JPS61109246A - 撮像管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は撮像管、特に電磁集束−静電偏向型電子光学系
を用いた撮像管に関する。

【発明の背景〕

電磁集束−静電偏向型電子光学系を用いた撮像管（以下
、ＭＳ型撮像管と略称する）は、例えば米国特許３，３
１９，１１０号明細書及び特公昭４６−１２２１３号公
報に示されているように、ｙＫ理的には偏向収差が少な
く偏向直線性や電子ビームのランディング特性が優れた
ものである。

この撮像管は第１図に示すように、管体１内に電子銃２
が配置され、これより発生した電子ビームに対する水平
・垂直偏向用の静電偏向電極５が例えば管体１の内壁面
に形成される。６は集束コイル、７はアライメントコイ
ルを示す、電子銃２は例えば第２図に示すように、カソ
ードにと第１グリツドＧい第２グリッドＧ、を有し、第
２グリツドＧ２には微小間口リミッティングアパーチャ
ａを有する電極板８が、管軸Ｏ−０′とほぼ直交する面
内に設けられている。

このような構成による撮像管において、電子銃２より発
射された電子ビーム９は、静電偏向電極５によって得ら
れる電界によって水平・垂直偏向されてフェイスプレー
ト３上に設けられたターゲット４上を走査するようにな
される。このターゲット４における電子ビーム走査領域
は、第２図において領域Ａで示す範囲とするとき、この
領域Ａより外側の領域Ｂにおいて、戻りビーム像と呼ば
れる偽信号の発生があり、低照度の被写体撮像に際しＭ
Ｓ型撮像管の重大な欠点となる。電子銃２より発射され
た１次電子ビーム９は、ターゲット４の領域Ａ上を走査
するものであるが、その１部の電子は電子銃２側に押し
戻され、戻りビーム１０となる。そして、この戻りビー
ム１０が第２グリツドＧ２の主として電極板８に当り、
その一部が再びターゲット４に向う反射ビーム１１とな
る。さて、ターゲットの走査領域Ａの表面電位は１次ビ
ーム９の走査による放電によって陰極電位のＯｖ近くに
保持されるが、走査領域外の領域Ｂにおいては、走査ビ
ーム９の走査がなされず、この領域の表面電位はターゲ
ット印加電圧に近い数１０Ｖの高い電位にあるため、こ
こに反射ビーム１１が入射すると偽信号を発生し、戻り
ビーム像となる。２２はターゲット４に対向して配置さ
れるメツシュ電極を示す。

この戻りビーム像の発生を回避する目的で、例えば電極
板８の幅を走査領域Ａの幅の２７３よりも小さくし、反
射ビーム１１が領域Ｂに向わないようにした撮像管が特
開昭５６−３８７４２号に示されている。しかしながら
、電極板８を小さくすることは電子銃２の径を小さくす
ることを意味し、電子銃の製作には大きな困難があった
。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、電子銃の径を小さくすることなくＭＳ
撮像管における戻りビーム像発生を効果的に回避するこ
とができる撮像管を提供することにある。

〔発明の概要〕　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　１かかる目的を達成するため１本発明においては
電極板８のターゲット側前面に新たに電極を設け、この
電板を戻りビーム１０に対するリペラー電極となし、戻
りビーム１０を電極板に当てることなく、その方向を変
化させてターゲットの走査領域Ａに向わせることにより
戻りビーム像の発生を防止することを特徴とする。

さて、第２図に示した１次電子ビームの偏向量Ｒ１と戻
りビームの電極板への到達位置Ｒ２？及び反射ビームの
ターゲットへの到達位置とには、原理的にはＲ，二２　
Ｒ１，Ｒ，二３　Ｒ，の関係が存在する。しかし実際の
ＭＳ型撮像管では集束コイルの発生する磁界分布は管軸
方向に一様ではなく、電子は第３図に示すような軌道（
管軸に直交するＸ−ｙ面内）を描く、この例ではＲユ〜
２Ｒ，、Ｒ，。

二Ｒ２となっている、第４図には戻りビームに注目して
、その電極板への到達位置Ｒ２と入射角度θとを一次ビ
ームの偏向量Ｒ１に対して示しである。この図からＲ，
６ｅ　Ｒ１，θ収Ｒ１となり、戻りビームは偏向量によ
らずほぼ一点から出射してくるように見える。

〔発明の実施例〕

以下１本発明の実施例を図面を用いて説明する。

尚、以下の説明において、第２図と対応する部分には同
一符号を付けて重複説明を省略する。

第５図は１本発明による撮像管のりペラ−電極の一例を
示す図である。リペラー電極は電極板８のターゲット側
前面に設けられる０本実施例のりペラ−電極８１は１回
転双曲線正接曲面を有している。すなわち点Ｑを原点と
して、曲面の半径ｒは、ｒ＝＝−ｔａｎｈα２なる関係
で規定される。αは定数であり、電子光学系の構成によ
り決定される。この曲面は原点Ｑの近傍では半角４５°
の円錐面となっている。リペラー電極８１には電子銃の
陰極にと同一の電位かもしくはより低い電位が印加され
る。仮想的に軸上の一点Ｐから戻ってくる戻すビーム１
０は、リペラー電極の作る減速電界により方向を変え、
一度入射位置と管軸に対し点対称な位置に到達し、ここ
で再び方向を変え広義の反射ビーム１１となる。この反
射ビーム１１はターゲットの走査領域Ａの内に到達する
。このように、戻りビームをリペラー電極により押し戻
して方向を変え、結果としてターゲットに再び向う広義
の反射ビームが走査領域Ａ内に到達せしめることができ
、戻りビーム像の発生を防ぐことができる 第６図には第５図に示したｔａｎ　ｈ　曲面の一部８２
をリペラー電極に利用した実施例を示す。

戻りビームの到達位［Ｒ，が最大偏向量Ｒ，（走査領域
Ａの最大値）の約２／３以上の場合が戻りビーム像発生
領域に対応するため、この領域に亘すリペラー電極８２
を設け、中心軸近傍は平板電極８３を用いればよい。

以上説明してきた実施例ではりペラ−電極により戻りビ
ームを管軸に対し反対側へ向かわせるようになしたもの
である。他の実施例を第７図により説明する。電子銃電
極の電極板８の近傍に円錐状のりベラ−電極８４を設け
ると、静電偏向電極圧１００ｖ、電極板８の電圧１０５
ｖでリペラー電極８４の電圧がＯｖのとき、リペラー電
極８４の最大直径１６ｍ＋ｓ最小直径８＋ａｍで、その
管軸方向の長さは６■であり、戻りビーム１２．１４を
電極板８のターゲット走査領域Ａの２／３に相当する領
域Ｃ内に入射し１反射ビー４１３．１５はターゲット上
の走査領域Ａ内に達するようになり偽信号を発生しなく
なる。

リペラー電極の形状は、円筒面９球面１回１楕円面とす
ることも可能であり、また電子銃２は種種の構成をとり
得ることは勿論である。

〔発明の効果〕

上述の如く、本発明によればリペラー電極により広義の
反射ビームが走査領域内に到達されるので、戻りビーム
による偽信号の発生が効果的に回避できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は電磁集束−静電偏向型撮像管の側面断面図、第
２図はその要部を示す構成図、第３図及び第４図は戻り
ビームを説明する図、第５図と第６図および第７図はそ
れぞれ本発明によるリペラー電極の一実施例を示す図で
ある。 １・・・管体、２・・・電子銃、３・・・フェイスプレ
ート。 ４・・・ターゲット、５・・・静電偏向電極、６・・・
集束コイル、８．８３・・・電極板、９・・・１次ビー
ム、１０゜１２．１４・・・戻りビーム、１１，１３，
１５・・・反第　５　図 第６（２）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、電磁集束・静電偏向型撮像管において、ターゲット
   と対向して回転面を有し、陰極電位に等しいかより低い
   電位が印加されたリペラー電極を設け、該リペラー電極
   により、ターゲットの電子ビーム走査領域の幅の１／３
   以上の位置から発生した戻りビームを、電子ビームを発
   生する電子銃のターゲットに対向する電極のターゲット
   の走査領域幅の２／３以下の領域に向かわせるか、もし
   くは管軸に対して反対側へ向かわせることにより、再び
   ターゲットの電子ビーム走査領域内に入射させることを
   特徴とする撮像管。 ２、上記リペラー電極が、球面、回転楕円面、円錐面、
   円筒面もしくは回転双曲線正接曲面を有することを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の撮像管。