偏光子およ
び検光子からなるものである。
（実施例の説明）
本発明の一実施例を第２図および第３図に基づいて説明
する。
する。
第２図は本発明の第１の実施例における半導体レーザ装
置の・ぐッケージ断面構造を示すものである。同図にお
いて、８は半導体レーザ素子、９は偏光ビームスプリッ
タで１０は４分の１波長板、１１は透光板である。１２
はヒートシンク、１３は光学素子を支持するキャップ、
１４はホトダイオード、１５はリード線である。
置の・ぐッケージ断面構造を示すものである。同図にお
いて、８は半導体レーザ素子、９は偏光ビームスプリッ
タで１０は４分の１波長板、１１は透光板である。１２
はヒートシンク、１３は光学素子を支持するキャップ、
１４はホトダイオード、１５はリード線である。
以上のように構成された半導体レーザ装置において、半
導体レーザ素子８から出射されるレーザ光は直線偏光で
あり、偏光ビームスプリ、り９を透過するようにしてお
く。偏光ビームスプリッタ９を透過した光は４分の１波
長板１０を通ると円偏光になシ、透光板１１を透過して
外部へ出射される。外部で反射され、再び透光板１１全
通して入射したレーザ光は、４分の１波長板ＩＯを通る
と円偏光が再び直線偏光に変換される。このとき、偏光
方向が最初に直交しているので、偏光ビームスフ０す、
夕９で反射され、半導体レーザ素子８内には帰還しない
。したがって、戻９光によりレーザ発振が不安定となっ
て強度雑音が発生することを防ぐことができる。
導体レーザ素子８から出射されるレーザ光は直線偏光で
あり、偏光ビームスプリ、り９を透過するようにしてお
く。偏光ビームスプリッタ９を透過した光は４分の１波
長板１０を通ると円偏光になシ、透光板１１を透過して
外部へ出射される。外部で反射され、再び透光板１１全
通して入射したレーザ光は、４分の１波長板ＩＯを通る
と円偏光が再び直線偏光に変換される。このとき、偏光
方向が最初に直交しているので、偏光ビームスフ０す、
夕９で反射され、半導体レーザ素子８内には帰還しない
。したがって、戻９光によりレーザ発振が不安定となっ
て強度雑音が発生することを防ぐことができる。
第３図は、本発明の第２の実施例における半導体レーザ
装置の・ぐッケーノ断面構造を示すものである。同図に
おいて、１６は半導体レーザ素子、１７は透光板で、以
上は第２図の構成と同じである。１８は偏光子、１９は
ファラディ回転子、２０は検光子である。
装置の・ぐッケーノ断面構造を示すものである。同図に
おいて、１６は半導体レーザ素子、１７は透光板で、以
上は第２図の構成と同じである。１８は偏光子、１９は
ファラディ回転子、２０は検光子である。
以上のように構成された半導体レーザ装置において、半
導体レーザ素子１６から出た光はファラディ回転子１９
を通過すると、その偏光面が４５゜回転する。戻シ光が
検光子２０を通して再びファラディ回転子に入ると、偏
光面がさらに４５°回転して半導体レーザ素子１６の出
射光の偏光面に対して９０°回転することになシ、偏光
子１８によって遮断することができる。２１は偏光面を
回転させるために磁界を与える永久磁石である。
導体レーザ素子１６から出た光はファラディ回転子１９
を通過すると、その偏光面が４５゜回転する。戻シ光が
検光子２０を通して再びファラディ回転子に入ると、偏
光面がさらに４５°回転して半導体レーザ素子１６の出
射光の偏光面に対して９０°回転することになシ、偏光
子１８によって遮断することができる。２１は偏光面を
回転させるために磁界を与える永久磁石である。
（発明の効果）
本発明によれば、半導体レーザ装置の・り、ケージ内に
、光アイソレータを半導体レーザ素子と出射窓の間に設
けることによシ、戻シ光が半導体レーザ素子内に帰還し
ないようにすることができ、その実用的効果は大なるも
のである。
、光アイソレータを半導体レーザ素子と出射窓の間に設
けることによシ、戻シ光が半導体レーザ素子内に帰還し
ないようにすることができ、その実用的効果は大なるも
のである。
第１図は従来の半導体レーザ装置の斜視図、第２図は本
発明の第１の実施例における半導体レーザ装置の断面図
、第３図は同第２の実施例における半導体レーザ装置の
断面図である。 ■、８，１６・・・半導体レーザ素子、２，１１゜１７
・・・透光板、３，１２・・・ヒートシンク、４，１４
・・・ホトダイオード、５．１５・・・リード線、６゜
１３・・・キャップ、７・・・ステム、９・・・偏光ビ
ームスプリッタ、１０・・・４分の１波長板、１８・・
・偏光子、１９・・・ファラディ回転子、２０・・・検
光子、２１・・・永久磁石。 第１図 第２図
発明の第１の実施例における半導体レーザ装置の断面図
、第３図は同第２の実施例における半導体レーザ装置の
断面図である。 ■、８，１６・・・半導体レーザ素子、２，１１゜１７
・・・透光板、３，１２・・・ヒートシンク、４，１４
・・・ホトダイオード、５．１５・・・リード線、６゜
１３・・・キャップ、７・・・ステム、９・・・偏光ビ
ームスプリッタ、１０・・・４分の１波長板、１８・・
・偏光子、１９・・・ファラディ回転子、２０・・・検
光子、２１・・・永久磁石。 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）半導体レーザパッケージ内の半導体レーザ素子と
、レーザ光線を外部に取り出す透光窓との間に光アイソ
レータを有し、外部で反射されたレーザ光が再び、前記
半導体レーザ素子内に戻ることが阻止されることを特徴
とする半導体レーザ装置。 - （２）光アイソレーダが、４分の１波長板と偏光ビーム
スプリッタからなることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の半導体レーザ装置。 - （３）光アイソレータが、ファラディ回転子と偏光子お
よび検光子からなることを特徴とする特許請求の範囲第
（１）項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228007A JPS61107779A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228007A JPS61107779A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107779A true JPS61107779A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16869714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59228007A Pending JPS61107779A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61107779A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303195A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Sony Corp | レーザモジュール |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP59228007A patent/JPS61107779A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303195A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Sony Corp | レーザモジュール |
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